JPH07273157A - 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法Info
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- JPH07273157A JPH07273157A JP6060557A JP6055794A JPH07273157A JP H07273157 A JPH07273157 A JP H07273157A JP 6060557 A JP6060557 A JP 6060557A JP 6055794 A JP6055794 A JP 6055794A JP H07273157 A JPH07273157 A JP H07273157A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体装置の電気的特性の試験を、半導体装置
に損傷を与えずに、かつ高精度に行うことが可能な半導
体装置の検査技術を提供する。 【構成】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ１５
と、半導体ウエハ５Ｃを載置し、加熱又は冷却するウエ
ハチャック７と、テスタ１５に接続され、半導体ウエハ
５Ｃに形成された個々の半導体チップの電極パッドを押
圧して、テスタ１５と半導体チップとの電気的導通を図
るためのプローブ針６ａを有するプローブカードとを備
えた半導体装置の検査装置であって、電極パッドとプロ
ーブ針６とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気
にさせるための、不活性ガス又は還元性ガスを供給する
非酸化性気体供給手段及びノズル９を設けた。
に損傷を与えずに、かつ高精度に行うことが可能な半導
体装置の検査技術を提供する。 【構成】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ１５
と、半導体ウエハ５Ｃを載置し、加熱又は冷却するウエ
ハチャック７と、テスタ１５に接続され、半導体ウエハ
５Ｃに形成された個々の半導体チップの電極パッドを押
圧して、テスタ１５と半導体チップとの電気的導通を図
るためのプローブ針６ａを有するプローブカードとを備
えた半導体装置の検査装置であって、電極パッドとプロ
ーブ針６とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気
にさせるための、不活性ガス又は還元性ガスを供給する
非酸化性気体供給手段及びノズル９を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造分野に
関するものであり、特に半導体装置のテスティング技術
に利用して有効なものである。
関するものであり、特に半導体装置のテスティング技術
に利用して有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の電気的特性を、半導体ウエ
ハに回路形成された段階でテスティングする際には、所
謂プローバが用いられている。プローバは、半導体ウエ
ハに形成された個々の半導体チップに設けられた外部接
続用電極（電極パッド）と針状又はバンプ状のプローブ
用電極とをコンタクトさせ、テスタと連動して半導体チ
ップを自動的にテストするための設備である。
ハに回路形成された段階でテスティングする際には、所
謂プローバが用いられている。プローバは、半導体ウエ
ハに形成された個々の半導体チップに設けられた外部接
続用電極（電極パッド）と針状又はバンプ状のプローブ
用電極とをコンタクトさせ、テスタと連動して半導体チ
ップを自動的にテストするための設備である。
【０００３】プローバの機構は、ローダ部、アライメン
ト部、プロービング部、制御部に大別される。ウエハ供
給用ローダにセットされた半導体ウエハは、ウエハ搬送
ベルト等によってアライメント部ヘ搬送され、位置決め
される。その後プロービング部ヘ移動し、個々の半導体
チップの電極パッドにプローブ用電極、例えばプローブ
針をコンタクトさせ、プローバと連動しているテスタに
よってその電気的特性を測定する。コンタクトの際は、
図５（ａ）に示すように、半導体チップ１７の電極パッ
ド１７ａとプローブカードのプローブ針１８とを接触さ
せて、電気的導通をとるために、電極パッド１７ａにプ
ローブ針１８を食い込ませ、電極パッド１７ａ表面の酸
化膜１７ｂを掻き取ることにより新生面１７ｅを露出さ
せ、電気的導通を図っている。
ト部、プロービング部、制御部に大別される。ウエハ供
給用ローダにセットされた半導体ウエハは、ウエハ搬送
ベルト等によってアライメント部ヘ搬送され、位置決め
される。その後プロービング部ヘ移動し、個々の半導体
チップの電極パッドにプローブ用電極、例えばプローブ
針をコンタクトさせ、プローバと連動しているテスタに
よってその電気的特性を測定する。コンタクトの際は、
図５（ａ）に示すように、半導体チップ１７の電極パッ
ド１７ａとプローブカードのプローブ針１８とを接触さ
せて、電気的導通をとるために、電極パッド１７ａにプ
ローブ針１８を食い込ませ、電極パッド１７ａ表面の酸
化膜１７ｂを掻き取ることにより新生面１７ｅを露出さ
せ、電気的導通を図っている。
【０００４】尚、プローバに関しては、例えば特開昭６
１−１３１５４１号公報等に記載されている。
１−１３１５４１号公報等に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の微細化に
伴って、その動作電圧の低下や動作スピードの高速化が
進んでいる。そのため、半導体装置の電気的特性の試験
を行う際にも、高精度化、高速化が要求されている。
伴って、その動作電圧の低下や動作スピードの高速化が
進んでいる。そのため、半導体装置の電気的特性の試験
を行う際にも、高精度化、高速化が要求されている。
【０００６】しかしながら、上記方式は、プローブ用電
極を電極パッドに食い込ませるため、電極パッドの表面
に傷が付き、再度電気的特性を計測しようとすると、電
極パッドとプローブ用電極との接触抵抗が変化して、測
定値の再現性が悪い。特に、測定時は、半導体ウエハを
加熱または冷却するため、電極パッド及びプローブ用電
極が酸化されやすい環境下にある。例えば、図５（ｂ）
に示すように、第１回目の測定時に露出した測定面に形
成された自然酸化膜１７ｃは、第２回目の測定時に更に
削られ、第３回目に測定した後は電極パッド１７ａが下
部まで削られてしまうので、測定不能となってしまう。
極を電極パッドに食い込ませるため、電極パッドの表面
に傷が付き、再度電気的特性を計測しようとすると、電
極パッドとプローブ用電極との接触抵抗が変化して、測
定値の再現性が悪い。特に、測定時は、半導体ウエハを
加熱または冷却するため、電極パッド及びプローブ用電
極が酸化されやすい環境下にある。例えば、図５（ｂ）
に示すように、第１回目の測定時に露出した測定面に形
成された自然酸化膜１７ｃは、第２回目の測定時に更に
削られ、第３回目に測定した後は電極パッド１７ａが下
部まで削られてしまうので、測定不能となってしまう。
【０００７】また、この際に、プローブ針１８によって
削られた電極パッド１７ａの自然酸化膜が、新生面とプ
ローブ針１８の間に介在してしまうと、電気的導通不良
を発生させてしまう。
削られた電極パッド１７ａの自然酸化膜が、新生面とプ
ローブ針１８の間に介在してしまうと、電気的導通不良
を発生させてしまう。
【０００８】また、プローブ用電極によって、電極パッ
ドが深く削られた場合、後のワイヤボンディング工程に
おいて、プローブ用電極跡に起因するボンディング不良
が発生してしまう。
ドが深く削られた場合、後のワイヤボンディング工程に
おいて、プローブ用電極跡に起因するボンディング不良
が発生してしまう。
【０００９】更に、自然酸化膜を掻き取るために、例え
ば図５に示すようにプローブ針１８を電極パッド１７ａ
に食い込ませるため、プローブ針１８の変形を伴って歪
エネルギーがプローブ針１８に蓄積してしまい、例えば
およそ５０万回の接触で、プローブ針１８先端の高さの
バラツキは許容範囲を越えてしまい、滅却処分しなけれ
ばならなかった。
ば図５に示すようにプローブ針１８を電極パッド１７ａ
に食い込ませるため、プローブ針１８の変形を伴って歪
エネルギーがプローブ針１８に蓄積してしまい、例えば
およそ５０万回の接触で、プローブ針１８先端の高さの
バラツキは許容範囲を越えてしまい、滅却処分しなけれ
ばならなかった。
【００１０】そこで本発明の目的は、半導体装置の電気
的特性の試験を、半導体装置に損傷を与えずに、かつ高
精度に行うことが可能な半導体装置の検査技術を提供す
ることにある。
的特性の試験を、半導体装置に損傷を与えずに、かつ高
精度に行うことが可能な半導体装置の検査技術を提供す
ることにある。
【００１１】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、半導体装置の電気的特性を
計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、該半導体ウ
エハを加熱又は冷却するウエハチャックと、前記テスタ
に接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半導
体チップの外部接続用電極へ接触させて、前記テスタと
前記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ
用電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の
検査装置であって、前記外部接続用電極と前記プローブ
用電極とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気に
させるための、不活性ガス又は還元性ガスを供給する手
段を設けるものである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、半導体装置の電気的特性を
計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、該半導体ウ
エハを加熱又は冷却するウエハチャックと、前記テスタ
に接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半導
体チップの外部接続用電極へ接触させて、前記テスタと
前記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ
用電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の
検査装置であって、前記外部接続用電極と前記プローブ
用電極とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気に
させるための、不活性ガス又は還元性ガスを供給する手
段を設けるものである。
【００１３】
【作用】上記手段によると、半導体ウエハのテスティン
グ中に、外部接続用電極とプローブ用電極とが接触する
部分の雰囲気を非酸化性雰囲気にすることにより、露出
した外部接続用電極及びプローブ用電極の新生面が、新
たに酸化されるのを防止するため、接触抵抗が低減さ
れ、確実な電気的導通が可能となり、測定精度が向上す
る。
グ中に、外部接続用電極とプローブ用電極とが接触する
部分の雰囲気を非酸化性雰囲気にすることにより、露出
した外部接続用電極及びプローブ用電極の新生面が、新
たに酸化されるのを防止するため、接触抵抗が低減さ
れ、確実な電気的導通が可能となり、測定精度が向上す
る。
【００１４】また、必要以上にプローブ用電極を外部接
続用電極に食い込ませることもなくなるので、外部接続
用電極の損傷を低減させることができ、複数回測定を実
施しても安定した測定値が得られる。
続用電極に食い込ませることもなくなるので、外部接続
用電極の損傷を低減させることができ、複数回測定を実
施しても安定した測定値が得られる。
【００１５】更に、プローブ針を用いた場合、変形を伴
うほど針先を電極に食い込ませることも必要なくなるの
で、プローブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にとど
まり、プローブ針の寿命が長くなる。
うほど針先を電極に食い込ませることも必要なくなるの
で、プローブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にとど
まり、プローブ針の寿命が長くなる。
【００１６】更に、外部接続用電極の損傷を低減させる
ことができるので、ワイヤボンディング不良を低減させ
ることができる。
ことができるので、ワイヤボンディング不良を低減させ
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図２を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１８】図１に、本発明のプローバ１の概略を、ま
た、図２にプロービング部２の拡大図を示す。プローバ
１は、ローダ部３、アライメント部４、プロービング部
２、制御部（図示せず）に大別される。ローダ部３で
は、ウエハ供給用ローダ１１からプロービング部２への
ウエハ５の搬送と、プローブテストを終了したウエハ５
のウエハ収納用ローダ１２への収納を行う。アライメン
ト部４では、ウエハ５のオリエンテーションフラツトの
検出と方向を決めるプリアライメントと、より位置精度
の高いプロービングを行うためにウエハ５の平行合わせ
を行うファインアライメントを行う。プロービング部２
では、ウエハ５内の個々の半導体チップをテストするた
めに、ウエハのＺ／Ｙ軸方向の移動と、半導体チップ内
の電極パッドとプローブ用電極との接触を全チップに対
し自動的に行う。プロービング部２は、主にウエハチャ
ック７、テスタ測定系１５からなり、テスタ測定系１５
には、測定する半導体チップの電極パッドに対応してプ
ローブ用電極、例えばタングステン鋼からなるプローブ
針６ａが立てられたプローブカード６がセットされる。
ウエハ５は、ウエハチャック７上で測定中およそ７０℃
程度に加熱、あるいは−７℃程度に冷却される。この加
熱や冷却による電極パッド及びプローブ針６ａの酸化を
抑えるために、本実施例では、テスタ測定系１５とウエ
ハチャック７との間に不活性気体、又は還元性の気体を
供給する機構を設けている。この供給機構は、主に気体
供給源８とノズル９からなり、電極パッドとプローブ針
６ａとの接触部に非酸化性気体を供給し非酸化性雰囲気
にすることにより、電極パッド及びプローブ針６ａの酸
化を抑制している。非酸化性気体は、不活性気体として
例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等、また還元性気体と
して例えば高温の水素等を用いる。
た、図２にプロービング部２の拡大図を示す。プローバ
１は、ローダ部３、アライメント部４、プロービング部
２、制御部（図示せず）に大別される。ローダ部３で
は、ウエハ供給用ローダ１１からプロービング部２への
ウエハ５の搬送と、プローブテストを終了したウエハ５
のウエハ収納用ローダ１２への収納を行う。アライメン
ト部４では、ウエハ５のオリエンテーションフラツトの
検出と方向を決めるプリアライメントと、より位置精度
の高いプロービングを行うためにウエハ５の平行合わせ
を行うファインアライメントを行う。プロービング部２
では、ウエハ５内の個々の半導体チップをテストするた
めに、ウエハのＺ／Ｙ軸方向の移動と、半導体チップ内
の電極パッドとプローブ用電極との接触を全チップに対
し自動的に行う。プロービング部２は、主にウエハチャ
ック７、テスタ測定系１５からなり、テスタ測定系１５
には、測定する半導体チップの電極パッドに対応してプ
ローブ用電極、例えばタングステン鋼からなるプローブ
針６ａが立てられたプローブカード６がセットされる。
ウエハ５は、ウエハチャック７上で測定中およそ７０℃
程度に加熱、あるいは−７℃程度に冷却される。この加
熱や冷却による電極パッド及びプローブ針６ａの酸化を
抑えるために、本実施例では、テスタ測定系１５とウエ
ハチャック７との間に不活性気体、又は還元性の気体を
供給する機構を設けている。この供給機構は、主に気体
供給源８とノズル９からなり、電極パッドとプローブ針
６ａとの接触部に非酸化性気体を供給し非酸化性雰囲気
にすることにより、電極パッド及びプローブ針６ａの酸
化を抑制している。非酸化性気体は、不活性気体として
例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等、また還元性気体と
して例えば高温の水素等を用いる。
【００１９】次に、本発明のプローバ１を用いたプロー
ブ方法について説明する。まず、ウエハ供給用ローダ１
１からアライメント部４へウエハ５を搬送し、ウエハ５
のオリエンテーションフラツトの検出と方向を決めるプ
リアライメントと、より位置精度の高いプロービングを
行うためにウエハ５の平行合わせを行うファインアライ
メントを行う。次にプロービング部２へ搬送し、ウエハ
５内の個々の半導体チップをテストするために、ウエハ
のＺ／Ｙ軸方向の移動と、図３に示すように、半導体チ
ップ内の電極パッドとプローブ針６ａとを接触させ全チ
ップに対しプローブテストを行う。電極パッド５ａは、
例えばアルミニウム又はその合金からなり、その表面に
は、自然酸化膜５ｂが形成されている。従って、電極パ
ッド５ａとプローブ針６ａとを接触させる際、自然酸化
膜５ｂを取り除き、新生面を露出させて電気的な接触を
図らなければならない。また、プローブテスト中は、ウ
エハ５ｃがウエハチャック７上で測定中およそ７０℃程
度に加熱、あるいは−７℃程度に冷却されるため、電極
パッド５ａ及びプローブ針６ａが酸化されやすい環境下
にある。このため、電極パッド５ａとプローブ針６ａと
の接触部に非酸化性気体を供給することにより、新たな
酸化を抑制している。非酸化性気体としては、例えば窒
素、ヘリウム、アルゴン等の不活性気体、または、高温
の水素等の還元性気体を用いる。不活性気体を用いた場
合は、第１回目のプローブテストにて露出した電極パッ
ド５ａの新生面が新たに酸化するのを防ぐため、第２回
目のプローブテスト以降は、必要以上にプローブ針を電
極パッド５ａに食い込ませることもなくなるので、電極
パッド５ａの損傷を低減させることができる（図４）。
還元性気体を用いた場合は、電極パッド５ａを傷つける
ことなく新生面を露出できるため、軽い接触で電極パッ
ド５ａとプローブ針６ａとの電気的接触が可能となる。
従って、電極パッド５ａの損傷をほとんど発生させずに
高精度な測定を行うことができる。
ブ方法について説明する。まず、ウエハ供給用ローダ１
１からアライメント部４へウエハ５を搬送し、ウエハ５
のオリエンテーションフラツトの検出と方向を決めるプ
リアライメントと、より位置精度の高いプロービングを
行うためにウエハ５の平行合わせを行うファインアライ
メントを行う。次にプロービング部２へ搬送し、ウエハ
５内の個々の半導体チップをテストするために、ウエハ
のＺ／Ｙ軸方向の移動と、図３に示すように、半導体チ
ップ内の電極パッドとプローブ針６ａとを接触させ全チ
ップに対しプローブテストを行う。電極パッド５ａは、
例えばアルミニウム又はその合金からなり、その表面に
は、自然酸化膜５ｂが形成されている。従って、電極パ
ッド５ａとプローブ針６ａとを接触させる際、自然酸化
膜５ｂを取り除き、新生面を露出させて電気的な接触を
図らなければならない。また、プローブテスト中は、ウ
エハ５ｃがウエハチャック７上で測定中およそ７０℃程
度に加熱、あるいは−７℃程度に冷却されるため、電極
パッド５ａ及びプローブ針６ａが酸化されやすい環境下
にある。このため、電極パッド５ａとプローブ針６ａと
の接触部に非酸化性気体を供給することにより、新たな
酸化を抑制している。非酸化性気体としては、例えば窒
素、ヘリウム、アルゴン等の不活性気体、または、高温
の水素等の還元性気体を用いる。不活性気体を用いた場
合は、第１回目のプローブテストにて露出した電極パッ
ド５ａの新生面が新たに酸化するのを防ぐため、第２回
目のプローブテスト以降は、必要以上にプローブ針を電
極パッド５ａに食い込ませることもなくなるので、電極
パッド５ａの損傷を低減させることができる（図４）。
還元性気体を用いた場合は、電極パッド５ａを傷つける
ことなく新生面を露出できるため、軽い接触で電極パッ
ド５ａとプローブ針６ａとの電気的接触が可能となる。
従って、電極パッド５ａの損傷をほとんど発生させずに
高精度な測定を行うことができる。
【００２０】プローブテスト終了後、ウエハ搬送ベルト
１３によって、ウエハ５をウエハ収納用ローダ１２へ収
納する。
１３によって、ウエハ５をウエハ収納用ローダ１２へ収
納する。
【００２１】以下、本発明の作用効果について説明す
る。
る。
【００２２】（１）電極パッドとプローブ用電極との接
触部を非酸化性雰囲気にすることにより、露出した電極
パッド及びプローブ用電極の新生面が新たに酸化される
のを抑制するため、接触抵抗が低減され確実な電気的導
通が可能となり、測定精度が向上する。
触部を非酸化性雰囲気にすることにより、露出した電極
パッド及びプローブ用電極の新生面が新たに酸化される
のを抑制するため、接触抵抗が低減され確実な電気的導
通が可能となり、測定精度が向上する。
【００２３】（２）必要以上にプローブ用電極を電極パ
ッドに食い込ませることもなくなるので、電極パッドの
損傷を低減させることができ、複数回測定を実施しても
安定した測定値が得られる。
ッドに食い込ませることもなくなるので、電極パッドの
損傷を低減させることができ、複数回測定を実施しても
安定した測定値が得られる。
【００２４】（３）プローブ針の変形を伴うほど、針先
を電極に食い込ませることも必要なくなるので、プロー
ブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にとどまり、プロ
ーブ針の寿命が長くなる。
を電極に食い込ませることも必要なくなるので、プロー
ブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にとどまり、プロ
ーブ針の寿命が長くなる。
【００２５】（４）非酸化性雰囲気に不活性気体を用い
ることにより、露出した新生面が新たに酸化するのを防
止することができる。
ることにより、露出した新生面が新たに酸化するのを防
止することができる。
【００２６】（５）非酸化性雰囲気に還元性気体を用い
ることにより、酸化した電極パッド表面を還元すること
ができるので、電極パッド表面に損傷を与えずに、プロ
ーブ用電極と電極パッドとの良好な電気的接触を図るこ
とができる。
ることにより、酸化した電極パッド表面を還元すること
ができるので、電極パッド表面に損傷を与えずに、プロ
ーブ用電極と電極パッドとの良好な電気的接触を図るこ
とができる。
【００２７】（６）電極パッドの損傷を低減させること
ができるので、ワイヤボンディング不良を低減させるこ
とができる。
ができるので、ワイヤボンディング不良を低減させるこ
とができる。
【００２８】以上、本発明者によって、なされた発明を
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２９】例えば、上記実施例では、非酸化性雰囲気
を電極パッドとプローブ針６ａとの接触部に形成した
が、ウエハ供給用ローダ１１、ウエハ収納用ローダ１２
等の、半導体ウエハの搬送経路も非酸化性雰囲気にする
と、更に効果が増大する。この場合、例えばウエハ供給
用ローダ１１内を高温の水素雰囲気にすることで半導体
ウエハの電極パッドの酸化膜を還元し、その後の半導体
ウエハの搬送経路、アライメント部４、プロービング部
２、ウエハ収納用ローダ１２を不活性気体の雰囲気に保
持することにより、プロービング部２を高温の水素雰囲
気にしなくても、電極パッドの新生面の露出を保持でき
るので、半導体ウエハを冷却しながら測定を行う低温プ
ローブテストに際し、好ましい状態でプロービングを行
うことができる。
を電極パッドとプローブ針６ａとの接触部に形成した
が、ウエハ供給用ローダ１１、ウエハ収納用ローダ１２
等の、半導体ウエハの搬送経路も非酸化性雰囲気にする
と、更に効果が増大する。この場合、例えばウエハ供給
用ローダ１１内を高温の水素雰囲気にすることで半導体
ウエハの電極パッドの酸化膜を還元し、その後の半導体
ウエハの搬送経路、アライメント部４、プロービング部
２、ウエハ収納用ローダ１２を不活性気体の雰囲気に保
持することにより、プロービング部２を高温の水素雰囲
気にしなくても、電極パッドの新生面の露出を保持でき
るので、半導体ウエハを冷却しながら測定を行う低温プ
ローブテストに際し、好ましい状態でプロービングを行
うことができる。
【００３０】また、上記実施例では、プローブ用電極に
プローブ針を用いた例で説明したが、バンプ状のプロー
ブ用電極を用いた場合でも、電極パッドとプローブ用電
極との接触部を非酸化性雰囲気にすることにより、露出
した電極パッド及びプローブ用電極の新生面が新たに酸
化されるのを抑制するため、接触抵抗が低減され確実な
電気的導通が可能となり、測定精度が向上する。
プローブ針を用いた例で説明したが、バンプ状のプロー
ブ用電極を用いた場合でも、電極パッドとプローブ用電
極との接触部を非酸化性雰囲気にすることにより、露出
した電極パッド及びプローブ用電極の新生面が新たに酸
化されるのを抑制するため、接触抵抗が低減され確実な
電気的導通が可能となり、測定精度が向上する。
【００３１】尚、本発明はプローバに限らず、パッケー
ジングされた半導体装置のテストを行うハンドラにも適
用でき、外部導出リードと接触子との接触抵抗が低減さ
れ、確実な電気的導通が可能とし、測定精度が向上する
という効果を奏するものである。
ジングされた半導体装置のテストを行うハンドラにも適
用でき、外部導出リードと接触子との接触抵抗が低減さ
れ、確実な電気的導通が可能とし、測定精度が向上する
という効果を奏するものである。
【００３２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３３】すなわち、半導体ウエハのテスティング中
に、外部接続用電極とプローブ用電極とが接触する部分
の雰囲気を非酸化性雰囲気にすることにより、露出した
外部接続用電極及びプローブ用電極の新生面が、新たに
酸化されるのを防止するため、接触抵抗が低減され、確
実な電気的導通が可能となり、測定精度が向上する。
に、外部接続用電極とプローブ用電極とが接触する部分
の雰囲気を非酸化性雰囲気にすることにより、露出した
外部接続用電極及びプローブ用電極の新生面が、新たに
酸化されるのを防止するため、接触抵抗が低減され、確
実な電気的導通が可能となり、測定精度が向上する。
【００３４】また、必要以上にプローブ用電極を外部接
続用電極に食い込ませることもなくなるので、外部接続
用電極の損傷を低減させることができ、複数回測定を実
施しても安定した測定値が得られる。
続用電極に食い込ませることもなくなるので、外部接続
用電極の損傷を低減させることができ、複数回測定を実
施しても安定した測定値が得られる。
【００３５】更に、プローブ針を用いた場合、変形を伴
うほど、針先を電極に食い込ませることも必要なくなる
ので、プローブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にと
どまり、プローブ針の寿命が長くなる。
うほど、針先を電極に食い込ませることも必要なくなる
ので、プローブ針への歪エネルギーの蓄積は最小限にと
どまり、プローブ針の寿命が長くなる。
【００３６】更に、外部接続用電極の損傷を低減させる
ことができるので、ワイヤボンディング不良を低減させ
ることができるものである。
ことができるので、ワイヤボンディング不良を低減させ
ることができるものである。
【００３７】
【図１】本発明の一実施例であるプローバ１の概略を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の一実施例であるプローバ１に有するプ
ロービング部２の拡大図を示す図である。
ロービング部２の拡大図を示す図である。
【図３】本発明の一実施例であるプローブ方法における
プローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図である。
プローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図である。
【図４】本発明の一実施例であるプローブ方法における
プローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図である。
プローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図である。
【図５】（ａ）は従来のプローブ方法における第１回目
のプローブテストのプローブ針と電極パッドとの接触状
態を示す図である。（ｂ）は第２回目のプローブテスト
のプローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図であ
る。
のプローブテストのプローブ針と電極パッドとの接触状
態を示す図である。（ｂ）は第２回目のプローブテスト
のプローブ針と電極パッドとの接触状態を示す図であ
る。
１……プローバ，２……プロービング部，３……ローダ
部，４……アライメント部，５……半導体ウエハ，５ａ
……電極パッド，５ｂ……自然酸化膜，５ｃ……新生
面，６……プローブカード，６ａ……プローブ針，７…
…ウエハチャック，８……非酸化性気体供給手段，９…
…ノズル，１０……アライメント光学系，１１……ウエ
ハ供給用ローダ，１２……ウエハ収納用ローダ，１３…
…ウエハ搬送ベルト，１４……テスタ，１５……テスタ
測定系，１６……非酸化性気体，１７……半導体ウエ
ハ，１７ａ……電極パッド，１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ…
…自然酸化膜領域，１７ｅ……新生面，１８……プロー
ブ針，
部，４……アライメント部，５……半導体ウエハ，５ａ
……電極パッド，５ｂ……自然酸化膜，５ｃ……新生
面，６……プローブカード，６ａ……プローブ針，７…
…ウエハチャック，８……非酸化性気体供給手段，９…
…ノズル，１０……アライメント光学系，１１……ウエ
ハ供給用ローダ，１２……ウエハ収納用ローダ，１３…
…ウエハ搬送ベルト，１４……テスタ，１５……テスタ
測定系，１６……非酸化性気体，１７……半導体ウエ
ハ，１７ａ……電極パッド，１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ…
…自然酸化膜領域，１７ｅ……新生面，１８……プロー
ブ針，
Claims (9)
- 【請求項１】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ
と、半導体ウエハを載置し、該半導体ウエハを加熱又は
冷却するウエハチャックと、前記テスタに接続され、前
記半導体ウエハに形成された個々の半導体チップの外部
接続用電極へ接触させて、前記テスタと前記半導体チッ
プとの電気的導通を図るためのプローブ用電極を有する
プローブカードとを備えた半導体装置の検査装置であっ
て、前記外部接続用電極と前記プローブ用電極とが接触
する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気にさせるための、
不活性気体又は還元性気体を供給する手段を設けたこと
を特徴とする半導体装置の検査装置。 - 【請求項２】前記外部接続用電極は、アルミニウム又は
その合金からなることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の検査装置。 - 【請求項３】前記不活性気体は、窒素、またはヘリウ
ム、またはアルゴンであることを特徴とする請求項１又
は２記載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項４】前記還元性気体は、高温の水素であること
を特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体装置の
検査装置。 - 【請求項５】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ
に接続されたプローバを用いて、半導体ウエハに形成さ
れた個々の半導体チップの外部接続用電極にプローブ用
電極を押し当てて電気的特性を測定する半導体装置の検
査方法であって、前記外部接続用電極と前記プローブ用
電極とが接触する部分の雰囲気を非酸化性雰囲気にさせ
るために、不活性気体又は還元性気体を供給することを
特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項６】前記外部接続用電極は、アルミニウム又は
その合金からなることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置の検査装置。 - 【請求項７】前記不活性気体は、窒素、またはヘリウ
ム、またはアルゴンであることを特徴とする請求項５又
は６記載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項８】前記還元性気体は、高温の水素であること
を特徴とする請求項５又は６又は７記載の半導体装置の
検査装置。 - 【請求項９】前記外部接続用電極には、テスト終了後金
属細線が圧着されることを特徴とする請求項５乃至８の
内１項に記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060557A JPH07273157A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060557A JPH07273157A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273157A true JPH07273157A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13145707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060557A Pending JPH07273157A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273157A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216205A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
| WO2002061439A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact, procede de fabrication de la sonde de contact et dispositif et procede de controle |
| JP2005101549A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-14 | Solid State Measurements Inc | 高温対流加熱を利用する半導体基板表面の準備工程 |
| KR101388145B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2014-04-23 | 엠에스테크에스아이 주식회사 | 가스를 이용한 챔버 장치 |
| CN104094391A (zh) * | 2012-02-07 | 2014-10-08 | 夏普株式会社 | 半导体试验装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171034U (ja) * | 1988-05-24 | 1989-12-04 | ||
| JPH03184355A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプローバ |
| JPH03257841A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード先端の酸化防止装置 |
| JPH0615129A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-25 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | バグフィルタ型集塵機 |
| JPH06151529A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置 |
| JPH06300778A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | プローブピンの酸化膜防止方法 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6060557A patent/JPH07273157A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| US7151385B2 (en) | 2001-01-29 | 2006-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe, method of manufacturing the contact probe, and device and method for inspection |
| JP2005101549A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-14 | Solid State Measurements Inc | 高温対流加熱を利用する半導体基板表面の準備工程 |
| CN104094391A (zh) * | 2012-02-07 | 2014-10-08 | 夏普株式会社 | 半导体试验装置 |
| KR101388145B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2014-04-23 | 엠에스테크에스아이 주식회사 | 가스를 이용한 챔버 장치 |
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