JPS61199623A - ウエハの位置検出方法およびウエハ - Google Patents

ウエハの位置検出方法およびウエハ

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JPS61199623A
JPS61199623A JP3869385A JP3869385A JPS61199623A JP S61199623 A JPS61199623 A JP S61199623A JP 3869385 A JP3869385 A JP 3869385A JP 3869385 A JP3869385 A JP 3869385A JP S61199623 A JPS61199623 A JP S61199623A
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JP
Japan
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wafer
pad
probe
stage
contact
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JP3869385A
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Junichi Inoue
順一 井上
Katsutoshi Kubota
窪田 勝利
Yasushi Wada
康 和田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はウェハ測定装置のステージに取付けたウェハ
の位置を検出する方法およびその方法を実施するために
使用するウェハに関するものである。
〔従来の技術〕
第11図はウェハ測定装置の要部を示す概略図である。
図において、1はステージで、ステージlは紙面上下方
向を中心として回転することができ、また紙面左右方向
(X方向)および紙面と直角な方向(Y方向)に移動可
能であり、さらにステージ↓は紙面上下方向に移動でき
る。2は直空チャック等によりステージ1に取付けられ
た被測定ウェハ、3はウェハ2に形成された素子の電極
、5はプローブ支持体で、プローブ支持体5はウェハ測
定袋Uの本体に固定されている。4はプローブ支持体5
に取付けられたプローブである。
このようなウェハ測定装置によって、カセットに収納さ
れた複数枚のウェハ2に形成された素子の電気特性を連
続的に自動測定するには、つぎのようにしている。まず
、カセットから1枚目のウェハ2を取出し、そのウェハ
2をステージ1に取付ける。つぎに、CCDカメラ等に
よって、ステージ1をたとえばX方向に移動したことに
よるウェハ2のスクライプライン等の目安となるパタン
のずれを自動的に測定し、その測定結果に応じてステー
ジ1を回転することにより、ウェハ2に形成された素子
の配列方向とX方向とを自動的に一致させる。ついで、
プローブ4上に設けられた顕微鏡によって目視で観察し
ながら、ステージlをX方向、Y方向に移動することに
より、ウェハ2のX方向、Y方向の初期位置を決定する
。つぎに、ステージ1をX方向、Y方向に移動し、電極
3の位置とプローブ4の位置とを自動的に・一致させた
のち、ステージ1を昇降して、ウェハ2に形成された素
子の電極3とプローブ4とを接触させるこ、とにより、
素子の電気特性を自動的に測定する。
このようにして、ウェハ2上の全ての素子の電食特性の
測定が終了すると、ステージ1が最初の位置に戻る。こ
の状態で、測定が終了したウェハ2をステージlから取
外し、別のカセットに収納する。ついで、カセットから
2枚目のウェハ2を取出し、そのウェハ2をステージ1
に取付ける。つぎに、ウェハ2に形成された素子の電気
特性を自動的に測定し、その測定が終了すると、ステー
ジlが最初の位置に戻り、測定が終了したウェハ2を別
のカセットに収納する。このようにして、カセットに収
納された全てのウェハ2について測定する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この場合、素子の配列方向とX方向とを自動的に一致さ
せ、電極3の位置とプローブ4の位置とを自動−に一致
させる位置決め機構の精度が低いときには、ステージl
をX方向、Y方向に大き(移動したとき、プローブ4が
電極3から外れて、プローブ4によりウェハ2上の素子
を損傷するおそれがある。このため、ウェハ2の測定を
開始する前に、あらかじめ位置決め機構の精度を測定す
る必要がある。
また、ウェハ2の測定中に、位置決め機構が電気的、物
理的な外乱によって正常に作動しなくなったときには、
やはりプローブ4によりウェハ2上の素子を損傷するお
それがある。このため、ウェハ2の測定中に位置決め機
構が正常に作動しているかどうかを確認する必要がある
そして、位置決め機構の精度を測定し、位置決め機構が
正常に作動しているかどぅがを確認するためには、ステ
ージlに取付けられたウェハ2の位置を検出する必要が
ある。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、ウェハ測定装置のステージに取付けられたウェハの
位置を電気的に検出するウェハの位置検出方法およびそ
の方法を実施するために使用するウェハを提供すること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的を達成するため、この発明においては、ウェハ
に形成された素子の電気特性を測定するためのプローブ
と、そのウェハを直交する2つの方向に移動するステー
ジとを有するウェハ測定装置の、上記ステージ上に取付
けられたウェハの位置を検出する方法において、上記ウ
ェハに位置検出用パッドを設け、そのパッドと上記プロ
ーブとの接触の有無を検知することにより、上記ウェハ
の位置を検出する。また、この方法を実施するため、ウ
ェハに位置検出用パッドを設ける。
〔作用〕
ウェハの所定位置に検出用パッドを設けておけば、パッ
ドとプローブとの接触の有無を検知することにより、プ
ローブに対するウェハの位置が正常であるか否かを検出
することができる。また、ウェハに複数の位置検出用パ
ッドを設けておけば、それらの位置検出用パッドとプロ
ーブとの接触の有無を検知することにより、ウェハの位
置ずれ量。
位置ずれ方向を検出することができる。
〔実施例〕
第1図はこの発明に係るウェハを示す図である。
図において、6は標準ウェハ、7はウェハ6上に複数設
けられた位置検出用パッド、8は両端が1対のパッド7
に接続された配線である。
つぎに、このウェハ6を用いて位置決め機構の精度を測
定する方法について説明する。まず、ウェハ6をステー
ジlに取付ける。つぎに、位置決め機構によりパッド7
.配線8の配列方向とX方向とを一致させる。ついで、
第2図(a)に示すように、顕微鏡によって目視で観察
しながら、ステージ1をX方向、Y方向に移動すること
により、プローブ4とウェハ6の中央部のパッド7aと
が接触する位置にウェハ6を移動する。つぎに、第2図
(b)に示すように、ステージlをX方向に距離rだけ
移動し、ステージlを昇降して、プローブ4とパッド7
bとの接触の有無を検知する。すなわち、パッド7bの
少なくとも一方とプローブ4とが非接触であれば、プロ
ーブ4間に電流が流れない状態つまりオープン状態とな
るので、オープン状態であるか否かを検知する。
ここで、パッド7aを接続する配線8aの中心の位置を
(0,O)としたとき、パッド7bの中心位置が(X+
、y+)であり、またプローブ4のランディング位置が
(x2.y2)であるとすると、パッド7bの中心位置
とプローブ4のランディング位置との距離dは次式で表
わされる。
d=  (Xz  Xl) +(y2−y+)そして、
第2図(blでは距離rに対して距離dを誇張して示し
であるが、実際には距離rが数十間であるのに対して、
距離dは数十μmであるから、xi = x2とみなせ
るので、d=Iyty+Iとなる。
さらに、パッド7の配列方向とX方向との角度ずれをθ
、配線8aの中心とプローブ4が接触したパッド7bの
中心との距離をriとすると、d=r、・tanθとな
るが、rl=rとみなせるので、d=r−tanθとな
る。したがって、パッド7の1辺の長さの%をp、プロ
ーブ4の先端がウェハ6と接触する面の半径をqとした
とき、パッド7bとプローブ4とが接触していなければ
d = r −tanθ>p+qであり、またパッド7
bとプローブ4とが接触していればd=r −tanθ
<p+qである。このため、パッド7bとプローブ4と
が接触しないとすると、θ) tan−’ ”−’であ
ることがわかり、パッド7bとプローブ4とがしたとす
ると、θ(jan−1−2−21であることがわかる。
したがって、ウェハ6上の各パッド7について、パッド
7とプローブ4との接触の有無を検知すれば、角度ずれ
θの範囲を決定することができ、これにより位置決め機
構の精度を求めることができる。
第3図はこの発明に係る他の標準ウェハを示す図である
。図において、15.16は配線8の両端に設けられた
位置検出用パッドで、パッド15はパッド16よりも大
きい。
ところで、第1図に示した標準ウェハにおいては、パッ
ド7bとプローブ4とが接触していないことを検知した
としても、どちらのパッド7bが非接触になったかを知
ることができないため、r1=rとして角度ずれθの範
囲を決定したが、第3図に示す標準ウェハ6においては
、パッド15とプオープン状態となれば、パッド16と
プローブ4とが非接触になっているものと判断すること
ができるから、d = ri −tanθとして角度ず
れθの範囲を決定することができるので、角度ずれθの
範囲を精度よく決定することができる。また、パッド7
bの中心間距離とプローブ4の先端間距離とが相違して
いると、初期位置においてプローブ4の先端を両方のパ
ッド7bの中心に接触させることができないので、角度
ずれθの範囲を正確に決定することができないが、第3
図に示す標準ウェハ6においては、パッド15 、 ’
16の中心間距離とプローブ4の先端間距離とが相違し
ていたとしても、初期位置においてパッド16の中心に
プローブ4を接触させれば、角度ずれθの範囲を精度よ
(決定することが可能である。
第4図はこの発明に係る他の標準ウェハを示す図である
。この標準ウェハ6においては、大きさの異なるパッド
16a〜16dを設けている。このため、パッド16a
〜16dのうちのいずれか1つを選択して/J、T#+
J’ J−14/rl #χ17R?−ンhe> →←
 2  r  L、Iy  ト h    mrmrr
z異なる位置決め機構の精度を1枚の標準ウェハ6で測
定することができる。また、パッド15と同じ大きさの
パッド16dを設けており、パッド15.16dとプロ
ーブ4との接触は必ず確保されるので、複数のプローブ
4を有するプローブカードを用いれば、位置決め機構の
精度の測定が正常に行なわれたことを同時に検証するこ
とができる。
なお、以上の実施例においては、ステージlをX方向に
移動して、位置決め機構の精度を測定したが、ステージ
1をY方向に移動して測定してもよい。また、以上の実
施例においては、2つのパッド7、15.16間に配線
8を設けた2端子素子を設けたが、プローブ4とパッド
との接触の有無を検知できるものであれば、他の2端子
素子、3端子以上の素子、l端子素子を設けてもよい。
たとえば、l端子素子のダイオードを設け、標準ウニ/
%6の基板を一方の電極とすれば、1本のプローブ4で
も測定可能である。さらに、配線8を有する素子を設け
るときには、たとえばシリコン基板の表面に設けられた
酸化膜上にパッドと配線8とを一向種の金属たとえばア
ルミニウムで形成すれば、標準ウェハ6の製作工程が非
常に簡単になる。また、標準ウェハ6としては、熱変形
の少ない材質からなる基板の上面に絶縁膜を設けたもの
を用いればよいが、被測定ウェハ2と同一材質の基板を
用いると、測定時における基板の熱変形による誤差が相
殺されるので、実用上は標準ウェハ6の基板の材質を被
測定ウェハ2の基板の材質と同一とするのが望ましい。
第5図はこの発明に係る被測定ウェハを示す図、第6図
は第5図に示したウェハの被測定チップを示す図、第7
図は第5図に示したウェハの被測定チップの電気特性を
測定するためのプローブカードを示す図、第8図は第5
図に示したウェハの位置検出用チップを示す図である。
図において、10は被測定ウェハ2に設けられた被測定
チップで、チップ10は5×5に配列されている。11
はウエノ為2に設けられた位置検出用チップで、チップ
11はチップ10の周囲に8個設けられている。12は
チップ10の電極、13はプローブ支持体で、プローブ
支持体13にプローブ4が取付けられている。14はチ
ップ11に設けられた位置検出用パッドで、パッド14
の大きさは電極12の大きさと同じであり、またパッド
14は電極12と同位置に設けられており、さらにパッ
ド14は配線8に接続されている。
つぎに、第5図に示すウェハの電気特性を連続的に測定
する方法について説明する。まず、カセットから1枚目
のウェハ2を取出し、そのウェハ2をステージlに取付
ける。つぎに、位置決め機構により、チップ10の配列
方向とX方向とを一致させたのち、ウェハ2のX方向、
Y方向の初期位置を決定する。ついで、位置決め機構に
よりステージlをX方向、Y方向に移動し、チップ11
の位置とプローブ4との位置を一致させたのち、ステー
ジlを昇降して、パッド14とプローブ4との接触の有
無を自動的に検知する。そして、全てのチップ11につ
いてパッド14とプローブ4とが接触したことを検知し
たとき、すなわち位置決め機構が正常に作動しているこ
とを確認したときには、プローブ4を電極12と接触さ
せて、チップ10の電気特性を測定する。このようにし
て、ウェハ2上の全てのチップ10の電気特性の測定が
終了したのち、測定が終了したウェハ2をステージlか
ら取外し、別のカセットに収納する。つぎに、カセット
から2枚目のウェハ2を取出し、そのウェハ2をステー
ジ1に取付ける。ついで、パッド14とプローブ4との
接触の有無を自動的に検知し、全てのチップ11につい
てパッド14とプローブ4とが接触したことを検知した
とき、チップ10の電気特性を測定し、その測定が終了
したのち、そのウェハ2を別のカセットに収納する。こ
のようにして、カセットに収納された全てのウェハ2に
ついて測定する。
この場合、ウェハ2の測定中に位置決め機構が電気的、
物理的な外乱によって正常に作動しなくなったときには
、少な(とも1つのチップ11についてオープン状態と
なるから、位置決め機構が正常に作動していないことを
検知することができる。
したがって、この場合にそのウェハ2の測定を中止して
、次のウェハ2の測定に進み、あるいはそのウェハ2以
降の測定を全て中止すれば、チップ10内のパタンの損
傷等を未然に防止することができる。
なお、以上の実施例においては、チップ11を8個設け
たが、隅あるいは辺に各1個合計4個設け。
または1個だけ設けてもよく、またより高精度に位置決
めを確認する必要がある場合には、チップ10の配列内
にもチップ11を設け、さらにチップ10が複数のサブ
チップから構成されているときには、全てのチップ10
に位置検出用パッドをそのパッドを接続する配線を設け
てもよい。また、以上の実施例においては、パッド14
の大きさを電極12の大きさとを同一としたが、パッド
14の大きさを電極12の大きさより小さくすれば、よ
り正確に位置決。
めの確認をすることができる。さらに、パッド14゜配
線8の材質をチップ10の配線パタンの材質と同一とす
れば、パッド14.配線8とチップ10の配線パタンと
を同時に形成できるので、製造工程が複雑になることは
ない。
第9図はこの発明に係る被測定ウェハに形成された位置
検出用チップを示す図である。この位置検出用チップ1
7には、外周線が電極12の外側線と同一である位置検
出用パッド18が設けられている。。
このチップ17にプローブ4を接触させたとき、チップ
17の位置とプローブ4の位置とがずれていれば、いず
れか1つのプローブ4とパッド18とが接触せず、また
位置ずれの方向によってパッド18と接触しないプロー
ブ4が異なるから、どのプローブ4がパッド18と接触
しないかを検知することにより、位置ずれの方向を確認
することができる。
このため、プローブ4とチップ17とを接触させて。
そのときどのプローブ4がパッド18と接触しないかの
信号に、応じてステージ1の位置の調整を行なえば、プ
ローブ4に対するウェノ12の位置を正常なものに近づ
けることができる。
゛  第10図は゛この発明に係る被測定ウェハに形成
された他の位置検出用チップを示す図である。この位置
検出用チップ19には、電極12の中心点aに対して上
下左右にずれている中心点を有する位置検出用パッド2
0が設けられている。
このチップ19にプローブ4を接触させたときにも、位
置ずれの方向を確認することができ、プローブ4に対す
るウェハ2の位置を正常なものに近づけることができる
したがって、チップ17.19を被測定ウェハ2に設け
ておけば、上述したように位置決め機構が正常に作動し
ないことを検知したとき、まずプローブ4とチップ17
とを接触させて、ウェハ2の大雑把な位置合わせを行な
ったのち、プロ゛−プ4とチップ19とを接触させて、
ウェハ2の正確な位置合わせを行なえば、位置決め機構
が正常に作動しなくなったとしても、ウェハ2の位置を
修正して、ウェハ2に設けられたチップ10の電気特性
を連続して測定することが可能である。また、カセット
から1枚目のウェハ2を取出し、そのウェハ2をステー
ジ1に取付けたのち、目視で観察しながらステージ1を
X方向、Y方向に移動することにより、プローブ4の位
置とチップ17の位置とを一致させ、プローブ4とチッ
プ17とを接触させて、ウェハ2の大雑把な位置合わせ
を行なったのち、プローブ4とチップ19とを接触させ
て、ウェハ2の正確な位置合わせを行ない、そののちチ
ップ10の電気特性を測定し、2枚目以降のウェハ2に
ついては、オリエンテーションフラットを合わせてステ
ージ1に取付け、チップ17.19で位置合わせを行な
ったのち、チップ10の電気特性を測定すれば、COD
カメラ等の位置決め機構が不要となるので、ウェハ測定
装置のコストを低減することが可能である。
なお、パッド20と同じ位置に設けられかつパッド20
よりも小さいパッドを有する位置検出用チップを数種類
配置し、上述の位置合わせをパッドの大きいチップから
順次繰返せば、さらに正確な位置合わせを行なうことが
可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明においては、ウェハの位置
検出をウェハ測定装置本来の測定を利用して行なうこと
ができるので、位置検出を簡単に行なうことが可能であ
る。また、位置決め機構の精度を測定することができ、
位置決め機構が正常に作動しているか否かを確認するこ
とができるから、被測定ウェハに形成されたバタンか損
傷されるのを防止することが可能である。さらに、ウェ
ハの位置合わせを行なうことができるから、ウェハ測定
装置を簡略化することができ、ウェハ測定装置のコスト
の低減を図ることが可能である。このように、この発明
の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係るウェハを示す図、第2図は第1
図に示したウェハを用いて位置決め機構の精度を測定す
る方法の説明図、第3図ないし第5図はこの発明に係る
他のウェハを示す図、第6図は第5図に示したウェハの
被測定チップを示す図、第7図は第5図に示したウェハ
の被測定チップの電気特性を測定するためのプローブカ
ードを示す図、第8図は第5図に示したウェハの位置検
出用チップを示す図、第9図、第10図はこの発明に係
る他のウェハの位置検出用チップを示す図、第11図は
ウェハ測定装置の要部を示す概略図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハに形成された素子の電気特性を測定するた
    めのプローブと、そのウェハを直交する2つの方向に移
    動するステージとを有するウェハ測定装置の、上記ステ
    ージ上に取付けられたウェハの位置を検出する方法にお
    いて、上記ウェハに位置検出用パッドを設け、そのパッ
    ドと上記プローブとの接触の有無を検知することにより
    、上記ウェハの位置を検出することを特徴とするウェハ
    の位置検出方法。
  2. (2)位置検出用パッドを有することを特徴とするウェ
    ハ。
  3. (3)上記位置検出用パッドとして、大きさの異なる複
    数の位置検出用パッドを設けたことを特徴とする特許請
    求の範囲第2項記載のウェハ。
  4. (4)上記位置検出用パッドとして、大きさが同一であ
    る複数の位置検出用パッドおよび大きさが異なる複数の
    位置検出用パッドを設けたことを特徴とする特許請求の
    範囲第2項記載のウェハ。
JP3869385A 1985-03-01 1985-03-01 ウエハの位置検出方法およびウエハ Pending JPS61199623A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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