CN115407179A - 一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2896—Testing of IC packages; Test features related to IC packages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及晶圆测试技术领域，且公开了一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，通过测试前的焊点规律找寻即对测试装置做开始的初始化设置，后将带检测的晶圆放置在测试装置合适的位置上，同时启动拍照机构拍摄晶圆焊点的排布位置和排布周期，进而生成焊点排布规律线条或者图形，加上测试准备，探针的走位都会根据焊点排布线条进行预判，以提高探针的探测位置准确性，当一个测试单位测试完成后移动所述探针对下一个晶圆测试单位进行测试，后当测试工作完成后，焊点表面会形成针痕，后测试设备对针痕落点位置进行运算和分析：若针痕落在晶圆上的焊点范围内,则表明扎针有效；反之则表明扎针无效，进而实现探针针痕落位准确性的效果。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆测试技术领域，具体为一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅；高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，制作完成后的晶圆在流入市场时都需要经过测试，测试成功后才能使用。
现有的晶圆测试流程和技术已较为成熟，且测试后的残次品处理手段也较为完善，但现有的晶圆在测试时，往往需要探针对准焊点，稍有偏差便会导致晶圆不合格，对此现有技术并无相应的处理手段，故因此一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法应运而生。
发明内容
为实现上述提供探针针痕准确性的目的，本发明提供如下技术方案：一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，包括以下步骤：
S1、焊点规律：对测试装置做开始的初始化设置，后将带检测的晶圆放置在测试装置合适的位置上，同时启动拍照机构拍摄晶圆焊点的排布位置和排布周期，进而生成焊点排布规律线条或者图形；
S2、测试准备：连接好测试装置和探针台以及将探针卡装入探针台中，使测试装置和探针台形成完整的测试系统，之后将待测晶圆放入探针台上，而后根据焊点排布规律设置好探针卡的移动轨迹和下一步走向，再设置其余配合使用的拍照机构的拍照时机，并保存好设定的参数；
S3、测试工作：测试工作共进行多次，每一次测试时探针都对一个晶圆测试单位进行全覆盖测试，且当一个焊点测试完成后，探针的走位都会根据焊点排布线条进行预判，以提高探针的探测位置准确性，当一个测试单位测试完成后移动所述探针对下一个晶圆测试单位进行测试；
S4、测试反馈：当测试工作完成后，焊点表面会形成针痕，后测试设备对针痕落点位置进行运算和分析：若针痕落在晶圆上的焊点范围内,则表明扎针有效；反之则表明扎针无效。
本发明的有益效果是：通过对测试装置做开始的初始化设置，后将带检测的晶圆放置在测试装置合适的位置上，同时启动拍照机构拍摄晶圆焊点的排布位置和排布周期，进而生成焊点排布规律线条或者图形；连接好测试装置和探针台以及将探针卡装入探针台中，使测试装置和探针台形成完整的测试系统，之后将待测晶圆放入探针台上，而后根据焊点排布规律设置好探针卡的移动轨迹和下一步走向，再设置其余配合使用的拍照机构的拍照时机，并保存好设定的参数；测试工作共进行多次，每一次测试时探针都对一个晶圆测试单位进行全覆盖测试，且当一个焊点测试完成后，探针的走位都会根据焊点排布线条进行预判，以提高探针的探测位置准确性，当一个测试单位测试完成后移动所述探针对下一个晶圆测试单位进行测试；当测试工作完成后，焊点表面会形成针痕，后测试设备对针痕落点位置进行运算和分析：若针痕落在晶圆上的焊点范围内,则表明扎针有效；反之则表明扎针无效进而实现探针针痕落位准确性的效果。
优选的，所述S1中拍照机构内置CPU处理器，其可将拍照图形形成程序语言传递至测试装置中。
优选的，所述S2中在对晶圆进行测试前先对探针台的探针卡上的探针进行清洁，即探针上的铝屑或钨塞污染清除掉。
优选的，所述S2中测试装置与探针台通过物联网进行数据互通连接，进而将焊点排布数据传输至探针台中，控制探针的移动和走向，进而形成完整的测试系统。
优选的，所述S3探针与晶圆上芯片的焊点接触，会形成电信号，并被储存记录。
优选的，所述探针台可以固定晶圆或芯片，并精确定位待测物。手动探针台的使用者将探针臂和探针安装到操纵器中，并使用显微镜将探针尖端放置到待测物上的正确位置；探针台可以将电探针、光学探针或射频探针放置在硅晶片上，从而可以与测试仪器/半导体测试系统配合来测试芯片/半导体器件。这些测试可以很简单，例如连续性或隔离检查，也可以很复杂，包括微电路的完整功能测试。可以在将晶圆锯成单个管芯之前或之后进行测试。在晶圆级别的测试允许制造商在生产过程中多次测试芯片器件，这可以提供有关哪些工艺步骤将缺陷引入最终产品的信息。它还使制造商能够在封装之前测试管芯，这在封装成本相对于器件成本高的应用中很重要。探针台还可以用于研发、产品开发和故障分析应用。
优选的，所述待测芯片需要测试探针的连接，才能与测试仪器建立连接。常见的有普通DC测试探针、同轴DC测试探针、有源探针和微波探针等。探针头插入单个探针臂并安装在操纵器上。探针尖端尺寸和材料取决于被探测特征的尺寸和所需的测量类型。探针尖直接接触被测件，探针臂应与探针尖匹配。
优选的，半导体测试可以按生产流程可以分为三类：验证测试、晶圆测试测试、封装检测。晶圆检测环节需要使用测试仪和探针台，测试仪/机用于检测芯片功能和性能，探针台实现被测芯片与测试机的连接，通过探针台和测试机的配合使用对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试或射频测试，可以对芯片的良品、不良品的进行筛选。
附图说明
图1为本发明流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，包括以下步骤：
半导体测试可以按生产流程可以分为三类：验证测试、晶圆测试测试、封装检测。晶圆检测环节需要使用测试仪和探针台，测试仪/机用于检测芯片功能和性能，探针台实现被测芯片与测试机的连接，通过探针台和测试机的配合使用对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试或射频测试，可以对芯片的良品、不良品的进行筛选；
S1、焊点规律：对测试装置做开始的初始化设置，后将带检测的晶圆放置在测试装置合适的位置上，同时启动拍照机构拍摄晶圆焊点的排布位置和排布周期，进而生成焊点排布规律线条或者图形；拍照机构内置CPU处理器，其可将拍照图形形成程序语言传递至测试装置中；
S2、测试准备：连接好测试装置和探针台以及将探针卡装入探针台中，使测试装置和探针台形成完整的测试系统，之后将待测晶圆放入探针台上，而后根据焊点排布规律设置好探针卡的移动轨迹和下一步走向，再设置其余配合使用的拍照机构的拍照时机，并保存好设定的参数；对晶圆进行测试前先对探针台的探针卡上的探针进行清洁，即探针上的铝屑或钨塞污染清除掉；探针与晶圆上芯片的焊点接触，会形成电信号，并被储存记录；
探针台可以将电探针、光学探针或射频探针放置在硅晶片上，从而可以与测试仪器/半导体测试系统配合来测试芯片/半导体器件。这些测试可以很简单，例如连续性或隔离检查，也可以很复杂，包括微电路的完整功能测试。可以在将晶圆锯成单个管芯之前或之后进行测试。在晶圆级别的测试允许制造商在生产过程中多次测试芯片器件，这可以提供有关哪些工艺步骤将缺陷引入最终产品的信息。它还使制造商能够在封装之前测试管芯，这在封装成本相对于器件成本高的应用中很重要。探针台还可以用于研发、产品开发和故障分析应用；
S3、测试工作：测试工作共进行多次，每一次测试时探针都对一个晶圆测试单位进行全覆盖测试，且当一个焊点测试完成后，探针的走位都会根据焊点排布线条进行预判，以提高探针的探测位置准确性，当一个测试单位测试完成后移动探针对下一个晶圆测试单位进行测试；测试装置与探针台通过物联网进行数据互通连接，进而将焊点排布数据传输至探针台中，控制探针的移动和走向，进而形成完整的测试系统；
S4、测试反馈：当测试工作完成后，焊点表面会形成针痕，后测试设备对针痕落点位置进行运算和分析：若针痕落在晶圆上的焊点范围内,则表明扎针有效；反之则表明扎针无效。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，包括以下步骤，其特征在于：
S1、焊点规律：对测试装置做开始的初始化设置，后将带检测的晶圆放置在测试装置合适的位置上，同时启动拍照机构拍摄晶圆焊点的排布位置和排布周期，进而生成焊点排布规律线条或者图形；
S2、测试准备：连接好测试装置和探针台以及将探针卡装入探针台中，使测试装置和探针台形成完整的测试系统，之后将待测晶圆放入探针台上，而后根据焊点排布规律设置好探针卡的移动轨迹和下一步走向，再设置其余配合使用的拍照机构的拍照时机，并保存好设定的参数；
S3、测试工作：测试工作共进行多次，每一次测试时探针都对一个晶圆测试单位进行全覆盖测试，且当一个焊点测试完成后，探针的走位都会根据焊点排布线条进行预判，以提高探针的探测位置准确性，当一个测试单位测试完成后移动所述探针对下一个晶圆测试单位进行测试；
S4、测试反馈：当测试工作完成后，焊点表面会形成针痕，后测试设备对针痕落点位置进行运算和分析：若针痕落在晶圆上的焊点范围内,则表明扎针有效；反之则表明扎针无效。
2.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述S1中拍照机构内置CPU处理器，其可将拍照图形形成程序语言传递至测试装置中。
3.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述S2中在对晶圆进行测试前先对探针台的探针卡上的探针进行清洁，即探针上的铝屑或钨塞污染清除掉。
4.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述S2中测试装置与探针台通过物联网进行数据互通连接，进而将焊点排布数据传输至探针台中，控制探针的移动和走向，进而形成完整的测试系统。
5.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述S3探针与晶圆上芯片的焊点接触，会形成电信号，并被储存记录。
6.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述探针台可以固定晶圆或芯片，并精确定位待测物。手动探针台的使用者将探针臂和探针安装到操纵器中，并使用显微镜将探针尖端放置到待测物上的正确位置。
7.根据权利要求1所述的一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法，其特征在于：所述探针可以与待测芯片需要测试连接，连接后才能与测试仪器建立连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210986088.3A CN115407179A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | 一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210986088.3A CN115407179A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | 一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115407179A true CN115407179A (zh) | 2022-11-29 |
Family
ID=84158837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210986088.3A Pending CN115407179A (zh) | 2022-08-16 | 2022-08-16 | 一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115407179A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2022-08-16 CN CN202210986088.3A patent/CN115407179A/zh active Pending
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