JPS59172284A - 低温テスタ - Google Patents
低温テスタInfo
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- JPS59172284A JPS59172284A JP58044436A JP4443683A JPS59172284A JP S59172284 A JPS59172284 A JP S59172284A JP 58044436 A JP58044436 A JP 58044436A JP 4443683 A JP4443683 A JP 4443683A JP S59172284 A JPS59172284 A JP S59172284A
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- wafer holder
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ウェハを検査するウェハテスタに係り、特に
低温回路素子のウェハを低温で検査する低温テスタに関
する。
低温回路素子のウェハを低温で検査する低温テスタに関
する。
周知のように、ジョセフソン素子は極低温の液体ヘリウ
ム温度で動作する。したがって、作製した該ジョセフソ
ン素子の検査も液体ヘリウム温度でなされる。ところで
、従来の低温テスタにおいては、1チツプずつパッケー
ジに入れて検査が行われたので、非常に時間を要した。
ム温度で動作する。したがって、作製した該ジョセフソ
ン素子の検査も液体ヘリウム温度でなされる。ところで
、従来の低温テスタにおいては、1チツプずつパッケー
ジに入れて検査が行われたので、非常に時間を要した。
そこで、チッ用低温テスタは、実願昭56−36845
号の重田他による「ジョセフソン集積回路テスタ」に提
示されている。
号の重田他による「ジョセフソン集積回路テスタ」に提
示されている。
この従来の低温テスタは、検査すべきウェハを液体−・
リウム溜めの外壁に貼り付けて冷却するようになってお
り、かつウェハに接触して検査を行うプローブ針を持ち
該プローブ針を微動させる微動部が、極低温容器を構成
するデユワ−内部に設置されている。
リウム溜めの外壁に貼り付けて冷却するようになってお
り、かつウェハに接触して検査を行うプローブ針を持ち
該プローブ針を微動させる微動部が、極低温容器を構成
するデユワ−内部に設置されている。
つ甘り、このように構成されている従来の低温テスタに
あっては、ウェハを液体ヘリウム溜めの外壁を介して該
ウェハの片側のみから冷却するため、充分に冷却が行え
ず、ウェハの冷却に長時間を要するという不具合がある
。また、上記のように微動部がデユワ−内部に設けられ
ているので、該微動部を構成するギヤ等の可動部が凍り
ついたり、該可動部の構成部品の収縮率の相違によ如こ
れらの部品に圧力が加わったり、締め付けられたシして
ギヤ等が円滑に回転しなくなり、微動部が良好に動作し
なくなったり、また該微動部をモーなされたものであシ
、その目的はウエノ・の冷却能力を向上させ、かつ微動
部を円滑に動作させることができる低温回路素子のウニ
ノー用低温テスタを提供することにある。
あっては、ウェハを液体ヘリウム溜めの外壁を介して該
ウェハの片側のみから冷却するため、充分に冷却が行え
ず、ウェハの冷却に長時間を要するという不具合がある
。また、上記のように微動部がデユワ−内部に設けられ
ているので、該微動部を構成するギヤ等の可動部が凍り
ついたり、該可動部の構成部品の収縮率の相違によ如こ
れらの部品に圧力が加わったり、締め付けられたシして
ギヤ等が円滑に回転しなくなり、微動部が良好に動作し
なくなったり、また該微動部をモーなされたものであシ
、その目的はウエノ・の冷却能力を向上させ、かつ微動
部を円滑に動作させることができる低温回路素子のウニ
ノー用低温テスタを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、検査すべきウェハ
をそれを保持するウエノ・ホルダによシ直接液体ヘリウ
ムに浸すようになっており、かつ検査をするプローブ針
に対して微動させるウエノ・ホルダ微動装置を極低温容
器の外部に設置したことを特徴としている。また本発明
の他の特憎としては、極低温容器の開口部を櫟う熱遮蔽
構造を持ち、プローブ針を支持するプローブカードの近
傍にウェハ表面観察用ファイバスコープが設けられ、前
記極低温容器の外側または内側の少なくとも一方に磁気
遮蔽構造が設けてあシ、あるいは前記プローブカードに
設けたグローブ針固定用樹脂がテフロン製であることで
ある。
をそれを保持するウエノ・ホルダによシ直接液体ヘリウ
ムに浸すようになっており、かつ検査をするプローブ針
に対して微動させるウエノ・ホルダ微動装置を極低温容
器の外部に設置したことを特徴としている。また本発明
の他の特憎としては、極低温容器の開口部を櫟う熱遮蔽
構造を持ち、プローブ針を支持するプローブカードの近
傍にウェハ表面観察用ファイバスコープが設けられ、前
記極低温容器の外側または内側の少なくとも一方に磁気
遮蔽構造が設けてあシ、あるいは前記プローブカードに
設けたグローブ針固定用樹脂がテフロン製であることで
ある。
以下本発明の実施例を図面にもとづいて詳細に貯留する
ための液体窒素デユワ−12は該液体窒素デユワ−1の
内側に配置された液体ヘリウム4を貯留するための液体
ヘリウムデユワ−で、これらにより極低温容器19が構
成されている。5は検査すべきウェハ、6はプローブカ
ードで、その部分の拡大図の第2図に示すように該グロ
ーブカード6にはウェハ5に接触して検査を行うプロー
ブ針21と該プローブ針を支持するテフロン製の支持部
材すなわちプローブ針固定樹脂22とが設けである。7
は先端部にウェハ5を保持するウェハホルダ、8は液体
ヘリウムデユワ−2の外部に設けられ、ウエノ・ホルダ
7を矢印方向に微動させるウェハホルダ微動装置、10
はウェハ5に対するプローブ針21の接触状態をファイ
バースコープ9を介してモニターテレビ11に映しだす
テレビカメラ、12は熱遮蔽体、13f″i熱遮断用の
反射板で、熱遮蔽体12、反射板13によpウェハホル
ダ微動装置8に対して極低温容器19の冷気を遮蔽する
熱遮蔽構造20が構成されている。熱の2個の熱遮蔽体
24.25の3つの部分から構成され、それぞれ断熱材
26と熱反射用膜27から成る。14は極低温容器19
の外側に設けられ、通常のパーマロイなどの高透磁率材
料で作られた外側磁気遮蔽構造、15は液体ヘリウムデ
ユワ−2の低部内側に設けた内側磁気遮蔽構造である。
ための液体窒素デユワ−12は該液体窒素デユワ−1の
内側に配置された液体ヘリウム4を貯留するための液体
ヘリウムデユワ−で、これらにより極低温容器19が構
成されている。5は検査すべきウェハ、6はプローブカ
ードで、その部分の拡大図の第2図に示すように該グロ
ーブカード6にはウェハ5に接触して検査を行うプロー
ブ針21と該プローブ針を支持するテフロン製の支持部
材すなわちプローブ針固定樹脂22とが設けである。7
は先端部にウェハ5を保持するウェハホルダ、8は液体
ヘリウムデユワ−2の外部に設けられ、ウエノ・ホルダ
7を矢印方向に微動させるウェハホルダ微動装置、10
はウェハ5に対するプローブ針21の接触状態をファイ
バースコープ9を介してモニターテレビ11に映しだす
テレビカメラ、12は熱遮蔽体、13f″i熱遮断用の
反射板で、熱遮蔽体12、反射板13によpウェハホル
ダ微動装置8に対して極低温容器19の冷気を遮蔽する
熱遮蔽構造20が構成されている。熱の2個の熱遮蔽体
24.25の3つの部分から構成され、それぞれ断熱材
26と熱反射用膜27から成る。14は極低温容器19
の外側に設けられ、通常のパーマロイなどの高透磁率材
料で作られた外側磁気遮蔽構造、15は液体ヘリウムデ
ユワ−2の低部内側に設けた内側磁気遮蔽構造である。
この内側磁気遮蔽構造15は、その拡大図の第4図に示
すように、液体ヘリウム温度で透磁率が最大となる強磁
性材料の壁28と超電導材料の壁29から構成されてい
る。
すように、液体ヘリウム温度で透磁率が最大となる強磁
性材料の壁28と超電導材料の壁29から構成されてい
る。
上記のように構成された本発明の第1の実施例の低温テ
スタにおいて、まずウエノ・5を当該装置に装着する。
スタにおいて、まずウエノ・5を当該装置に装着する。
ウェハ5の装着は第5図に示すようにウェハホルダ微動
装置8、ウェハホルダ7およびプローブカード6を極低
温容器19から引き上げた状態で行う。ウェハ5をウエ
ノ・ホルダ7の先端部に装着したら、この状態でウエノ
・5の太ざつばな位置合わせを行う。位置合わせが終っ
たら、第1図に示すようにウニノーホルダ微動装置8、
ウェハホルダ7およびプローブカード6を極低温容かし
てウェハ5をプローブ針21に接触させウェハ5の検査
を行う。
装置8、ウェハホルダ7およびプローブカード6を極低
温容器19から引き上げた状態で行う。ウェハ5をウエ
ノ・ホルダ7の先端部に装着したら、この状態でウエノ
・5の太ざつばな位置合わせを行う。位置合わせが終っ
たら、第1図に示すようにウニノーホルダ微動装置8、
ウェハホルダ7およびプローブカード6を極低温容かし
てウェハ5をプローブ針21に接触させウェハ5の検査
を行う。
以上述べてきたように、本実施例の低温テスタにおいて
は、ウェハ5をウェハホルダ7により直の冷却能力を向
上させることができる。
は、ウェハ5をウェハホルダ7により直の冷却能力を向
上させることができる。
また、ウェハホルダ微動装置8が液体ヘリウムデユワ−
2すなわち極低温容器の外部に設置されており、加えて
該極低温容器の開口部に熱遮蔽体12と反射板13から
成る熱遮蔽構造20が設けられているので、極低温容器
19の冷気がウェハホルダ微動装置8に達せず該ウェハ
ホルダ微動装置8を室温に保つことができ、その可動部
が凍りついたシ、固くなったシするのを防止することが
できる。なお、熱遮蔽体12は第3図に示すようにウェ
ハホルダ7に取付けられたものと極低温容器19の内壁
に設けられたものとから成っているので、ウェハホルダ
7がウェハホルダ微動装置8により移動しても熱遮蔽効
果が損なわれないようになっている。また、極低温容器
19の外側に外側磁気遮蔽構造14が、さらに磁気遮蔽
効果を向上させるために該極低温遮器の内側に内側磁気
遮蔽構造15が設けであるので、磁気に敏感なジョセフ
ソン素子ウエノ・を検査する際、地磁気に対す一ブ針2
1を精度良く支持することができ、またプローブ針21
が極低温で硬化しても、該テフロン樹脂の弾性により該
プローブ針をウエノS5に無理な力をかけずに接触させ
ることができる。
2すなわち極低温容器の外部に設置されており、加えて
該極低温容器の開口部に熱遮蔽体12と反射板13から
成る熱遮蔽構造20が設けられているので、極低温容器
19の冷気がウェハホルダ微動装置8に達せず該ウェハ
ホルダ微動装置8を室温に保つことができ、その可動部
が凍りついたシ、固くなったシするのを防止することが
できる。なお、熱遮蔽体12は第3図に示すようにウェ
ハホルダ7に取付けられたものと極低温容器19の内壁
に設けられたものとから成っているので、ウェハホルダ
7がウェハホルダ微動装置8により移動しても熱遮蔽効
果が損なわれないようになっている。また、極低温容器
19の外側に外側磁気遮蔽構造14が、さらに磁気遮蔽
効果を向上させるために該極低温遮器の内側に内側磁気
遮蔽構造15が設けであるので、磁気に敏感なジョセフ
ソン素子ウエノ・を検査する際、地磁気に対す一ブ針2
1を精度良く支持することができ、またプローブ針21
が極低温で硬化しても、該テフロン樹脂の弾性により該
プローブ針をウエノS5に無理な力をかけずに接触させ
ることができる。
本発明者らの実験によると、この低温テスタの微動装置
8の微動の精度はウエノ・ホルダ微動部8で±2μm1
ウェハ5の面上で±10μmであった。
8の微動の精度はウエノ・ホルダ微動部8で±2μm1
ウェハ5の面上で±10μmであった。
第2図は本発明の第2の実施例の低温テスタを示す図で
ある。この図において、16は第1の実施例のウェハホ
ルダ微動装置8(第1図)の替わりに設けた、ウェハホ
ルダ7を自動的に微動させるウェハホルダ自動微動装置
、17はマイクロプロセッサを内蔵したコントローラで
、これらによシ自動チップ検査あるいは任意抽出検査な
どを行(9) うことができる。なお、18は検査結果およびチップの
座標を他の計算機に入力させるGP−IBバスインター
フェイスである。
ある。この図において、16は第1の実施例のウェハホ
ルダ微動装置8(第1図)の替わりに設けた、ウェハホ
ルダ7を自動的に微動させるウェハホルダ自動微動装置
、17はマイクロプロセッサを内蔵したコントローラで
、これらによシ自動チップ検査あるいは任意抽出検査な
どを行(9) うことができる。なお、18は検査結果およびチップの
座標を他の計算機に入力させるGP−IBバスインター
フェイスである。
なお、本実施例において第1の実施例と同様の効果を奏
することができるのはいうまでもなく、著しい効果をも
たらす。
することができるのはいうまでもなく、著しい効果をも
たらす。
以上説明してきたように本発明によれば、ウェハを直接
液体ヘリウムに浸すので該ウエノ・の冷却能力を向上さ
せることができ、かつ微動装置が極低温容器の外部に設
置されているので該微動装置を室温に保ち良好に動作さ
せることができる効果がある。
液体ヘリウムに浸すので該ウエノ・の冷却能力を向上さ
せることができ、かつ微動装置が極低温容器の外部に設
置されているので該微動装置を室温に保ち良好に動作さ
せることができる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の低温テスタの縦断面図
、第2図は第1図のプローブカード6の(10) 拡大断面図、第3図は第1図の熱遮蔽体12の拡大断面
図、第4図は第1図の内側磁気遮蔽構造15の拡大断面
図、第5図は極低温容器からウェハホルダ微動装置8、
ウェハホルダ7およびプローブカード6を引き上げた状
態を示す図、第6図は本発明の第2の実施例の低温テス
タの縦断面図である。 1・・・液体窒素デユワ−12・・・液体ヘリウムデユ
ワ−15・・・ウェハ、6・・・プローブカード、7・
・・ウェブ針、22・・・プローブ針固定用樹脂(支持
部材)。 特許出願人 (11) vij図 第1頁の続き 0発 明 者 用辺潮 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 413−
、第2図は第1図のプローブカード6の(10) 拡大断面図、第3図は第1図の熱遮蔽体12の拡大断面
図、第4図は第1図の内側磁気遮蔽構造15の拡大断面
図、第5図は極低温容器からウェハホルダ微動装置8、
ウェハホルダ7およびプローブカード6を引き上げた状
態を示す図、第6図は本発明の第2の実施例の低温テス
タの縦断面図である。 1・・・液体窒素デユワ−12・・・液体ヘリウムデユ
ワ−15・・・ウェハ、6・・・プローブカード、7・
・・ウェブ針、22・・・プローブ針固定用樹脂(支持
部材)。 特許出願人 (11) vij図 第1頁の続き 0発 明 者 用辺潮 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 413−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 16 液体窒素デユワ−およびその内側に配置された
液体ヘリウムデユワ−から成る極低温容器と、少なくと
も先端部が前記液体ヘリウムデユワ−内の液体ヘリウム
に浸り、該先端部に検査すべきウェハを保持するウェハ
ホルダと、前記極低温容器の外部に設けられ前記ウェハ
ホルダを微動させるウェハホルダ微動装置と、前記ウェ
ハに対向して配置されたグローブ針を持つプローブカー
ドとを具備することを特徴とする低温テスタ。 2、前記極低温容器の開口部を覆う熱遮蔽構造を持つこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の低温テスタ
。 3、前記プローブカードの近傍にウェハ表面観察用ファ
イバスコープが設けであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の低温テスタ。 4、前記極低温容器の外側または内側の少なくとも一方
に、磁気遮蔽構造が設けであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の低温テ
スタ。 5、前記プローブカードにテフロン製の前記プローブ針
の支持部材が設けであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の低温テスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58044436A JPS59172284A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 低温テスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58044436A JPS59172284A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 低温テスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59172284A true JPS59172284A (ja) | 1984-09-28 |
JPS6317352B2 JPS6317352B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=12691436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58044436A Granted JPS59172284A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 低温テスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59172284A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168238A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の検査装置 |
JPS62248232A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Nec Corp | 半導体ウエハ検査装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58044436A patent/JPS59172284A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168238A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の検査装置 |
JPS62248232A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Nec Corp | 半導体ウエハ検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6317352B2 (ja) | 1988-04-13 |
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