JPH02139935A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02139935A JPH02139935A JP29413088A JP29413088A JPH02139935A JP H02139935 A JPH02139935 A JP H02139935A JP 29413088 A JP29413088 A JP 29413088A JP 29413088 A JP29413088 A JP 29413088A JP H02139935 A JPH02139935 A JP H02139935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- ball
- recess
- substrate
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 4
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程において、イオン注
入後のアニールなどの短時間熱処理に用いる半導体製造
装置、特にサセプタの構造に関するものである。
入後のアニールなどの短時間熱処理に用いる半導体製造
装置、特にサセプタの構造に関するものである。
ラングアニール装置はイオン注入後のアニールを主目的
として、半導体基板を短時間熱処理するために開発され
た。
として、半導体基板を短時間熱処理するために開発され
た。
ランプアニール装置に用いられるサセプタの一般的な構
成は第３図に示すようにリング状をなし、該サセプタ１
の内周の上部３点にガラスビン２が備えられている。通
常、サセプタ１やガラスビン２の材質としては石英ガラ
スが用いられている。
成は第３図に示すようにリング状をなし、該サセプタ１
の内周の上部３点にガラスビン２が備えられている。通
常、サセプタ１やガラスビン２の材質としては石英ガラ
スが用いられている。
ガラスビン２上にまたがって半導体基板３を置き、上面
加熱用のタングステンハロゲンラング４と、下面加熱用
のタングステンハロゲンランプ５で半導体基板３を加熱
する。温度制御用には半導体基板の小片６に固定した熱
電対７が用いられる。
加熱用のタングステンハロゲンラング４と、下面加熱用
のタングステンハロゲンランプ５で半導体基板３を加熱
する。温度制御用には半導体基板の小片６に固定した熱
電対７が用いられる。
典型的な温度プロファイルを第４図に示す。
図において、直線８に示すように直線的に急速Ｃ加熱昇
温したのち、一定の温度（ここでは１０００℃）に達し
たら９に示すように１０秒間一定温度に保持し、その後
、曲線１０のように自然放冷により降温させ、２００℃
になったときに半導体基板が取り出される。
温したのち、一定の温度（ここでは１０００℃）に達し
たら９に示すように１０秒間一定温度に保持し、その後
、曲線１０のように自然放冷により降温させ、２００℃
になったときに半導体基板が取り出される。
前述した従来のランプアニール装置では、特に機械的強
度が低下する高温時の９の温度領域のときに、半導体基
板３とガラスビン２との接点部分に大きな曲げ歪がかか
る。
度が低下する高温時の９の温度領域のときに、半導体基
板３とガラスビン２との接点部分に大きな曲げ歪がかか
る。
さらに、半導体基板３とサセプタ１との熱膨張係数の違
いにより、膨張時の８の温度領域と収縮時の１０の温度
領域のときに半導体基板３とガラスピン２との接点です
べり摩擦が生じ、半導体基板３の板面には第５図に示す
ようなスリップ傷３ａが付され、半導体素子特性の劣化
を招くという欠点があった。
いにより、膨張時の８の温度領域と収縮時の１０の温度
領域のときに半導体基板３とガラスピン２との接点です
べり摩擦が生じ、半導体基板３の板面には第５図に示す
ようなスリップ傷３ａが付され、半導体素子特性の劣化
を招くという欠点があった。
本発明の目的は、上記課題を解消した半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の半導体製造装置にお
いては、処理すべき半導体基板を搭載するサセプタの少
なくとも３箇所に、半導体基板を支え、熱処理による該
基板の膨張・収縮に追従して変位する可動支持部を設け
たものである。
いては、処理すべき半導体基板を搭載するサセプタの少
なくとも３箇所に、半導体基板を支え、熱処理による該
基板の膨張・収縮に追従して変位する可動支持部を設け
たものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
図において、本実施例は、半導体基板３を支持する支持
部として転勤可能なボール１１を用いた例を示している
。すなわち、タングステンハロゲンランプ４，５間に設
置したサセプタ１は内周近傍の上面に開口した少なくと
も３個のくぼみ１ａを有し、各くぼみｌａ内にボール１
１を可動支持部として転勤可能に設置したものである。
部として転勤可能なボール１１を用いた例を示している
。すなわち、タングステンハロゲンランプ４，５間に設
置したサセプタ１は内周近傍の上面に開口した少なくと
も３個のくぼみ１ａを有し、各くぼみｌａ内にボール１
１を可動支持部として転勤可能に設置したものである。
前記ボール１１は上周面の一部が前記くぼみｌａ内から
上方に突出し、その上面で半導体基板３を支持している
。７は、サセプタ１上に取り付けた半導体基板の小片６
に固定した熱電対である。半導体基板３の熱処理は従来
と同じく第４図に示すプロファイルによって行われる。
上方に突出し、その上面で半導体基板３を支持している
。７は、サセプタ１上に取り付けた半導体基板の小片６
に固定した熱電対である。半導体基板３の熱処理は従来
と同じく第４図に示すプロファイルによって行われる。
本発明において、半導体基板３とボール１１との接触は
、曲面上でなされるので高温時における接点部分の曲げ
歪は小さい。
、曲面上でなされるので高温時における接点部分の曲げ
歪は小さい。
さらに、ボール１１はサセプタ１のくぼみ１ａの範囲内
で転がることができるので、基板が膨張する昇温時や収
縮する降温時のいずれにおいても膨張・収縮にともなう
基板の変形によって、接点部分ですべりが生じても摩擦
によるスリップ傷は生じにくい。
で転がることができるので、基板が膨張する昇温時や収
縮する降温時のいずれにおいても膨張・収縮にともなう
基板の変形によって、接点部分ですべりが生じても摩擦
によるスリップ傷は生じにくい。
なお、ボール１１の材質としては赤外線の透過率の大き
い石英ガラスのほか、窒化ホウ素、炭化ケイ素などを用
いることもできる。
い石英ガラスのほか、窒化ホウ素、炭化ケイ素などを用
いることもできる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
図において、本実施例は半導体基板３の支持部としてサ
セプタｌのくぼみ１ｂに挿入した傾動可能な可動ピン１
２を用いるものである。可動ビン１２は図示のように頭
部に凸状曲面を有し、軸部はくぼみ１ｂの底部に開口し
た小孔に遊動可能に挿入されている。常温から１０００
℃の温度差（こおいて、直径４インチのガリウム・ヒ素
基板の両端、あるいは直径８インチのシリコン基板の両
端における熱膨張はたかだか±０．２５＋ｍ程度に過ぎ
ないので、その範囲で可動ビン１２が傾くように余裕を
もたせれば充分である。
セプタｌのくぼみ１ｂに挿入した傾動可能な可動ピン１
２を用いるものである。可動ビン１２は図示のように頭
部に凸状曲面を有し、軸部はくぼみ１ｂの底部に開口し
た小孔に遊動可能に挿入されている。常温から１０００
℃の温度差（こおいて、直径４インチのガリウム・ヒ素
基板の両端、あるいは直径８インチのシリコン基板の両
端における熱膨張はたかだか±０．２５＋ｍ程度に過ぎ
ないので、その範囲で可動ビン１２が傾くように余裕を
もたせれば充分である。
半導体基板３に与える曲げ歪みを小さくするために、可
動ビン１２の半導体基板３との接点となる頭部は、第２
図に示すようにゆるやかな曲面をなす凸状であることが
好ましい。
動ビン１２の半導体基板３との接点となる頭部は、第２
図に示すようにゆるやかな曲面をなす凸状であることが
好ましい。
なお、本発明はランプアニール装置に制約されることは
なく、他の熱処理装置、例えばエピタキシャル装置、Ｃ
ＶＤ装置、ガラスリフロー装置などにも応用することが
できる。
なく、他の熱処理装置、例えばエピタキシャル装置、Ｃ
ＶＤ装置、ガラスリフロー装置などにも応用することが
できる。
上述したように本発明によればボールまたは可動ビンに
よる可動支持部で半導体基板を支持することにより、曲
げ歪が各支持部との接触部分に集中することがなく、支
持部に集中していた欠陥がなくなり、半導体基板周辺部
のスリップ傷の発生を防ぐことができ、ひいては半導体
基板周辺部の素子特性不良を解消することができるとい
う効果を有する。
よる可動支持部で半導体基板を支持することにより、曲
げ歪が各支持部との接触部分に集中することがなく、支
持部に集中していた欠陥がなくなり、半導体基板周辺部
のスリップ傷の発生を防ぐことができ、ひいては半導体
基板周辺部の素子特性不良を解消することができるとい
う効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図、第４図はランプアニール装置の典型的な温
度グロファイルを示す図、第５図は従来のランプアニー
ル装置による熱処理で半導体基板に発生する傷の例を示
す平面図である １・・・サセプタ ｌａ、ｌｂ・・・くぼみ２
・・・ガラスピン ３・・・半導体基板４・・・
タングステンハロゲンラング ５・・・タングステンハロゲンラング ６・・・半導体基板の小片 ７・・・熱電対１１・・・
ボール １２・・・可動ピン第４図 第１図 第２図
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図、第４図はランプアニール装置の典型的な温
度グロファイルを示す図、第５図は従来のランプアニー
ル装置による熱処理で半導体基板に発生する傷の例を示
す平面図である １・・・サセプタ ｌａ、ｌｂ・・・くぼみ２
・・・ガラスピン ３・・・半導体基板４・・・
タングステンハロゲンラング ５・・・タングステンハロゲンラング ６・・・半導体基板の小片 ７・・・熱電対１１・・・
ボール １２・・・可動ピン第４図 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）処理すべき半導体基板を搭載するサセプタの少な
くとも３箇所に、半導体基板を支え、熱処理による該基
板の膨張・収縮に追従して変位する可動支持部を設けた
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413088A JPH02139935A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413088A JPH02139935A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139935A true JPH02139935A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17803688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29413088A Pending JPH02139935A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139935A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056064A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
| WO2004086496A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 熱処理用ウェーハ支持具及び熱処理装置 |
| EP1511077A2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-03-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| WO2005124840A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| JP2010123637A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sumco Corp | ウェーハ熱処理装置 |
| WO2017061122A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
| JP2021190688A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司Global Wafers Co., Ltd. | ウェハマウントステーションおよびウェハ埋め込み構造の形成方法 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29413088A patent/JPH02139935A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525524A (ja) * | 2000-01-28 | 2003-08-26 | シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | サブストレートの熱処理のための装置 |
| JP4828761B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2011-11-30 | シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | サブストレートの熱処理のための装置 |
| US6953338B2 (en) | 2000-01-28 | 2005-10-11 | Steag Rtp Systems Gmbh | Device for thermal treatment of substrates |
| WO2001056064A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
| EP1511077A3 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| EP1511077A2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-03-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| US7393207B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-07-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer support tool for heat treatment and heat treatment apparatus |
| CN100352032C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-11-28 | 信越半导体株式会社 | 热处理用晶片支持器具及热处理装置 |
| KR100877129B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2009-01-07 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 열처리용 웨이퍼 지지구 및 열처리 장치 |
| WO2004086496A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 熱処理用ウェーハ支持具及び熱処理装置 |
| WO2005124840A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| JP2010123637A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sumco Corp | ウェーハ熱処理装置 |
| WO2017061122A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
| JP2018195598A (ja) * | 2015-10-06 | 2018-12-06 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法 |
| US10665485B2 (en) | 2015-10-06 | 2020-05-26 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Heat treatment vessel for single-crystal silicon carbide substrate and etching method |
| JP2021190688A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司Global Wafers Co., Ltd. | ウェハマウントステーションおよびウェハ埋め込み構造の形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3125199B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US5609689A (en) | Vacuum process apparaus | |
| US8026182B2 (en) | Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer | |
| JP2000323487A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JPH02139935A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09199437A (ja) | 半導体ウェーハ支持装置 | |
| JP2006019565A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3074312B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2001168175A (ja) | 熱処理用基板保持具、基板熱処理装置および基板の熱処理方法 | |
| US6149728A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| US5669768A (en) | Apparatus for adjusting a gas injector of furnace | |
| KR950001931A (ko) | 반도체 기판의 열처리 방법 | |
| JPH1098048A (ja) | ウエハー熱処理装置 | |
| JPS63271922A (ja) | 熱処理装置 | |
| KR100387728B1 (ko) | 급속열처리 장치용 에지링 | |
| KR100637978B1 (ko) | 급속 열처리 방법 | |
| JP7230661B2 (ja) | シリコンウェーハのスリップ転位に対する耐性の評価方法 | |
| JP3777964B2 (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
| JP2003100650A (ja) | 均熱化部材とその製造方法並びに基板熱処理装置 | |
| KR20040054024A (ko) | 실리콘웨이퍼 열처리로의 웨이퍼 지지대 | |
| KR20010045895A (ko) | 열충격에 대한 인성이 향상된 웨이퍼 보호링 및 그 제조방법 | |
| JPH025295B2 (ja) | ||
| JPH10223722A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2003257881A (ja) | 熱処理用ボート及びウエーハの熱処理方法 | |
| JP2005086132A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 |