JPH06163656A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JPH06163656A JPH06163656A JP31714992A JP31714992A JPH06163656A JP H06163656 A JPH06163656 A JP H06163656A JP 31714992 A JP31714992 A JP 31714992A JP 31714992 A JP31714992 A JP 31714992A JP H06163656 A JPH06163656 A JP H06163656A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プローブカードの測定針のサンプルに対する針
圧を一定にコントロールする半導体測定装置を提供す
る。 【構成】ステージ７上に被測定物としてのサンプル６が
載置され、サンプル６に対向してプローブカード２が配
設されている。プローブカード２はサンプル６に接触さ
せ測定するための測定針１および周辺部にスペーサ９を
有する。このスペーサ９のサンプル６に対向した表面と
最も長い測定針１の先端との間の距離が３０μｍ以上、
１００μｍ以下となるように調整されている。プローブ
カード２は、スプリング１０を介してプローブカード支
え台４に支持されている。
圧を一定にコントロールする半導体測定装置を提供す
る。 【構成】ステージ７上に被測定物としてのサンプル６が
載置され、サンプル６に対向してプローブカード２が配
設されている。プローブカード２はサンプル６に接触さ
せ測定するための測定針１および周辺部にスペーサ９を
有する。このスペーサ９のサンプル６に対向した表面と
最も長い測定針１の先端との間の距離が３０μｍ以上、
１００μｍ以下となるように調整されている。プローブ
カード２は、スプリング１０を介してプローブカード支
え台４に支持されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体測定装置に係
り、特に被測定物への測定針による針圧をコントロール
するための半導体測定装置に関するものである。
り、特に被測定物への測定針による針圧をコントロール
するための半導体測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造段階において、その機
能が設計どうりにできているかを判定する機能試験、電
源電流などのＤＣ特性を測定するＤＣ特性試験、最高動
作周波数などのＡＣ特性を測定するＡＣ特性試験および
ゲート酸化膜に規定電圧を一定時間印加して破壊しない
ことを確かめるＴＤＤＢ（Time Dependency Dielectric
Breakdown）試験等がある。次にこれらの試験の一例と
してＴＤＤＢ測定について説明する。
能が設計どうりにできているかを判定する機能試験、電
源電流などのＤＣ特性を測定するＤＣ特性試験、最高動
作周波数などのＡＣ特性を測定するＡＣ特性試験および
ゲート酸化膜に規定電圧を一定時間印加して破壊しない
ことを確かめるＴＤＤＢ（Time Dependency Dielectric
Breakdown）試験等がある。次にこれらの試験の一例と
してＴＤＤＢ測定について説明する。
【０００３】図３は上記ＴＤＤＢ測定のための従来の半
導体測定装置の構成図である。図３に示すように、被測
定材としてのサンプル６がステージ７上に載置されてい
る。ゲート酸化膜の耐圧を測定するためのプローブカー
ド１０２がサンプル６と対向して上方に配置されてい
る。プローブカード１０２の表面には電圧の印加および
電流の測定のための測定針１がサンプル６と対向して配
設されている。測定針１は配線１４を介して半導体テス
タ１３に接続されている。
導体測定装置の構成図である。図３に示すように、被測
定材としてのサンプル６がステージ７上に載置されてい
る。ゲート酸化膜の耐圧を測定するためのプローブカー
ド１０２がサンプル６と対向して上方に配置されてい
る。プローブカード１０２の表面には電圧の印加および
電流の測定のための測定針１がサンプル６と対向して配
設されている。測定針１は配線１４を介して半導体テス
タ１３に接続されている。
【０００４】プローブカード１０２を支持するためのプ
ローブカード支え台１０４が支柱５に固定されている。
プローブカード支え台１０４上には、プローブカード１
０２を上下に移動するためのプローバー上下位置調整ツ
マミ８およびプローブカード１０２がサンプル６に対し
て平行になるように調整するためのプローバー平行調整
ツマミ１０３が配設されている。サンプル６が測定針１
に対して所定の位置に位置するように、光学顕微鏡１２
がプローブカード１０２と隔てて、サンプル６とは反対
側に配設されている。
ローブカード支え台１０４が支柱５に固定されている。
プローブカード支え台１０４上には、プローブカード１
０２を上下に移動するためのプローバー上下位置調整ツ
マミ８およびプローブカード１０２がサンプル６に対し
て平行になるように調整するためのプローバー平行調整
ツマミ１０３が配設されている。サンプル６が測定針１
に対して所定の位置に位置するように、光学顕微鏡１２
がプローブカード１０２と隔てて、サンプル６とは反対
側に配設されている。
【０００５】上記半導体測定装置のプローバー調整手順
は、まず、プローブカード１０２がステージ７と平行に
なるように調整する。それには、ステージ７上にサンプ
ル６の代わりにアルミニウム板を載置し測定針１をアル
ミニウム板に接触させて、アルミニウム板についた接触
跡により所定のプローバー平行調整ツマミ１０３を回し
て調整を行う。
は、まず、プローブカード１０２がステージ７と平行に
なるように調整する。それには、ステージ７上にサンプ
ル６の代わりにアルミニウム板を載置し測定針１をアル
ミニウム板に接触させて、アルミニウム板についた接触
跡により所定のプローバー平行調整ツマミ１０３を回し
て調整を行う。
【０００６】次に、サンプル６をステージ７上に載置
し、その後プローブカード１０２の測定針１がサンプル
６に対して所定の位置に位置するようにステージ７を移
動する。次に、プローバー上下位置調整ツマミ８を回し
て、プローブカード１０２を下げ測定針１がサンプル６
に接触することを光学顕微鏡１２により確認する。次
に、全ての測定針１がサンプル６に接触したかどうかを
目視にて確認し、接触していない所があればプローバー
平行調整ツマミ１０３を再調整し、接触させるようにす
る。サンプル６に全ての測定針１が接触したことを確認
した後に、電圧を印加しＴＤＤＢ試験を行う。
し、その後プローブカード１０２の測定針１がサンプル
６に対して所定の位置に位置するようにステージ７を移
動する。次に、プローバー上下位置調整ツマミ８を回し
て、プローブカード１０２を下げ測定針１がサンプル６
に接触することを光学顕微鏡１２により確認する。次
に、全ての測定針１がサンプル６に接触したかどうかを
目視にて確認し、接触していない所があればプローバー
平行調整ツマミ１０３を再調整し、接触させるようにす
る。サンプル６に全ての測定針１が接触したことを確認
した後に、電圧を印加しＴＤＤＢ試験を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したＴＤＤＢ測定
の結果は、プローブカード１０２の測定針１のサンプル
６に対する針圧に依存し、針圧が高ければゲート酸化膜
に対して高電圧が印加されるのでゲート酸化膜が破壊さ
れ易くなる。従って正確な測定を行うためには針圧が一
定になるようにコントロールする必要がある。ところが
上述したように、測定針１は、光学顕微鏡１２および目
視によりサンプル６に接触しているかどうかを確認して
いるのみで、針圧が一定になるようにはコントロールさ
れていない。
の結果は、プローブカード１０２の測定針１のサンプル
６に対する針圧に依存し、針圧が高ければゲート酸化膜
に対して高電圧が印加されるのでゲート酸化膜が破壊さ
れ易くなる。従って正確な測定を行うためには針圧が一
定になるようにコントロールする必要がある。ところが
上述したように、測定針１は、光学顕微鏡１２および目
視によりサンプル６に接触しているかどうかを確認して
いるのみで、針圧が一定になるようにはコントロールさ
れていない。
【０００８】一方、ＴＤＤＢ測定の場合にはサンプル６
全体を同時に測定するのでプローブカード１０２の測定
針１が２００本以上にもなり、測定針１の長さに製造上
３０μｍ程度のバラツキが生じてしまう。従ってこの測
定針１の長さのバラツキにより、サンプル６に対する針
圧を一定にするには一層困難となる。
全体を同時に測定するのでプローブカード１０２の測定
針１が２００本以上にもなり、測定針１の長さに製造上
３０μｍ程度のバラツキが生じてしまう。従ってこの測
定針１の長さのバラツキにより、サンプル６に対する針
圧を一定にするには一層困難となる。
【０００９】また、針圧がコントロールできないため、
針圧がサンプル６にかかり過ぎによるサンプル６の破壊
や測定針１の破損が生じ問題となる。
針圧がサンプル６にかかり過ぎによるサンプル６の破壊
や測定針１の破損が生じ問題となる。
【００１０】そこで本発明は、プローブカードの測定針
の被測定物としてのサンプルに対する針圧を一定にコン
トロールする半導体測定装置を提供することを目的とす
る。
の被測定物としてのサンプルに対する針圧を一定にコン
トロールする半導体測定装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、複数本の測定針を有し、対向して平行に配置される
被測定物の表面に前記複数本の測定針を接触させること
により測定するためのプローブカードと、該プローブカ
ードを支持するための支持手段とを備えた半導体測定装
置において、前記プローブカードが、周辺部の所定の場
所にスペーサを備え、かつ前記被測定物に対向する前記
スペーサの面と前記被測定物の表面との間の距離をＡと
し、前記複数本の測定針の先端と前記被測定物の表面と
の間の各々の距離のうち最大の距離をＢとしたとき、Ａ
≧Ｂが成り立つように前記スペーサが配設されてなるこ
とを特徴とする半導体測定装置によって解決される。
ば、複数本の測定針を有し、対向して平行に配置される
被測定物の表面に前記複数本の測定針を接触させること
により測定するためのプローブカードと、該プローブカ
ードを支持するための支持手段とを備えた半導体測定装
置において、前記プローブカードが、周辺部の所定の場
所にスペーサを備え、かつ前記被測定物に対向する前記
スペーサの面と前記被測定物の表面との間の距離をＡと
し、前記複数本の測定針の先端と前記被測定物の表面と
の間の各々の距離のうち最大の距離をＢとしたとき、Ａ
≧Ｂが成り立つように前記スペーサが配設されてなるこ
とを特徴とする半導体測定装置によって解決される。
【００１２】また上記課題は本発明によれば、前記被測
定物に対向する前記スペーサの面が上下に移動可能なる
ことを特徴とする半導体測定装置によって好適に解決さ
れる。
定物に対向する前記スペーサの面が上下に移動可能なる
ことを特徴とする半導体測定装置によって好適に解決さ
れる。
【００１３】また、上記課題は本発明によれば、前記被
測定物に対向する前記スペーサの面と前記被測定物の表
面との間の距離をＡとし、前記複数本の測定針のうち前
記被測定物に最も近接する測定針の先端と前記被測定物
の表面との間の距離をＣとしたとき、３０μｍ≦Ａ−Ｃ
≦１００μｍなる関係が成り立つように前記スペーサが
配設されていることを特徴とする半導体測定装置によっ
て好適に解決される。
測定物に対向する前記スペーサの面と前記被測定物の表
面との間の距離をＡとし、前記複数本の測定針のうち前
記被測定物に最も近接する測定針の先端と前記被測定物
の表面との間の距離をＣとしたとき、３０μｍ≦Ａ−Ｃ
≦１００μｍなる関係が成り立つように前記スペーサが
配設されていることを特徴とする半導体測定装置によっ
て好適に解決される。
【００１４】また上記課題は本発明によれば、前記プロ
ーブカードがスプリングにより前記支持手段に支持され
てなることを特徴とする半導体測定装置によって好適に
解決される。
ーブカードがスプリングにより前記支持手段に支持され
てなることを特徴とする半導体測定装置によって好適に
解決される。
【００１５】
【作用】本発明によれば、図１に示すようにサンプル６
に対向して配置されているプローブカード２の周辺部に
スペーサ９が配設され、プローブカード２はスプリング
１０を介してプローブカード支え台４に支持されてい
る。サンプル６に対向するスペーサ９の面とサンプル６
の表面との間の距離をＡとし、複数本の測定針１の先端
とサンプル６の表面との間の各々の距離のうち最大の距
離をＢとしたとき、Ａ≧Ｂが成り立つようにスペーサ９
が配設されているので、スペーサ９がサンプル６に接触
した状態では、全ての測定針１がサンプル６に接触して
いるので、測定針１のサンプル６への接触の確認を容易
にかつ確実に行うことができる。
に対向して配置されているプローブカード２の周辺部に
スペーサ９が配設され、プローブカード２はスプリング
１０を介してプローブカード支え台４に支持されてい
る。サンプル６に対向するスペーサ９の面とサンプル６
の表面との間の距離をＡとし、複数本の測定針１の先端
とサンプル６の表面との間の各々の距離のうち最大の距
離をＢとしたとき、Ａ≧Ｂが成り立つようにスペーサ９
が配設されているので、スペーサ９がサンプル６に接触
した状態では、全ての測定針１がサンプル６に接触して
いるので、測定針１のサンプル６への接触の確認を容易
にかつ確実に行うことができる。
【００１６】また、サンプル６に最も近接する測定針１
の先端とサンプル６の表面との間の距離をＣとしたとき
３０μｍ≦Ａ−Ｃ≦１００μｍなる関係が成り立つよう
にスペーサ９が配設されているので、測定針１の長さの
製造上のバラツキが３０μｍ程度あっても全ての測定針
１をサンプル６に接触させることができ、しかも測定針
１のサンプル６に対する針圧を所定の値以下にできるの
で針圧による測定結果の影響を避けることができる。
の先端とサンプル６の表面との間の距離をＣとしたとき
３０μｍ≦Ａ−Ｃ≦１００μｍなる関係が成り立つよう
にスペーサ９が配設されているので、測定針１の長さの
製造上のバラツキが３０μｍ程度あっても全ての測定針
１をサンプル６に接触させることができ、しかも測定針
１のサンプル６に対する針圧を所定の値以下にできるの
で針圧による測定結果の影響を避けることができる。
【００１７】さらに、スペーサ９が上下に移動可能であ
るので、測定針１のサンプル６に対する針圧を好適にコ
ントロールすることができる。
るので、測定針１のサンプル６に対する針圧を好適にコ
ントロールすることができる。
【００１８】また、プローブカード２がスプリング１０
を介してプローブカード支え台４に支持されているの
で、プローブカード２とサンプル６とが平行になるよう
に自動調整される。
を介してプローブカード支え台４に支持されているの
で、プローブカード２とサンプル６とが平行になるよう
に自動調整される。
【００１９】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００２０】図１は本発明に係るＴＤＤＢ測定のための
半導体測定装置の一実施例を示す断面図である。図１に
示すように、被測定物としてのサンプル６が、ステージ
７上に載置されており、ステージ７をｘ−ｙ各方向へ移
動させてサンプル６を所定の位置に移動する。電圧をゲ
ート酸化膜に印加し、ゲート酸化膜の耐圧を測定するた
め、プローブカード２に配設された測定針１がサンプル
６に対向して配置されている。
半導体測定装置の一実施例を示す断面図である。図１に
示すように、被測定物としてのサンプル６が、ステージ
７上に載置されており、ステージ７をｘ−ｙ各方向へ移
動させてサンプル６を所定の位置に移動する。電圧をゲ
ート酸化膜に印加し、ゲート酸化膜の耐圧を測定するた
め、プローブカード２に配設された測定針１がサンプル
６に対向して配置されている。
【００２１】プローブカード支え台４の内側上下に対向
してスプリング１０が配設されている。プローブカード
２が、対向したスプリング１０の先端とプローブカード
２の所定の位置に設けられた欠損部とを嵌合させること
によりプローブカード支え台４に支持されている。プロ
ーブカード支え台４上には、プローブカード２を上下に
移動するためのプローバー上下位置調整ツマミ８が配設
されている。プローブカード支え台４は支柱５に支持さ
れている。
してスプリング１０が配設されている。プローブカード
２が、対向したスプリング１０の先端とプローブカード
２の所定の位置に設けられた欠損部とを嵌合させること
によりプローブカード支え台４に支持されている。プロ
ーブカード支え台４上には、プローブカード２を上下に
移動するためのプローバー上下位置調整ツマミ８が配設
されている。プローブカード支え台４は支柱５に支持さ
れている。
【００２２】プローブカード２の周辺部には、サンプル
６に対向して金属からなるスペーサ９が上下に移動可能
なようにネジにより固定されている。
６に対向して金属からなるスペーサ９が上下に移動可能
なようにネジにより固定されている。
【００２３】図２は、図１に示したプローブカード２の
部分拡大図である。図２に示すようにスペーサ９のサン
プル６に対向する面と、最も長い測定針１との間の距離
をΔｌとしたとき、３０μｍ≦Δｌ≦１００μｍとなる
ようにスペーサ９がプローブカード２に配設されてい
る。
部分拡大図である。図２に示すようにスペーサ９のサン
プル６に対向する面と、最も長い測定針１との間の距離
をΔｌとしたとき、３０μｍ≦Δｌ≦１００μｍとなる
ようにスペーサ９がプローブカード２に配設されてい
る。
【００２４】次に、Δｌの上述の範囲の値の設定理由を
説明する。プローブカード２に測定針１が２００本程度
あるとき、測定針１の針の長さのバラツキは製造上３０
μｍ程度あるのでΔｌを３０μｍ以上すると、サンプル
６の表面にスペーサ９が接触した状態では、全ての測定
針１がサンプル６に接触する。一方、ＴＤＤＢの測定結
果に影響を与える針圧は、測定針１がサンプル６に接触
してからプローブカード２を１００μｍ以上下げたとこ
ろから生じる。従って、Δｌを１００μｍとすると、ス
ペーサ９がサンプル６に接触した状態では全ての測定針
１がサンプル６に接触してからプローブカード２を１０
０μｍ以内下げた所に位置させられる。従ってΔｌを３
０μｍ以上１００μｍ以下とすることにより測定針１の
針圧がＴＤＤＢの測定結果に影響を与えることなく測定
することができる。
説明する。プローブカード２に測定針１が２００本程度
あるとき、測定針１の針の長さのバラツキは製造上３０
μｍ程度あるのでΔｌを３０μｍ以上すると、サンプル
６の表面にスペーサ９が接触した状態では、全ての測定
針１がサンプル６に接触する。一方、ＴＤＤＢの測定結
果に影響を与える針圧は、測定針１がサンプル６に接触
してからプローブカード２を１００μｍ以上下げたとこ
ろから生じる。従って、Δｌを１００μｍとすると、ス
ペーサ９がサンプル６に接触した状態では全ての測定針
１がサンプル６に接触してからプローブカード２を１０
０μｍ以内下げた所に位置させられる。従ってΔｌを３
０μｍ以上１００μｍ以下とすることにより測定針１の
針圧がＴＤＤＢの測定結果に影響を与えることなく測定
することができる。
【００２５】次に、図１に示した半導体測定装置を用い
てプローバーの調整手順を説明する。
てプローバーの調整手順を説明する。
【００２６】まず、サンプル６をステージ７上に載置
し、その後サンプル６と反対側に配設された光学顕微鏡
（図示せず）でサンプル６と測定針１との位置を確認し
ながら、ステージ７をスキャンしサンプル６を所定の位
置に移動する。次にプローバー上下位置調整ツマミ８の
ネジを回して、スペーサ９がサンプル６に接触するまで
プローブカード２を下げる。プローブカード２がスプリ
ング１０で支えられているので、プローブカード２がサ
ンプル６に対して平行位置からずれていても、自動的に
プローブカード２が平行になるように調整される。
し、その後サンプル６と反対側に配設された光学顕微鏡
（図示せず）でサンプル６と測定針１との位置を確認し
ながら、ステージ７をスキャンしサンプル６を所定の位
置に移動する。次にプローバー上下位置調整ツマミ８の
ネジを回して、スペーサ９がサンプル６に接触するまで
プローブカード２を下げる。プローブカード２がスプリ
ング１０で支えられているので、プローブカード２がサ
ンプル６に対して平行位置からずれていても、自動的に
プローブカード２が平行になるように調整される。
【００２７】次に測定針１が配線１４を介して半導体テ
スタ（図示せず）に接続されているので、測定針１に電
圧を印加しＴＤＤＢ測定を行う。上述したように、スペ
ーサ９と最も長い測定針１との間の距離Δｌを３０μｍ
以上１００μｍ以下となるようにスペーサ９をネジによ
り調整してあるので測定針１の針圧が測定結果に影響を
与えることなくＴＤＤＢ測定することができる。
スタ（図示せず）に接続されているので、測定針１に電
圧を印加しＴＤＤＢ測定を行う。上述したように、スペ
ーサ９と最も長い測定針１との間の距離Δｌを３０μｍ
以上１００μｍ以下となるようにスペーサ９をネジによ
り調整してあるので測定針１の針圧が測定結果に影響を
与えることなくＴＤＤＢ測定することができる。
【００２８】また、サンプル６に対する測定針１の針圧
をコントロールすることができるので、サンプル６およ
び測定針１の損傷をなくすことができる。
をコントロールすることができるので、サンプル６およ
び測定針１の損傷をなくすことができる。
【００２９】本実施例では、スプリングをプローブカー
ド支え台に固定したがプローブカード支え台に欠損部を
設け、スプリングをプローブカードに固定し、スプリン
グの先端とプローブカード支え台の欠損部とを嵌合させ
てプローブカードをスプリングを介してプローブカード
支え台に固定することも可能である。
ド支え台に固定したがプローブカード支え台に欠損部を
設け、スプリングをプローブカードに固定し、スプリン
グの先端とプローブカード支え台の欠損部とを嵌合させ
てプローブカードをスプリングを介してプローブカード
支え台に固定することも可能である。
【００３０】また本実施例においてはＴＤＤＢ測定用の
プローブカードを用いたが、勿論チップ毎に行う試験用
のプローブカードについても適用可能である。
プローブカードを用いたが、勿論チップ毎に行う試験用
のプローブカードについても適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば全
ての測定針を所定の針圧でサンプルに接触させることが
できるので、正確な測定を行うことができる。しかも、
サンプルおよび測定針の損傷をなくすことができ信頼性
を向上させることができる。
ての測定針を所定の針圧でサンプルに接触させることが
できるので、正確な測定を行うことができる。しかも、
サンプルおよび測定針の損傷をなくすことができ信頼性
を向上させることができる。
【図１】実施例による半導体測定装置の断面図である。
【図２】プローブカード部分拡大図である。
【図３】従来例による半導体測定装置の構成図である。
１ 測定針 ２ プローブカード ４ プローブカード支え台 ５ 支柱 ６ サンプル ７ ステージ ８ プローバー上下位置調節ツマミ ９ スペーサ １０ スプリング １２ 光学顕微鏡 １３ 半導体テスタ １４ 配線 １０２ プローブカード １０３ プローバー平行調整ツマミ １０４ プローブカード支え台
Claims (4)
- 【請求項１】 複数本の測定針を有し、対向して平行に
配置される被測定物の表面に前記複数本の測定針を接触
させることにより測定するためのプローブカードと、該
プローブカードを支持するための支持手段とを備えた半
導体測定装置において、 前記プローブカードが、周辺部の所定の場所にスペーサ
を備え、かつ前記被測定物に対向する前記スペーサの面
と前記被測定物の表面との間の距離をＡとし、前記複数
本の測定針の先端と前記被測定物の表面との間の各々の
距離のうち最大の距離をＢとしたとき、Ａ≧Ｂが成り立
つように前記スペーサが配設されてなることを特徴とす
る半導体測定装置。 - 【請求項２】 前記被測定物に対向する前記スペーサの
面が上下に移動可能なることを特徴とする請求項１記載
の半導体測定装置。 - 【請求項３】 前記被測定物に対向する前記スペーサの
面と前記被測定物の表面との間の距離をＡとし、前記複
数本の測定針のうち前記被測定物に最も近接する測定針
の先端と前記被測定物の表面との間の距離をＣとしたと
き、３０μｍ≦Ａ−Ｃ≦１００μｍなる関係が成り立つ
ように前記スペーサが配設されていることを特徴とする
請求項１または２記載の半導体測定装置。 - 【請求項４】 前記プローブカードがスプリングにより
前記支持手段に支持されてなることを特徴とする請求項
１または２または３記載の半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31714992A JPH06163656A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31714992A JPH06163656A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163656A true JPH06163656A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18084994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31714992A Pending JPH06163656A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163656A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100553675B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 오염 검출 테스터 |
| US7138653B1 (en) * | 2000-06-08 | 2006-11-21 | Micron Technology, Inc. | Structures for stabilizing semiconductor devices relative to test substrates and methods for fabricating the stabilizers |
| WO2009047836A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | プローブカード、検査装置及び検査方法 |
| JP2010243177A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | フローティングプローブヘッド構造のプローブカード |
| US8063652B2 (en) | 2005-11-11 | 2011-11-22 | Tokyo Electron Ltd. | Probing apparatus and method for adjusting probing apparatus |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31714992A patent/JPH06163656A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100553675B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 오염 검출 테스터 |
| US7138653B1 (en) * | 2000-06-08 | 2006-11-21 | Micron Technology, Inc. | Structures for stabilizing semiconductor devices relative to test substrates and methods for fabricating the stabilizers |
| US8063652B2 (en) | 2005-11-11 | 2011-11-22 | Tokyo Electron Ltd. | Probing apparatus and method for adjusting probing apparatus |
| WO2009047836A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | プローブカード、検査装置及び検査方法 |
| JP2010243177A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | フローティングプローブヘッド構造のプローブカード |
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