JPS61168238A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
- Publication number
- JPS61168238A JPS61168238A JP960985A JP960985A JPS61168238A JP S61168238 A JPS61168238 A JP S61168238A JP 960985 A JP960985 A JP 960985A JP 960985 A JP960985 A JP 960985A JP S61168238 A JPS61168238 A JP S61168238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- stage
- inspection
- semiconductor
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の自動検査装置に関する。
近年、半導体装置の大量生産とそれに伴ない製造と検査
の効率化が進められているが、特に検査装置については
、所望の検査データが迅速且つ正確に求められることが
必要であると共に温度特性等についても、量産状態で検
査されることが必要である。
の効率化が進められているが、特に検査装置については
、所望の検査データが迅速且つ正確に求められることが
必要であると共に温度特性等についても、量産状態で検
査されることが必要である。
従来、半導体素子（本発明では例として半導体レーザ素
子について説明する）を単体毎に検査をするか、又は−
直線状のアレー状に配列された複数のレーザ素子を短冊
形にウェハから切り出し、このアレー状のレーザ素子を
検査台に１７型のストッパを使用して、位置出しをした
後真空チャックによりて固定して、個々のレーザ素子を
順番に検査を行っている。
子について説明する）を単体毎に検査をするか、又は−
直線状のアレー状に配列された複数のレーザ素子を短冊
形にウェハから切り出し、このアレー状のレーザ素子を
検査台に１７型のストッパを使用して、位置出しをした
後真空チャックによりて固定して、個々のレーザ素子を
順番に検査を行っている。
第３図は従来の半導体レーザ素子の検査装置を説明する
ための模式斜視図であるが、半導体レーザ素子の検査装
置１があり、ステージ２上に短冊型に切り出されたアレ
ー状の半導体レーザ素子３が、Ｌ型ストッパ４で位置出
しがなされて、真空チャック５によって固定される。
ための模式斜視図であるが、半導体レーザ素子の検査装
置１があり、ステージ２上に短冊型に切り出されたアレ
ー状の半導体レーザ素子３が、Ｌ型ストッパ４で位置出
しがなされて、真空チャック５によって固定される。
半導体レーザ素子３の検査は電圧印加用プローブ６と受
光装置７によってなされるが、通常は室温で行われてい
た。
光装置７によってなされるが、通常は室温で行われてい
た。
第４図は、このような検査装置によって求められた半導
体レーザ素子の電流と光出力の関係図であり、単に室温
特性によって良否判定の量産検査が行われている。
体レーザ素子の電流と光出力の関係図であり、単に室温
特性によって良否判定の量産検査が行われている。
然しながら、高信頼度の半導体レーザ素子を供給するた
めには、量産検査の際の温度特性の検査が必要であり、
そのような検査装置が要望さている。
めには、量産検査の際の温度特性の検査が必要であり、
そのような検査装置が要望さている。
上記従来の半導体素子の検査装置においては、検査台の
ステージ」−にあるアレー状の半導体レーザ素子を加熱
する加熱装置がないのが問題点である。
ステージ」−にあるアレー状の半導体レーザ素子を加熱
する加熱装置がないのが問題点である。
本発明は一ヒ記問題点を解消した半導体装置の検査装置
を提供するもので、その手段は、短冊形のアレー状に形
成された複数の半導体素子が検査台上の■、型スス１−
ツバよって位置決めされた上、真空チャック」二に固定
され、該検査台に配置された検査用電極によって該半導
体素子が検査される半導体装置の検査装置において、該
複数の半導体素子を搭載された検査台内部に加熱装置を
内蔵して、該複数の半導体素子を加熱しながら測定する
ことができることを特徴とする半導体装置の検査装置に
よって達成できる。
を提供するもので、その手段は、短冊形のアレー状に形
成された複数の半導体素子が検査台上の■、型スス１−
ツバよって位置決めされた上、真空チャック」二に固定
され、該検査台に配置された検査用電極によって該半導
体素子が検査される半導体装置の検査装置において、該
複数の半導体素子を搭載された検査台内部に加熱装置を
内蔵して、該複数の半導体素子を加熱しながら測定する
ことができることを特徴とする半導体装置の検査装置に
よって達成できる。
本発明ば、アレー状のレーザ素子を容易に加熱検査を行
うことが出来るように、検査装置に加熱ヒータを内蔵し
て、それぞれの半導体素子を均一に加熱して、検査をす
ることにより、高信頼性の検査を行うように考慮したも
のである。
うことが出来るように、検査装置に加熱ヒータを内蔵し
て、それぞれの半導体素子を均一に加熱して、検査をす
ることにより、高信頼性の検査を行うように考慮したも
のである。
第１図は本発明の半導体検査装置の実施例を説明するた
めの模式斜視図である。
めの模式斜視図である。
半導体レーザ素子の検査装置１１があり、ステージ１２
上に短冊型に切り出されたアレー状の半導体レーザ素子
１３が、Ｌ型ストッパ１４で位置出しがなされて、真空
チャック１５によって固定される。
上に短冊型に切り出されたアレー状の半導体レーザ素子
１３が、Ｌ型ストッパ１４で位置出しがなされて、真空
チャック１５によって固定される。
半導体レーザ素子１３の検査は電圧印加用プローブ１６
と、受光装置１７によってなされるが、本発明では、ス
テージの内部にヒータ１８が内蔵されている。
と、受光装置１７によってなされるが、本発明では、ス
テージの内部にヒータ１８が内蔵されている。
以下、検査装置による動作を説明すると、ヒータ１８を
所定の温度、例えば７０℃に上昇させ、定常温度になれ
ば、半導体レーザ素子をステージ１２の所定の位置にセ
ットし、真空チャックによって固定する。
所定の温度、例えば７０℃に上昇させ、定常温度になれ
ば、半導体レーザ素子をステージ１２の所定の位置にセ
ットし、真空チャックによって固定する。
次ぎにプローブ１６とステージ１２間にパルス電流を流
してレーザ素子の電流と光出力特性を測定すればよい。
してレーザ素子の電流と光出力特性を測定すればよい。
第２図は、本発明になる検査装置により半導体レーザ素
子の温度特性を測定した結果を示している。
子の温度特性を測定した結果を示している。
室温で測定した半導体レーザ素子の電流と先出、力との
関係と、半導体レーザ素子を７０℃に昇温しで測定した
関係では明らかに大きな差異が認められる。
関係と、半導体レーザ素子を７０℃に昇温しで測定した
関係では明らかに大きな差異が認められる。
このように、本発明の検査装置によれば、任意の温度で
電流と光出力特性の測定が可能であり、高温測定による
チップの選別により、組立完了後の不良を大幅に低減す
ることができる。
電流と光出力特性の測定が可能であり、高温測定による
チップの選別により、組立完了後の不良を大幅に低減す
ることができる。
以上詳細に説明したように本発明の半導体測定装置は、
アレー状の半導体チップを連続的に且つ高温度で測定と
選別を行うことができ、高度の品質管理と不良の低減に
供し得るという効果大なるものがある。
アレー状の半導体チップを連続的に且つ高温度で測定と
選別を行うことができ、高度の品質管理と不良の低減に
供し得るという効果大なるものがある。
第１図は、本発明の半導体素子検査装置の斜視図、
第２図は、本発明による半導体レーザ素子の温度測定図
、 第３図は、従来の半導体検査装置の斜視図、第４図は、
従来の半導体レーザ素子の特性測定図、 図において、 １１は半導体レーザ素子の検査装置、 １２ばステージ、 １３ば半導体レーザ素子、１４
はＬ型ストッパ、 １５ば真空チャック、１６は電圧印
加用プローブ、 １７ば受光装置、 １８はヒータ、をそれぞれ示し
ている。 第１図
、 第３図は、従来の半導体検査装置の斜視図、第４図は、
従来の半導体レーザ素子の特性測定図、 図において、 １１は半導体レーザ素子の検査装置、 １２ばステージ、 １３ば半導体レーザ素子、１４
はＬ型ストッパ、 １５ば真空チャック、１６は電圧印
加用プローブ、 １７ば受光装置、 １８はヒータ、をそれぞれ示し
ている。 第１図
Claims (1)
- 短冊形のアレー状に形成された複数の半導体素子が検査
台上のＬ型ストッパによって位置決めされた上、真空チ
ャック上に固定され、該検査台に配置された検査用電極
によって該半導体素子が検査される半導体装置の検査装
置において、該複数の半導体素子を搭載された検査台内
部に加熱装置を内蔵して、該複数の半導体素子を加熱し
ながら測定することができることを特徴とする半導体装
置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP960985A JPS61168238A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP960985A JPS61168238A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168238A true JPS61168238A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11725036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP960985A Pending JPS61168238A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315986A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | 回路検査装置および回路検査方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749248A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Fujitsu Ltd | Substrate heating and retaining device |
| JPS59162465A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 試験装置 |
| JPS59172284A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温テスタ |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP960985A patent/JPS61168238A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749248A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Fujitsu Ltd | Substrate heating and retaining device |
| JPS59162465A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 試験装置 |
| JPS59172284A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温テスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315986A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | 回路検査装置および回路検査方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080018352A1 (en) | Prober and probe contact method | |
| JP7119310B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
| WO2023116688A1 (zh) | 一种基于连续激光源的集成电路失效定位系统及方法 | |
| JP2006317346A (ja) | プロービングシステム及びプローバ | |
| JP5546328B2 (ja) | ウェーハテスト方法およびプローバ | |
| JP2007115836A (ja) | 半導体デバイスの検査方法及び検査装置並びに検査システム | |
| JPS61168238A (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
| KR20140128670A (ko) | 열상 카메라를 이용한 다이 고장해석 장치 | |
| JP2913344B2 (ja) | 半導体素子の検査装置及び検査方法。 | |
| JPS6385438A (ja) | コ−テイング層の非破壊検査方法 | |
| JP3104177B2 (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
| JPH05152389A (ja) | プローブカード | |
| JPS621247B2 (ja) | ||
| JPH0653294A (ja) | プロービング装置 | |
| JPH02101756A (ja) | プローバを用いた検査方法 | |
| Yanagita et al. | Realization of “skeleton wafer” testing for electrical failure analysis | |
| JP2007234645A (ja) | プローバ温度制御装置、及び、方法 | |
| KR200235110Y1 (ko) | 웨이퍼 프로버 스테이션용 핫척 | |
| JPS61187245A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
| JPS6236282Y2 (ja) | ||
| JPH08213438A (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
| JPS638132Y2 (ja) | ||
| JPS6118338B2 (ja) | ||
| JPS6228567B2 (ja) | ||
| JPS54162475A (en) | Inspection unit for semiconductor device |