CN110031738A - 测试元件组及其操作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种测试元件组及其操作方法，所述测试元件组包括一测试模块、一第一连接端、一第二连接端及多个第三连接端；其中所述第一连接端设置在所述测试模块上，配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第一电极，所述第二连接端配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第二电极，所述多个第三连接端分别电性连接所述多个薄膜晶体管的一第三电极。
Description
技术领域
本发明是有关于一种测试元件组及其操作方法，特别是有关于一种用于检测薄膜晶体管的测试元件组及其操作方法。
背景技术
显示器的阵列基板中设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)，通过TFT实现显示控制。为保证显示器的良品率以及便于工艺的管控和后续的分析，在阵列基板制作完成后，需要对TFT的质量进行检测。
目前的检测方案是在阵列基板的非显示区域上设置测试元件组(TestElementGroup，TEG)。该TEG与显示区域一样同样形成有TFT阵列，但每个TFT的各个电极上分别引出用于检测的连接端点。操作人员通过检测设备上的探针与待检测TFT的连接端点接触，从而对待检测TFT发送或接收检测信号。通过对TEG中的TFT进行检测，可推断显示区域中的TFT质量。
然而，由于现有的TEG结构中，每个测试键组(Testkey group)可以只能监控四组GOA TFT，导致以下的缺陷，例如：监控的GOA TFT数量较少，未能满足工艺的需求；测试的时间长、造成产能降低；需要购买更多数量的检测设备，造成成本提高。
因此，有必要提供改良的一种测试元件组及其操作方法，以解决上述现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测试元件组及其操作方法，利用第一连接端、第二连接端及第三连接端的设计，能够检测所述多个薄膜晶体管，达到缩短检测时间，提升产能的目的。
为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种测试元件组，用于检测多个薄膜晶体管，所述测试元件组包括一测试模块、一第一连接端、一第二连接端及多个第三连接端；其中所述第一连接端设置在所述测试模块上，配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第一电极，所述第二连接端配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第二电极，所述多个第三连接端分别电性连接所述多个薄膜晶体管的一第三电极。
在本发明的一实施例中，所述多个薄膜晶体管的第一电极为一栅极，所述第一连接端配置用以在所述多个薄膜晶体管的第一电极输入一扫描电压。
在本发明的一实施例中，所述多个薄膜晶体管的第二电极为一漏极，所述第二连接端配置用以在所述多个薄膜晶体管的第二电极施加一固定偏压。
在本发明的一实施例中，所述多个薄膜晶体管的第三电极为一源极，所述多个第三连接端配置用以检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极的一输出电流。
在本发明的一实施例中，所述多个薄膜晶体管为阵列基板栅极驱动的薄膜晶体管。
在本发明的一实施例中，所述测试元件组还包括多个检测电表，所述多个检测电表分别电性连接至所述第一连接端、所述第二连接端及多个第三连接端。
在本发明的一实施例中，所述多个薄膜晶体管的第一电极短路在一起，且所述多个薄膜晶体管的第二电极短路在一起。
为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种测试元件组的操作方法，所述操作方法包括一第一电极连接步骤、一第二电极连接步骤、一第三电极连接步骤及一检测步骤；在所述第一电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的一第一电极电性连接至一测试元件组的一第一连接端；在所述第二电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的一第二电极电性连接至所述测试元件组的一第二连接端；在所述第三电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的一第三电极分别电性连接至所述测试元件组的多个第三连接端；在所述检测步骤中，在所述多个薄膜晶体管的第一电极输入一扫描电压，以及在所述多个薄膜晶体管的第二电极施加一固定偏压，以在所述多个第三连接端检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极的一输出电流。
在本发明的一实施例中，在所述第一电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的第一电极短路在一起。
在本发明的一实施例中，在所述第二电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的第二电极短路在一起。
本发明测试元件组是通过将多个薄膜晶体管的栅极都串联在所述第一连接端，并将所述多个薄膜晶体管的漏极也串联在所述第二连接端，另外将所述多个第三连接端输出源极电流，进而能够同时检测所述多个薄膜晶体管。本发明测试元件组仅以单一次的检测时间，即可检测所述多个薄膜晶体管，达成在不增加检测设备的检测时间的前提下，检测所述多个薄膜晶体管的I-V数据，达到缩短检测时间，提升产能的目的，同时能够减少购买机台数量，节约成本。
附图说明
图1是根据本发明测试元件组的一优选实施例的一示意图。
图2是根据本发明测试元件组的操作方法的一优选实施例的一流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1所示，为本发明测试元件组的一优选实施例的一示意图。所述测试元件组用于检测多个薄膜晶体管，而且所述测试元件组包括一测试模块2、一第一连接端3、一第二连接端4及多个第三连接端5。所述测试元件组是设置在一阵列基板的非显示区域上，本发明将于下文详细说明各实施例上述各组件的细部构造、组装关系及其运作原理。
续参照图1所示，所述第一连接端3设置在所述测试模块2上，而且所述第一连接端3配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第一电极101。在本实施例中，所述多个薄膜晶体管的第一电极101为一栅极，所述第一连接端3配置用以在所述多个薄膜晶体管的第一电极101输入一扫描电压。而且所述多个薄膜晶体管为阵列基板栅极驱动(GateDriverOnArray,GOA)的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。
续参照图1所示，所述第二连接端4配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第二电极102。在本实施例中，所述多个薄膜晶体管的第二电极102为一漏极，所述第二连接端4配置用以在所述多个薄膜晶体管的第二电极102施加一固定偏压。
续参照图1所示，所述多个第三连接端5分别电性连接所述多个薄膜晶体管的一第三电极103。在本实施例中，所述多个薄膜晶体管的第三电极103为一源极，所述多个第三连接端5配置用以检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极103的一输出电流。
续参照图1所示，所述测试元件组还包括多个检测电表6，所述多个检测电表6分别电性连接至所述第一连接端3、所述第二连接端4及多个第三连接端6。在本实施例中，所述多个薄膜晶体管的第一电极101短路在一起，且所述多个薄膜晶体管的第二电极102短路在一起。
要说明的是，每组阵列基板栅极驱动的薄膜晶体管(GOA TFT)的检测原理，先在栅极测试端(pad)上施加扫描电压，在漏极测试端(pad)施加固定偏压，通过检测源极测试端(pad)上的电流而得到I-V数据，以分析TFT的电性性能。
本发明测试元件组是通过将多个GOA TFT的栅极都串联在所述第一连接端3，并将所述多个GOA TFT的漏极也串联在所述第二连接端4，另外将所述多个第三连接端5输出源极电流，进而能够同时检测所述多个GOA TFT。本发明测试元件组仅以单一次的检测时间，即可检测所述多个GOA TFT，达成在不增加检测设备的检测时间的前提下，检测所述多个GOA TFT的I-V数据，达到缩短检测时间，提升产能的目的，同时能够减少购买机台数量，节约成本。
请参照图2并配合图1所示，为本发明测试元件组的操作方法的一优选实施例的一流程图。所述操作方法配置用以操作上述测试元件组，所述操作方法包括一第一电极连接步骤S201、一第二电极连接步骤S202、一第三电极连接步骤S203及一检测步骤S204。本发明将于下文详细说明各步骤的关系及其运作原理。
续参照图2并配合图1所示，在所述第一电极连接步骤S201中，将所述多个薄膜晶体管的一第一电极101电性连接至一测试元件组的一第一连接端；在本实施例中，将所述多个薄膜晶体管的第一电极101短路在一起。
续参照图2并配合图1所示，在所述第二电极连接步骤S202中，将所述多个薄膜晶体管的一第二电极102电性连接至所述测试元件组的一第二连接端；在本实施例中，将所述多个薄膜晶体管的第二电极102短路在一起。
续参照图2并配合图1所示，在所述第三电极连接步骤S203中，将所述多个薄膜晶体管的一第三电极103分别电性连接至所述测试元件组的多个第三连接端。
续参照图2并配合图1所示，在所述检测步骤S204中，在所述多个薄膜晶体管的第一电极101输入一扫描电压，以及在所述多个薄膜晶体管的第二电极102施加一固定偏压，以在所述多个第三连接端检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极103的一输出电流。
本发明测试元件组是通过将多个GOA TFT的栅极都串联在所述第一连接端3，并将所述多个GOA TFT的漏极也串联在所述第二连接端4，另外将所述多个第三连接端5输出源极电流，进而能够同时检测所述多个GOA TFT。本发明测试元件组仅以单一次的检测时间，即可检测所述多个GOA TFT，达成在不增加检测设备的检测时间的前提下，检测所述多个GOA TFT的I-V数据，达到缩短检测时间，提升产能的目的，同时能够减少购买机台数量，节约成本。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种测试元件组，用于检测多个薄膜晶体管，其特征在于：所述测试元件组包括一测试模块、一第一连接端、一第二连接端及多个第三连接端；其中所述第一连接端设置在所述测试模块上，配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第一电极，所述第二连接端配置用以电性连接所述多个薄膜晶体管的一第二电极，所述多个第三连接端分别电性连接所述多个薄膜晶体管的一第三电极。
2.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述多个薄膜晶体管的第一电极为一栅极，所述第一连接端配置用以在所述多个薄膜晶体管的第一电极输入一扫描电压。
3.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述多个薄膜晶体管的第二电极为一漏极，所述第二连接端配置用以在所述多个薄膜晶体管的第二电极施加一固定偏压。
4.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述多个薄膜晶体管的第三电极为一源极，所述多个第三连接端配置用以检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极的一输出电流。
5.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述多个薄膜晶体管为阵列基板栅极驱动的薄膜晶体管。
6.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述测试元件组还包括多个检测电表，所述多个检测电表分别电性连接至所述第一连接端、所述第二连接端及多个第三连接端。
7.如权利要求1所述的测试元件组，其特征在于：所述多个薄膜晶体管的第一电极短路在一起，且所述多个薄膜晶体管的第二电极短路在一起。
8.一种测试元件组的操作方法，用于检测多个薄膜晶体管，其特征在于：所述操作方法包括步骤：
一第一电极连接步骤，将所述多个薄膜晶体管的一第一电极电性连接至一测试元件组的一第一连接端；
一第二电极连接步骤，将所述多个薄膜晶体管的一第二电极电性连接至所述测试元件组的一第二连接端；
一第三电极连接步骤，将所述多个薄膜晶体管的一第三电极分别电性连接至所述测试元件组的多个第三连接端；及
一检测步骤，在所述多个薄膜晶体管的第一电极输入一扫描电压，以及在所述多个薄膜晶体管的第二电极施加一固定偏压，以在所述多个第三连接端检测每一所述多个薄膜晶体管的第三电极的一输出电流。
9.如权利要求8所述的测试元件组的操作方法，其特征在于：在所述第一电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的第一电极短路在一起。
10.如权利要求8所述的测试元件组的操作方法，其特征在于：在所述第二电极连接步骤中，将所述多个薄膜晶体管的第二电极短路在一起。
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