JPH06318622A - ウエハプローバ - Google Patents

ウエハプローバ

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JPH06318622A
JPH06318622A JP4058988A JP5898892A JPH06318622A JP H06318622 A JPH06318622 A JP H06318622A JP 4058988 A JP4058988 A JP 4058988A JP 5898892 A JP5898892 A JP 5898892A JP H06318622 A JPH06318622 A JP H06318622A
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JP
Japan
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wafer
probe
mark
needle
monitor
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JP4058988A
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JPH0763068B2 (ja
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Hiroshi Suzuki
博 鈴木
Takashi Chiku
孝 知久
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検査すべき半導体ウエハをプローブ位置に移
送して、プローブ針を正確に半導体ウエハのチップ電極
パッドに接触させる位置合せを自動的に行う。 【構成】 ダミーウエハ14にプローブ針21を接触さ
せ針跡15を付加し、この針跡15をモニター3で確認
し、このモニター3で確認された針跡情報を基に検査す
べき半導体ウエハ12をプローブ位置へ移送位置決めし
て、プローブ針21を半導体ウエハ12のチップ電極パ
ッドに接触させるプローブ検査を自動的に行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハのプロー
ブテストを行なうためのウエハプローバに関し、半導体
ウエハを自動的に測定するのに適したウエハプローバを
提供するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、ウエ
ハ上にウエハチップが完成すると、プローブテストと呼
ばれ電極パッドにプローブ針を接触させてウエハチップ
の電気的特性検査が行なわれる。
【0003】従来、このプローブ針の接触状況の確認や
その後のX軸、Y軸Z軸方向の位置合わせは、プローブ
位置において、プローブ針を保持するプローブカードに
形成した開口部の上方から、オペレータがマイクロスコ
ープ等で接触状況を観察することによって行なってい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが近年のウエハ
の高密度化に伴い、図7に示すように、プローブ針21
がプローブカード22に垂直に設置されるようになっ
た。このような場合には、プローブ針21を保持するプ
ローブカード22に形成した開口部の上方から、マイク
ロスコープで接触状況を観察しても、接触部分は観察す
ることができない。
【0005】この発明の目的し、かかる従来の問題点を
解消するため、ダミーウエハをプローブ位置に移送して
プローブ針でマークを付し、このダミーウエハ上の針跡
を示すマークをモニタで確認してプローブ位置との間の
距離Lを検出しておくことにより、検査すべきウエハを
自動的にプローブ位置に移送できるようにしたウエハプ
ローバを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわちこの発明のウエ
ハプローバは、検査すべきウエハを、プローブ位置にお
いてプローブ針でプローブ位置を示すマークを付し、こ
れをモニタで確認してウエハの姿勢を制御したのち、ウ
エハをプローブ位置に移送してウエハ上の各チップを電
気的に測定するのに際し、ダミーウエハをプローブ位置
に移送してプローブ針でマークを付し、このダミーウエ
ハ上の針跡を示すマークをモニタで確認してプローブ位
置との間の距離Lを検出しておくことにより、検査すべ
きウエハを自動的にプローブ位置に移送できるようにし
たことを特徴とするものである。
【0007】上記ダミーウエハとしては、針跡等のマー
クが確認できれば材質を問うものではないが、シリコン
基板にアルミ蒸着を施したもの等が好適に使用される。
【0008】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を用いて説
明する。図1ないし図4はこの発明のウエハプローバの
一実施例を示し、その概略図である。図において、1は
プローブ位置に設置したプローブカード等からなるプロ
ーブ手段で、ウエハ12はこの位置で各チップ13ごと
に検査される。
【0009】2はハイトセンサで、この位置をウエハチ
ャック11に吸着されたウエハ12が通過することによ
って、ウエハ12内の全チップ13について、その高さ
が検知される。すなわち、図2に示すようにウエハ12
の端縁がハイセンサ2を縦横に横切った際の2点X1、
X2およびY1、Y2の中心、(X1−X2)/2、
(Y1−Y2)/2から垂線を延ばし、その交点をウエ
ハ12の中心0として以後の基準とする。そして上記中
心0を起点として、うず巻き状ないし蛇行状に移動さ
せ、ウエハ12上の各チップ13をハイトセンサ2によ
って検知する。この検知結果はメモリに記憶させてお
く。
【0010】3は、マイクロスコープや撮像カメラ等か
らなるモニタで、ウエハ12のチップ13に設けた電極
パッドにプローブ位置においてプローブ針21をコンタ
クトさせ、その針跡の位置やサイズを確認するために使
用される。すなわち、図4に示すように、ウエハ12を
吸着したウエハチャック11をX軸、Y軸、Z軸方向お
よび0方向に駆動させ、確認した針跡によってウエハ1
2の姿勢を制御するのである。
【0011】なお、上記ハイトセンサ2によって各チッ
プ13の高さを検知する前に、このモニタ3でウエハ1
2を観察してチップ13内にどの位置を検知するかを決
定する。
【0012】その後ウエハ12をハイトセンサ2の位置
まで移動させ、上記手順でウエハ12の中心0を決定し
て、各チップ13ごとにその高さを検知する。得られた
各チップ13ごとの高さのデータは、メモリに記憶して
おく。
【0013】次にウエハ12はプローブ位置まで移送さ
れ、各チップ13ごとに電気的に測定される。その際ウ
エハチャック11は、図5のように各チップ13ごとに
プローブ針21に接触させるように動作するが、各チッ
プ13ごとの高さに応じてZ軸方向に移動量を調整す
る。この調整は、ウエハチャック11の駆動系を、メモ
リに記憶された各チップ13ごとに高さのデータに応じ
て制御することにより行なわれる。なおウエハ12のX
軸ないしY軸方向の傾きは、モニタ3の位置で修正され
ているので、プローブ位置においては調整する必要がな
い。
【0014】この発明においては、検査すべきウエハ1
2をプローブ位置に移送してウエハ12上の各チップ1
3を電気的に測定するのに際し、その前段で次の工程を
経るようにしたものである。
【0015】すなわち、通常のロード、アンロード手段
でダミーウエハ14をプローブ位置に移送する。次いで
ダミーウエハ14上の任意の位置に、プローブ針21で
針跡からなるマーク15を付してモニタ3の位置まで回
送する。そしてこのダミーウエハ14上のマーク15を
モニタ3で確認するとともに、プローブ位置との間の距
離Lを検出する。得られたデータはプローブ内部のRA
M等のメモリに記憶させておく。
【0016】次に、検査すべきウエハ12をプローブ位
置に移送して、ウエハ12のチップ13に設けた電極パ
ッドにプローブ位置においてプローブ針21をコンタク
トさせる。プローブ針21の針跡等のマーク23を付さ
れた検査すべきウエハ12は、モニタ3によって上記マ
ーク23の位置やサイズが確認される。それと同時に、
ウエハ12を吸着したウエハチャック11をX軸、Y
軸、Z軸方向およびθ方向に駆動させ、確認した針跡等
のマーク23によってウエハ12の姿勢を制御する。そ
の後、ウエハ12はプローブ位置に送られ、各チップ1
3ごとに通常のテストを受ける。
【0017】上記のようなプローブ工程において、プロ
ーブ位置、ハイトセンサ2およびモニタ3の間の距離L
をウエハ12の中心0等を基準にして計測してあり、そ
のデータに応じてウエハチャック11の移動量を制御す
ることによって、プローブ工程の全体を自動的に行なわ
せることができる。
【0018】なお上記ダミーウエハ14としては、針跡
等のマーク23が確認できれば材質を問うものではない
が、シリコン基板にアルミ蒸着を施したもの等が好適に
使用される。
【0019】
【発明の効果】この発明のウエハプローバは、上述のよ
うにダミーウエハでプローブ位置とモニタ間の距離Lを
測定しておき、それに応じて検査ウエハをプローブ位置
まで移送するようにしたので、プローブ工程における自
動化を大幅に前進させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のウエハプローバの一実施例を示す概
略平面図である。
【図2】その側面図である。
【図3】ダミーウエハの用法をしめす概略平面図であ
る。
【図4】ウエハチャックの駆動方向を示す斜視図であ
る。
【図5】プローブ工程におけるウエハのZ軸方向の動作
を示す概略側面図である。
【図6】プローブ工程を示すフローチャートである。
【図7】従来のウエハ表面の観察手段を示す概略側面図
である。
【符号の説明】
1 プローブ手段 2 ハイトセンサ 3 モニタ 11 ウエハチャック 12 ウエハ 13 チップ 14 ダミーウエハ 15 マーク 21 プローブ針 22 プローブカード 23 マーク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査すべきウエハを、プローブ位置にお
    いてプローブ針でプローブ位置を示すマークを付し、こ
    れをモニタで確認してウエハの姿勢を制御したのち、ウ
    エハをプローブ位置に移送してウエハ上の各チップを電
    気的に測定するのに際し、ダミーウエハをプローブ位置
    に移送してプローブ針でマークを付し、このダミーウエ
    ハ上の針跡を示すマークをモニタで確認してプローブ位
    置との間の距離Lを検出しておくことにより、検査すべ
    きウエハを自動的にプローブ位置に移送できるようにし
    たことを特徴とするウエハプローバ。
JP4058988A 1992-02-12 1992-02-12 ウエハプローバ Expired - Lifetime JPH0763068B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100785110B1 (ko) * 2005-05-31 2007-12-12 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 프로버의 이동량 조작 보정 방법 및 프로버
US8400174B2 (en) 2009-02-03 2013-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of correcting a position of a prober
KR20190106708A (ko) 2018-03-09 2019-09-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 위치 보정 방법, 검사 장치 및 프로브 카드

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