JPH08327690A - 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 - Google Patents
半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法Info
- Publication number
- JPH08327690A JPH08327690A JP13412995A JP13412995A JPH08327690A JP H08327690 A JPH08327690 A JP H08327690A JP 13412995 A JP13412995 A JP 13412995A JP 13412995 A JP13412995 A JP 13412995A JP H08327690 A JPH08327690 A JP H08327690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- standard
- needle
- probe
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハの電気試験において、プローブ針
と被試験ウェハの針圧不足による歩留低下を防止する。 【構成】半導体試験装置１Ａが、プローブ針５の針圧対
応の検査項目の規格を格納する記憶部１０と、この検査
項目の測定値ＳＢと上記規格とを比較する比較部１１と
を含み比較結果に対応して駆動機構３の制御信号ＳＣを
発生する制御部９を備える。
と被試験ウェハの針圧不足による歩留低下を防止する。 【構成】半導体試験装置１Ａが、プローブ針５の針圧対
応の検査項目の規格を格納する記憶部１０と、この検査
項目の測定値ＳＢと上記規格とを比較する比較部１１と
を含み比較結果に対応して駆動機構３の制御信号ＳＣを
発生する制御部９を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ検査装置お
よび半導体検査方法に関し、特にプローブ針により拡散
済の半導体ウエハの電気特性の自動測定を行う半導体ウ
エハ検査装置および半導体検査方法に関する。
よび半導体検査方法に関し、特にプローブ針により拡散
済の半導体ウエハの電気特性の自動測定を行う半導体ウ
エハ検査装置および半導体検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のプローブ装置を備える半導体検
査装置は、ウエハ上の多数の素子の電気的特性の測定の
ため、上記素子の電極パッドにプローブ針を接触させこ
のプローブ針をテスタ本体に接続することにより測定を
実行するように構成されている。通常ウエハは真空チャ
ック等により載置台上に支持され、この載置台をＸ，Ｙ
方向およびＺ軸の周方向であるθ方向に移動制御するこ
とにより上記電極パッドとプローブ針との位置合せを行
い、上記載置台を上昇することで上記プローブ針と電極
パッドとを接触させるようになっている。また、この電
気的特性測定結果、不良素子にはスクラッチマーカ方式
あるいはインカー方式等によりマーキングを実行するよ
うに構成されている。ここで、精度よく測定を実行する
ため、上述の電極パッドとプローブ針との位置合せおよ
びプローブ針の接触圧（以下針圧）の適切な設定が重要
である。前者については作業者の目視に頼らない自動位
置合せ法が特公昭６２−１６０１８号公報や特開昭６１
−１５３４０号公報等で提案されている。
査装置は、ウエハ上の多数の素子の電気的特性の測定の
ため、上記素子の電極パッドにプローブ針を接触させこ
のプローブ針をテスタ本体に接続することにより測定を
実行するように構成されている。通常ウエハは真空チャ
ック等により載置台上に支持され、この載置台をＸ，Ｙ
方向およびＺ軸の周方向であるθ方向に移動制御するこ
とにより上記電極パッドとプローブ針との位置合せを行
い、上記載置台を上昇することで上記プローブ針と電極
パッドとを接触させるようになっている。また、この電
気的特性測定結果、不良素子にはスクラッチマーカ方式
あるいはインカー方式等によりマーキングを実行するよ
うに構成されている。ここで、精度よく測定を実行する
ため、上述の電極パッドとプローブ針との位置合せおよ
びプローブ針の接触圧（以下針圧）の適切な設定が重要
である。前者については作業者の目視に頼らない自動位
置合せ法が特公昭６２−１６０１８号公報や特開昭６１
−１５３４０号公報等で提案されている。
【０００３】また、後者については、針圧が大きすぎる
とプローブ針の寿命を短縮し、あるいはウエハ，プロー
ブ針等の破損の要因となり、小さすぎると、ウエハ上の
酸化膜をプローブ針により突き破ることができず電気的
接触不良を生じ正確な測定の困難要因となるので、一般
的には顕微鏡を用い、目視でコンタクト状態を確認しな
がら人手で慎重に行なっていた。
とプローブ針の寿命を短縮し、あるいはウエハ，プロー
ブ針等の破損の要因となり、小さすぎると、ウエハ上の
酸化膜をプローブ針により突き破ることができず電気的
接触不良を生じ正確な測定の困難要因となるので、一般
的には顕微鏡を用い、目視でコンタクト状態を確認しな
がら人手で慎重に行なっていた。
【０００４】従来の半導体ウエハ検査装置をブロックで
示す図３を参照すると、この従来の半導体ウエハ検査装
置は、電気的特性試験用の信号発生およびプローブ装置
からの入力信号を処理して試験を実行する半導体試験装
置１と、プローブ針５と被試験ウエハ４を載置する載置
台６と載置台６の上下位置を制御する駆動機構３とを含
むプローブ装置２と、半導体試験装置１とプローブ装置
２とを接続するケーブル７とを備える。
示す図３を参照すると、この従来の半導体ウエハ検査装
置は、電気的特性試験用の信号発生およびプローブ装置
からの入力信号を処理して試験を実行する半導体試験装
置１と、プローブ針５と被試験ウエハ４を載置する載置
台６と載置台６の上下位置を制御する駆動機構３とを含
むプローブ装置２と、半導体試験装置１とプローブ装置
２とを接続するケーブル７とを備える。
【０００５】次に、図３を参照して、従来の半導体ウエ
ハ検査装置を用いて行う従来の半導体ウエハ検査方法に
ついて説明すると、被試験ウェハ４は載置台６の上に支
持され、この載置台６を駆動機構３により上下方向に移
動制御することで被試験ウエハ４上のペレットの電極パ
ッドとプローブ針５の接触圧すなわち針圧を調整する。
針圧調整が完了すると、プローブ装置２はテスト開始信
号ＳＡを半導体試験装置１に転送してテストを開始す
る。
ハ検査装置を用いて行う従来の半導体ウエハ検査方法に
ついて説明すると、被試験ウェハ４は載置台６の上に支
持され、この載置台６を駆動機構３により上下方向に移
動制御することで被試験ウエハ４上のペレットの電極パ
ッドとプローブ針５の接触圧すなわち針圧を調整する。
針圧調整が完了すると、プローブ装置２はテスト開始信
号ＳＡを半導体試験装置１に転送してテストを開始す
る。
【０００６】この針圧調整を自動的に行う特開昭６３−
１６６２４２号記載の従来の第１のウエハ検査装置は、
被試験ウエハの試験前にテスタ本体でプローブ針の電極
パッドへのコンタクトによる接触抵抗の判定を行い、そ
の判定結果をプローブ装置にフイードバックしてウエハ
載置台を上下することを反復する。
１６６２４２号記載の従来の第１のウエハ検査装置は、
被試験ウエハの試験前にテスタ本体でプローブ針の電極
パッドへのコンタクトによる接触抵抗の判定を行い、そ
の判定結果をプローブ装置にフイードバックしてウエハ
載置台を上下することを反復する。
【０００７】また、針圧調整を自動的に行う特開平１−
１６２１１７号公報記載の従来の第２のウエハ検査装置
は、被試験ウェハの試験前および試験中に、プローブ針
の針圧をウエハ上のプローブ針の針跡から画像処理によ
り検出し、その検出結果に基ずき上記プローブ針とウエ
ハ載置台との相対位置関係を制御する。
１６２１１７号公報記載の従来の第２のウエハ検査装置
は、被試験ウェハの試験前および試験中に、プローブ針
の針圧をウエハ上のプローブ針の針跡から画像処理によ
り検出し、その検出結果に基ずき上記プローブ針とウエ
ハ載置台との相対位置関係を制御する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第１の
半導体ウエハ検査装置および半導体検査方法は、針圧調
整完了後の被試験ウェハの試験において数万回〜数十万
回のコンタクト後に生ずるプローブ針の摩耗や弾性低下
や高さばらつき等に起因する適正針圧からの逸脱により
接触抵抗が増加して良品ペレットを不良判定することに
よる歩留低下の発生を人手で異常と判断し、再度針圧調
整を行う必要があるという欠点があった。
半導体ウエハ検査装置および半導体検査方法は、針圧調
整完了後の被試験ウェハの試験において数万回〜数十万
回のコンタクト後に生ずるプローブ針の摩耗や弾性低下
や高さばらつき等に起因する適正針圧からの逸脱により
接触抵抗が増加して良品ペレットを不良判定することに
よる歩留低下の発生を人手で異常と判断し、再度針圧調
整を行う必要があるという欠点があった。
【０００９】また、従来の第２の半導体ウエハ検査装置
および半導体検査方法は、構成が複雑なうえに、プロー
ブ針の針跡の大小のみにより、針圧調整を行うため、針
圧の適正か否かの最終判断は被試験ウェハの半導体試験
装置による測定結果を人手により確認する必要があると
いう欠点があった。
および半導体検査方法は、構成が複雑なうえに、プロー
ブ針の針跡の大小のみにより、針圧調整を行うため、針
圧の適正か否かの最終判断は被試験ウェハの半導体試験
装置による測定結果を人手により確認する必要があると
いう欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、上述した従来の問題点を
解決し、被試験ウェハの試験中に針圧調整を自動的に行
う半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法を
提供することにある。
解決し、被試験ウェハの試験中に針圧調整を自動的に行
う半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハ検
査装置は、試験信号の供給および測定データの処理を行
う試験信号生成処理装置と、プローブ針と被測定半導体
ウエハを支持する載置台とこの載置台の上下方向位置調
整用の駆動機構とを含むプローブ装置とを備え、前記被
測定半導体ウエハの電極パッドに前記プローブ針を接触
させて所定の電気特性検査を行う半導体ウエハ検査装置
において、前記試験信号生成処理装置が、前記電極パッ
ドに対する前記プローブ針の接触圧対応の予め定めた検
査項目の規格を格納する記憶手段と前記検査項目の測定
値と前記規格とを比較し比較信号を出力する比較手段と
を含み前記比較信号の供給に応答して前記駆動機構の制
御信号を発生する制御信号発生手段とを備えて構成され
ている。
査装置は、試験信号の供給および測定データの処理を行
う試験信号生成処理装置と、プローブ針と被測定半導体
ウエハを支持する載置台とこの載置台の上下方向位置調
整用の駆動機構とを含むプローブ装置とを備え、前記被
測定半導体ウエハの電極パッドに前記プローブ針を接触
させて所定の電気特性検査を行う半導体ウエハ検査装置
において、前記試験信号生成処理装置が、前記電極パッ
ドに対する前記プローブ針の接触圧対応の予め定めた検
査項目の規格を格納する記憶手段と前記検査項目の測定
値と前記規格とを比較し比較信号を出力する比較手段と
を含み前記比較信号の供給に応答して前記駆動機構の制
御信号を発生する制御信号発生手段とを備えて構成され
ている。
【００１２】また、本発明の半導体ウエハ検査方法は、
被測定半導体ウエハの電極パッドにプローブ針を接触さ
せて所定の電気特性検査を行う半導体ウエハ検査方法に
おいて、前記電極パッドに対する前記プローブ針の接触
圧対応の予め定めた検査項目の第１の測定値を収集する
第１のステップと、前記検査項目対応の規格と前記第１
の測定値とを比較する第２のステップと、前記第２のス
テップの比較結果不満足の場合前記接触圧を増加させる
第３のステップと、再度前記検査項目の第２の測定値を
収集する第４のステップと、前記規格と前記第２の測定
値とを比較する第５のステップと、前記第５のステップ
の比較結果不満足の場合前記接触圧を低減させ元の状態
に戻す第６のステップとを含むことを特徴とするもので
ある。
被測定半導体ウエハの電極パッドにプローブ針を接触さ
せて所定の電気特性検査を行う半導体ウエハ検査方法に
おいて、前記電極パッドに対する前記プローブ針の接触
圧対応の予め定めた検査項目の第１の測定値を収集する
第１のステップと、前記検査項目対応の規格と前記第１
の測定値とを比較する第２のステップと、前記第２のス
テップの比較結果不満足の場合前記接触圧を増加させる
第３のステップと、再度前記検査項目の第２の測定値を
収集する第４のステップと、前記規格と前記第２の測定
値とを比較する第５のステップと、前記第５のステップ
の比較結果不満足の場合前記接触圧を低減させ元の状態
に戻す第６のステップとを含むことを特徴とするもので
ある。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図３と共通の構成要
素には共通の参照文字／数字を付して同様にブロックで
示す図１を参照すると、この図に示す本実施例の半導体
ウエハ検査装置は、従来と共通のプローブ装置２とケー
ブル７とに加えて、半導体試験装置１の代りに予め設定
した針圧対応の検査項目すなわち設定項目の規格を記憶
する記憶部１０と上記設定項目の規格と測定データＳＢ
とを比較する比較部１１とを含み比較結果に対応する制
御信号ＳＣをプローブ装置２に出力する制御部９を備え
る半導体試験装置１Ａを備える。
素には共通の参照文字／数字を付して同様にブロックで
示す図１を参照すると、この図に示す本実施例の半導体
ウエハ検査装置は、従来と共通のプローブ装置２とケー
ブル７とに加えて、半導体試験装置１の代りに予め設定
した針圧対応の検査項目すなわち設定項目の規格を記憶
する記憶部１０と上記設定項目の規格と測定データＳＢ
とを比較する比較部１１とを含み比較結果に対応する制
御信号ＳＣをプローブ装置２に出力する制御部９を備え
る半導体試験装置１Ａを備える。
【００１４】次に、図１および動作をフローチャートで
示す図２を参照して本実施例の半導体試験装置１Ａによ
る半導体ウエハ検査方法について説明すると、本実施例
では設定項目として、本実施例ではプローブ針５の被試
験半導体ウエハ４に対する接触圧すなわち針圧対応の接
触抵抗値を用いる。上記接触抵抗値が数Ω〜百Ω程度と
比較的低い場合には、この抵抗値は針圧を反映し、すな
わち、針圧の大小に対応して抵抗値は小あるいは大とな
り、極端な場合針圧０すなわち接触していない場合の抵
抗値は無限大となる。したがって、適正針圧の場合の抵
抗値を規格として予め記憶しておき、この規格と接触抵
抗値の測定結果とを比較することにより上記針圧の修正
情報を得ることができる。すなわち、測定抵抗値が上記
規格の許容範囲より外れた場合に、プローブ針５の針圧
が変化したと判定し載置台６の上下方向の修正を行い、
上記針圧を修正する。
示す図２を参照して本実施例の半導体試験装置１Ａによ
る半導体ウエハ検査方法について説明すると、本実施例
では設定項目として、本実施例ではプローブ針５の被試
験半導体ウエハ４に対する接触圧すなわち針圧対応の接
触抵抗値を用いる。上記接触抵抗値が数Ω〜百Ω程度と
比較的低い場合には、この抵抗値は針圧を反映し、すな
わち、針圧の大小に対応して抵抗値は小あるいは大とな
り、極端な場合針圧０すなわち接触していない場合の抵
抗値は無限大となる。したがって、適正針圧の場合の抵
抗値を規格として予め記憶しておき、この規格と接触抵
抗値の測定結果とを比較することにより上記針圧の修正
情報を得ることができる。すなわち、測定抵抗値が上記
規格の許容範囲より外れた場合に、プローブ針５の針圧
が変化したと判定し載置台６の上下方向の修正を行い、
上記針圧を修正する。
【００１５】以上の動作をフローチャートで示す図２を
併せて参照すると、まず、ステップＳ１でプローブ装置
２の載置台６に被試験ウェハ４を載置する。ステップＳ
２で駆動機構３は載置台６を上昇させ、被試験ウェハ４
のペレットの電極パッドとプローブ針５とを接触させ
る。ステップＳ３でプローブ装置２はテスト開始信号Ｓ
Ａを半導体試験装置１に転送する。ステップＳ４で被試
験ウェハ４の最初のペレットの電気特性を試験し、この
時の測定データの内、設定項目である接触抵抗の測定デ
ータＳＢを制御部９へ転送する。次に、ステップＳ５で
制御部９では比較部１１で測定データＳＢを記憶部１０
に記憶してある対応の接触抵抗の規格と比較し、規格を
満足しない場合はステップＳ６に、満足する場合にはス
テップＳ１１にそれぞれ進む。
併せて参照すると、まず、ステップＳ１でプローブ装置
２の載置台６に被試験ウェハ４を載置する。ステップＳ
２で駆動機構３は載置台６を上昇させ、被試験ウェハ４
のペレットの電極パッドとプローブ針５とを接触させ
る。ステップＳ３でプローブ装置２はテスト開始信号Ｓ
Ａを半導体試験装置１に転送する。ステップＳ４で被試
験ウェハ４の最初のペレットの電気特性を試験し、この
時の測定データの内、設定項目である接触抵抗の測定デ
ータＳＢを制御部９へ転送する。次に、ステップＳ５で
制御部９では比較部１１で測定データＳＢを記憶部１０
に記憶してある対応の接触抵抗の規格と比較し、規格を
満足しない場合はステップＳ６に、満足する場合にはス
テップＳ１１にそれぞれ進む。
【００１６】ステップＳ６で比較部１１はプローブ装置
２へ制御信号ＳＣを供給し制御信号ＳＣの供給に応答し
て駆動機構３が動作し、載置台６を数μｍ〜数十μｍの
オーダで上昇させ、被試験ウェハ４のペレットに対する
プローブ針５の針圧を増加させる。次にステップＳ７で
プローブ装置２はテスト開始信号ＳＡを半導体試験装置
１Ａに再び転送する。ステップＳ８で被試験ウェハ４の
ペレットの再測定時の測定データＳＢを記憶部１０に転
送する。ステップＳ９で比較部１１は接触抵抗設定規格
および対応測定データＳＢを再度比較し、規格を満足す
る場合はステップＳ５の規格外れは針圧不足によるもの
と判定し載置台６が上昇したままの状態でステップＳ１
１に進み、被試験ウェハ４の次のペレットに接続を移
す。
２へ制御信号ＳＣを供給し制御信号ＳＣの供給に応答し
て駆動機構３が動作し、載置台６を数μｍ〜数十μｍの
オーダで上昇させ、被試験ウェハ４のペレットに対する
プローブ針５の針圧を増加させる。次にステップＳ７で
プローブ装置２はテスト開始信号ＳＡを半導体試験装置
１Ａに再び転送する。ステップＳ８で被試験ウェハ４の
ペレットの再測定時の測定データＳＢを記憶部１０に転
送する。ステップＳ９で比較部１１は接触抵抗設定規格
および対応測定データＳＢを再度比較し、規格を満足す
る場合はステップＳ５の規格外れは針圧不足によるもの
と判定し載置台６が上昇したままの状態でステップＳ１
１に進み、被試験ウェハ４の次のペレットに接続を移
す。
【００１７】ステップＳ９で、設定規格を満足しない場
合にはステップＳ５において針圧は問題無いと判定し、
比較部１１からプローブ装置２へ制御信号ＳＣを供給
し、ステップＳ１０において駆動機構３が動作し、載置
台６を数μｍ〜数十μｍのオーダで下降させ、プローブ
針５の針圧を元に戻してステップＳ１１に進み、被試験
ウェハ４の次のペレットに接続を移す。
合にはステップＳ５において針圧は問題無いと判定し、
比較部１１からプローブ装置２へ制御信号ＳＣを供給
し、ステップＳ１０において駆動機構３が動作し、載置
台６を数μｍ〜数十μｍのオーダで下降させ、プローブ
針５の針圧を元に戻してステップＳ１１に進み、被試験
ウェハ４の次のペレットに接続を移す。
【００１８】なお、プローブ装置２には、プローブ針５
と被試験ウェハ４の破損を防止するために、規定値以上
に載置台６が上昇しないよう保護機能を有している。
と被試験ウェハ４の破損を防止するために、規定値以上
に載置台６が上昇しないよう保護機能を有している。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハ検査装置および半導体ウエハ検査方法は、プローブ
針の接触圧対応の検査項目の規格を格納する記憶手段
と、この検査項目の測定値と上記規格とを比較する比較
手段と、比較信号対応の駆動機構制御信号を発生する制
御信号発生手段とを備えることにより、画像処理等の複
雑な構成を用いることなく、被試験ウェハの検査中の測
定データによりプローブ針の針圧を自動的に修正でき、
歩留低下の発生要因となるプローブ針の摩耗，弾性低
下，高さばらつき等による良品ペレットの不良判定を防
止できるという効果がある。
エハ検査装置および半導体ウエハ検査方法は、プローブ
針の接触圧対応の検査項目の規格を格納する記憶手段
と、この検査項目の測定値と上記規格とを比較する比較
手段と、比較信号対応の駆動機構制御信号を発生する制
御信号発生手段とを備えることにより、画像処理等の複
雑な構成を用いることなく、被試験ウェハの検査中の測
定データによりプローブ針の針圧を自動的に修正でき、
歩留低下の発生要因となるプローブ針の摩耗，弾性低
下，高さばらつき等による良品ペレットの不良判定を防
止できるという効果がある。
【図１】本発明の半導体ウエハ検査装置の一実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】本実施例の半導体ウエハ検査装置による半導体
検査方法を示すフローチャートである。
検査方法を示すフローチャートである。
【図３】従来の半導体ウエハ検査装置の一例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
１，１Ａ 半導体試験装置 ２ プローブ装置 ３ 駆動機構 ４ 被試験ウェハ ５ プローブ針 ６ 載置台 ７ ケーブル ９ 制御部 １０ 記憶部 １１ 比較部
Claims (3)
- 【請求項１】 試験信号の供給および測定データの処理
を行う試験信号生成処理装置と、プローブ針と被測定半
導体ウエハを支持する載置台とこの載置台の上下方向位
置調整用の駆動機構とを含むプローブ装置とを備え、前
記被測定半導体ウエハの電極パッドに前記プローブ針を
接触させて所定の電気特性検査を行う半導体ウエハ検査
装置において、 前記試験信号生成処理装置が、前記電極パッドに対する
前記プローブ針の接触圧対応の予め定めた検査項目の規
格を格納する記憶手段と前記検査項目の測定値と前記規
格とを比較し比較信号を出力する比較手段とを含み前記
比較信号の供給に応答して前記駆動機構の制御信号を発
生する制御信号発生手段を備えることを特徴とする半導
体ウエハ検査装置。 - 【請求項２】 前記検査項目が前記接触圧対応の接触抵
抗であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ
検査装置。 - 【請求項３】 被測定半導体ウエハの電極パッドにプロ
ーブ針を接触させて所定の電気特性検査を行う半導体ウ
エハ検査方法において、 前記電極パッドに対する前記プローブ針の接触圧対応の
予め定めた検査項目の第１の測定値を収集する第１のス
テップと、 前記検査項目対応の規格と前記第１の測定値とを比較す
る第２のステップと、 前記第２のステップの比較結果不満足の場合前記接触圧
を増加させる第３のステップと、 再度前記検査項目の第２の測定値を収集する第４のステ
ップと、 前記規格と前記第２の測定値とを比較する第５のステッ
プと、 前記第５のステップの比較結果不満足の場合前記接触圧
を低減させ元の状態に戻す第６のステップとを含むこと
を特徴とする半導体ウェアの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412995A JPH08327690A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412995A JPH08327690A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327690A true JPH08327690A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15121150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13412995A Pending JPH08327690A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08327690A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
| WO2009072341A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Tokyo Electron Limited | プローブ装置 |
| CN102116826A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电子元器件引脚电压量测系统及方法 |
| CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
| CN113759228A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 验收测试系统及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351777A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の測定装置及びその測定方法 |
| JPH0414847A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH0582603A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Nec Corp | プローブカードの位置決め方法 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13412995A patent/JPH08327690A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351777A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の測定装置及びその測定方法 |
| JPH0414847A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH0582603A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Nec Corp | プローブカードの位置決め方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
| WO2009072341A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Tokyo Electron Limited | プローブ装置 |
| CN102116826A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电子元器件引脚电压量测系统及方法 |
| CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
| CN113759228A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 验收测试系统及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4780836A (en) | Method of testing semiconductor devices using a probe card | |
| KR100248569B1 (ko) | 프로우브장치 | |
| JP3163221B2 (ja) | プローブ装置 | |
| TWI431705B (zh) | Method for detecting the position of the needle end of the probe, the alignment method, the needle end position detecting device, and the probe device | |
| US20070108965A1 (en) | Planarity diagnostic system, e.g., for microelectronic component test systems | |
| US7265536B2 (en) | Procedure for reproduction of a calibration position of an aligned and afterwards displaced calibration substrate in a probe station | |
| CN113759228A (zh) | 验收测试系统及方法 | |
| JPH07297242A (ja) | プローブ方法及びその装置 | |
| CN110501539A (zh) | 用于探针卡制造、检测及维修的设备及其使用方法 | |
| JPH08327690A (ja) | 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 | |
| JPH0621166A (ja) | ウエハプローバ | |
| JP2984541B2 (ja) | プロービング方法およびプローブ装置 | |
| JPS6351651A (ja) | ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法 | |
| US20060071679A1 (en) | System and method for the probing of a wafer | |
| KR20070116514A (ko) | 평판표시소자의 프로브 검사장치 및 이를 이용한 프로브검사방법 | |
| JPS63166242A (ja) | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 | |
| JP3434946B2 (ja) | 荷電粒子線試験装置 | |
| JPS6386445A (ja) | ウエハプロ−バのｚ軸オ−バドライブ量制御装置および方法 | |
| KR20080013522A (ko) | 프로빙 검사장치 및 이를 이용하는 척 수평 조절 방법 | |
| JP3971031B2 (ja) | 半導体ウェハープローブステイションのインカーを検査する装置及び方法 | |
| KR100361522B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 지지용 척의 평탄도 조정장치 | |
| JPS63110744A (ja) | プロ−ブ装置 | |
| JP2501613B2 (ja) | ウエハプロ―バ | |
| JPH0465851A (ja) | 検査装置 | |
| US20240118338A1 (en) | Method for setting up test apparatus and test apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981110 |