JPH04340734A - 半導体装置用プロービング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用プロービン
グ装置に関し、特に試験開始前に探針を半導体ウェーハ
に対して適正な高さに合わせてから試験を行う半導体装
置用プロービング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体装置用プロービン
グ装置は、図３に示すように、被試験体の半導体ウェー
ハ１０を搭載するステージ１と、このステージ１の位置
を制御するステージ駆動部２と、このステージ１上の半
導体ウェーハ１０の所定のペレット上の電極に先端を接
触させるための複数の探針３１を備えた探針部３と、こ
の探針部３とステージ１上の半導体ウェーハ１０との間
の間隔を制御し各探針３１の先端を半導体ウェーハ１０
の所定のペレット上の電極に接触させる探針部駆動部４
ａと、探針部３を介して半導体ウェーハ１０の各ペレッ
トの電気的試験を行う試験回路部５とを有する構成とな
っており、探針３１の高さ調整は、顕微鏡８により半導
体ウェーハ１０の所定のペレット上の電極と探針３１と
を観察しながら、探針部駆動部４ａにより手動で行って
いた。

【０００３】また、合せた高さが適正であるか否かの判
断は、探針３１の表面の反射光や単針３１をペレット上
の電極に接触させたときの接触部分の移動距離等を観察
し、作業者の経験によって行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
用プロービング装置では、探針３１のペレットに対する
高さを調整するのに、顕微鏡８で観察しながら手動で行
ない、その高さが適正か否かの判断は作業者の経験に頼
っているため、経験の浅い作業者が調整した場合、適正
な高さに合わない確率が高く、接触不良となる不具合が
発生するという問題点があった。

【０００５】また、探針３１の高さ調整は、通常試験開
始前に一度しか行なわないため、半導体ウェーハ研削時
の製造ばらつきによりその厚さが変わった場合、適正な
高さにならず、熟練者により高さが調整された場合でも
半導体ウェーハにより接触不良が発生するという問題点
があった。

【０００６】本発明の目的は、経験の浅い作業者が行っ
ても、また半導体ウェーハに製造ばらつきがっても、探
針の接触不良が発生するのを防止することができる半導
体装置用プロービング装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用プ
ロービング装置は、被試験体の半導体ウェーハを搭載す
るステージと、このステージ上の半導体ウェーハの所定
のペレット上の電極に先端を接触させるための複数の探
針を備えた探針部と、この探針部と前記ステージ上の半
導体ウェーハとの間の間隔を制御し前記各探針の先端を
前記半導体ウェーハの所定のペレット上の電極に接触さ
せる駆動部と、前記探針部を介して前記半導体ウェーハ
の各ペレットの電気的試験を行う試験回路部とを有する
半導体装置用プロービング装置において、前記探針部の
特定の探針が前記半導体ウェーハの所定のペレット上の
電極に接触したか否かを検出する接触検出部と、この接
触検出部が前記特定の探針が前記半導体ウェーハの所定
のペレット上の電極に接触したことを検出した点から更
に前記探針部を前記半導体ウェーハの所定のペレットに
所定の距離だけ接近させるオーバードライブ部とを設け
て構成される。

【０００８】

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。

【０００９】図１は本発明の一実施例を示すブロック図
である。

【００１０】この実施例が図３に示された従来の半導体
装置用プロービング装置と相違する点は、探針部２の特
定の２本の探針３１が半導体ウェーハ１０の所定のペレ
ット上の電極に接触したか否かを検出する接触検出部６
と、この接触検出部６が前記特定の探針３１が半導体ウ
ェーハ１０の所定のペレット上の電極に接触したことを
検出した点から更に探針部３を半導体ウェーハ１０の所
定のペレットに所定の距離だけ接近させるオーバードラ
イブ部７とを設けた点にある。

【００１１】次に、この実施例の動作について説明する
。図２はこの実施例の動作を説明するためのフローチャ
ートである。

【００１２】まずステップＳ１で微少な距離だけ探針３
１を下げ、半導体ウェーハ１０の所定のペレットの電極
に接近させる。

【００１３】次にステップＳ２で探針３１がペレットの
電極に接触したか否かを判断する。探針３１がペレット
の電極に接触したか否かの判断は、例えば特定の２本の
探針３１間に電圧を加えておき、これら特定の探針３１
が接触する電極部分の全面がアルミニウム等の金属層で
覆われているペレットに探針３１を接近させ、これら２
本の探針３１間に流れる電流を測定することで行なう。 この電極部分の全面がアルミニウム等の金属で覆われて
いるペレットは、半導体ウェーハ１０の製造において、
ステップ・アンド・リピート方式で露光を行なっていれ
ば、半導体ウェーハ１０外周部には必ず存在する。

【００１４】探針３１がペレットの電極に接触していな
ければステップＳ１に戻ってさらに探針３１を下げる。

【００１５】ステップＳ２でペレットの電極に接触した
と判断されれば、ステップＳ３で、半導体ウェーハ１０
面内の厚さのばらつきを考慮して所定の距離だけさらに
探針３１を下げ、オーバードライブする。

【００１６】そしてステップＳ４で電気的試験を実施す
る。

【００１７】このように、探針３１がペレットの電極に
接触してから更に探針３１を所定の距離だけ近ずけるこ
とにより、各探針３１が確実にペレットの対応する電極
に接触するので、探針３１とペレットの電極とが接触不
良となるのを防止できる。

【００１８】また、この探針３１の制御は、人手によら
ずハードウェアにより自動的に行なえるので、半導体ウ
ェーハごとの制御も容易であり、製造はらつきにより半
導体ウェーハの厚さ等に差があっても、常に探針部３と
ペレットとの距離を適正に保つことができる。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、探針がペ
レットの電極に接触したか否かを検出する探針接触検出
部と、探針がペレットの電極に接触した点から更に所定
の距離だけ探針部をペレットに近ずけるオーバードライ
ブ部とを設けた構成とすることにより、経験の浅い作業
者であっても、また半導体ウェーハに製造ばらつきがあ
っても、探針とペレットの電極とを確実に接触させるこ
とができ、探針とペレットの電極との接触不良の発生を
防止することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すブロック図である。

【図２】図１に示された実施例の動作を説明するための
フローチャートである。

【図３】従来の半導体装置用プロービング装置の一例の
ブロック図である。

【符号の説明】

１　　　　ステージ ２　　　　ステージ駆動部 ３　　　　探針 ４　　　　探針部駆動部 ５　　　　試験回路部 ６　　　　探針接触検出部 ７　　　　オーバードライブ部 ８　　　　顕微鏡 １０　　　　半導体ペレット

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　被試験体の半導体ウェーハを搭載する
   ステージと、このステージ上の半導体ウェーハの所定の
   ペレット上の電極に先端を接触させるための複数の探針
   を備えた探針部と、この探針部と前記ステージ上の半導
   体ウェーハとの間の間隔を制御し前記各探針の先端を前
   記半導体ウェーハの所定のペレット上の電極に接触させ
   る駆動部と、前記探針部を介して前記半導体ウェーハの
   各ペレットの電気的試験を行う試験回路部とを有する半
   導体装置用プロービング装置において、前記探針部の特
   定の探針が前記半導体ウェーハの所定のペレット上の電
   極に接触したか否かを検出する接触検出部と、この接触
   検出部が前記特定の探針が前記半導体ウェーハの所定の
   ペレット上の電極に接触したことを検出した点から更に
   前記探針部を前記半導体ウェーハの所定のペレットに所
   定の距離だけ接近させるオーバードライブ部とを設けた
   ことを特徴とする半導体装置用プロービング装置。