JPH06300778A - プローブピンの酸化膜防止方法 - Google Patents
プローブピンの酸化膜防止方法Info
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- JPH06300778A JPH06300778A JP5112296A JP11229693A JPH06300778A JP H06300778 A JPH06300778 A JP H06300778A JP 5112296 A JP5112296 A JP 5112296A JP 11229693 A JP11229693 A JP 11229693A JP H06300778 A JPH06300778 A JP H06300778A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップの検査において、プローブピンの
探針３d に対するアルミナ酸化膜の固着を防止する。 【構成】 ＩＣ検査装置１０の筐体５を密閉型とし、筐
体５の対向する両側板５b,５c に供給口７a と排出口７
b とをそれぞれ設ける。供給口７a より窒素ガス等の不
活性ガスや還元ガスＮを供給して筐体に充填するととも
に、筐体内に存在する酸素ガスを排出口７b より排出し
て無酸素状態とする。各探針３d と各パッド端子２b と
の接触抵抗により生じた検査電流の発熱により、各探針
３d に溶着したアルミニュームに対する酸化作用を、上
記の無酸素状態により排除して、各探針３d に対するア
ルミナ酸化膜の固着を防止する。 【効果】 各ＩＣチップ２の検査の信頼性が向上すると
ともに、歩留まりの低下が回避され、従来の研磨方法に
おける検査中止などの弊害が解消される。
探針３d に対するアルミナ酸化膜の固着を防止する。 【構成】 ＩＣ検査装置１０の筐体５を密閉型とし、筐
体５の対向する両側板５b,５c に供給口７a と排出口７
b とをそれぞれ設ける。供給口７a より窒素ガス等の不
活性ガスや還元ガスＮを供給して筐体に充填するととも
に、筐体内に存在する酸素ガスを排出口７b より排出し
て無酸素状態とする。各探針３d と各パッド端子２b と
の接触抵抗により生じた検査電流の発熱により、各探針
３d に溶着したアルミニュームに対する酸化作用を、上
記の無酸素状態により排除して、各探針３d に対するア
ルミナ酸化膜の固着を防止する。 【効果】 各ＩＣチップ２の検査の信頼性が向上すると
ともに、歩留まりの低下が回避され、従来の研磨方法に
おける検査中止などの弊害が解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣ検査装置におけ
る、プローブピンに対するアルミナ酸化膜の防止方法に
関する。
る、プローブピンに対するアルミナ酸化膜の防止方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハに形成された各ＩＣチップは、Ｉ
Ｃ検査装置により検査される。図２によりＩＣチップの
構造とその検査方法の概要を説明する。図２(a) におい
て、ウェハ１の表面には多数のＩＣチップ２が形成さ
れ、各ＩＣチップ２のパターン配線２a は、外部接続用
の各パッド端子２b に接続されている。パターン配線２
a と各パッド端子２b はアルミニュームを素材としてエ
ッチング方法により形成される。図２(b) は、検査に使
用するプローブカード３の一例を示す。プローブカード
３は、基板３a の中央部にＩＣチップ２に対応した方形
の開口部３b を設け、その両側に、先端に探針３d を有
する複数のプローブピン３c を配設して構成される。各
プローブピン３c は弾性を有し、探針３d はタングステ
ンよりなり、それぞれは検査部（図示省略）に接続され
ている。図２(c) において、検査テーブル４a に載置さ
れたウェハ１は、ＸＹＺ機構により上昇し、各パッド端
子２b が対応するプローブピン３c の各探針３d にそれ
ぞれ接触し、これらに検査部より所定の検査電流が供給
され、パターン配線２aの良否が検査される。
Ｃ検査装置により検査される。図２によりＩＣチップの
構造とその検査方法の概要を説明する。図２(a) におい
て、ウェハ１の表面には多数のＩＣチップ２が形成さ
れ、各ＩＣチップ２のパターン配線２a は、外部接続用
の各パッド端子２b に接続されている。パターン配線２
a と各パッド端子２b はアルミニュームを素材としてエ
ッチング方法により形成される。図２(b) は、検査に使
用するプローブカード３の一例を示す。プローブカード
３は、基板３a の中央部にＩＣチップ２に対応した方形
の開口部３b を設け、その両側に、先端に探針３d を有
する複数のプローブピン３c を配設して構成される。各
プローブピン３c は弾性を有し、探針３d はタングステ
ンよりなり、それぞれは検査部（図示省略）に接続され
ている。図２(c) において、検査テーブル４a に載置さ
れたウェハ１は、ＸＹＺ機構により上昇し、各パッド端
子２b が対応するプローブピン３c の各探針３d にそれ
ぞれ接触し、これらに検査部より所定の検査電流が供給
され、パターン配線２aの良否が検査される。
【０００３】図３はＩＣ検査装置の一例の概略構成図を
示し、開閉扉５a を有する筐体５を設け、その内部の上
部に前記のプローブカード３と、その下部に移動部４が
それぞれ配置され、移動部４は前記の検査テーブル４a
と、これに対するＸＹＺ移動機構４b よりなる。一方、
被検査のウェハ１は、例えば２０枚がカセット１Ａに収
容され、図示しない搬送機構により、扉５a を通して筐
体５の内部に搬送されて図示の位置に設置される。カセ
ット内のウェハ１は、ロボット機構６のハンド６a によ
りハンドリングされて載置テーブル４a に載置され、Ｘ
ＹＺ機構によりＸまたはＹ方向に移動してＩＣチップ２
をプローブピン３c に対応させた後、上昇して前記の検
査がなされる。検査が終了するとウェハ１を順次に取り
替えて同様に検査される。
示し、開閉扉５a を有する筐体５を設け、その内部の上
部に前記のプローブカード３と、その下部に移動部４が
それぞれ配置され、移動部４は前記の検査テーブル４a
と、これに対するＸＹＺ移動機構４b よりなる。一方、
被検査のウェハ１は、例えば２０枚がカセット１Ａに収
容され、図示しない搬送機構により、扉５a を通して筐
体５の内部に搬送されて図示の位置に設置される。カセ
ット内のウェハ１は、ロボット機構６のハンド６a によ
りハンドリングされて載置テーブル４a に載置され、Ｘ
ＹＺ機構によりＸまたはＹ方向に移動してＩＣチップ２
をプローブピン３c に対応させた後、上昇して前記の検
査がなされる。検査が終了するとウェハ１を順次に取り
替えて同様に検査される。
【０００４】さて上記のＩＣチップの検査において、各
プローブピン３c の探針３d が、パッド端子２b に接触
すると、接触部分にはいくらかの接触抵抗があるために
検査電流が発熱し、パッド端子２b のアルミニュームが
温度上昇により溶融して探針３d に付着する。ただし、
探針３d のタングステンは溶融点が高いので溶融しな
い。探針３d に溶着したアルミニュームは、筐体５の内
部に存在する酸素により酸化してアルミナが生成され、
探針３d の表面にアルミナの酸化膜が固着する。上記の
アルミニュームの溶融と、酸化によるアルミナの生成
は、ともに検査電流の発熱温度に依存するものであり、
通常の情報処理用のＩＣチップ２の場合は、検査電流が
微弱なためアルミナ酸化膜の成長には長時間がかかる
が、パワー用の検査では検査電流がかなり大きく、１ア
ンペアを越えるので発熱量も大きくて、酸化膜が速やか
成長し、成長に従って抵抗値が増加するので、さらに温
度上昇が加速されて非常な短時間、例えば数回の検査に
より厚く固着する。
プローブピン３c の探針３d が、パッド端子２b に接触
すると、接触部分にはいくらかの接触抵抗があるために
検査電流が発熱し、パッド端子２b のアルミニュームが
温度上昇により溶融して探針３d に付着する。ただし、
探針３d のタングステンは溶融点が高いので溶融しな
い。探針３d に溶着したアルミニュームは、筐体５の内
部に存在する酸素により酸化してアルミナが生成され、
探針３d の表面にアルミナの酸化膜が固着する。上記の
アルミニュームの溶融と、酸化によるアルミナの生成
は、ともに検査電流の発熱温度に依存するものであり、
通常の情報処理用のＩＣチップ２の場合は、検査電流が
微弱なためアルミナ酸化膜の成長には長時間がかかる
が、パワー用の検査では検査電流がかなり大きく、１ア
ンペアを越えるので発熱量も大きくて、酸化膜が速やか
成長し、成長に従って抵抗値が増加するので、さらに温
度上昇が加速されて非常な短時間、例えば数回の検査に
より厚く固着する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のアルミナは絶縁
物であって、探針３d に固着したアルミナ酸化膜が薄く
てその抵抗が微弱でも、その分検査電流が変化して検査
が正確になされない。まして酸化膜が厚くて抵抗が大き
いときは、検査電流が通電されず検査が余儀なく中止さ
れている。また、酸化膜の厚さや抵抗値は一見しても判
らないので、不正確な検査を続けると、ＩＣチップ２の
信頼性と検査の歩留まりが低下するなど、弊害が大き
い。これに対して、従来は適当な研磨器具により探針３
d を研磨して酸化膜を剥離する方法が行われている。し
かしながら、多数の探針３d に対する研磨作業は面倒で
あり、またかなりの時間が必要で、その間は検査が停止
されてスループットが低下するなど問題が多い。そこで
原点に戻って、アルミニュームを酸化させない方法をと
ることが最も効果的と考えられる。この発明は以上に対
して考案されたもので、探針３d に対するアルミナ酸化
膜の固着を防止する方法を提供することを目的とする。
物であって、探針３d に固着したアルミナ酸化膜が薄く
てその抵抗が微弱でも、その分検査電流が変化して検査
が正確になされない。まして酸化膜が厚くて抵抗が大き
いときは、検査電流が通電されず検査が余儀なく中止さ
れている。また、酸化膜の厚さや抵抗値は一見しても判
らないので、不正確な検査を続けると、ＩＣチップ２の
信頼性と検査の歩留まりが低下するなど、弊害が大き
い。これに対して、従来は適当な研磨器具により探針３
d を研磨して酸化膜を剥離する方法が行われている。し
かしながら、多数の探針３d に対する研磨作業は面倒で
あり、またかなりの時間が必要で、その間は検査が停止
されてスループットが低下するなど問題が多い。そこで
原点に戻って、アルミニュームを酸化させない方法をと
ることが最も効果的と考えられる。この発明は以上に対
して考案されたもので、探針３d に対するアルミナ酸化
膜の固着を防止する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、プローブピ
ンの酸化膜防止方法であって、ＩＣ検査装置の筐体を密
閉型とし、筐体の対向する両側板に供給口と排出口とを
それぞれ設ける。供給口より窒素ガス等の不活性ガスや
還元ガスを供給して筐体に充填するとともに、筐体内に
存在する酸素ガスを排出口より排出して無酸素状態とす
る。各探針と各パッド端子との接触抵抗により生じた検
査電流の発熱により、各探針に溶着したアルミニューム
に対する酸化作用を、上記の無酸素状態により排除し
て、各探針に対するアルミナ酸化膜の固着を防止するも
のである。
ンの酸化膜防止方法であって、ＩＣ検査装置の筐体を密
閉型とし、筐体の対向する両側板に供給口と排出口とを
それぞれ設ける。供給口より窒素ガス等の不活性ガスや
還元ガスを供給して筐体に充填するとともに、筐体内に
存在する酸素ガスを排出口より排出して無酸素状態とす
る。各探針と各パッド端子との接触抵抗により生じた検
査電流の発熱により、各探針に溶着したアルミニューム
に対する酸化作用を、上記の無酸素状態により排除し
て、各探針に対するアルミナ酸化膜の固着を防止するも
のである。
【０００７】
【作用】上記の酸化膜防止方法においては、ＩＣ検査装
置の筐体を密閉型とし、その一方の側面に設けられた供
給口より窒素ガス等の不活性ガスや還元ガスが筐体内に
供給されて充填され、排出口より筐体内に存在する酸素
ガスが排出されて無酸素状態とされる。ＩＣチップの検
査においては、各探針と各パッド端子との接触対抗によ
り検査電流が発熱し、各パッド端子のアルミニュームが
各探針に溶着するが、筐体内は無酸素状態であるため、
溶着したアルミニュームに対する酸化作用が排除され、
各探針に対するアルミナ酸化膜の固着が防止される。
置の筐体を密閉型とし、その一方の側面に設けられた供
給口より窒素ガス等の不活性ガスや還元ガスが筐体内に
供給されて充填され、排出口より筐体内に存在する酸素
ガスが排出されて無酸素状態とされる。ＩＣチップの検
査においては、各探針と各パッド端子との接触対抗によ
り検査電流が発熱し、各パッド端子のアルミニュームが
各探針に溶着するが、筐体内は無酸素状態であるため、
溶着したアルミニュームに対する酸化作用が排除され、
各探針に対するアルミナ酸化膜の固着が防止される。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示し、ＩＣ検査
装置１０は、前記した図３とほぼ同一とするが、筐体５
の各部分に対して密閉処置を行って密閉型とする。筐体
５の両側の側板５b,５a の適当な位置に、供給口７a と
排出口７b をそれぞれ設け、供給口７a を窒素ガス供給
装置に、排出口７b を排出管路８にそれぞれ接続する。
ＩＣチップなどの半導体部品の製造工場では窒素ガスが
多用されるので、その供給装置が設けられており、また
排出管路８も設備されているので、これらを利用し、必
要なバルブなどを設ける。
装置１０は、前記した図３とほぼ同一とするが、筐体５
の各部分に対して密閉処置を行って密閉型とする。筐体
５の両側の側板５b,５a の適当な位置に、供給口７a と
排出口７b をそれぞれ設け、供給口７a を窒素ガス供給
装置に、排出口７b を排出管路８にそれぞれ接続する。
ＩＣチップなどの半導体部品の製造工場では窒素ガスが
多用されるので、その供給装置が設けられており、また
排出管路８も設備されているので、これらを利用し、必
要なバルブなどを設ける。
【０００９】ＩＣチップ２の検査においては、まず扉５
a を開放し、ウェハ１を収容したカセット１Ａを搬入し
て所定の位置に配置した後、扉５a を閉じる。窒素ガス
Ｎを筐体５の内部に供給しながら、筐体内に存在する酸
素ガスを排出すると、筐体内は無酸素状態となる。つい
で、従来と同様にウェハ１を載置テーブル４a に載置し
て上昇し、各プローブピン３c の探針３d に対して、Ｉ
Ｃチップ２の各パッド端子２b を接触させ、検査電流を
供給して検査を行う。両者の接触抵抗により検査電流が
発熱して、パッド端子２b のアルミニュームが探針３d
に溶着するが、筐体内は無酸素状態であるのでアルミナ
が生成されず、従って探針３c に対するアルミナ酸化膜
の固着が防止される。上記において、カセット１Ａに収
容された、例えば２０枚のウェハ１の検査中は、扉５a
は閉ざされるが、カセット１Ａの入れ替え中は扉５a が
開放されるので、入れ替えの都度、窒素ガスＮを充填し
て筐体５内を無酸素状態とする。以上により、探針３c
に対するアルミナ酸化膜の固着が防止されて、接触抵抗
が増加しないので、パターン配線２a に対して検査電流
が変化せず安定に供給されて、ＩＣチップ２を正確に検
査することができる。なお、上記のＩＣ検査装置１０
は、前記の図３の検査装置に対応するものとしたが、こ
れに限らず他の構成によるＩＣ検査装置であっても、密
閉型の筐体に供給口と排出口を設け、筐体内に窒素ガス
Ｎを充填し、無酸素状態として酸化膜を防止するもの
は、すべてこの発明に該当することは云うまでもない。
a を開放し、ウェハ１を収容したカセット１Ａを搬入し
て所定の位置に配置した後、扉５a を閉じる。窒素ガス
Ｎを筐体５の内部に供給しながら、筐体内に存在する酸
素ガスを排出すると、筐体内は無酸素状態となる。つい
で、従来と同様にウェハ１を載置テーブル４a に載置し
て上昇し、各プローブピン３c の探針３d に対して、Ｉ
Ｃチップ２の各パッド端子２b を接触させ、検査電流を
供給して検査を行う。両者の接触抵抗により検査電流が
発熱して、パッド端子２b のアルミニュームが探針３d
に溶着するが、筐体内は無酸素状態であるのでアルミナ
が生成されず、従って探針３c に対するアルミナ酸化膜
の固着が防止される。上記において、カセット１Ａに収
容された、例えば２０枚のウェハ１の検査中は、扉５a
は閉ざされるが、カセット１Ａの入れ替え中は扉５a が
開放されるので、入れ替えの都度、窒素ガスＮを充填し
て筐体５内を無酸素状態とする。以上により、探針３c
に対するアルミナ酸化膜の固着が防止されて、接触抵抗
が増加しないので、パターン配線２a に対して検査電流
が変化せず安定に供給されて、ＩＣチップ２を正確に検
査することができる。なお、上記のＩＣ検査装置１０
は、前記の図３の検査装置に対応するものとしたが、こ
れに限らず他の構成によるＩＣ検査装置であっても、密
閉型の筐体に供給口と排出口を設け、筐体内に窒素ガス
Ｎを充填し、無酸素状態として酸化膜を防止するもの
は、すべてこの発明に該当することは云うまでもない。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による酸
化膜の防止方法においては、ＩＣ検査装置の筐体に窒素
ガス等の不活性ガスや還元ガスを充填して無酸素状態と
することにより、各探針に溶着したアルミニュームに対
する酸化作用が排除されて、アルミナ酸化膜の固着が防
止されるもので、これにより各ＩＣチップの検査の信頼
性が向上するとともに、歩留まりの低下が回避され、従
来の研磨方法における検査中止などの弊害が解消され、
ＩＣチップの検査に寄与するところには大きいものがあ
る。
化膜の防止方法においては、ＩＣ検査装置の筐体に窒素
ガス等の不活性ガスや還元ガスを充填して無酸素状態と
することにより、各探針に溶着したアルミニュームに対
する酸化作用が排除されて、アルミナ酸化膜の固着が防
止されるもので、これにより各ＩＣチップの検査の信頼
性が向上するとともに、歩留まりの低下が回避され、従
来の研磨方法における検査中止などの弊害が解消され、
ＩＣチップの検査に寄与するところには大きいものがあ
る。
【図１】 この発明の一実施例におけるＩＣ検査装置の
構成図を示す。
構成図を示す。
【図２】 (a) はウェハ１に形成されたＩＣチップ２の
外観図、(b) はＩＣ検査用のプローブカード３の外観
図、(c) はＩＣチップ２の検査状態を示す断面図であ
る。
外観図、(b) はＩＣ検査用のプローブカード３の外観
図、(c) はＩＣチップ２の検査状態を示す断面図であ
る。
【図３】 従来のＩＣ検査装置の一例を示す概略構成図
である。
である。
１…ウェハ、１Ａ…カセット、２…ＩＣチップ、２a …
パターン配線、２b …パッド端子、３…プローブカー
ド、３a …基板、３b …開口、３c …プローブピン、３
d …探針、４…移動部、４a …載置テーブル、４b …Ｘ
ＹＺ移動機構、５…筐体、５a …開閉扉、５b,５c …側
板、６…ロボット機構、６a …ハンド、７a …供給口、
７b …排出口、８…排出管路。
パターン配線、２b …パッド端子、３…プローブカー
ド、３a …基板、３b …開口、３c …プローブピン、３
d …探針、４…移動部、４a …載置テーブル、４b …Ｘ
ＹＺ移動機構、５…筐体、５a …開閉扉、５b,５c …側
板、６…ロボット機構、６a …ハンド、７a …供給口、
７b …排出口、８…排出管路。
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハに形成されたＩＣチップの、アル
ミニュームよりなる各パッド端子に対して、各プローブ
ピンの探針をそれぞれ接触し、該ＩＣチップのパターン
配線に検査電流を供給して検査するＩＣ検査装置におい
て、該検査装置の筐体を密閉型とし、該筐体の対向する
両側板に供給口と排出口とをそれぞれ設け、該供給口よ
り窒素ガス等の不活性ガスや還元ガスを供給して充填す
るとともに、該筐体に存在する酸素ガスを該排出口より
排出して無酸素状態とし、前記各探針と各パッド端子と
の接触抵抗により生じた検査電流の発熱により、該各探
針に溶着した前記アルミニュームに対する酸化作用を、
前記無酸素ガス状態により排除して、該各探針に対する
アルミナ酸化膜の固着を防止することを特徴とする、プ
ローブピンの酸化膜防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112296A JPH06300778A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | プローブピンの酸化膜防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112296A JPH06300778A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | プローブピンの酸化膜防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06300778A true JPH06300778A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14583139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5112296A Pending JPH06300778A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | プローブピンの酸化膜防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06300778A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273157A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
| JP2000216205A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
| WO2002061439A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact, procede de fabrication de la sonde de contact et dispositif et procede de controle |
| JP2018109616A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-12 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 不活性ガス中における集積回路装置の試験 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP5112296A patent/JPH06300778A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273157A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
| JP2000216205A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
| WO2002061439A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact, procede de fabrication de la sonde de contact et dispositif et procede de controle |
| US7151385B2 (en) | 2001-01-29 | 2006-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe, method of manufacturing the contact probe, and device and method for inspection |
| JP2018109616A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-12 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 不活性ガス中における集積回路装置の試験 |
| US10473712B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-11-12 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device testing in an inert gas |
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