JPH02106050A - 半導体装置の測定方法およびプローブ装置 - Google Patents
半導体装置の測定方法およびプローブ装置Info
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- JPH02106050A JPH02106050A JP63260054A JP26005488A JPH02106050A JP H02106050 A JPH02106050 A JP H02106050A JP 63260054 A JP63260054 A JP 63260054A JP 26005488 A JP26005488 A JP 26005488A JP H02106050 A JPH02106050 A JP H02106050A
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- semiconductor device
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- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 14
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハー上に形成された半導体素子の電
気的特性あるいは集積回路の回路特性をウェハー段階に
て厳密に測定するための測定方法、およびプローブ装置
に関するものである。
気的特性あるいは集積回路の回路特性をウェハー段階に
て厳密に測定するための測定方法、およびプローブ装置
に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置の測定方法、及びプローブ装置として
は、半導体装置の電気的特性を測定する際、測定試料で
あるウェハーやプローブ針は空気あるいは不活性ガス雰
囲気中で測定される。例えば、第３図は、この従来のプ
ローブ装置を用いて測定を行っている状態の断面図であ
る。 １はプローブカード本体、２はプローブ針であ
る。３はプローブカード支持台を示す。４はプローブカ
ード支持台の開口部を示し、５はプローブカード本体の
開口部を示す。６は被測定半導体であるウェハー ７は
ウェハー６の固定用真空チャックである。
は、半導体装置の電気的特性を測定する際、測定試料で
あるウェハーやプローブ針は空気あるいは不活性ガス雰
囲気中で測定される。例えば、第３図は、この従来のプ
ローブ装置を用いて測定を行っている状態の断面図であ
る。 １はプローブカード本体、２はプローブ針であ
る。３はプローブカード支持台を示す。４はプローブカ
ード支持台の開口部を示し、５はプローブカード本体の
開口部を示す。６は被測定半導体であるウェハー ７は
ウェハー６の固定用真空チャックである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら従来の半導体装置の測定方法、及びプロー
ブ装置のように、空気雰囲気中での測定では、空気中に
含有される水分あるいはダストが測定試料であるウェハ
ー上の半導体装置やプローブ針に付着することによって
、リーク電流が生じたり、半導体装置そのものに電気的
、あるいは機械的損傷を与え、安定した高精度な測定は
望めない。またたとえプローバー内に不活性ガスを充満
させたとしても測定試料であるウェハー上の半導体装置
やプローブ針に付着している水分あるいはダストを除去
して測定を行うということは困難である。そのため半導
体ウェハー上に形成された半導体素子の電気的特性ある
いは集積回路の回路特性を安定にかつ正確に測定を行な
うことができない。特に安定して高精度な微少電流領域
の測定を行なうことはできない。
ブ装置のように、空気雰囲気中での測定では、空気中に
含有される水分あるいはダストが測定試料であるウェハ
ー上の半導体装置やプローブ針に付着することによって
、リーク電流が生じたり、半導体装置そのものに電気的
、あるいは機械的損傷を与え、安定した高精度な測定は
望めない。またたとえプローバー内に不活性ガスを充満
させたとしても測定試料であるウェハー上の半導体装置
やプローブ針に付着している水分あるいはダストを除去
して測定を行うということは困難である。そのため半導
体ウェハー上に形成された半導体素子の電気的特性ある
いは集積回路の回路特性を安定にかつ正確に測定を行な
うことができない。特に安定して高精度な微少電流領域
の測定を行なうことはできない。
本発明はかかる点に鑑み、半導体ウェハー上、あるいは
プローブ針に付着している水分あるいはダストを除去し
て、半導体素子の電気的特性あるいは集積回路の回路特
性を安定にかつ高精度に測定を行える半導体装置の測定
方法、及びプローブ装置を提供することを目的とする。
プローブ針に付着している水分あるいはダストを除去し
て、半導体素子の電気的特性あるいは集積回路の回路特
性を安定にかつ高精度に測定を行える半導体装置の測定
方法、及びプローブ装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は測定試料の半導体装置あるいはプローブ針に不
活性ガスあるいは温度可変の不活性ガスを吹きかける手
段を備えた測定方法、及びプローブ装置である。
活性ガスあるいは温度可変の不活性ガスを吹きかける手
段を備えた測定方法、及びプローブ装置である。
作用
本発明は前記した構成により、半導体装置の電気的特性
を測定する際に、その半導体装置やプローブ針に不活性
ガスあるいは温度を制御した不活性ガスを吹きかけるこ
とにより、半導体装置やプローブ針に付着している水分
あるいはダストを力学的あるいは熱的に除去することが
でき、さらに測定試料の半導体装置やプローブ針に直接
不活性ガスを吹きかけて、水分あるいはダストを吹き飛
ばすので、必要最小限の不活性ガスだけで良いので、半
導体装置の電気的特性を半導体装置やプローブ針に付着
している水分あるいはダストの影響を受けることなく安
価で安定かつ高精度な微少電流領域の測定を行うことが
できる。
を測定する際に、その半導体装置やプローブ針に不活性
ガスあるいは温度を制御した不活性ガスを吹きかけるこ
とにより、半導体装置やプローブ針に付着している水分
あるいはダストを力学的あるいは熱的に除去することが
でき、さらに測定試料の半導体装置やプローブ針に直接
不活性ガスを吹きかけて、水分あるいはダストを吹き飛
ばすので、必要最小限の不活性ガスだけで良いので、半
導体装置の電気的特性を半導体装置やプローブ針に付着
している水分あるいはダストの影響を受けることなく安
価で安定かつ高精度な微少電流領域の測定を行うことが
できる。
実施例
（１）第１図は本発明の一実施例におけるプローブ装置
で半導体装置の電気的特性の測定を行っている断面図で
ある。■はプローブカード本体で、２はプローブ針を示
す。３はプローブカードを支持固定するための台である
。４はプローブカード支持台の開口部を示し、５はプロ
ーブカード本体の開口部を示す。６は測定試料であるウ
ェハーで、７はウェハー固定用真空チャックである。８
は本発明の特徴であるところの不活性ガス導入管で、そ
の先端は４のプローブカード支持台の開口部と５のプロ
ーブカード本体の開口部を向いており、６の測定試料で
あるウェハーまたは２のプローブ針と６の測定試料であ
るウェハーが接触する付近に不活性ガスが吹きかかるよ
うに設置される。９は上記不活性ガス導入管８を固定す
るための治具である。
で半導体装置の電気的特性の測定を行っている断面図で
ある。■はプローブカード本体で、２はプローブ針を示
す。３はプローブカードを支持固定するための台である
。４はプローブカード支持台の開口部を示し、５はプロ
ーブカード本体の開口部を示す。６は測定試料であるウ
ェハーで、７はウェハー固定用真空チャックである。８
は本発明の特徴であるところの不活性ガス導入管で、そ
の先端は４のプローブカード支持台の開口部と５のプロ
ーブカード本体の開口部を向いており、６の測定試料で
あるウェハーまたは２のプローブ針と６の測定試料であ
るウェハーが接触する付近に不活性ガスが吹きかかるよ
うに設置される。９は上記不活性ガス導入管８を固定す
るための治具である。
以上のように本実施例によれば不活性ガスを直接測定試
料である半導体装置またはプローブ針と測定試料である
半導体装置に吹きかけることができ、測定試料である半
導体装置やプローブ針に付着している水分あるいはダス
トを不活性ガスで吹き飛ばすことが可能である。さらに
不活性ガスの量は従来のようにプローバー内を充満させ
るほどの量は必要ない。従って半導体装置の電気的特性
を測定する際に半導体装置やプローブ針に付着している
水分あるいはダストを吹き飛ばせることにより、本来の
デバイスの特性とは関係ないリーク電流などの要因を除
外することができ、また不活性ガスの量が少なくて済む
ことより安価で安定でかつ高精度な測定をすることがで
き特に高精度な微少電流領域の測定も行うことができる
。本発明で用いている不活性ガスとは、希ガス及び反応
性に乏しい気体、例えば窒素などを言う。
料である半導体装置またはプローブ針と測定試料である
半導体装置に吹きかけることができ、測定試料である半
導体装置やプローブ針に付着している水分あるいはダス
トを不活性ガスで吹き飛ばすことが可能である。さらに
不活性ガスの量は従来のようにプローバー内を充満させ
るほどの量は必要ない。従って半導体装置の電気的特性
を測定する際に半導体装置やプローブ針に付着している
水分あるいはダストを吹き飛ばせることにより、本来の
デバイスの特性とは関係ないリーク電流などの要因を除
外することができ、また不活性ガスの量が少なくて済む
ことより安価で安定でかつ高精度な測定をすることがで
き特に高精度な微少電流領域の測定も行うことができる
。本発明で用いている不活性ガスとは、希ガス及び反応
性に乏しい気体、例えば窒素などを言う。
（２）第２図は本発明の一実施例におけるプローブ装置
で半導体装置の電気的特性の測定を行っている断面図で
ある。１はプローブカード本体で、２はプローブ針を示
す。３はプローブカードを支持固定するための台である
。４はプローブカード支持台の開口部を示し、５はプロ
ーブカード本体の開口部を示す。６は測定試料であるウ
ェハーで、７はウェハー固定用真空チャックである。８
は本発明の特徴であるところの不活性ガス導入管で、そ
の先端は４のプローブカード支持台の開口部と５のプロ
ーブカード本体の開口部を向いており、６の測定試料で
あるウェハーまたは２のプローブ針と６の測定試料であ
るウェハーが接触する付近に不活性ガスが吹きかかるよ
うに設置される。９は上記不活性ガス導入管８を固定す
るための治具である。１０は本発明の特徴であるところ
の６の測定試料であるウェハーや２のプローブ針に吹き
かける不活性ガスの温度を制御する温度コントロール部
で、８の不活性導入管の内部に設置されている。
で半導体装置の電気的特性の測定を行っている断面図で
ある。１はプローブカード本体で、２はプローブ針を示
す。３はプローブカードを支持固定するための台である
。４はプローブカード支持台の開口部を示し、５はプロ
ーブカード本体の開口部を示す。６は測定試料であるウ
ェハーで、７はウェハー固定用真空チャックである。８
は本発明の特徴であるところの不活性ガス導入管で、そ
の先端は４のプローブカード支持台の開口部と５のプロ
ーブカード本体の開口部を向いており、６の測定試料で
あるウェハーまたは２のプローブ針と６の測定試料であ
るウェハーが接触する付近に不活性ガスが吹きかかるよ
うに設置される。９は上記不活性ガス導入管８を固定す
るための治具である。１０は本発明の特徴であるところ
の６の測定試料であるウェハーや２のプローブ針に吹き
かける不活性ガスの温度を制御する温度コントロール部
で、８の不活性導入管の内部に設置されている。
以上のように本実施例によれば不活性ガスを直接測定試
料である半導体装置またはプローブ針と測定試料である
半導体装置に吹きかけることができ、またその不活性ガ
スの温度を制御することができるので、半導体装置の特
性に悪影響を与えないぐらいの高温の不活性ガスを半導
体装置やプローブ針に吹きかけることにより、測定試料
である半導体装置やプローブ針に付着している水分ある
いはダストを不活性ガスで吹き飛ばしたりまた熱的に除
去することが可能である。さらに不活性ガスの量は従来
のようにプローバー内を充滴させるほどの量は必要ない
。従って半導体装置の電気的特性を測定する際に半導体
装置やプローブ針に付着している水分あるいはダストを
吹き飛ばしたり熱的に除去することにより、本来のデバ
イスの特性とは関係ないリーク電流などの要因を除外す
ることができ、また不活性ガスの量が少なくて済むこと
より安価で安定でかつ高精度な測定を行うことができ特
に高精度な微少電流領域の測定も行うことができる。本
発明で用いている不活性ガスとは、希ガス及び反応性に
乏しい気体例えば窒素などを言う。
料である半導体装置またはプローブ針と測定試料である
半導体装置に吹きかけることができ、またその不活性ガ
スの温度を制御することができるので、半導体装置の特
性に悪影響を与えないぐらいの高温の不活性ガスを半導
体装置やプローブ針に吹きかけることにより、測定試料
である半導体装置やプローブ針に付着している水分ある
いはダストを不活性ガスで吹き飛ばしたりまた熱的に除
去することが可能である。さらに不活性ガスの量は従来
のようにプローバー内を充滴させるほどの量は必要ない
。従って半導体装置の電気的特性を測定する際に半導体
装置やプローブ針に付着している水分あるいはダストを
吹き飛ばしたり熱的に除去することにより、本来のデバ
イスの特性とは関係ないリーク電流などの要因を除外す
ることができ、また不活性ガスの量が少なくて済むこと
より安価で安定でかつ高精度な測定を行うことができ特
に高精度な微少電流領域の測定も行うことができる。本
発明で用いている不活性ガスとは、希ガス及び反応性に
乏しい気体例えば窒素などを言う。
発明の詳細
な説明してきたように、本発明によればプローブ装置に
測定試料の半導体装置やプローブ針に不活性ガスをある
いは温度を制御した不活性ガスを直接吹きかける装置を
設置することにより、半導体装置の電気的特性を測定す
る際、その半導体装置の本来の特性に影響を与える、例
えばリーク電流の要因となる水分あるいはダストをその
不活性ガスで力学的あるいは熱的に除去しうろことがで
き、またここで使う不活性ガスは上記の水分あるいはダ
ストを除去するだけの目的であるので、除去するのに必
要最少限の量だけで良いことにより、安価で安定でかつ
高精度な測定をすることができ特に高精度な微少電流領
域のα１定も行うことができる測定方法及びプローブ装
置を提供でき、その実用的効果は大きい。
測定試料の半導体装置やプローブ針に不活性ガスをある
いは温度を制御した不活性ガスを直接吹きかける装置を
設置することにより、半導体装置の電気的特性を測定す
る際、その半導体装置の本来の特性に影響を与える、例
えばリーク電流の要因となる水分あるいはダストをその
不活性ガスで力学的あるいは熱的に除去しうろことがで
き、またここで使う不活性ガスは上記の水分あるいはダ
ストを除去するだけの目的であるので、除去するのに必
要最少限の量だけで良いことにより、安価で安定でかつ
高精度な測定をすることができ特に高精度な微少電流領
域のα１定も行うことができる測定方法及びプローブ装
置を提供でき、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例におけるプローブ装置で測定
を行っている状態を示す断面図、第２図は本発明の一実
施例における温度を制御した不活性ガスを供給すること
のできるプローブ装置で測定を行っている状態を示す断
面図、第３図は従来のプローブ装置で測定を行っている
状態を示す断面図である。 １・・・プローブカード本体、２・・・プローブ針、３
・・・プローブカード支持台、４・・・プローブカード
支持台の開口部、５・・・プローブカード本体の開口部
、６・・・ウェハー ７・・・真空チャック、８・・・
不活性ガス導入管、９・・・導入管支持治具、１０・・
・温度コントロール部。
を行っている状態を示す断面図、第２図は本発明の一実
施例における温度を制御した不活性ガスを供給すること
のできるプローブ装置で測定を行っている状態を示す断
面図、第３図は従来のプローブ装置で測定を行っている
状態を示す断面図である。 １・・・プローブカード本体、２・・・プローブ針、３
・・・プローブカード支持台、４・・・プローブカード
支持台の開口部、５・・・プローブカード本体の開口部
、６・・・ウェハー ７・・・真空チャック、８・・・
不活性ガス導入管、９・・・導入管支持治具、１０・・
・温度コントロール部。
Claims (6)
- （１）半導体装置の電気的側定時に、前記半導体装置に
不活性ガスを吹きかけて測定を行うことを特徴とする半
導体装置の測定方法 - （２）半導体装置の電気的測定時に、前記半導体装置に
、温度を制御した不活性ガスを吹きかけて測定を行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の測定方法。 - （３）半導体装置の電気的測定時に、前記半導体装置及
びプローブ針に不活性ガスを吹きかけて測定を行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
測定方法。 - （４）半導体装置の電気的測定時に、前記半導体装置及
びプローブ針に、温度を制御した不活性ガスを吹きかけ
て測定を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の測定方法。 - （５）プローブカードを支持するためのプローブカード
支持台、前記プローブカード支持台に設置される不活性
ガス導入管支持治具、被測定半導体装置及びプローブ針
に不活性ガスを吹きかける前記不活性ガス導入管支持治
具で支持される不活性ガス導入管を備えていることを特
徴とするプローブ装置。 - （６）プローブカードを支持するためのプローブカード
支持台、前記プローブカード支持台に設置される不活性
ガス導入管支持治具、被測定半導体装置及びプローブ針
に不活性ガスを吹きかける前記不活性ガス導入管支持治
具で支持される不活性ガス導入管、この不活性ガスの温
度を制御する温度制御手段を備えていることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載のプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260054A JPH02106050A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置の測定方法およびプローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260054A JPH02106050A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置の測定方法およびプローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106050A true JPH02106050A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17342664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63260054A Pending JPH02106050A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体装置の測定方法およびプローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101549A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-14 | Solid State Measurements Inc | 高温対流加熱を利用する半導体基板表面の準備工程 |
| JP2017040561A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体チップテスト装置および半導体チップテスト方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63260054A patent/JPH02106050A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101549A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-14 | Solid State Measurements Inc | 高温対流加熱を利用する半導体基板表面の準備工程 |
| JP2017040561A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体チップテスト装置および半導体チップテスト方法 |
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