JPS618939A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、半導体集積回路素子が一主面に形成された、
半導体基板ウェハーの構造に関する。

（従来技術） 従来技術を、第１図（ａ）　、　（ｂ）を用いて説明す
る。

半導体基板ウェハー１の１上面に半導体集積回路素子２
を複数個作製し、該集積回路素子２を個々の素子に分離
する前に、探針３を集積回路素子２に接続し、個々の素
子の電気的な特性を測定し、その良否を判定するが、従
来は、真空チャック４によって、ウェハー１を吸着し、
基板電位は、真空チャック４に電位を供給することによ
り、個々の素子２に基板電位を与えていた。

（発明が解決しようとする問題点） 一般に集積回路素子、特にＭＯ８型集積回路素子（ＭＯ
Ｓ　ＴＣ）の特性は、その素子（ＩＣ）を構成する個々
のＭＯ８ＩＣのしきい値電圧によって大きく左右される
が、そのしきい値電圧は、基板電位に大きく影響され、 ■ＴミＡ（ＶＢ＋Ｂ）’＋Ｃ で表わすことができる。

ＶＴ　：　Ｌきい値電圧、ＶＢ＝ｔｉ板電位、Ａ、Ｂ、
Ｃ：定数である。

ウェハー１上に形成された素子２が個々の素子に分離さ
れ、組立が完了した後では、各々の素子の基板は合金層
によってケース又はペースリボンに接着される為、基板
電位は、安定したものとすることができる。しかしなが
ら、従来はウェハー状態で測定を行う場合に、真空チャ
ック４から電位を与えると、真空チャック４とウェハー
１は単に接触しているだけなので、接触抵抗も大きく、
又、真空チャック４のウェハー１との接触面の汚れや、
ウェハー１の裏面の状態等によシ、その接触抵抗値が変
化し、基板電位の安定化が困難であった。その為、ウェ
ハー状態での個々の素子２の正確な測定が行なえず、良
・不良の判定が不可能になる場合があった。このような
基板電位の不安定さは、ウェハーサイズが大きくなるｉ
ｔど、又集積回路素子が、高速・高密度になるほど顕著
である。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、ウェハー状態で素子２の特性を測定する際に
、ウェハー周辺部に、基板電位を供給する為の金属領域
を設け、該金属領域から基板電位を与えることにより、
正確な測定を行なおうとすｊ　　　　　　るものである
。

（作用） 本発明に依れば、基板電位は、真空チャック４から与え
られると同時に、基板ウェハー１と電気的に接続された
金属層５からも供給されるので、基板ウェハー１と真空
チャック４との接触抵抗の影響のない、素子２の特性測
定ができる。

（実施例０ 本発明の実施例を第２図（ａ）　、　（ｂ）に示す。半
導体基板ウェハース１０周辺に、基板半導体１と電気的
に接続された金属層５が形成されており（第２図（ａ）
　）　、個々の素子２に探針３を接続して、特性の測定
を行う際に、該金属Ｉ＠５に接触する金属治具６からと
、真空チャック４かも双方から、基板電位を供給する。

金属層５は、素子のコンタクト穴形成時に、ウェハー周
辺の基板表面を絽出させ、しかる後、素子の内部配線形
成時に、ウェハー周辺に金属層を形成することにより、
容易に作製が可能であり、そのようにして作製すれば、
基板ウェハー１と極めて小さい抵抗で接続された金属層
５を得ること　　　　　　　）ができる。

（発明の効果） 本発明により、大口径ウェハーでも、正確な素子特性の
測定が可能になり、ウェハーの裏面状態や、真空チャッ
クの状態に依らず正確な良・不良判定ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来例を示す図であり、第２図は本発明の実
施例を示す図である。各図において（ａ）ａウェハー、
（ｂ）は素子の特性測定時の図である。 面図に於て、１は半導体基板ウェハー、２はウェハー上
に作製された集積回路素子、３は素子特性測定用探針、
４は真空チャック、５はウェハー周辺に設けられた基板
電位、供給用金属領域、６は金属領域５に接触し基板電
位を与える治具であるＯ 第１図（’ａ） 第１図（１））

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板半導体に半導体集積回路素子がその一主面に形成
   された半導体ウェハー周辺に、該基板半導体と電気的に
   接続された金属層が設けられていることを特徴とする半
   導体装置。