CN211014592U - 晶圆漏电测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于半导体晶圆测试领域，具体涉及一种晶圆漏电测试装置，其包括：承载晶圆的测试台；测试仪，其与所述晶圆连接；记录仪，其设置在所述测试台上；其中，所述晶圆的表面涂抹液晶层。本实用新型不但能知道漏电数值的大小及超标情况，而且能准确的知道漏电的具体位置，便于后期对漏电区域的工艺进行去改善，准确及时的改进产品性能，提高效率。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体晶圆测试领域，具体涉及一种晶圆漏电测试装置。
背景技术
半导体组件的制造需要经过诸多步骤，例如晶圆制造、晶圆测试、芯片封装以及最后的成品测试。在晶圆制造阶段，各种电路或者电子器件(诸如，晶体管、电容、电阻或者逻辑器件等)被集成在晶圆上。待制造完成后，晶圆上形成有多个半导体芯片。在将晶圆切割成若干个独立芯片之前，可以进行晶圆测试，然而，其中对晶圆漏电的测试，传统的晶圆漏电测试装置都是通过半导体测试仪测试，测试的结果是一个数据或曲线，但却无法知道漏电的具体位置。
为了解决这个问题，本实用新型采用了一种晶圆漏电测试装置。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。
本实用新型还有一个目的是提供一种晶圆漏电测试装置，解决了传统的晶圆漏电装置只能知道漏电数值大小，但不能测出漏电的具体位置的问题。
为了实现根据本实用新型的这些目的和其它优点，本实用新型提供了一种晶圆漏电测试装置，包括：
承载晶圆的测试台；
测试仪，其与所述晶圆连接；
记录仪，其设置在所述测试台上；
其中，所述晶圆的表面涂抹液晶层。
本测试装置不但能知道漏电数值的大小及超标情况，而且能准确的知道漏电的具体位置，这对于研发人员改善产品非常有帮助，研发人员就可以有针对性的对漏电区域的工艺进行去改善，准确及时的改进产品性能。
优选的是，所述测试台包括载物台、探针、显微镜，所述载物台承载所述晶圆，所述探针设置在能与所述晶圆接触的位置，所述显微镜位于所述晶圆的正上方。
优选的是，所述探针与所述测试台承载的晶圆接触，所述探针的另一端与所述测试仪通过开尔文接法连接。
优选的是，所述探针的另一端与所述测试仪通过开尔文接法连接包括：
所述晶圆的MOS漏极分解为D、Dsense，所述晶圆的MOS源级分解为S、Ssense，所述晶圆通过所述探针的一端与所述测试仪的四个测试端D、Dsense、S、Ssense依次对应连接。
优选的是，所述测试仪为B1506A型号。
优选的是，所述显微镜选择X500型号。
优选的是，所述记录仪采用CCD成型系统，所述记录仪设置在所述显微镜上方。
优选的是，还包括液晶显示屏，其与所述记录仪连接。
本实用新型至少包括以下有益效果：
1、本实用新型提供的一种晶圆漏电测试装置，其不但能测试漏电数值的大小及超标情况，而且能准确的知道漏电的具体位置，提高工作效率。
2、本实用新型提供的一种晶圆漏电测试装置，其测试台所载探针和测试仪之间通过四线强制检测法—开尔文法连接，使得在进行10-6-10-3数量级电压、电流测量时，可完全消除由所述探针、所述测试仪之间连接导线带来的电压、电流损耗影响，极大的提高晶圆漏电测试精度。
3、本实用新型提供的一种晶圆漏电测试装置，其采用的测试仪，可用于精密测量二极管、三极管、MOS、IGBT等半导体功率器件，提高了本实用新型测试的精度。
4、本实用新型提供的一种晶圆漏电测试装置，其采用的记录仪，可以准确地将晶圆表面测试变化进行记录并成像于液晶显示屏。
附图说明
图1是本实用新型所述的晶圆漏电测试装置的结构示意图；
图2是本实用新型所述的开尔文接法的电路原理示意图；
1-测试台，2-测试仪，3-晶圆，4-记录仪，5-载物台，6-探针，7-显微镜，8-液晶显示屏，9-开尔文连接线。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
在本说明书中，当一个元件被提及为“连接至或耦接至”另一个元件或“设置在另一个元件中”时，其可以“直接”连接至或耦接至另一元件或“直接”设置在另一元件中。或以其他元件介于其间的方式连接至或耦接至另一元件或设置在另一元件中，除非其被体积为“直接耦接至或连接至”另一元件或“直接设置”在另一元件中。此外，应理解，当一个元件被提及为“在另一元件上”、“在另一元件上方”、“在另一元件下”或“在另一元件下方”时，其可与另一元件“直接”接触或以其间介入有其他元件的方式与另一元件接触，除非其被提及为与另一元件直接接触。
本实用新型提供了一种晶圆漏电测试装置，包括：
为了实现根据本实用新型的这些目的和其它优点，本实用新型提供了一种晶圆漏电测试装置，包括：
承载晶圆的测试台1；
测试仪2，其与所述晶圆3连接；
记录仪4，其设置在所述测试台1上；
其中，所述晶圆3的表面涂抹液晶层。
本测试装置不但能知道漏电数值的大小及超标情况，而且能准确的知道漏电的具体位置，这对于研发人员改善产品非常有帮助，研发人员就可以有针对性的对漏电区域的工艺进行去改善，准确及时的改进产品性能。
当记录仪关闭时，在晶圆器件在封装前，可以对其进行DC参数测试，基于测试仪、功率器件晶圆的测试台进行测试，将晶圆用探针与测试仪相连接，可进行器件封装前DC参数测试与分析；
当记录仪开启时，在晶圆器件在封装前，可以对其进行LCD参数测试，基于测试仪、承载晶圆的测试台、晶圆测试的记录仪进行测试，将晶圆用探针与功率器件参数的测试仪相连接并对晶圆进行漏电测试，在晶圆表面涂抹液晶试剂，利用液晶对温度的色彩变化，当晶圆的某处出现漏电偏大时，用测试仪对MOS通电，漏电区域颜色会发生明显的颜色明暗变化，颜色变化愈显著，则漏电数值愈大。此法可用于晶圆表面漏电趋势及区域的测试与分析，同时可利用晶圆测试的记录仪进行测试录像，用于后期进一步分析测试。
在上述实施例的基础上，又一个实施例，所述测试台1包括载物台5、探针6、显微镜7，所述载物台5承载所述晶圆3，所述探针6设置在能与所述晶圆3接触的位置，所述显微镜7设置在所述载物台5上，并位于所述晶圆3正上方。
所述的功率器件晶圆的测试台1采用仪淮科技Probe Station，包括在载物台5、测试探针6、显微镜7，可对晶圆3进行表面探针测试。
在上述实施例的基础上，再一个实施例，所述探针6与所述测试台1承载的晶圆3接触，所述探针6的另一端与所述测试仪2通过开尔文接法连接，所述晶圆的MOS漏极分解为D、Dsense，所述晶圆的MOS源级分解为S、Ssense，所述晶圆通过所述探针的一端与所述测试仪的四个测试端D、Dsense、S、Ssense依次通过开尔文连接线9对应连接。
所述探针6和测试仪2之间通过四线强制检测法—开尔文法连接，使得在进行10-6-10-3数量级电压、电流测量时，可完全消除由所述探针、所述测试仪之间连接导线带来的电压、电流损耗影响，极大的提高晶圆漏电测试精度。
其中，所述测试仪为B1506A型号。
所述的功率器件参数的测试仪采用是德科技参数测试机B1506A，可用于精密测量二极管、三极管、MOS、IGBT等半导体功率器件。
其中，所述显微镜7选择X500型号，所述记录仪4采用CCD成型系统，所述记录仪4设置在所述显微镜上方。
晶圆测试的记录仪采用CCD成像系统，放置于X500显微镜上方，自带2倍光学放大，用于实时将晶圆表面测试变化进行记录，晶圆测试的记录仪装在功率器件晶圆的测试台之上，可将功率器件晶圆测试过程以视频或图片形式保存，并成像于所述记录仪连接的液晶显示器。
本实用新型的工作原理：本实用新型可以对功率器件晶圆进行器件DC参数测试与晶圆LCD测试,当对晶圆进行DC参数测试时，是基于功率器件参数的测试仪、功率器件晶圆的测试台进行测试，将晶圆用探针与测试仪相连接，可进行器件封装前DC参数测试与分析；当对晶圆进行LCD测试时，基于测试仪、功率器件晶圆的测试台、记录仪进行测试，将晶圆用探针与功率器件参数测试仪相连接，并对晶圆进行漏电测试，在晶圆表面涂抹液晶试剂，当晶圆的某处出现漏电偏大时，用测试仪对MOS通电，漏电区域颜色会发生明显的颜色明暗变化，颜色变化愈显著，则漏电数值愈大。
此方法可用于晶圆表面漏电趋势及区域的测试与分析，同时利用开启的记录仪进行测试录像，可将功率器件晶圆测试过程以视频或图片形式保存，用于后期进一步分析测试。
显而易见的是，本领域的技术人员可以从根据本实用新型的实施方式的各种结构中获得根据不麻烦的各个实施方式尚未直接提到的各种效果。
尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
Claims (8)
1.一种晶圆漏电测试装置，其特征在于，包括：
承载晶圆的测试台；
测试仪，其与所述晶圆连接；
记录仪，其设置在所述测试台上；
其中，所述晶圆的表面涂抹液晶层。
2.如权利要求1所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述测试台包括载物台、探针、显微镜，所述载物台承载所述晶圆，所述探针设置在能与所述晶圆接触的位置，所述显微镜位于所述晶圆的正上方。
3.如权利要求1所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述探针与所述测试台承载的晶圆接触，所述探针的另一端与所述测试仪通过开尔文接法连接。
4.如权利要求3所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述探针的另一端与所述测试仪通过开尔文接法连接包括：
所述晶圆的MOS漏极分解为D、Dsense端，所述晶圆的MOS源级分解为S、Ssense端，所述晶圆通过所述探针的一端与所述测试仪的四个测试端D、Dsense、S、Ssense依次对应连接。
5.如权利要求1所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述测试仪为B1506A型号。
6.如权利要求2所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述显微镜选择X500型号。
7.如权利要求2所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，所述记录仪采用CCD成型系统，所述记录仪设置在所述显微镜上方。
8.如权利要求1所述的晶圆漏电测试装置，其特征在于，还包括液晶显示屏，其与所述记录仪连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921347619.4U CN211014592U (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 晶圆漏电测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921347619.4U CN211014592U (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 晶圆漏电测试装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211014592U true CN211014592U (zh) | 2020-07-14 |
Family
ID=71476505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201921347619.4U Active CN211014592U (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 晶圆漏电测试装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211014592U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023125502A1 (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座接地检测装置和方法 |
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2019
- 2019-08-19 CN CN201921347619.4U patent/CN211014592U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023125502A1 (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座接地检测装置和方法 |
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