KR900001985B1 - 반도체 디바이스 측정장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 디바이스 측정장치

제1도는 본 발명에 관한 측정장치의 1실시예의 개략을 나타내는 사시도.

제2도는 종래의 수평형식 측정장치를 나타내는 사시도.

제3도는 종래의 수평형식 측정장치를 사용해서 측정 조작을 할때의 오퍼레이터(operator)의 자세를 나타내는 설명도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 기대 12 : 웨이퍼지지부

13 : 피측정 웨이퍼 14 : 냉각가스취출구

15 : 표시 16 : 조작패널

17, 22, 26 : 가이드레일 18, 23, 27 : 이동대

19, 24, 28 : 모터 20, 25, 29 : 이송나사

21, 30 : 브라켓 31 : 측정침

32 : 현미경 33, 36 : 지지편

34, 35, 37 : 걸이맞춤편 38 : 광체

39 : 닥트 40 : 이동 유니트

본 발명은 웨이퍼상에 형성된 반도체 디바이스의 전기적 특성을 측정하기 위한 장치에 관한 것이다.

웨이퍼상에 형성된 반도체 디바이스나 웨이퍼 자체의 특성을 전기적으로 측정하기 위해서는 웨이퍼 프로빙-머신(Wafer-proving-Machine) 또는 프로버(Prover)라고 부르는 측정장치가 사용된다.

이와같은 측정장치는, 일반적으로 피측정 디바이스의 소망의 부위에 측정침을 접촉시켜서, 해당부위의 전기적 특성을 측정하는 것이다.

측정침의 근방에는 광학현미경이 배치되어 있으며, 오퍼레이터는 이 현미경을 들여다보면서, 웨이퍼를 이동시킴으로서, 웨이퍼의 피측정부위에 측정침을 접촉시킨다.

종래의 웨이퍼-프로빙-머신은 제2도에서 보이는 바와같이 구성으로 되어있다. 즉, X-Y-Z의 3방향으로 이동가능한 샘플-스테이지(Sample-Stage)(2)와 이 샘플-스테이지(2)의 상방에 가설된 지지완(支持腕)(3)에서 하방으로 뻗은 텅스텐등의 도전성 측정침(4)으로 구성되며, 샘플-스테이지(2)상에 웨이퍼(1)를 얹어놓아 진공흡착장치(도시않음)에 의해 웨이퍼(1)를 고정하도록 하고 있다. 지지완(3)에는 측정침(4)의 선단이 시야에 들어오도록 현미경(5)를 배치해 두며, 샘플-스테이지(2)를 X-Y 방향으로 이동시켜서 측정침(4)의 선단을 웨이퍼(1)의 소망부위에 맞친후 샘플-스테이지(2)를 Z방향으로 상승시킴으로써, 측정침(4)과 웨이퍼(1)의 소망부위를 접촉시켜서 해당부위의 측정데이타를 얻는다.

이 측정데이타는 도전(6)(7)를 통해서 데이터 처리장치(8)에 입력된다.

종래의 웨이퍼-프리빙-머신은 어느것이나 제2도에서 보이는 바와같이 샘플-스테이지(2)가 수평 이동되며, 그 위에 웨이퍼(1)를 얹어놓도록 되어있으므로(이하, 이러한 형식의 것을 수평형식이라고 한다), 하기와 같은 여러 문제점이 있었다.

종래의 수평형식 장치에 있어서는 웨이퍼(1)의 상방에 지지완(3)이나 현미경(5)등의 존재하므로 측정조작시에 미세한 먼지, 금속입자등의 먼지가 웨이퍼(1)상에 낙하하여 부착할 염려가 있다. 이러한 먼지의 부착은 측정침(4)에 의한 측정의 경우에 장해가 될뿐만 아니라, 반도체 디바이스 자체에 결함을 가져와, 사용원료에 대한 제품의 비율을 저하시키는 원인이 된다.

종래의 수평형식장치에 있어서는, 그 구조상 샘플-스테이지(2)를 X-Y 방향으로 이동하도록 하고 있으므로, 샘플-스테이지(2)와 그 측방에 놓아지는 데이터처리 장치(8)와의 거리를 크게 떼지않으면 안되며 필요 이상으로 설치면적이 필요하다.

또, 종래의 수평형식 장치에 있어서는 그 구조상, 샘플-스테이지(2)를 X-Y 방향으로 이동하도록 하고 있으므로 지지완(3)의 기부를 샘플-스테이지(2)의 이동영역의 외방에 배치하여야 하며, 필요이상으로 긴 지지완을 필요로한다.

또, 실제로 이 종류의 측정장치를 사용하는 경우에는 복수대의 측정장치를 병열적으로 사용하는 일이 많다.

이와같은 사용법을 쓰는 경우 도선(6)(7)이 필연적으로 길어지며, 도선을 과도하게 길게하기도 하여, 그 길이에 표준치의 불규칙적 분포가 있으면, 측정용 고주파 신호에 위상왜곡이 생겨서 영점 조정등의 교정(calibration)조작이 곤란해지기도 하여, 전류측정시의 잡음이 발생하는 등의 불편이 생긴다.

더구나 웨이퍼(1)상에 형성되는 반도체 디바이스는 일반적으로 미세한 패턴을 가지고 있으며, 측정점(4)을 접촉시키는 단자는, 예를 들면 200μm각(Squire)정도의 사이즈이므로, 측정침으로서는 극히 세경(細徑)의 것을 사용할 필요가 있다.

그러나, 종래의 수평형식장치에 있어서는, 상술한 바와같이 필요이상으로 긴 지지완을 필요로 하기 때문에 측정조작시의 진동이 측정침(4)의 선단부로 증폭되기 쉬우며 소망의 측정부위에 정확히 측정침(4)을 접촉시키는 일이 곤란해진다. 또 종래의 수평형식장치에 있어서는, 소망의 측정부위에 측정침(4)을 정확히 접촉시키는 조작을 하는 경우, 제3도에서 표시하고 있는 바와같이, 오퍼레이터가 허리를 굽히는 자세를 취하게 되므로 장시간 작업을 하면, 요통의 원인이 되는 등, 인간 공학적으로도 문제가 있다.

게다가 또, 웨이퍼(1)상에 형성되는 반도체 디바이스는 웨이퍼 기판의 재질인 시리콘 내의 캐리어의 성질이 온도에 따라 변화하기 때문에 일정한 기준온도로 유지하여 측정할 필요가 있다. 이 기준 온도는, 예를 들면, 섭씨 -200°정도의 저온으로 하는 것이 소망스러우며 이때문에 냉각한 불활성 가스(예를 들면 질소가스)를 웨이퍼(1)의 상면에 공급하도록 한다.

이 경우, 종래의 수평형식 장치에 있어서는 웨이퍼의 전면을 일률적으로 냉각하기 위하여 웨이퍼의 양측방에서 부터 그 중심부를 향해서 냉각가스를 취출하도록 하고 있다. 그러나 웨이퍼상에 공급된 냉각가스는, 상방을 향해서 흐르며 현미경(5)의 대물렌즈를 노결(露結)시키는 불편이 있다.

본 발명은 종래의 수평형식 장치에 있어서의 상술한 바와같은 여러가지 문제점을 감안한 것이며, 그 제1의 목적은 웨이퍼상에 형성된 반도체 디바이스의 전기적 특성을 정확히 측정할 수 있는 측정장치를 제공하는 것이고, 제2의 목적은 웨이퍼의 측정조작시에 미세한 먼지 금속입자등의 티끌이 가급적 웨이퍼면에 부착하지 않는 구성의 측정장치를 제공하는데 있으며, 제3의 목적으로는 장치 구성자체를 콤팩트하게하여 가급적으로 그 설치면적을 작게 하는 측정장치를 제공하는데 있으며, 제4의 목적으로는 오퍼레이터가 측정 조각하는 경우, 가급적으로 그 피로를 없앨수 있는 인간 공학적으로 적합한 측정장치를 제공하는데 있으며, 제5의 목적으로는 웨이퍼 냉각용가스를 공급하면서 웨이퍼의 소망부위를 측정하는데 적합한 측정장치를 제공하는데 있다.

상술한 제 목적은 본 발명에 의해 달성될 수 있는것으로, 본 발명은 피측정 웨이퍼를 대략 수직으로 지지하기 위한 웨이퍼 지지수단과; 전기 웨이퍼 지지수단에 대향하는 위치에 배설된 도전성의 측정침과; 상기 웨이퍼 지지수단에 대하여 상기 측정침을 상대적으로 제1, 제2, 제3의 3방향으로 이동시키기 위한 이동 수단과; 상기 측정침에 접속되며, 기체(器體)내에 내장된 데이터 처리장치와; 상기 측정침의 근방에 배설되고, 상기 측정침의 선단을 그 시야의 대략 중심에 위치하도록한 현미경을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 측정장치에 관한 것이다.

본 발명의 측정장치는 바람직하게는 웨이퍼 지지수단에 피측정 웨이퍼를 진공흡착하기 위한 흡착수단을 설치하여 구성한다. 또 웨이퍼 지지수단은 대략 수직으로 연장되는 광체(匡體)수직면에 배설되어있고, 피 측정용 웨이퍼를 거의 수직으로 흡착 지지하는 것이 바람직하다.

상기 이동수단은 웨이퍼 지지수단과 측정침을 상대적으로 제1의 방향으로 이동하는 제1의 이동부와 웨이퍼 지지수단과 측정침을 상대적으로 제2의 방향으로 이동하는 제2의 이동부와 웨이퍼 지지수단과 측정침을 상대적으로 제3의 방향으로 이동하는 제3의 이동부로 구성된다. 이동수단의 각 이동부는, 이동방향에 따라 연장되는 적어도 1개의 가이드-레일을 구비하여 상기 가이드-레일에 따라 이동하도록 구성하는 것이 바람직하다.

본 발명의 한 실시태양에 의하면, 이동수단의 각 이동부가 서로 중첩하여 일체가 되어 구성되며, 또 측정침은 상기 이동수단상에 지지되고 있다. 게다가 현미경을 상기 이동수단상에 배치해도 좋다.

웨이퍼 지지수단의 하방에는 피측정 웨이퍼의 표면에 냉각용 가스를 공급하기 위한 수단을 구비하는것이 바람직하며, 이 경우에는 웨이퍼 지지수단의 상방에 피측정 웨이퍼의 표면에 공급된 냉각용 가스를 배기하기 위한 배기수단을 구비하는 것이 바람직하다.

본 발명의 기타의 신규한 특징 및 유리한 여러 효과는 이하에서 말하는 실시에 관한 상세한 설명 및 첨부도면에서 이해될 수 있을 것이다. 또 첨부도면은 본 발명을 설명하기 위한 편의상의 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

제1도에 있어서, 거의 수평을 이룬 기대(11)상에는 한쌍의 수평을 이룬 가이드레일(Guide rail)(17)이 지지편(33)을 개재하여, 배설되어 있다.

이 가이드레일(17)상에는 이동대(18)가 배설되어있고, 이 이동대(18)의 하부에는 가이드레일(17)과 걸어맞추는 걸어맞춤편(34)이 설치되어 있다. 또 이동대(18)의 하부에는 이송나사(20)와 계합너트(도시않음)가 마련되고 이송나사(20)는 또 모터(19)에 접속되어 있다. 이 모터(19)에 의해 이동대(18)은 가이드레일(17)에 따라(즉, 화살표 A방면으로) 이동한다.

이동대(18)상에는 브라켓(21)을 개재하여 지지된 한쌍의 가이드레일(22)이 배설되어 있다.

이 가이드레일(22)상에는 이동대(23)가 배설되어있고, 이 이동대(23)에는 가이드레일(22)과 걸어맞추는 걸어맞춤편(35)이 설치되어 있다.

또, 이동대(23)에는 이송나사(25)와 계합너트(도시않함)가 설치되고, 이송나사(25)는 또 모터(24)에 접속되어 있다. 이 모터(24)에 의해 이동대(23)는 가이드레일(22)에 따라(즉, 화살표 B방향으로) 이동한다.

또 이동대(23)상에는 한쌍의 평행을 이룬 가이드레일(26)이 지지편(36)을 개재하여 배설되어 있다. 이 가이드레일(26)상에는 이동대(27)가 배설되어 있고, 이 이동대(27)에는 가이드레일(26)에는 가이드레일(26)과 걸어맞추는 걸어맞춤편(37)이 설치되어 있다.

또, 이동대(27)에는 이송나사(29)와 계합너트(도시않음)가 설치되고, 이송나사(29)에는 또 모터(28)에 접속되어 있다. 이 모터(28)에 의해 이동대(27)는 가이드레일(26)에 따라(즉, 화살표 C방향으로) 이동한다.

상술한 바와같이 하여 A-B-C의 3방향으로 이동자재한 이동 유니트(40)가 구성되어 있다.

이동대(27)상에는 브라켓(30)을 개재하여 현미경(32)이 배설되어 있다. 또 브라켓(30)에는 비스듬히 상방에 튀어나온 측정침(31)이 배설되어 있고, 측정침(31)은 이의 설명한 바와같이 텅그스텐등의 도전성 재료로 이루어져 있다. 측정침(31)은 그 선단이 현미경(32)의 시야에 대략 중심에 위치하도록 조정되어 있다.

기대(11)의 후방에는 상방으로 연장되는 광체(38)가 배설되어 있고, 이 광체(38)의 내부에는 측정침(31)에 접속된 데이터 처리장치(도시않음)가 수납되어있고, 또 광체(38)에는 그 일부만을 도시한 조작패널(16)이 배설되어 있다. 이 조작 패널(16)에는 오퍼레이터가 웨이퍼의 측정조작을 할때에 필요한 여러가지 스위치류가 배설되어 있다(도시않음).

광체(38)의 전면 상부에는 측정 데이터를 표시하기 위한 표시기(15)가 배설되어 있다.

광체(38)의 전면 상부에는 피측정 웨이퍼(13)을 지지하기 위한 웨이퍼 지지부(12)가 배설되어 있다. 이 웨이퍼 지지부(12)에는 피측정 웨이퍼(13)를 진공흡착 하기 위한 세공이 구비되어있고(도시않음), 웨이퍼는 이 웨이퍼 지지부(12)상에 지지된다. 웨이퍼 지지부(12)의 직하에는 피 측정 웨이퍼(13)를 냉각하기 위한 냉각가스 취출구(14)가 웨이퍼 지지부(12)상에 지지된 피측정 웨이퍼(13)의 표면을 향해 개구되어 있다. 또 웨이퍼 지지부(12)의 직상에는 냉각 가스취출구(14)로 부터 웨이퍼(13)의 표면상으로 공급된 냉각가스는, 닥트(39)로 부터 배기되도록 되어 있다.

현미경(32)은, 이동 유니트(40)에 의해 A-B-C의 3방향으로 이동자재로 이동되며, 웨이퍼 지지부(12)에 지지된 피측정 웨이퍼(13)의 소망의 부위에 접속시킬수가 있다. 후술하는 바와같이, 웨이퍼(13)의 소망 부위에 측정침(31)을 접촉시키는 경우에는, 조작 패널(16)상의 스위치류를 오퍼레이터가 조작함으로써, 측정침(31)과 피측정 웨이퍼(13)와의 사이를 떨어진 상태로 측정침(31)을 B-C방향으로 이동시켜, 웨이퍼(13)의 소망부위 직상에 측정침(31)를 위치하게 되며, 그 후에 측정침(31)을 화살표 A방향으로 이동시켜서 웨이퍼(13)와 접촉시키는 것이나, 소망의 측정부위를 선정할때 측정침(31)과 웨이퍼(13)이 떨어진 상태(즉 B-C방향으로 이동하고 있는 상태)에서 현미경(31)에 의해 소망의 측정부위가 명료하게 눈으로 보아 인식되는 것이 필요하다.

그래서 현미경(32)은 그 대물렌즈의 광축이 피측정 웨이퍼(13)에 대하여 수직이 되도록 조정되며, 또 초점은, 측정침(31)과 웨이퍼(13)가 떨어진 상태(즉, B-C방향으로 이동하고 있는 상태)에 있을 때에는 핀트가 맞도록 조정되어 있다.

다음으로 제1도에 도시한 측정장치를 써서 피측정 웨이퍼(13)의 측정을 할때의 조작에 관하여 말한다.

우선 미리 모터(19)를 구동하여 측정침(31)과 피측정 웨이퍼(13)를 이간시켜 둔다. 다음, 반도체 디바이스를 형성한 피측정 웨이퍼(13)를 웨이퍼 지지부(12)에 흡착 지지시킨 후, 냉각 가스 취출구(14)로 부터 섭씨 -200°정도의 질소 가스를 웨이퍼(13)의 표면에 균일하게 공급한다.

이 질소가스에 의해 피측정 웨이퍼(13)의 표면을 대기로부터 차단하여 미세한 먼지의 부착을 방지함과 동시에 웨이퍼(13)를 소정의 표준온도로 냉각 유지한다. 그때 질소가스는 웨이퍼(13)의 표면에 따라 층류상(층流狀)으로 상방에 흘러 닥트(39)에서 즉시 회수되기 때문에 현미경(32)등 피측정 웨이퍼(13)의 주변에 배치된 기기(機器)를 과도하게 냉각하지 않고 로결(露結)을 방지할 수가 있다. 다음으로 오퍼레이터가 현미경(32)에 의해 웨이퍼(13)에 형성되어 있는 반도체 디바이스의 패턴을 시인(視認)하면서, 조작패널(16)상에 배치된 스위치류를 통하여 모터(24) 및 (28)을 제어한다. 이 제어에 의해 측정침(31)을 화살표 B 및 C방향으로 이동시켜 측정침(31)을 소망의 피측정 패턴 단자의 대응위치에 위치를 정하게 한다. 이 위치 결정은 상술한 바와 같이 측정침(31)의 선단이 현미경(32)이 시야의 대체로 중심에 위치하고 있으며, 또 측정침(31)과 현미경(32)이 일체적으로 이동하므로, 쉽게 위치를 결정할 수 있다.

다음으로 모터(19)를 제어하여, 측정침(31)을 피측정 웨이퍼(13)에 접근시켜서 측정침(31)의 선단을 반도체 디바이스의 소망 패턴의 단자에 접촉시킨다. 이때, 현미경(32)에서 시인(視認)되는 패턴의 영상은 측정침(31)이 웨이퍼(13)에 접근함에 따라서 현미경(32)자체도 이동하기 때문에 약간 희미해지지만, 상술한 바와같이 측정침(31)의 선단과 피측정 패턴의 단자와의 위치결정은 이미 완료되어 있으므로, 측정조작에 지장을 일으키는 일은 없다.

이와같이 하여 측정침(31)을 소망의 피측정 패턴의 단자에 정확히 접촉시킨후, 해당 반도체 디바이스의 측정 데이터를 얻는다. 이 데이터는 광체(匡體)(38)에 내장한 데이터 처리장치(도시않음)로 보내져 소정의 처리를 거친후, 표시기(15)에서 측정결과가 표시된다.

하나의 피측정 패턴에 관해서 측정이 완료되면, 조작패턴(16)의 스위치류를 통하여 모터(19)를 역방향으로 구동시켜 측정침(31)과 웨이퍼(13)를 이간 시킨다.

그리고 상술한 조작과 같은 방법으로 측정침(31)을 다음의 피측정 패턴의 단자에 이동시킨다.

상술한 설명으로 이미 명백한 바와같이, 본 발명에 관한 측정장치는, 하기와 같이 실용상 극히 유리한 여러 효과를 나타내고 있다.

즉, ① 측정침(31)은 소망의 피측정 패턴의 단자에 극히 간단한 조작으로 또 정확하게 위치를 결정하고 접촉시킬 수가 있으며, ② 피측정 웨이퍼의 상방에는 기기류가 배치안된 구조로 되어있으므로, 미세한 먼지 등이 피측정 웨이퍼의 표면에 부착하는 일이 없다. ③ 간이한 장치구성으로 되어 있으며, 그 설치면적을 작게할 수가 있다. ④ 종래의 수평형식 측정장치에 비하여 측정침에서 측정기 본체 까지의 도선의 길이를 짧게 할수 있으므로, 측정용 고주파 신호의 위상 차가 생기는 일이 없으며, 정확한 측정치를 얻을 수 있다. ⑤ 간이한 조작으로 측정작업을 할 수 있음과 동시에 그 신규한 디자인에 의해 오퍼레이터의 피로를 완화시킬 수가 있으며, 인간 공학적으로 극히 적합하다. 또 ⑥ 냉각용 가스를 피측정 웨이퍼의 표면에 공급하면서 측정하는데 적합한 구조로 되어 있으므로, 기기가 로결(露結)하는 것을 방지할 수가 있다.

상술한 설명은 어디까지나 본 발명을 이해하기 위한 것이라고 해석하여야 하며, 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다. 첨부한 특허청구의 범위의 문언 범위내에서 행해지는 구조의 변경, 설계의 변경등은 모두 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되는 것이다.

예를 들면, 상기의 실시예에 있어서, 웨이퍼(13)을 지지부(12)상에 고정하고 측정침(31)을 이동 유니트(40)에 의해 A-B-C의 3방향으로 이동할 수 있는 구조로 되어 있지만, 반대로 측정침(31)을 고정하고, 이동 유니트에 의해 웨이퍼 지지부(12)를 A-B-C의 3방향으로 이동시키도록해도 좋다. 요는 측정침(31)과 피측정 웨이퍼(13)와의 사이의 상대적인 위치가 이동할 수 있도록 되어 있으면 된다.

또 예를 들면, 상기의 실시예에 있어서, 측정침(31)과 현미경(32)을 같이 이동 유니트(40)상에 일체적으로 배설하여 A-B-C의 3방향으로 일체적이 되어 이동하도록 구성되어 있지만 측정침(31)과 현미경(32)를 따로따로 이동하도록 해도 좋다. 즉, B-C의 방향에 관해서는 측정침(31)과 현미경(32)이 일체적으로 이동할 수 있도록하고 항시 현미경의 초점이 피측정 웨이퍼(13)에 맞추어 있도록 하며, 또 한편 A방향에 관해서는 측정침(31)만을 이동할 수 있도록 해도좋다.

Claims (11)

1. 피측정 웨이퍼를 대략 수직으로 지지하기 위한 웨이퍼 지지수단(12)과; 상기 웨이퍼 지지수단(12)에 대향하는 위치에 배설된 도전성 측정침(31)과; 상기 웨이퍼 지지수단(12)에 대하여, 상기 측정침(31)을 상대적으로 제1, 제2, 제3의 3방향으로 이동시키기 위한 이동수단(40)과; 상기 측정침(31)에 접척되고 기체내에 내장된 데이터 처리장치와; 상기 측정침(31) 근방에 배설되고 상기 측정침(31)의 선단을 그 시야의 대략 중심에 위치하도록한 현미경(32)을 구비하여 되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 측정장치.
2. 웨이퍼 지지수단(12)에 피측정 웨이퍼(13)를 진공 흡착하기 위한 흡착수단을 설치하여 구성되는 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 디바이스의 측정장치.
3. 웨이퍼 지지수단(12)이 거의 수직으로 연장되는 광체(38) 수직면에 배설하여 구성되는 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 디바이스의 측정장치.
4. 이동수단(40)이 웨이퍼 지지수단(12)과 측정침(31)을 상대적으로 제1의 방향으로 이동하는 제1의 이동부와; 웨이퍼 지지수단(12)과 측정침(31)을 상대적으로 제2의 방향으로 이동하는 제2의 이동부와; 웨이퍼 지지수단(12)과 측정침(31)을 상대적으로 제3의 방향으로 이동하는 제3의 이동부로 구성되는 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 디바이스의 측정장치.
5. 이동수단(40)의 각 이동부가 이동방향에 따라 연장되는 적어도 한개의 가이드레일(17,22,26)를 구비하여, 상기 가이드 레일(17,22,26)에 따라 이동하도록한 특허청구범위 제1항 기재의 반도체 디바이스의 측정장치.
6. 이동수단(40)의 각 이동부가 서로 중첩하여 이일체가 되어서 배설되어 구성되는 특허청구범위 제4항에 기재된 디바이스의 측정장치.
7. 측정침(31)이 이동수단(40)위에 배설되어 구성되는 특허청구범위에 기재된 반도체 디바이스의 측정장치.
8. 현미경(32)이 이동수단(40)위에 배설되어 구성되는 특허청구범위 제6항 또는 제7항중 어느하나의 항에 기재된 반도체 디바이스의 측정장치.
9. 웨이퍼 지지수단(12)의 하방에 피측정 웨이퍼(13)의 표면에 냉각용 가스를 공급하기 위한 공급수단(14)을 마련하여 구성하는 특허청구범위 제1항, 제2항 또는 제3항중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 디바이스의 측정장치.
10. 웨이퍼 지지수단(12)의 상방에 피측정 웨이퍼(13)의 표면에 공급된 냉각용 가스를 배기하기 위한 배기수단(39)을 구비하여 구성되는 특허청구범위 제9항 기재의 반도체 디바이스의 측정장치.
11. 피측정용 웨이퍼(13)를 기대 상부의 정위치에 수직 내지 약간 경사하도록 지지하는 웨이퍼 지지장치(12)와; 상기 피측정용 웨이퍼(13)에 형성된 반도체 디바이스의 소망단자에 당접함으로써, 해당 단자와 도통(導通)하며 디바이스의 전기 특성을 측정하는 측정기에 데이터를 입력시키는 측정침(31)과; 해당 측정침(31)과 상기 피측정용 웨이퍼면을 상하 및 좌우 방향으로 상대적으로 이동시키며, 또 소망위치에서 측정침(31)의 선단을 웨이퍼면에 당접 또는 이간시키도록 전후 방향으로 상대적으로 이동시키도록 설치한 3방향 이동장치와; 측정침(31)의 선단을 그 시야의 거의 중심에 두도록 웨이퍼 면과의 상대 위치가 상기 측정침(31)과 함께 적어도 상하 및 좌우 방향으로 이동하는 현미경(32)으로 구성되는 반도체 디바이스의 측정장치.

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