JPH01227450A - ウエハプローバ - Google Patents
ウエハプローバInfo
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- JPH01227450A JPH01227450A JP63054565A JP5456588A JPH01227450A JP H01227450 A JPH01227450 A JP H01227450A JP 63054565 A JP63054565 A JP 63054565A JP 5456588 A JP5456588 A JP 5456588A JP H01227450 A JPH01227450 A JP H01227450A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 44
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002311 subsequent effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 95
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は半導体ウェハの□プローブテストを行なうた
めのウニへプローバに関し、半導体ウェハを精廃よく測
定するのに適し九つェ八ブローバを提供するものである
。
めのウニへプローバに関し、半導体ウェハを精廃よく測
定するのに適し九つェ八ブローバを提供するものである
。
半導体装置の製造工程においては、ウェハ上にウェハチ
ップが完成すると、プローブテストと呼ばれ電極パッド
にプローブ針を接触させてウェハチップの電気的特性検
査が行なわれる。 このような検査においては、プローブ位置におい壬、プ
ローブ針が一定の針圧でウェハチップの。 電極パッドに接触しているか否かが検査精度に大きく影
響するものであった。 ゛従来、このプローブ針がウェハ上へ接触する場合の針
圧は、ウェハの厚さやらエム表面の傾きによって影響さ
れるため、プローブ針に対してウェハチャ多りのＺ軸方
向の移動量を制御することにより調整されていた。
ップが完成すると、プローブテストと呼ばれ電極パッド
にプローブ針を接触させてウェハチップの電気的特性検
査が行なわれる。 このような検査においては、プローブ位置におい壬、プ
ローブ針が一定の針圧でウェハチップの。 電極パッドに接触しているか否かが検査精度に大きく影
響するものであった。 ゛従来、このプローブ針がウェハ上へ接触する場合の針
圧は、ウェハの厚さやらエム表面の傾きによって影響さ
れるため、プローブ針に対してウェハチャ多りのＺ軸方
向の移動量を制御することにより調整されていた。
しかしながら、本発明者等は針圧への影響因子としそ、
ウニへの厚さの不均一やウニ八表面の傾きは勿論、゛針
圧を受けた場合のウェハチャックのたわみ量も非常′に
大きい影響力を持っていることを発見した。 □ 近年のウェハの高密度化に伴い、第９図に示すよう
に、プローブ針２１がプローブカード２２に′ 垂直に
設置されるようになった。このような場合に、は、わず
かな針圧の違いによりプローブ針２１に過度の負荷がか
かつて変形し、負荷が除かれたのちもその変形が残って
しまい、プローブ針２１が使用できなくなってしまう。 この発明の目的は、かかる従来の問題点を解消するため
、従来何も考慮されていなかった、針圧を受けた場合の
ウェハチャックのたわみ量（第１０図参照）を、ウェハ
チャックの各部位についてプローブ針による針圧との関
係において測定するものである。そして、そのたわみ量
をメモリに記憶させておき、のちのプローブ工程におい
てウェハチャックのＹ軸方向の駆動を制御するのに使用
して、針圧の狂いを低減することにより、より一層高精
度にウェハを検査できるウニへブローバを提供すること
である。
ウニへの厚さの不均一やウニ八表面の傾きは勿論、゛針
圧を受けた場合のウェハチャックのたわみ量も非常′に
大きい影響力を持っていることを発見した。 □ 近年のウェハの高密度化に伴い、第９図に示すよう
に、プローブ針２１がプローブカード２２に′ 垂直に
設置されるようになった。このような場合に、は、わず
かな針圧の違いによりプローブ針２１に過度の負荷がか
かつて変形し、負荷が除かれたのちもその変形が残って
しまい、プローブ針２１が使用できなくなってしまう。 この発明の目的は、かかる従来の問題点を解消するため
、従来何も考慮されていなかった、針圧を受けた場合の
ウェハチャックのたわみ量（第１０図参照）を、ウェハ
チャックの各部位についてプローブ針による針圧との関
係において測定するものである。そして、そのたわみ量
をメモリに記憶させておき、のちのプローブ工程におい
てウェハチャックのＹ軸方向の駆動を制御するのに使用
して、針圧の狂いを低減することにより、より一層高精
度にウェハを検査できるウニへブローバを提供すること
である。
すなわちこの発明のウエハブローバは、ウェハチャック
のチャックトップの各部位についてのたわみ量を、プロ
ーブ針による針圧との関係において測定し、そのたわみ
量に応じてウェハチャックの２軸方向の移動量を制御す
ることにより、ウェハにかかる針圧を調整するようにし
たことを特徴とするものである。
のチャックトップの各部位についてのたわみ量を、プロ
ーブ針による針圧との関係において測定し、そのたわみ
量に応じてウェハチャックの２軸方向の移動量を制御す
ることにより、ウェハにかかる針圧を調整するようにし
たことを特徴とするものである。
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。第
１図ないし第４図はこの発明のウエハブローバの一実施
例を示し、第１図はその概略平面図、第２図は側面図、
第３図はダミーウェハの用法を示す概略平面図、第４図
はウェハチャックの駆動方向を示す斜視図である。 プローブ位置に設置したプローブカード等からなるプロ
ーブ手段１と、ウェハ１２の相対的移動により各チップ
１３ごとに検査される６例えば、ウェハ１２が上下、Ｘ
軸−Ｙ軸方向に移動することにより検査されろ、上記上
下移動において、あらかじめ定められた位置に設けられ
たハイドセンサ２の位置を、ウェハチャック１１に吸着
されたウェハ１２が通過することにより、ウェハ１２内
の全チップ１３について、その高さがハイドセンサ２に
より検知される。すなわち、第２図に示すヨウにウェハ
１２の端縁がハイドセンサ２を縦横に横切った際の２点
Ｘｓ、ＸｉおよびＹ、、ｙ＊し、その交点をウェハ１２
の中心Ｏとして以後の基準とする。そして上記中心Ｏを
起点として、うす巻き状ないし蛇行状に移動させ、ウェ
ハ１２上の各チップ１３をハイドセンサ２によって検知
する。この検知結果はメモリに記憶させておく。 ４は、マイクロスコープと撮像カメラ３からの出力によ
るＴＶモニタで、ウェハ１２のチップ１３に設けた電極
パッドにプローブ位置においてプローブ針２１をコンタ
クトさせ、その針跡の位置やサイズを確認するために使
用される。すなわち第４図に示すように、ウェハ１２を
吸着したつエバチャック１１をＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸方向お
よびθ方向に駆動させ、確認した針跡によってウェハ１
２の姿勢を制御するのである。 なお、上記ハイドセンサ２によって各チップ１３の高さ
を検知する前に、このＴＶモニタ４でウェハ１２を観察
してチップ１３内のどの位置を検知するかを決定する。 その後ウェハ１２をハイドセンサ２の視野位置まで移動
させ、上記手順でウェハ１２の中心０を決定して、各チ
ップ１３ごとにその高さを検知する。得られた各チップ
１３ごとの高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ１２はプローブ位置まで移送され、各チップ
１３ごとに電気的に測定される。その際ウェハチャック
１１は、第５図のように各チップ１３ごとにプローブ針
２１に接触させるように動作するが、各チップ１３ごと
の高さに応じてＹ軸方向に移動量を調整する。この調整
は、ウェハチャック１１の駆動系を、メモリに記憶され
た各チップ１３ごとの高さのデータに応じて制御するこ
とにより行なわれる。なおウェハ１２のＸ軸ないしＹ軸
方向の傾きは、ＴＶモニタ４の位置で修正されているの
で、プローブ位置においては調整する必要がない。 この実施例においては、検査すべきウェハ１２をプロー
１位置に移送してウェハ１２上の各チップ１３を電気的
に測定するのに際し、次の準備工程を経るようにしたも
のである。 すなわち、先ずウェハチャック１１のチャックトップの
各部位についてのたわみ量を、プローブ針２１による針
圧との関係において測定する。測定に際しては第６図に
示すように、プローブ位置のヘッドプレート３３に支持
された、上下方向に進退自在のマグネスケール３４を使
用する。すなわち、ウェハチャック１１のチャックトッ
プ３１にウェイト３２を載せ、この状態でウェハチャッ
ク１１をＺ軸方向に上昇させてマグネスケール３４の先
端に当接させる。そしてウェハチャックｌｌのチャック
トップ３１の各部位についてそのたわみ量を検出する。 上記たわみ量は、通常ウェハチャックの支柱部分との関
係からウェハチャックの中心においては少なく、周辺部
分において大きくなる。しかしながら、ウェハチャック
１１の材質等の要素もあってかなりのバラツキを有する
ものである。 このようにして測定したウェハチャック１１のチャック
トップ３１のたわみ量は、メモリに記憶させておき、の
ちのプローブ工程においてウェハチャック１１の２軸方
向の駆動を制御するのに使用する。このようにして針圧
の狂いを低減することにより、より一層高精度にウェハ
を検査することができる。 なお同時に、下記に示すような手段で、ウェハチャック
１１のＺ軸方向の移動の際の停止位置のズレを検出した
ところ、移動速度によって第８図のＡに示すような振動
が生じていることが判明した。 ズレの検出には第７図に示すように、プローブ位置のヘ
ッドプレート３３に支持されたオシロスコープ３５を使
用する。すなわち、ウェハチャック１１のチャックトッ
プ３１にウェイト３２を載せ、この状態でウェハチャッ
ク１１をＺ軸方向に上昇させてオシロスコープ３５でそ
の位置を検出する。そしてチャックトップ３１の各部位
についてその振動量を検出する。 このようにして測定したウェハチャック１１の振動はそ
のＺ軸方向の速度に大きく影響されるため、本発明者等
は種々検討した結果、ウェハチャック１１のＺ軸方向の
駆動を２段階制御することによって解消できることを見
いだした。このようにして振動量を低減することにより
、より一層高精度にウェハを検査することができる。 次にこの発明の、ウニへブローバの動□作について説明
する。 通常のロード、アンロード手段でダミーウェハ１４をプ
ローブ位置に移送する０次いでダミーウェハ１４上の任
意の位置に、プローブ針２１’ｔ’針跡からなるマーク
１５を付してＴＶモニタ４の位置まで回送する。そして
、このダミーウェハ１４上のマーク１５をＴＶモニタ４
で確認するとともに、プローブ位置との間の距離りを検
出する。得られたデータはＲＡＭ等のメモリに記憶させ
ておく。 次に、検査すべきウェハ１２をプローブ位置に移送して
、ウェハ１２のチップ１３に設けた電極パッドにプロー
ブ位置においてプローブ針２１をコンタクトさせる。プ
ローブ針２１の針跡等のマ一り２３を付された検査すべ
きウェハ１２は、ＴＶモニタ４によって上記マーク２３
の位置やサイズが確認される。それと同時に、ウェハ１
２を吸着したウェハチャック１１をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方
向およびθ方向に駆動させ、確認した針跡等のマーク２
３によってウェハ１２の姿勢を制御する。 その後、ウェハ１２はプローブ位置に送られ、各チップ
１３ごとに通常のテストを受ける。 上記各工程において、ウェハチャック１１のたわみ量に
応じた制御がＺ軸方向について行なわれる。また、第８
図のＢに示すように、ウェハチャック１１をＺ軸方向に
駆動する際には、上昇過程の大半は高速で移動させ、停
止位置に近すいた時点で低速にするという２段階で動作
させる。このようにすれば、上記振動を解消して非常に
制度よく、しかも速度を落とさずにテスト等を行なうこ
とができる。 なお、チップ１３内のどの位置の高さをハイドセンサ２
によって測定するかは、マイクロスコープと撮像カメラ
３からの出力によるＴＶモニタ４内の映像を、ＴＶモニ
タ４内中心に位置する十字マーク５に合わせることによ
り指示する。十字マーク５の下に位置する点が、Ｘ、Ｙ
方向へどれだけ移動すればハイドセンサ２の真下にくる
かが判れば、ＴＶモニタ４に指示したチップ１３内の点
を正確にハイドセンサ２の下へ移動することが可能とな
る。 この移動量は、例えば以下の方法を取ることにより実行
可能となる。まず、上記ウェハチャック１１がハイドセ
ンサ２の真下を縦および横に横切った際の２点、Ｘ＋、
ＸｔおよびＹｌ、Ｙ２の中心、１の中心Ｏであり、ハイ
ドセンサ２の真下にウェハチャック１１が移動する座標
となる。 次に、ＴＶモニタ４の十字マーク５の真下をウェハチャ
ック１１が縦および横に横切った際の２り中心がＴＶモ
ニタ４の十字マーク５の下に移動ンサ２とＴＶモニタ４
の十字マーク５との間の距離すなわち移動量となる。 したがって、上記ハイドセンサ２によって各チップ１３
の高さを検知する前に、このＴＶモニタ４でウェハ１２
を観察してチップ１３内のどの位置を検知するかを決定
する。 その後ウェハ１２をハイドセンサ２の位置まで移動させ
、上記手順でウェハ１２の中心０を決定して、各チップ
１３ごとにその高さを検知する。 チップ１３のＸ方向およびＹ方向の大きさは、あらかじ
めキーボード等を用いて入力することにより、ブローバ
内部に記憶されている。したがって、ハイドセンサ２の
真下にＴＶモニタ４にて指示した特定点が移動した後は
、あらかじめ記憶されたチップ１３の大きさ分だけ移動
することにより、ウェハ１２上の各チップ１３上の特定
点の高さ測定が可能となる。得られた各チップ１３ごと
の高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ１２はプローブ位置まで移送され、上述のよ
うに各チップ１３ごとに電気的に測定される。なおこの
プローブ工程において、プローブ位置、ハイドセンサ２
およびＴＶモニタ４の間の距離Ｌ＋、Ｌ＊を、ウェハ１
２の中心０等を基準にして計測しておき、そのデータに
応じてウェハチャック１１の移動量を制御するようにす
れば、プローブ工程全体を自動的に行なわせることがで
きる。 上記実施例では、ウェハに形成される全チップについて
の高さを検知し、この検知信号により各チップの針圧を
あらかじめ定めた針圧に補正する例について説明したが
、ウェハを複数のブロックに分割し、ブロック単位で針
圧調整してもよい。 ブロックは例えば中心部、周辺部の５分割などである。 さらにあらかじめ定められた位置のチップやダミーチッ
プのみ高さ検知してもよい。
１図ないし第４図はこの発明のウエハブローバの一実施
例を示し、第１図はその概略平面図、第２図は側面図、
第３図はダミーウェハの用法を示す概略平面図、第４図
はウェハチャックの駆動方向を示す斜視図である。 プローブ位置に設置したプローブカード等からなるプロ
ーブ手段１と、ウェハ１２の相対的移動により各チップ
１３ごとに検査される６例えば、ウェハ１２が上下、Ｘ
軸−Ｙ軸方向に移動することにより検査されろ、上記上
下移動において、あらかじめ定められた位置に設けられ
たハイドセンサ２の位置を、ウェハチャック１１に吸着
されたウェハ１２が通過することにより、ウェハ１２内
の全チップ１３について、その高さがハイドセンサ２に
より検知される。すなわち、第２図に示すヨウにウェハ
１２の端縁がハイドセンサ２を縦横に横切った際の２点
Ｘｓ、ＸｉおよびＹ、、ｙ＊し、その交点をウェハ１２
の中心Ｏとして以後の基準とする。そして上記中心Ｏを
起点として、うす巻き状ないし蛇行状に移動させ、ウェ
ハ１２上の各チップ１３をハイドセンサ２によって検知
する。この検知結果はメモリに記憶させておく。 ４は、マイクロスコープと撮像カメラ３からの出力によ
るＴＶモニタで、ウェハ１２のチップ１３に設けた電極
パッドにプローブ位置においてプローブ針２１をコンタ
クトさせ、その針跡の位置やサイズを確認するために使
用される。すなわち第４図に示すように、ウェハ１２を
吸着したつエバチャック１１をＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸方向お
よびθ方向に駆動させ、確認した針跡によってウェハ１
２の姿勢を制御するのである。 なお、上記ハイドセンサ２によって各チップ１３の高さ
を検知する前に、このＴＶモニタ４でウェハ１２を観察
してチップ１３内のどの位置を検知するかを決定する。 その後ウェハ１２をハイドセンサ２の視野位置まで移動
させ、上記手順でウェハ１２の中心０を決定して、各チ
ップ１３ごとにその高さを検知する。得られた各チップ
１３ごとの高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ１２はプローブ位置まで移送され、各チップ
１３ごとに電気的に測定される。その際ウェハチャック
１１は、第５図のように各チップ１３ごとにプローブ針
２１に接触させるように動作するが、各チップ１３ごと
の高さに応じてＹ軸方向に移動量を調整する。この調整
は、ウェハチャック１１の駆動系を、メモリに記憶され
た各チップ１３ごとの高さのデータに応じて制御するこ
とにより行なわれる。なおウェハ１２のＸ軸ないしＹ軸
方向の傾きは、ＴＶモニタ４の位置で修正されているの
で、プローブ位置においては調整する必要がない。 この実施例においては、検査すべきウェハ１２をプロー
１位置に移送してウェハ１２上の各チップ１３を電気的
に測定するのに際し、次の準備工程を経るようにしたも
のである。 すなわち、先ずウェハチャック１１のチャックトップの
各部位についてのたわみ量を、プローブ針２１による針
圧との関係において測定する。測定に際しては第６図に
示すように、プローブ位置のヘッドプレート３３に支持
された、上下方向に進退自在のマグネスケール３４を使
用する。すなわち、ウェハチャック１１のチャックトッ
プ３１にウェイト３２を載せ、この状態でウェハチャッ
ク１１をＺ軸方向に上昇させてマグネスケール３４の先
端に当接させる。そしてウェハチャックｌｌのチャック
トップ３１の各部位についてそのたわみ量を検出する。 上記たわみ量は、通常ウェハチャックの支柱部分との関
係からウェハチャックの中心においては少なく、周辺部
分において大きくなる。しかしながら、ウェハチャック
１１の材質等の要素もあってかなりのバラツキを有する
ものである。 このようにして測定したウェハチャック１１のチャック
トップ３１のたわみ量は、メモリに記憶させておき、の
ちのプローブ工程においてウェハチャック１１の２軸方
向の駆動を制御するのに使用する。このようにして針圧
の狂いを低減することにより、より一層高精度にウェハ
を検査することができる。 なお同時に、下記に示すような手段で、ウェハチャック
１１のＺ軸方向の移動の際の停止位置のズレを検出した
ところ、移動速度によって第８図のＡに示すような振動
が生じていることが判明した。 ズレの検出には第７図に示すように、プローブ位置のヘ
ッドプレート３３に支持されたオシロスコープ３５を使
用する。すなわち、ウェハチャック１１のチャックトッ
プ３１にウェイト３２を載せ、この状態でウェハチャッ
ク１１をＺ軸方向に上昇させてオシロスコープ３５でそ
の位置を検出する。そしてチャックトップ３１の各部位
についてその振動量を検出する。 このようにして測定したウェハチャック１１の振動はそ
のＺ軸方向の速度に大きく影響されるため、本発明者等
は種々検討した結果、ウェハチャック１１のＺ軸方向の
駆動を２段階制御することによって解消できることを見
いだした。このようにして振動量を低減することにより
、より一層高精度にウェハを検査することができる。 次にこの発明の、ウニへブローバの動□作について説明
する。 通常のロード、アンロード手段でダミーウェハ１４をプ
ローブ位置に移送する０次いでダミーウェハ１４上の任
意の位置に、プローブ針２１’ｔ’針跡からなるマーク
１５を付してＴＶモニタ４の位置まで回送する。そして
、このダミーウェハ１４上のマーク１５をＴＶモニタ４
で確認するとともに、プローブ位置との間の距離りを検
出する。得られたデータはＲＡＭ等のメモリに記憶させ
ておく。 次に、検査すべきウェハ１２をプローブ位置に移送して
、ウェハ１２のチップ１３に設けた電極パッドにプロー
ブ位置においてプローブ針２１をコンタクトさせる。プ
ローブ針２１の針跡等のマ一り２３を付された検査すべ
きウェハ１２は、ＴＶモニタ４によって上記マーク２３
の位置やサイズが確認される。それと同時に、ウェハ１
２を吸着したウェハチャック１１をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方
向およびθ方向に駆動させ、確認した針跡等のマーク２
３によってウェハ１２の姿勢を制御する。 その後、ウェハ１２はプローブ位置に送られ、各チップ
１３ごとに通常のテストを受ける。 上記各工程において、ウェハチャック１１のたわみ量に
応じた制御がＺ軸方向について行なわれる。また、第８
図のＢに示すように、ウェハチャック１１をＺ軸方向に
駆動する際には、上昇過程の大半は高速で移動させ、停
止位置に近すいた時点で低速にするという２段階で動作
させる。このようにすれば、上記振動を解消して非常に
制度よく、しかも速度を落とさずにテスト等を行なうこ
とができる。 なお、チップ１３内のどの位置の高さをハイドセンサ２
によって測定するかは、マイクロスコープと撮像カメラ
３からの出力によるＴＶモニタ４内の映像を、ＴＶモニ
タ４内中心に位置する十字マーク５に合わせることによ
り指示する。十字マーク５の下に位置する点が、Ｘ、Ｙ
方向へどれだけ移動すればハイドセンサ２の真下にくる
かが判れば、ＴＶモニタ４に指示したチップ１３内の点
を正確にハイドセンサ２の下へ移動することが可能とな
る。 この移動量は、例えば以下の方法を取ることにより実行
可能となる。まず、上記ウェハチャック１１がハイドセ
ンサ２の真下を縦および横に横切った際の２点、Ｘ＋、
ＸｔおよびＹｌ、Ｙ２の中心、１の中心Ｏであり、ハイ
ドセンサ２の真下にウェハチャック１１が移動する座標
となる。 次に、ＴＶモニタ４の十字マーク５の真下をウェハチャ
ック１１が縦および横に横切った際の２り中心がＴＶモ
ニタ４の十字マーク５の下に移動ンサ２とＴＶモニタ４
の十字マーク５との間の距離すなわち移動量となる。 したがって、上記ハイドセンサ２によって各チップ１３
の高さを検知する前に、このＴＶモニタ４でウェハ１２
を観察してチップ１３内のどの位置を検知するかを決定
する。 その後ウェハ１２をハイドセンサ２の位置まで移動させ
、上記手順でウェハ１２の中心０を決定して、各チップ
１３ごとにその高さを検知する。 チップ１３のＸ方向およびＹ方向の大きさは、あらかじ
めキーボード等を用いて入力することにより、ブローバ
内部に記憶されている。したがって、ハイドセンサ２の
真下にＴＶモニタ４にて指示した特定点が移動した後は
、あらかじめ記憶されたチップ１３の大きさ分だけ移動
することにより、ウェハ１２上の各チップ１３上の特定
点の高さ測定が可能となる。得られた各チップ１３ごと
の高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ１２はプローブ位置まで移送され、上述のよ
うに各チップ１３ごとに電気的に測定される。なおこの
プローブ工程において、プローブ位置、ハイドセンサ２
およびＴＶモニタ４の間の距離Ｌ＋、Ｌ＊を、ウェハ１
２の中心０等を基準にして計測しておき、そのデータに
応じてウェハチャック１１の移動量を制御するようにす
れば、プローブ工程全体を自動的に行なわせることがで
きる。 上記実施例では、ウェハに形成される全チップについて
の高さを検知し、この検知信号により各チップの針圧を
あらかじめ定めた針圧に補正する例について説明したが
、ウェハを複数のブロックに分割し、ブロック単位で針
圧調整してもよい。 ブロックは例えば中心部、周辺部の５分割などである。 さらにあらかじめ定められた位置のチップやダミーチッ
プのみ高さ検知してもよい。
この発明のウエハブローバは、各ウェハの高さを検出し
ておき、この検出値に応じてプローブ針と電極パッドと
の相対的移動量を補正することにより、常にあらかじめ
定めた針圧で検査でき、高精度な測定が可能となる。
ておき、この検出値に応じてプローブ針と電極パッドと
の相対的移動量を補正することにより、常にあらかじめ
定めた針圧で検査でき、高精度な測定が可能となる。
第１図はこの発明のウエハブローバの一実施例を示す概
略平面図、第２図はその側面図、第３図はダミーウェハ
の用法を示す概略平面図、第４図はウェハチャックの駆
動方向を示す斜視図、第５図はプローブ工程におけるウ
ニへのＺ軸方向の動作、を示す概略側面図、第６図はウ
ェハチャックのたわみ量を検出する手段を示す概略側面
図、第７図はウェハチャックの停止位置のズレな検出す
る手段を示す概略側面図、第８図はウェハチャックの停
止時の振動を示すグラフ、第９図は従来の場合のプロー
ブ針が変形したところを示す概略側面図、第１０図は針
圧を受けた場合のウェハチャックのたわみを示す概略側
面図である。
略平面図、第２図はその側面図、第３図はダミーウェハ
の用法を示す概略平面図、第４図はウェハチャックの駆
動方向を示す斜視図、第５図はプローブ工程におけるウ
ニへのＺ軸方向の動作、を示す概略側面図、第６図はウ
ェハチャックのたわみ量を検出する手段を示す概略側面
図、第７図はウェハチャックの停止位置のズレな検出す
る手段を示す概略側面図、第８図はウェハチャックの停
止時の振動を示すグラフ、第９図は従来の場合のプロー
ブ針が変形したところを示す概略側面図、第１０図は針
圧を受けた場合のウェハチャックのたわみを示す概略側
面図である。
Claims (1)
- １、ウェハチャックのチャックトップの各部位について
のたわみ量を、プローブ針による針圧との関係において
測定し、そのたわみ量に応じてウェハチャックのＺ軸方
向の移動量を制御することにより、ウェハにかかる針圧
を調整するようにしたことを特徴とするウェハプローバ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054565A JPH0732176B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ウエハプローバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054565A JPH0732176B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ウエハプローバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227450A true JPH01227450A (ja) | 1989-09-11 |
| JPH0732176B2 JPH0732176B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=12974211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054565A Expired - Lifetime JPH0732176B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ウエハプローバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732176B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095753A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム |
| JP2015524616A (ja) * | 2012-07-26 | 2015-08-24 | エテル・ソシエテ・アノニム | ウェハを試験するための設備 |
| CN114252761A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-03-29 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 适用于超低温环境的探针设备针痕控制装置 |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054565A patent/JPH0732176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095753A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム |
| JP2015524616A (ja) * | 2012-07-26 | 2015-08-24 | エテル・ソシエテ・アノニム | ウェハを試験するための設備 |
| CN114252761A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-03-29 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 适用于超低温环境的探针设备针痕控制装置 |
| CN114252761B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-06-06 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 适用于超低温环境的探针设备针痕控制装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732176B2 (ja) | 1995-04-10 |
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