JP2007042865A - 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ - Google Patents
半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板1と、前記半導体基板1に形成されたチップ領域10と、前記チップ領域10に形成された電極12と、前記半導体基板1に形成され、前記チップ領域10と離間して形成されたチップ検査領域20と、前記チップ検査領域20に形成され、前記電極12と電気的に接続された検査用電極22と、を有する。
【選択図】 図1
Description
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたチップ領域と、
前記チップ領域に形成された電極と、
前記半導体基板に形成され、前記チップ領域と離間して形成されたチップ検査領域と、
前記チップ検査領域に形成され、前記電極と電気的に接続された検査用電極と、を有する。
前記電極および前記検査用電極は、パッドと該パッド上に形成されたバンプとを有することができる。
前記電極と前記検査用電極とは、前記パッドと同じ層にある導電層によって電気的に接続されていることができる。
チップ領域と該チップ領域と離間して形成されたチップ検査領域とを有する半導体装置の検査方法であって、
半導体基板の前記チップ領域に電極を形成する工程と、
前記半導体基板の前記チップ検査領域に、前記電極と電気的に接続された検査用電極を形成する工程と、
前記半導体装置の前記チップ領域に実装基板を実装する工程と、
前記検査用電極を用いて、前記チップ領域の検査を行う工程と、
を含む。
前記チップ領域に実装基板を実装する工程は、COG実装であることができる。
前記電極を形成する工程と前記検査用電極を形成する工程とは、同一工程で行われることができる。
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたチップ領域及びスクライブ領域と、
前記チップ領域に形成された電極と、
前記スクライブ領域に形成されチップ検査領域と、
前記チップ検査領域に形成され、前記電極と電気的に接続された検査用電極と、を有する。
図1は、本実施形態の半導体装置100を模式的に示す平面図であり、図2は、半導体装置100の一部を模式的に示す平面図であり、図3は、図2のA−A線に沿った断面図である。
次に、図1ないし図3を参照して、本実施形態の半導体装置の検査方法について述べる。本実施形態では、半導体装置をCOG実装した際の影響を検査する例について述べる。
本実施形態にかかる半導体ウェハを図4および図5を参照して説明する。本実施形態の半導体ウェハにおいて、前述した半導体装置と実質的に同じ部材には同一符合を付して、その詳細な説明を省略する。図4は、本実施形態の半導体ウェハ300の一部を模式的に示す平面図であり、図5は、図4におけるA−A線に沿った断面図である。
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたチップ領域と、
前記チップ領域に形成された電極と、
前記半導体基板に形成され、前記チップ領域と離間して形成されたチップ検査領域と、
前記チップ検査領域に形成され、前記電極と電気的に接続された検査用電極と、を有する、半導体装置。 - 請求項1において、
前記電極および前記検査用電極は、パッドと該パッド上に形成されたバンプとを有する、半導体装置。 - 請求項1および2のいずれかにおいて、
前記電極と前記検査用電極とは、前記パッドと同じ層にある導電層によって電気的に接続されている、半導体装置。 - チップ領域と該チップ領域と離間して形成されたチップ検査領域とを有する半導体装置の検査方法であって、
半導体基板の前記チップ領域に電極を形成する工程と、
前記半導体基板の前記チップ検査領域に、前記電極と電気的に接続された検査用電極を形成する工程と、
前記半導体装置の前記チップ領域に実装基板を実装する工程と、
前記検査用電極を用いて、前記チップ領域の検査を行う工程と、
を含む、半導体装置の検査方法。 - 請求項4において、
前記チップ領域に実装基板を実装する工程は、COG実装である、半導体装置の検査方法。 - 請求項4および5のいずれかにおいて、
前記電極を形成する工程と前記検査用電極を形成する工程とは、同一工程で行われる、半導体装置の検査方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたチップ領域及びスクライブ領域と、
前記チップ領域に形成された電極と、
前記スクライブ領域に形成されチップ検査領域と、
前記チップ検査領域に形成され、前記電極と電気的に接続された検査用電極と、を有する、半導体ウェハ。
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JPWO2016125753A1 (ja) * | 2015-02-03 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置集合体 |
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