JP4391738B2 - プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法 - Google Patents

プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4391738B2
JP4391738B2 JP2002322096A JP2002322096A JP4391738B2 JP 4391738 B2 JP4391738 B2 JP 4391738B2 JP 2002322096 A JP2002322096 A JP 2002322096A JP 2002322096 A JP2002322096 A JP 2002322096A JP 4391738 B2 JP4391738 B2 JP 4391738B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
contact
mounting table
conductive film
coordinate values
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002322096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004156984A (ja
JP2004156984A5 (ja
Inventor
孝憲 百留
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2002322096A priority Critical patent/JP4391738B2/ja
Publication of JP2004156984A publication Critical patent/JP2004156984A/ja
Publication of JP2004156984A5 publication Critical patent/JP2004156984A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4391738B2 publication Critical patent/JP4391738B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触位置誤差の解消方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程でウエハに形成されたデバイスの電気的特性検査を行なう場合にはプローブ装置が用いられる。このプローブ装置は、例えば図3の(a)、(b)に示すように、ウエハWを搬送するローダ室1と、ローダ室1から引き渡されたウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室2とを備えている。ローダ室1は、カセット収納部3と、ウエハWをローダ室1へ搬送するウエハ搬送機構4と、ウエハ搬送機構4を介してウエハWを搬送する過程でそのオリフラまたはノッチを基準にしてプリアライメントするサブチャック5とを備えている。
【0003】
また、プローバ室2は、ウエハ搬送機構4からプリアライメント後のウエハWを載置し且つ昇降機構を内蔵した載置台(メインチャック)6と、メインチャック6をX及びY方向に移動させるXYテーブル7と、このXYテーブル7を介して移動するメインチャック6の上方に配置されたプローブカード8と、プローブカード8の複数のプローブ(以下、「プローブピン」と称す。)8Aとメインチャック6上のウエハWの複数の電極パッドを正確に位置合わせする位置合わせ機構(アライメント機構)9とを備えている。アライメント機構9は、アライメントブリッジ9Aに取り付けられ且つウエハWを撮像する上カメラ9Bと、メインチャック6に付設され且つプローブピン8Aを撮像する下カメラ9Cとを備え、アライメントブリッジ9Aが一対のガイドレール9Dに従ってプローバ室2の正面最奥部から中央のプローブセンタまで進出し、ウエハWの電極パッドとプローブピン8AのX、Y、Z及びθ方向のアライメントを行なう。
【0004】
また、図3の(a)に示すようにプローバ室2のヘッドプレート2Aにはテスタ(図示せず)のテストヘッドTが旋回可能に配設され、テストヘッドTとプローブカード8はパフォーマンスボード(図示せず)を介して電気的に接続されている。そして、テスタから検査用信号をテストヘッドT及びパフォーマンスボードを介してプローブピン8Aへ送信し、プローブピン8AからウエハWの電極パッドに検査用信号を印加してウエハWに形成された複数の半導体素子(デバイス)の電気的特性検査を行う。
【0005】
ところで、ウエハWとプローブピン8Aのアライメントは例えば図4に示すように従来公知の方法によって行われる。尚、図4はアライメントの概要を示す図である。まず、図4の(a)に示すようにXYテーブル7を介してメインチャック6が移動し、下カメラ9Cが所定のプローブピン8Aの真下に到達し、メインチャック6が昇降して下カメラ9Cで所定のプローブピン8Aの針先を撮像し、この時のメインチャック6の位置からプローブピン8Aの針先のX、Y及びZの位置座標を算出する。次いで、アライメントブリッジ9Aがプローブセンタに進出し、上カメラ9Bと下カメラ9Cの光軸を一致させた後、同図の(b)に示すようにこの位置において上カメラ9BでウエハWの所定の電極パッド(図示せず)を撮像し、この時のメインチャック6の位置から電極パッドのX、Y及びZの位置座標を算出し、ウエハWの電極パッドと所定のプローブピン8Aのアライメントを終了する。
【0006】
アライメント終了後、ウエハWの検査を行なう時には、XYテーブル7の駆動によりメインチャック6上のウエハWのインデックス送りを行った後、図4の(c)に示すようにメインチャック6がZ方向の設定位置(以下、「アライメント位置」と称す。)まで上昇した後、更に、同図の(d)に示すようにウエハWをオーバードライブさせると、プローブピン8Aが一点鎖線から実線で示すように変形し、プローブピン8AとウエハWの電極パッド間に所定の針圧が働き、プローブピン8Aと電極パッドが電気的に導通してデバイスの電気的特性検査を行なう。検査後、メインチャック6が下降した後、次のデバイス以降は同様の手順でウエハWの全てのデバイスについて電気的特性検査を繰り返し行なう。
【0007】
ところが、従来のアライメント動作ではX、Y方向のアライメントは正確に行なうことができるが、下カメラ9Cを用いてプローブピン8Aの針先を真下から撮像するため、針先からの反射によるバラツキで高さを正確に検出することが難しく、延いてはその針先とウエハWの電極パッド間の距離を正確に検出することが難しく、誤差を生じるため、アライメント後にプローブピン8Aに対してウエハWがオーバードライブすることなく殆ど針圧のない状態(オーバードライブ量=0)で接触する位置(以下、「ゼロコンタクトポジション」と称する。)が必ずしも正確でない。例えば、図5の(a)に示すようにメインチャック6のZ方向のアライメント位置がゼロコンタクトポジションまでに寸法δだけ足りずウエハWの電極パッドPが接触しない場合や、逆に同図の(b)に示すようにメインチャック6のアライメント位置がゼロコンタクトポジションより寸法δだけ上昇しすぎてプローブピン8Aと電極パッドP間に強い針圧が働く場合がある。このため、従来はオペレータがプローブ装置毎にアライメント位置からのオーバードライブ量を経験と勘に基づいて適宜変化させて設定している。
【0008】
また、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、探針(プローブピン)がペレット(デバイス)の電極に接触したか否かの判断は、特定の2本のプローブピン間に電圧を加えておき、これら特定のプローブピンが接触する電極部分の全面がアルミニウム等の金属層で覆われているデバイスに探針を接近させ、これら2本のプローブピン間に流れる電流を測定することで行っている。
【0009】
【特許文献1】
特開平4−340734号公報(段落【0013】第1行〜第6行)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、検査時にデバイスの電極がプローブピンに接触した時に2本のプローブピン間に流れる電流に基づいて接触の有無を判断しているが、電極表面には自然酸化膜等の酸化膜が絶縁体として形成されているため、電極とプローブピンが単に接触しただけでは電流が流れず、電流を流すためにウエハをオーバードライさせざるを得ず、電流が流れた時のウエハの位置をゼロコンタクトポジションとして使用することがでないという課題があった。
【0011】
また、上述のように特許文献1に記載のプロービング装置の場合にも、図4に示すアライメント方法を適用したプローブ装置と同様に本来のゼロコンタクトポジションが正確でないため、オペレータがプローブ装置毎にオーバードライブ量を経験と勘によって適宜設定せざるを得ないという課題があった。しかも、デバイスの微細化により薄膜化が進むと、検査時の電極パッド下へのダメージが問題となるため、オーバードライブ量を厳密に管理し、設定しなくてはならない。
【0012】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブ装置毎にゼロコンタクトポジションを正確且つ確実に採取することができるプローブピンの接触位置の採取方法を提供することを目的としている。また、アライメント位置からゼロコンタクトポジションに正確且つ確実に補正してオーバードライブ量を厳密に管理し設定することができるプローブピンの接触位置の補正方法を提供することを目的としている。更に、プローブ装置毎にオーバードライブ量を変えることなく被検査体に要求される所定のオーバードライブ量を設定することができるプローブ装置間の接触誤差の解消方法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載のプローブの接触位置の採取方法は、 プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブカードのプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置を採取する方法であって、上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板の上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められたアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触して上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明の請求項2に記載のプローブの接触位置の採取方法は、請求項1に記載の発明において、上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とするものである。
【0015】
また、本発明の請求項3にプローブの接触位置の補正方法は、プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブカードのプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置をアライメント位置から補正する方法であって、上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板の上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められたアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触して上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、上記アライメント位置と上記接触位置との差を上記アライメント位置の補正値として上記プローブ装置に設定し、上記被検査体の検査時には上記補正値に基づいて上記アライメント位置を補正する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【0016】
また、本発明の請求項4に記載のプローブの接触位置の補正方法は、請求項3に記載の発明において、上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とするものである。
【0017】
また、本発明の請求項5に記載のプローブ装置間の接触誤差の解消方法は、プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブ装置毎に存在するプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置の誤差を解消する方法であって、上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板の上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められたアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触して上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、上記接触位置データをプローブ装置毎に採取し、上記プローブ装置毎に上記アライメント位置と上記接触位置との差を上記アライメント位置の補正値としてそれぞれ求め、求められたそれぞれの上記アライメント位置の補正値を上記プローブ装置毎に設定することにより上記プローブ装置間の接触誤差を解消する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【0018】
また、本発明の請求項6に記載のプローブ装置間の接触誤差の解消方法は、請求項5に記載の発明において、上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とするものである。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図1及び図2に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、図1は本発明の一実施形態のアライメント方法を示す流れ図、図2は本発明の他の実施形態のアライメント方法を示す流れ図である。
本実施形態では従来と同様のプローブ装置を用いることができる。従って、以下では図3に示すプローブ装置に附した符号を適宜用いて本実施形態を説明する。本実施形態ではウエハの検査に先立ってゼロコンタクトポジションを採取するために、予め基準プローブカード21及び基準ウエハ22を作製する。
【0020】
図1に示す基準プローブカード21は単に基準ウエハ22との間で電気的な導通があるか否かを試験するためのもので、実際に使用するプローブカードと同数のプローブ(以下、「プローブピン」と称す。)21Aを必要とせず、導通用として少なくとも1本のプローブピン21Aがあれば良い。まず、2本のプローブピン21A、21Aを有するプローブカード21を用いる場合について説明する。
【0021】
また、図1に示す基準ウエハ22は、例えばシリコンウエハによって形成され、且つ、その表面には導電膜が形成されている。導電膜は、2本のプローブピン21Aが接触した時に、2本のプローブピン21A、21A間を電気的に導通できる非酸化性の材料によって形成されたものであれば良く、例えば金薄膜によって形成されていることが好ましい。換言すれば、例えばアルミニウムや銅等の酸化され易い金属は、表面に酸化膜が容易に形成され、酸化膜を破らなければプローブピン21Aとの間で電気的導通を取ることができないため好ましくない。そこで、以下では導電膜として金薄膜を用いた場合について説明する。
【0022】
金薄膜にはカメラの焦点を合わせるためのターゲットマークあるいはパターン(図示せず)が形成されている。このターゲットマーク等は、例えばウエハ表面に配線や電極パターンを形成する際に用いられるレチクルを用いて金薄膜表面に形成することができる。勿論その他の方法によって金薄膜表面にターゲットマーク等を形成しても良い。
【0023】
而して、本実施形態を実施する場合には基準プローブカード21をプローブ装置に装着し、メインチャック上に基準ウエハ22を設置(載置)した後、メインチャックを駆動し、図1の(a)〜(d)に示すように基準プローブ21のプローブピン21Aと基準ウエハ22のターゲットマークとのアライメントを行う。
【0024】
即ち、図1の(a)に示すようにXYテーブルを介して下カメラ9Cが基準プローブカード21の所定のプローブピン21Aの真下まで移動した後、メインチャック6が上昇して下カメラ9Cの焦点をプローブピン21Aの針先に合わせ、下カメラ9Cで所定のプローブピン21Aの針先を撮像し、この時のメインチャック6の位置からプローブピン21Aの針先のX、Y及びZの位置座標を算出する。
【0025】
次いで、アライメントブリッジがプローブセンタに進出し、上カメラ9Bと下カメラ9Cの光軸を一致させた後(図示せず)、図1の(b)に示すようにこの位置において上カメラ9Bで基準ウエハ22のターゲットマークを撮像し、この時のメインチャック6の位置からターゲットマークのX、Y及びZの位置座標を算出し、基準ウエハ22のターゲットマークと所定のプローブピン21AのX、Y及びZ方向のアライメントを終了する。
【0026】
アライメント終了後、メインチャック6を例えば初期位置に戻した後、XYテーブルを介してメインチャック6がZ方向のアライメント位置まで上昇すると、例えば図1の(c)に示すようにメインチャック6上の基準ウエハ22とプローブピン21Aが接触せず、これら両者21A、22間に隙間δが残る。そこで、オペレータがメインチャック6の昇降機構を操作し、同図の(d)に示すように隙間δを埋め、プローブピン21Aと基準ウエハ22とを針圧なく(オーバードライブ量=0)で接触させる。この時、基準プローブカード21には電圧を印加してあるため、2本のプローブピン21A、21Aが金薄膜を介して導通して電流が流れる。2本のプローブピン21A、21A間の電流を確認した時点で、この基準ウエハ22の位置を本プローブ装置のゼロコンタクトポジションとして判断する。また、メインチャック6がアライメント位置に上昇した時に例えば図5の(b)に示す状態に達するまでオーバードライブして既に2本のプローブピン21A、21A間に電流が流れる時にはメインチャック6を下降させ、電流が流れなくなった時点、あるいはその後メインチャック6を上昇させ再び電流が流れた位置をゼロコンタクトポジションとして判断する。
【0027】
以上説明したように本実施形態によれば、プローブ装置を用いてウエハの電気的特性検査を行なうに先立って、プローブ装置に基準プローブカード21を装着すると共に金薄膜を有する基準ウエハ21を設置し、基準プローブカード21のプローブピン21Aと基準ウエハ22とをアライメントした後、基準プローブカード21と基準ウエハ22とを初期位置からアライメント位置を基準に移動させ、基準プローブカード21に電圧を印加したプローブピン21Aと金薄膜とが針圧なく接触してプローブピン21Aと金薄膜間に電気的導通があった時の基準ウエハ22の位置をゼロコンタクトポジションデータとして採取するため、プローブ装置毎にアライメント位置が異なっていてもそれぞれのプローブ装置において正確なゼロコンタクトポジションを確実に採取することができる。
【0028】
また、プローブ装置毎にゼロコンタクトポジションを採取することができるため、プローブ装置毎にウエハ毎にそれぞれ決められた所定のオーバードライブ量を正確に設定することができ、オペレータによってプローブ装置毎にオーバードライブ量を変えて設定する必要がなく、オーバードライブ量を厳密に管理し設定することができる。延いては、デバイスが微細化しても検査時に常に所定のオーバードライブ量でウエハとプローブピンを接触させて一定の針圧で検査できるため、電極パッド下の構成膜層を損傷することなく信頼性の高い検査を行なうことができる。
【0029】
次に、本実施形態のプローブピンの接触位置の補正方法について説明する。本実施形態では、ウエハの検査に先立って、上記実施形態のプローブピンの接触位置の採取方法と同様の手順でゼロコンタクトポジションを採取する。そして、このゼロコンタクトポジションを採取した時のアライメント位置とこのゼロコンタクトポジションとの隙間(差)δを補正値δとしてプローブ装置に設定登録する。そして、このプローブ装置を用いてウエハの検査を行なう際に、ウエハとプローブピンのアライメントを行った後、ウエハとプローブピンが接触する際に、補正値δに基づいてアライメント位置からゼロコンタクトポジションに正確に補正した後、ウエハが所定のオーバードライブ量でゼロコンタクトポジションからオーバードライブすると、ウエハとプローブピンとを予定した適正な針圧で電気的に接触させ、デバイスの検査を行なうことができる。
【0030】
従って、本実施形態によれば、検査時にウエハをアライメント位置からゼロコンタクトポジションに確実に補正することができるため、検査時にウエハ毎に予め決められた所定のオーバードライブ量でゼロコンタクトポジションからオーバードライブさせて予定した適正な針圧を得ることができ、微細構造のデバイスであっても電極パッド下の構成膜層を損傷することなく信頼性の高い検査を行なうことができる。
【0031】
更に、本実施形態のプローブ装置間の接触誤差の解消方法について説明する。本実施形態においても、ウエハの検査に先立って、上記各実施形態と同様の手順でゼロコンタクトポジションをプローブ装置毎に採取する。そして、各プローブ装置において、アライメント位置とゼロコンタクトポジションとの差δを補正値δとしてプローブ装置毎に設定登録し、検査時にプローブ装置毎にそれぞれの補正値δを用いてアライメント位置からゼロコンタクトポジションに補正してプローブ装置間のアライメント誤差に基づく接触誤差を解消することができる。
【0032】
従って、プローブ装置の個体差に関係なくウエハの種類毎に予め決められた所定のオーバードライブ量を一律に設定することができ、プローブ装置に関係なく所定のオーバードライブ量でウエハとプローブピンを確実に接触させ、微細構造のデバイスであっても電極パッド下の構成膜層を損傷することなく信頼性の高い検査を行なうことができる。
【0033】
上記各実施形態ではプローブピン21Aを2本有する基準プローブカード21を用いた場合について説明したが、例えば図2に模式的に示すように1本のプローブピン31Aを有する基準プローブカード31を用いた場合についても同様に本発明の方法を実施することができる。本実施形態において用いられる基準ウエハ22は両面に金薄膜が形成され、両面の金薄膜が電気的に導通可能な状態になっている。従って、基準ウエハ22をメインチャック6上に載置した時には基準ウエハ22とメインチャック6が電気的に接触するため、図2の(a)に示すように、予め基準プローブカード31に電圧を印加しておくと、プローブピン31Aと基準ウエハ22とが接触すれば、基準ウエハ22の金薄膜を介してプローブピン31Aとメインチャック6とが導通し、電気計測器(またはテスタ)Tによってプローブピン31Aと基準ウエハ22の接触の有無を確認することができる。
【0034】
而して、1本のプローブピン31Aを有する基準プローブカード31を用いて本発明方法を実施する場合には、上記各実施形態と同様に、図2の(b)に示すように下カメラ9Cで基準プローブカード31のプローブピン31Aの針先を撮像し、プローブピン31Aの針先のX、Y及びZの位置座標を算出する。また、同図の(c)に示すように上カメラ9Bで基準ウエハ22のターゲットマークを撮像し、この時のメインチャック6の位置からターゲットマークのX、Y及びZの位置座標を算出し、基準ウエハ22のターゲットマークと所定のプローブピン31AのX、Y及びZ方向のアライメントを終了する。その後は上記各実施形態と同様の手順でゼロコンタクトポジションを求める。従って、プローブカード31が1本のプローブピン31Aを有する場合でも上記各実施形態と同様にプローブピン31Aの接触位置を採取し、その接触位置の補正を行い、更に、プローブ装置間の接触誤差を解消することができる。
【0035】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、基準プローブカード及び基準基板は本発明の目的を達成できるものであれば、適宜採用することができる。
【0036】
【発明の効果】
本発明の請求項1及び請求項2に記載の発明によれば、プローブ装置毎に撮像手段によって検出されるアライメント位置が異なっていても、プローブ装置毎にアライメント位置を基準にしてゼロコンタクトポジションを正確且つ確実に採取することができ、プローブ装置毎にオーバードライブ量を正確に設定することができプローブの接触位置の採取方法を提供することができる。
【0037】
また、本発明の請求項3及び請求項4に記載の発明によれば、プローブ装置毎に撮像手段によって検出されるアライメント位置が異なっていても、プローブ装置毎にアライメント位置ゼロコンタクトポジションに正確且つ確実に補正してオーバードライブ量を厳密に管理し設定することができるプローブの接触位置の補正方法を提供することができる。
【0038】
また、本発明の請求項5及び請求項6に記載の発明によれば、プローブ装置毎に撮像手段によって検出されるアライメント位置が異なっていても、プローブ装置毎にアライメント位置をゼロコンタクトポジションに正確且つ確実に補正し、プローブ装置間の接触誤差を解消して、プローブ装置毎にオーバードライブ量を変えることなく被検査体に要求される所定のオーバードライブ量を一律に設定することができるプローブ装置間の接触誤差の解消方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブピンの接触位置の採取方法の一実施形態を示す流れ図である。
【図2】本発明のプローブピンの接触位置の採取方法の他の実施形態を示す流れ図である。
【図3】プローブ装置の一例を示す図で、(a)はプローバ室の正面を破断して示す正面図、(b)はプローブ装置の内部を示す平面図である。
【図4】従来のアライメント方法及びオーバードライブ量の設定方法を示す流れ図である。
【図5】(a)、(b)はそれぞれアライメント位置とゼロコンタックとポイントの関係を示す模式図である。
【符号の説明】
21、31 基準プローブカード
21A、31A 基準プローブカードのプローブピン
22 基準ウエハ(基準基板)

Claims (6)

  1. プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブカードのプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置を採取する方法であって、
    上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、
    上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板の上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められた上記基準プローブカードとのアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、
    上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触て上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、を備えた
    ことを特徴とするプローブの接触位置の採取方法。
  2. 上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とする請求項1記載のプローブの接触位置の採取方法。
  3. プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブカードのプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置をアライメント位置から補正する方法であって、
    上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、
    上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板のターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められた上記基準プローブカードとのアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、
    上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触して上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、
    上記アライメント位置と上記接触位置との差を上記アライメント位置の補正値として上記プローブ装置に設定し、上記被検査体の検査時には上記補正値に基づいて上記アライメント位置を補正する工程と、を備えた
    ことを特徴とするプローブの接触位置の補正方法。
  4. 上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とする請求項3に記載のプローブの接触位置の補正方法。
  5. プローブ装置を用いて被検査体の電気的特性検査を行なうに先立って、プローブ装置毎に存在するプローブと移動可能な載置台上に載置された被検査体の電極とが針圧なく電気的に接触する位置の誤差を解消する方法であって、
    上記プローブ装置に基準プローブカードを装着すると共に非酸化性の導電膜を有する基準基板を上記載置台上に設置する工程と、
    上記載置台を移動させて上記載置台に付設された第1の撮像手段で上記基準プローブカードのプローブの針先を検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブの針先のX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    第2の撮像手段をプローブセンタに配置し、第2の撮像手段で上記基準基板のターゲットマークを検出し、その時の上記載置台の位置に基づいて上記プローブに対する上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値を算出して記憶する工程と、
    上記基準プローブカードの上記プローブのX、Y及びZ座標値と上記基準基板の上記ターゲットマークのX、Y及びZ座標値に基づいて求められた上記基準プローブカードとのアライメント位置まで上記載置台を介して上記基準基板を移動させる工程と、
    上記アライメント位置を基準にして上記載置台をZ方向で上下方向に移動させて上記基準プローブカードに電圧を印加した上記プローブと上記導電膜とが針圧なく接触して上記プローブと上記導電膜間に電気的導通があった時の上記基準基板の位置を接触位置データとして採取する工程と、
    上記接触位置データをプローブ装置毎に採取し、上記プローブ装置毎に上記アライメント位置と上記接触位置との差を上記アライメント位置の補正値としてそれぞれ求め、求められたそれぞれの補正値を上記プローブ装置毎に設定することにより上記プローブ装置毎に接触誤差を解消する工程と、を備えた
    ことを特徴とするプローブ装置間の接触誤差の解消方法。
  6. 上記導電膜として金薄膜を用いることを特徴とする請求項5に記載のプローブ装置間の接触誤差の解消方法。
JP2002322096A 2002-11-06 2002-11-06 プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法 Expired - Fee Related JP4391738B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002322096A JP4391738B2 (ja) 2002-11-06 2002-11-06 プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002322096A JP4391738B2 (ja) 2002-11-06 2002-11-06 プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004156984A JP2004156984A (ja) 2004-06-03
JP2004156984A5 JP2004156984A5 (ja) 2005-12-22
JP4391738B2 true JP4391738B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=32802376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002322096A Expired - Fee Related JP4391738B2 (ja) 2002-11-06 2002-11-06 プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4391738B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265942A (ja) 2003-02-20 2004-09-24 Okutekku:Kk プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置
JP2013024729A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置における電気長測定方法
KR101305380B1 (ko) 2012-05-30 2013-09-17 삼성전기주식회사 기판 검사 장치 및 그 위치 보정 방법
JP7018784B2 (ja) * 2018-02-23 2022-02-14 東京エレクトロン株式会社 コンタクト精度保証方法および検査装置
CN111443320A (zh) * 2019-01-17 2020-07-24 均豪精密工业股份有限公司 探针自我校正系统及其方法
JP7382888B2 (ja) * 2020-04-06 2023-11-17 東京エレクトロン株式会社 検査装置、及び、検査装置の制御方法
CN116705670B (zh) * 2023-08-07 2024-01-02 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种高温舟的抓取方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004156984A (ja) 2004-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI276816B (en) Zero-point detecting method of probe pin and probe device
JP2963603B2 (ja) プローブ装置のアライメント方法
US6419844B1 (en) Method for fabricating calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems
KR100283856B1 (ko) 프로우브장치 및 프로우브카드
US5172053A (en) Prober apparatus
US7626406B2 (en) Probing method, probe apparatus and storage medium
JP4339631B2 (ja) 検査方法及び検査装置
KR20040018165A (ko) 프로브 장치
US7629805B2 (en) Method and system to dynamically compensate for probe tip misalignement when testing integrated circuits
JPH07297242A (ja) プローブ方法及びその装置
JP4391738B2 (ja) プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法
JP2004063877A (ja) ウェハの位置決め修正方法
JP4156968B2 (ja) プローブ装置及びアライメント方法
JP3828299B2 (ja) ウェーハテストシステムでのz軸の高さ設定装置及び方法
JPH08327658A (ja) 基板検査装置
US6275056B1 (en) Prober device having a specific linear expansion coefficient and probe pitch and method of probing thereof
JP3202577B2 (ja) プローブ方法
JP2006318965A (ja) 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイス検査装置
JP3169900B2 (ja) プローバ
JP2003307552A (ja) 信号検出用接触体及び信号校正装置
JP2767291B2 (ja) 検査装置
JP3056943B2 (ja) セラミック基板の配線パターン検査方法
JPH07273157A (ja) 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法
JPS6170735A (ja) 電気測定用アライメントマ−クを有するウエハまたはチツプ
JPH0719819B2 (ja) プローブ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051104

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051104

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090106

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090713

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090722

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091006

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091008

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151016

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees