JPH11133075A - 電気的特性測定装置及び測定方法 - Google Patents
電気的特性測定装置及び測定方法Info
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- JPH11133075A JPH11133075A JP9296945A JP29694597A JPH11133075A JP H11133075 A JPH11133075 A JP H11133075A JP 9296945 A JP9296945 A JP 9296945A JP 29694597 A JP29694597 A JP 29694597A JP H11133075 A JPH11133075 A JP H11133075A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハース状態の半導体装置の電気的特性測
定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗によ
る測定結果の誤判定を防止する。 【解決手段】 ウェハース状態の半導体装置の電極パッ
ド３〜１０に接触用探針３−１〜１０−２を接触させ
る。この時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触
させる。この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に
適切な電圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触
抵抗値が適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、
適切な値であれば電気的特性測定を継続する。また接触
抵抗値が求まるのでこの接触抵抗による測定電流の減少
分を電流規格に加味する事で接触抵抗による誤判定を防
止する。また、一つの電極パッドに二つの接触用探針を
接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高くな
ってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は防げ
る。
定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗によ
る測定結果の誤判定を防止する。 【解決手段】 ウェハース状態の半導体装置の電極パッ
ド３〜１０に接触用探針３−１〜１０−２を接触させ
る。この時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触
させる。この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に
適切な電圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触
抵抗値が適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、
適切な値であれば電気的特性測定を継続する。また接触
抵抗値が求まるのでこの接触抵抗による測定電流の減少
分を電流規格に加味する事で接触抵抗による誤判定を防
止する。また、一つの電極パッドに二つの接触用探針を
接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高くな
ってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は防げ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の電
子装置の電気的特性測定装置及び測定方法に関し、特に
ウェハース状態の半導体装置の電気的特性時の接触用探
針と電極パッドとの接触抵抗の影響による誤判定を防止
する装置に関する。
子装置の電気的特性測定装置及び測定方法に関し、特に
ウェハース状態の半導体装置の電気的特性時の接触用探
針と電極パッドとの接触抵抗の影響による誤判定を防止
する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の電気的特性
測定時の接触用探針と電極パッドとの接触抵抗の影響に
よる誤判定防止の測定方法としては、例えば昭５８−３
９０２５号に示されるような方法にて接触抵抗の影響に
よる誤判定を防止している。
測定時の接触用探針と電極パッドとの接触抵抗の影響に
よる誤判定防止の測定方法としては、例えば昭５８−３
９０２５号に示されるような方法にて接触抵抗の影響に
よる誤判定を防止している。
【０００３】図２の図２−１〜図２−５は、昭５８−３
９０２５号の公知例を示す。
９０２５号の公知例を示す。
【０００４】以下に従来例及び公知例昭５８−３９０２
５号の図２−１〜５の符号の説明を行う。
５号の図２−１〜５の符号の説明を行う。
【０００５】図２−１〜図２−５において、１は半導体
装置（ＬＳＩ）、２はプローブカード、１１はウェハー
ス（ＬＳＩ）、１２は接触抵抗確認用素子、１３は電極
パッド、１４は絶縁層、１５は抵抗層、１６は接触用探
針、１７は金属膜である。
装置（ＬＳＩ）、２はプローブカード、１１はウェハー
ス（ＬＳＩ）、１２は接触抵抗確認用素子、１３は電極
パッド、１４は絶縁層、１５は抵抗層、１６は接触用探
針、１７は金属膜である。
【０００６】図２−１はウェハース状態の半導体装置で
あり、ウェハースの面内に数個の接触抵抗確認用素子を
有している事を示す。この接触抵抗確認用素子（図２−
３）はウェハース表面に電極１３を設け、この電極と接
触用探針１６を接続させる事で電極１３に接続されてい
る抵抗層１５の抵抗を測定する事ができる。この抵抗層
１５の抵抗値を測定し、その測定値より接触探針１６の
接触状態の良否を判断する事ができ、良であれば測定を
続け、否であれば測定を停止する測定方法である。
あり、ウェハースの面内に数個の接触抵抗確認用素子を
有している事を示す。この接触抵抗確認用素子（図２−
３）はウェハース表面に電極１３を設け、この電極と接
触用探針１６を接続させる事で電極１３に接続されてい
る抵抗層１５の抵抗を測定する事ができる。この抵抗層
１５の抵抗値を測定し、その測定値より接触探針１６の
接触状態の良否を判断する事ができ、良であれば測定を
続け、否であれば測定を停止する測定方法である。
【０００７】また図２−５の様に金属層１７をウェハー
ス上に設けてこの抵抗層の測定値より接触探針１６の接
触状態の良否を判断する事もできる。
ス上に設けてこの抵抗層の測定値より接触探針１６の接
触状態の良否を判断する事もできる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、ウェ
ハース内の幾つかの半導体装置が接触抵抗確認用の専用
素子となってしまう事である。接触抵抗確認専用の半導
体装置を配置するので、ウェハース上に本来製造される
べき半導体装置の数が減少してしまう。また、ウェハー
ス上に２種類のレイアウトが存在する為、製造過程が複
雑になる。
ハース内の幾つかの半導体装置が接触抵抗確認用の専用
素子となってしまう事である。接触抵抗確認専用の半導
体装置を配置するので、ウェハース上に本来製造される
べき半導体装置の数が減少してしまう。また、ウェハー
ス上に２種類のレイアウトが存在する為、製造過程が複
雑になる。
【０００９】その理由は、ウェハース上に本来製造すべ
き半導体装置とは異なる数個の接触抵抗確認専用素子を
作っている為である。接触抵抗確認専用素子をウェハー
ス上に配置する場合、ウェハース面内で接触抵抗を精度
よく測定するためには接触抵抗確認専用素子は数多く配
置しなければならないが、それだけウェハース上に配置
すべき半導体装置は少なくなり、歩留まりは低下し、コ
ストは上がってしまう。特に半導体装置の面積が大きい
程、顕著になる。
き半導体装置とは異なる数個の接触抵抗確認専用素子を
作っている為である。接触抵抗確認専用素子をウェハー
ス上に配置する場合、ウェハース面内で接触抵抗を精度
よく測定するためには接触抵抗確認専用素子は数多く配
置しなければならないが、それだけウェハース上に配置
すべき半導体装置は少なくなり、歩留まりは低下し、コ
ストは上がってしまう。特に半導体装置の面積が大きい
程、顕著になる。
【００１０】またウェハース上に異なった２つのレイア
ウトを形成する為にはフォトレジストをパターニングす
る露光工程においてスループットが悪くなる。これはフ
ォトレジストをパターニングする場合、レチクルを透過
した光（Ｇ線など）で露光を行うが、そのレチクルに本
来形成すべき半導体装置パターンとは別に接触抵抗確認
用素子用のパターンがレチクル上に必要となる。レチク
ルの大きさには露光装置上制限が設けられているので接
触抵抗確認用素子用のパターンの分だけ半導体装置用に
使用できるレチクルの領域が狭くなる事になる。狭い露
光領域にてウェハー全体を露光する事になるので従来も
より数多く繰り返えし露光をする必要があり結果、スル
ープットが悪くなる。
ウトを形成する為にはフォトレジストをパターニングす
る露光工程においてスループットが悪くなる。これはフ
ォトレジストをパターニングする場合、レチクルを透過
した光（Ｇ線など）で露光を行うが、そのレチクルに本
来形成すべき半導体装置パターンとは別に接触抵抗確認
用素子用のパターンがレチクル上に必要となる。レチク
ルの大きさには露光装置上制限が設けられているので接
触抵抗確認用素子用のパターンの分だけ半導体装置用に
使用できるレチクルの領域が狭くなる事になる。狭い露
光領域にてウェハー全体を露光する事になるので従来も
より数多く繰り返えし露光をする必要があり結果、スル
ープットが悪くなる。
【００１１】第２の問題点は、ウェハース面内に数個の
接触抵抗確認専用素子を形成しているが、この接触抵抗
測定方法では実際の半導体装置の測定時の接触状態を再
現していない場合があるという事である。
接触抵抗確認専用素子を形成しているが、この接触抵抗
測定方法では実際の半導体装置の測定時の接触状態を再
現していない場合があるという事である。
【００１２】その理由は半導体装置の電極パッドと接触
用探針との接触抵抗はウェハース面内にて微妙に変化す
る。また電極パッド表面状態や接触用探針の針先の状態
の変化にも接触抵抗に影響を与える。この為、実際の半
導体装置上にて接触抵抗を測定しなければ測定時誤判定
してしまう可能性がある。
用探針との接触抵抗はウェハース面内にて微妙に変化す
る。また電極パッド表面状態や接触用探針の針先の状態
の変化にも接触抵抗に影響を与える。この為、実際の半
導体装置上にて接触抵抗を測定しなければ測定時誤判定
してしまう可能性がある。
【００１３】つまり接触抵抗確認用素子上では接触抵抗
に問題はなくても、実際の半導体装置を測定する場合、
接触抵抗が高くなりその影響で誤判定してしまう可能性
がある。
に問題はなくても、実際の半導体装置を測定する場合、
接触抵抗が高くなりその影響で誤判定してしまう可能性
がある。
【００１４】［発明の目的］本発明の目的は、電子装
置、特にウェハース状態での半導体装置の電気的特性測
定試験において、半導体装置の電極パッドとプローブカ
ードに取り付けられた接触用探針との接触抵抗が大きく
なり電気的特性測定時に接触抵抗の影響で誤判定してし
まう事を防ぐ事を目的としている。
置、特にウェハース状態での半導体装置の電気的特性測
定試験において、半導体装置の電極パッドとプローブカ
ードに取り付けられた接触用探針との接触抵抗が大きく
なり電気的特性測定時に接触抵抗の影響で誤判定してし
まう事を防ぐ事を目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の電
気的特性測定装置は、１つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を２本ずつ接触さ
せ接触抵抗値を測定し電気的特性測定状態が正常である
か否かを判定でき、接触抵抗の影響による誤判定を防止
できる。
気的特性測定装置は、１つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を２本ずつ接触さ
せ接触抵抗値を測定し電気的特性測定状態が正常である
か否かを判定でき、接触抵抗の影響による誤判定を防止
できる。
【００１６】また求めた接触抵抗値より測定規格を接触
抵抗による電流減少分適正化したり、２本ずつ接触させ
る事で突発的な接触抵抗の増大による影響を少なくし電
気的特性測定時の誤判定を防止する事ができる。
抵抗による電流減少分適正化したり、２本ずつ接触させ
る事で突発的な接触抵抗の増大による影響を少なくし電
気的特性測定時の誤判定を防止する事ができる。
【００１７】［作用］１つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を２本づつ接触さ
せ、この２本の接触用探針間に電流を流す事で接触抵抗
値がわかる。
同程度の接触面積を有する接触用探針を２本づつ接触さ
せ、この２本の接触用探針間に電流を流す事で接触抵抗
値がわかる。
【００１８】この接触抵抗値が適正な値でなければ測定
を中断し誤判定による歩留まり低下を防ぐ。
を中断し誤判定による歩留まり低下を防ぐ。
【００１９】妥当な測定値であれば半導体装置の電気的
特性測定を続ける。
特性測定を続ける。
【００２０】また測定した接触抵抗値が電気的特性測定
試験の測定電流に対して影響を与える様に大きければ電
気的特性測定試験の測定規格適正化を行う事が出来る。
試験の測定電流に対して影響を与える様に大きければ電
気的特性測定試験の測定規格適正化を行う事が出来る。
【００２１】また１つの電極パッドに対して従来と同程
度の接触面積を有する接触用探針を２本づつ接触させ、
２本それぞれで電流測定を行い、２つの測定値を加算す
る事で突発的な接触抵抗の増大の影響を少なくする事が
出来る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるの
で、接触抵抗の影響を減少する事が出来る。
度の接触面積を有する接触用探針を２本づつ接触させ、
２本それぞれで電流測定を行い、２つの測定値を加算す
る事で突発的な接触抵抗の増大の影響を少なくする事が
出来る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるの
で、接触抵抗の影響を減少する事が出来る。
【００２２】また１本の接触用探針に突発的な抵抗がつ
いても、もう１本が正常に接触していればその影響は少
ない為である。
いても、もう１本が正常に接触していればその影響は少
ない為である。
【００２３】以下更に、本発明の作用について説明する
と、本発明は、ウェハース状態の半導体装置の電気的特
性測定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗
による測定結果の誤判定を防止することを課題としてい
るが、この課題を解決するため、本発明は、図１に示す
ように、ウェハース状態の半導体装置の電極パッド３〜
１０に接触用探針３−１〜１０−２を接触させる。この
時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触させる。
この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に適切な電
圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触抵抗値が
適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、適切な値
であれば電気的特性測定を継続する。
と、本発明は、ウェハース状態の半導体装置の電気的特
性測定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗
による測定結果の誤判定を防止することを課題としてい
るが、この課題を解決するため、本発明は、図１に示す
ように、ウェハース状態の半導体装置の電極パッド３〜
１０に接触用探針３−１〜１０−２を接触させる。この
時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触させる。
この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に適切な電
圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触抵抗値が
適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、適切な値
であれば電気的特性測定を継続する。
【００２４】また接触抵抗値が求まるのでこの接触抵抗
による測定電流の減少分を電流規格に加味する事で接触
抵抗による誤判定を防止する。
による測定電流の減少分を電流規格に加味する事で接触
抵抗による誤判定を防止する。
【００２５】また、一つの電極パッドに二つの接触用探
針を接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高
くなってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は
防げる。
針を接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高
くなってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は
防げる。
【００２６】
［第１の実施の形態］ ［構成の説明］次に、本発明の第１の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】図１の図１−１、１−２はウェハース状態
の半導体装置の電気的特性試験を行っている図である。
図１−１は平面図。図１−２は側面図である。
の半導体装置の電気的特性試験を行っている図である。
図１−１は平面図。図１−２は側面図である。
【００２８】図に示すようにプローブカード２には接触
用探針３−１，３−２，４−１，４−２，５−１，５−
２，６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−
２，９−１，９−２，１０−１，１０−２が固定され、
接触用探針はそれぞれプローブカード２を介しては図示
されないＬＳＩテスターの入出力端子および電源、接地
電位に接続される。接触用探針は半導体装置１の有する
電極パッド３〜１０に接触している。
用探針３−１，３−２，４−１，４−２，５−１，５−
２，６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−
２，９−１，９−２，１０−１，１０−２が固定され、
接触用探針はそれぞれプローブカード２を介しては図示
されないＬＳＩテスターの入出力端子および電源、接地
電位に接続される。接触用探針は半導体装置１の有する
電極パッド３〜１０に接触している。
【００２９】但し、１つの電極パッドに対し従来と同程
度の接触面積を有する接触用探針２本が接触している。
接触用探針は各探針が電圧印加、電流印加、電圧測定、
電流測定が可能なようにそれぞれ独立してプローブカー
ドに固定され、図示されていないＬＳＩテスターに接続
されている。
度の接触面積を有する接触用探針２本が接触している。
接触用探針は各探針が電圧印加、電流印加、電圧測定、
電流測定が可能なようにそれぞれ独立してプローブカー
ドに固定され、図示されていないＬＳＩテスターに接続
されている。
【００３０】［動作の説明］出力電流試験を例にとって
図１−１と図１−２にて動作説明を行う。
図１−１と図１−２にて動作説明を行う。
【００３１】なお、説明にあたっては入力端子３本３，
４，５、出力端子３本６，７，８、電源端子１本９、接
地端子１本１０を有した半導体装置を想定し説明を行
う。
４，５、出力端子３本６，７，８、電源端子１本９、接
地端子１本１０を有した半導体装置を想定し説明を行
う。
【００３２】入力端子の電極パッド３〜５には接触用探
針３−１，３−２，４−１，４−２，５−１，５−２が
接触している。出力端子の電極パッド６〜８には接触用
探針６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−２
が接触している。
針３−１，３−２，４−１，４−２，５−１，５−２が
接触している。出力端子の電極パッド６〜８には接触用
探針６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−２
が接触している。
【００３３】電源端子の電極パッド９には接触用探針９
−１，９−２が接触し、ＧＮＤパッド１０には接触用探
針１０−１，１０−２が接触している。
−１，９−２が接触し、ＧＮＤパッド１０には接触用探
針１０−１，１０−２が接触している。
【００３４】接触用探針は全て独立であり、探針毎電圧
電流印加、電圧電流測定が可能となるように図示されて
いないＬＳＩテスターに接続されている。
電流印加、電圧電流測定が可能となるように図示されて
いないＬＳＩテスターに接続されている。
【００３５】動作の説明には出力電流試験を例にして説
明する。
明する。
【００３６】出力電流試験の動作フローチャートを図３
に示す。
に示す。
【００３７】出力電流試験を開始する場合、まず出力パ
ッド６〜８に接触している接触用探針６−２，７−２，
８−２を接地電位に固定する。出力パッド６〜８に接触
している接触用探針６−１，７−１，８−１には適切な
電圧Ｖｎを印加する。この時の接触用探針６−１から６
−２へ流れる電流、接触用探針７−１から７−２へ流れ
る電流、接触用探針８−１から８−２へ流れる電流をそ
れぞれ測定する（Ｉｎ）。
ッド６〜８に接触している接触用探針６−２，７−２，
８−２を接地電位に固定する。出力パッド６〜８に接触
している接触用探針６−１，７−１，８−１には適切な
電圧Ｖｎを印加する。この時の接触用探針６−１から６
−２へ流れる電流、接触用探針７−１から７−２へ流れ
る電流、接触用探針８−１から８−２へ流れる電流をそ
れぞれ測定する（Ｉｎ）。
【００３８】次に接触用探針６−１，７−１，８−１に
印加した電圧Ｖｎと測定した電流Ｉｎより接触抵抗Ｒｎ
を求める事ができる。
印加した電圧Ｖｎと測定した電流Ｉｎより接触抵抗Ｒｎ
を求める事ができる。
【００３９】接触抵抗Ｒｎが求められたら、この接触抵
抗が妥当な値かを判断する為、規格値を設け、その規格
を越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気
的特性の測定を中断する。
抗が妥当な値かを判断する為、規格値を設け、その規格
を越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気
的特性の測定を中断する。
【００４０】接触抵抗Ｒｎが規格値より低い場合、半導
体装置の電気的特性試験測定を続ける。出力電流規格Ｉ
ａｍｉｎ．に接触抵抗Ｒｎによる出力電流減少分を加算
し適切な出力電流規格Ｉａｌｉｍｉｔを設定する。
体装置の電気的特性試験測定を続ける。出力電流規格Ｉ
ａｍｉｎ．に接触抵抗Ｒｎによる出力電流減少分を加算
し適切な出力電流規格Ｉａｌｉｍｉｔを設定する。
【００４１】この出力電流規格Ｉａｌｉｍｉｔにて通常
の出力電流試験の良否判定を行う。
の出力電流試験の良否判定を行う。
【００４２】［第２の実施の形態］ ［構成の説明］次に、本発明の第２の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００４３】第２の実施の形態の構成は第１の実施の形
態の構成と同じである。
態の構成と同じである。
【００４４】［動作の説明］出力電流試験を例にとって
説明をする。図１の図１−１、１−２、及び図４のフロ
ーチャートを参照すると、まず出力パッド６〜８に接触
している接触用探針６−１，６−２，７−１，７−２，
８−１，８−２をそれぞれ図示していないＬＳＩテスタ
ーの電流計に接続する。ＧＮＤパッド１０に接触してい
る接触用探針１０−１，１０−２は共に接地電位に接続
する。電源パッド９に接触している接触用探針９−１，
９−２を電源電位に接続する。
説明をする。図１の図１−１、１−２、及び図４のフロ
ーチャートを参照すると、まず出力パッド６〜８に接触
している接触用探針６−１，６−２，７−１，７−２，
８−１，８−２をそれぞれ図示していないＬＳＩテスタ
ーの電流計に接続する。ＧＮＤパッド１０に接触してい
る接触用探針１０−１，１０−２は共に接地電位に接続
する。電源パッド９に接触している接触用探針９−１，
９−２を電源電位に接続する。
【００４５】出力電流試験を開始する場合、まず出力パ
ッド６〜８に接触している接触用探針６−２，７−２，
８−２を接地電位に固定する。同様に出力パッド６〜８
に接触している接触用探針６−１，７−１，８−１に適
切な電圧Ｖｎを印加する。この時の接触用探針６−１か
ら６−２へ流れる電流、接触用探針７−１から７−２へ
流れる電流、接触用探針８−１から８−２へ流れる電流
をそれぞれ測定する（Ｉｎ）。
ッド６〜８に接触している接触用探針６−２，７−２，
８−２を接地電位に固定する。同様に出力パッド６〜８
に接触している接触用探針６−１，７−１，８−１に適
切な電圧Ｖｎを印加する。この時の接触用探針６−１か
ら６−２へ流れる電流、接触用探針７−１から７−２へ
流れる電流、接触用探針８−１から８−２へ流れる電流
をそれぞれ測定する（Ｉｎ）。
【００４６】次に接触用探針６−１，７−１，８−１に
印加した電圧Ｖｎと測定した電流Ｉｎより接触抵抗Ｒｎ
を求める事が出来る。
印加した電圧Ｖｎと測定した電流Ｉｎより接触抵抗Ｒｎ
を求める事が出来る。
【００４７】接触抵抗Ｒｎが求められたら、この接触抵
抗が妥当な値か判断する為、規格値を設け、その規格を
越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気的
特性の測定を中断する。
抗が妥当な値か判断する為、規格値を設け、その規格を
越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気的
特性の測定を中断する。
【００４８】入力パッド３，４，５に接触している接触
用探針３−２，４−２，５−２をオープンにし、接触用
探針３−１，４−１，５−１を入力ピンに指定し図示し
ていないＬＳＩテスターに接続する。
用探針３−２，４−２，５−２をオープンにし、接触用
探針３−１，４−１，５−１を入力ピンに指定し図示し
ていないＬＳＩテスターに接続する。
【００４９】そして出力電流試験を実施すると接触用探
針６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−２に
てそれぞれ電流が測定される。同じ出力パッドに接触し
ている従来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探
針で測定されたそれぞれの電流値を加算する。
針６−１，６−２，７−１，７−２，８−１，８−２に
てそれぞれ電流が測定される。同じ出力パッドに接触し
ている従来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探
針で測定されたそれぞれの電流値を加算する。
【００５０】つまり接触用探針６−１の電流値と接触用
探針６−２の電流値を加算、接触用探針７−１の電流値
と接触用探針７−２の電流値を加算接触用探針８−１の
電流値と接触用探針８−２の電流値を加算するそして出
力電流試験規格と比較し、出力電流試験の良否判定を行
う。
探針６−２の電流値を加算、接触用探針７−１の電流値
と接触用探針７−２の電流値を加算接触用探針８−１の
電流値と接触用探針８−２の電流値を加算するそして出
力電流試験規格と比較し、出力電流試験の良否判定を行
う。
【００５１】この様に同じ出力パッドに接触している従
来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探針で測定
されたそれぞれの電流値を加算する事で電極パッドと接
触用探針との接触抵抗が突発的に高くてもその影響を小
さくすることが出来、誤判定を少なくする事が出来る。 ［第３の実施の形態］ ［構成の説明］ 図５を参照すると半導体装置の電極パッド１つに対して
プローブカードに固定されているそれぞれが従来と同程
度の接触面積を有する二股の接触用探針を接触させる。
来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探針で測定
されたそれぞれの電流値を加算する事で電極パッドと接
触用探針との接触抵抗が突発的に高くてもその影響を小
さくすることが出来、誤判定を少なくする事が出来る。 ［第３の実施の形態］ ［構成の説明］ 図５を参照すると半導体装置の電極パッド１つに対して
プローブカードに固定されているそれぞれが従来と同程
度の接触面積を有する二股の接触用探針を接触させる。
【００５２】第１の実施の形態では接触用探針はそれぞ
れ独立して図示していないＬＳＩテスターに接続されて
いるが、第３の実施の形態では半導体装置の電極パッド
１つに対してプローブカードに固定されている二股の接
触用探針を図示しないＬＳＩテスターに接続される。
れ独立して図示していないＬＳＩテスターに接続されて
いるが、第３の実施の形態では半導体装置の電極パッド
１つに対してプローブカードに固定されている二股の接
触用探針を図示しないＬＳＩテスターに接続される。
【００５３】［動作の説明］この様にすると第１の実施
の形態で説明した様な接触用探針と電極パッドとの接触
抵抗は測定できないが、複雑な測定手順が簡素化でき突
発的な接触抵抗の増加による誤判定を減少できる。動作
自体は従来の測定方法のままである。
の形態で説明した様な接触用探針と電極パッドとの接触
抵抗は測定できないが、複雑な測定手順が簡素化でき突
発的な接触抵抗の増加による誤判定を減少できる。動作
自体は従来の測定方法のままである。
【００５４】なお、上記各実施例は、半導体装置につい
て説明したが、本発明は、これに限ることはなく、電極
パッドに接触用探針を接触させることができる全ての電
子装置に適用可能である。
て説明したが、本発明は、これに限ることはなく、電極
パッドに接触用探針を接触させることができる全ての電
子装置に適用可能である。
【００５５】
【発明の効果】第１の効果は、ウェハース状態の半導体
装置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探
針との接触抵抗値を求める事が出来、その値によって測
定状態が良好なのか、不具合があるのかが判断出来る。
装置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探
針との接触抵抗値を求める事が出来、その値によって測
定状態が良好なのか、不具合があるのかが判断出来る。
【００５６】その理由は、半導体装置の１つの電極パッ
ドに対し２本の接触用探針を接触させこの２本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗が求められる。この接
触抵抗値が適当であれば半導体装置の電気的特性測定を
継続し、異常に高ければ半導体装置の電気的特性測定を
停止し、接触抵抗による誤判定の発生防止が可能とな
る。
ドに対し２本の接触用探針を接触させこの２本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗が求められる。この接
触抵抗値が適当であれば半導体装置の電気的特性測定を
継続し、異常に高ければ半導体装置の電気的特性測定を
停止し、接触抵抗による誤判定の発生防止が可能とな
る。
【００５７】第２の効果は、ウェハース状態の半導体装
置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探針
との接触抵抗値を求める事が出来、その接触抵抗値によ
る電流減少分測定規格を適正化する事で接触抵抗の影響
による誤判定の発生防止が可能となる。
置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探針
との接触抵抗値を求める事が出来、その接触抵抗値によ
る電流減少分測定規格を適正化する事で接触抵抗の影響
による誤判定の発生防止が可能となる。
【００５８】その理由は、半導体装置の１つの電極パッ
ドに対し２本の接触用探針を接触させこの２本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗値が求められる。この
接触抵抗値による電流減少分を計算し測定規格を適正化
する事で接触抵抗の影響による誤判定の発生防止が可能
となる。
ドに対し２本の接触用探針を接触させこの２本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗値が求められる。この
接触抵抗値による電流減少分を計算し測定規格を適正化
する事で接触抵抗の影響による誤判定の発生防止が可能
となる。
【００５９】第３の効果は、ウェハース状態の半導体装
置の電気的特性測定において、１つの電極パッドに対し
従来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探針を接
触させ測定する事で、突発的な接触抵抗の増加による誤
判定を減少する事が出来る。
置の電気的特性測定において、１つの電極パッドに対し
従来と同程度の接触面積を有する２本の接触用探針を接
触させ測定する事で、突発的な接触抵抗の増加による誤
判定を減少する事が出来る。
【００６０】その理由は、従来と同程度の接触面積を有
する２本の接触用探針それぞれで電流測定を行い、それ
ぞれの測定値を加算する事で一方の接触用探針の接触抵
抗が突発的に増加してもその影響を減少する事が出来
る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるので、接
触抵抗の影響を減少する事が出来る事がわかる。
する２本の接触用探針それぞれで電流測定を行い、それ
ぞれの測定値を加算する事で一方の接触用探針の接触抵
抗が突発的に増加してもその影響を減少する事が出来
る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるので、接
触抵抗の影響を減少する事が出来る事がわかる。
【００６１】また一方の接触用探針に突発的な接触抵抗
の増大があった場合、もう一方が正常な接触をしていれ
ばその影響を少なくでき、半導体装置の電気的特性試験
での誤判定を防止できることがわかる。
の増大があった場合、もう一方が正常な接触をしていれ
ばその影響を少なくでき、半導体装置の電気的特性試験
での誤判定を防止できることがわかる。
【図１】本発明の平面図及び側面図である。
【図２】従来図（特開昭５８−３９０２５）である。
【図３】本発明のフローチャートである。
【図４】本発明のフローチャートである。
【図５】本発明の平面図である。
１ 半導体装置（ＬＳＩ） ２ プローブカード ３，４，５ 入力用電極パッド ３−１，３−２ 入力用電極パッド３用接触探針 ３−３ 入力用電極パッド３用二股接触探針 ４−１，４−２ 入力用電極パッド４用接触探針 ４−３ 入力用電極パッド４用二股接触探針 ５−１，５−２ 入力用電極パッド５用接触探針 ５−３ 入力用電極パッド５用二股接触探針 ６，７，８ 出力用電極パッド ６−１，６−２ 出力用電極パッド６用接触探針 ６−３ 出力用電極パッド６用二股接触探針 ７−１，７−２ 出力用電極パッド７用接触探針 ７−３ 出力用電極パッド７用二股接触探針 ８−１，８−２ 出力用電極パッド８用接触探針 ８−３ 出力用電極パッド８用二股接触探針 ９ 電源パッド ９−１，９−２ 電源パッド９用接触探針 ９−３ 電源パッド９用二股接触探針 １０ ＧＮＤパッド １０−１，１０−２ ＧＮＤパッド１０用接触探針 １０−３ ＧＮＤパッド１０用二股接触探針 １１ ウェハース（ＬＳＩ） １２ 接触抵抗確認用素子 １３ 電極パッド １４ 絶縁層 １５ 抵抗層 １６ 接触用探針 １７ 金属膜
Claims (6)
- 【請求項１】 電子装置の電気的特性測定装置におい
て、 該電子装置の１つの電極パッドに対し２本の接触用探針
を接触させ、該電極パッドの接触抵抗値を測定する手段
と、 該接触用探針により該電子装置の電気的特性を測定する
手段と、 を有することを特徴とする電気的特性測定装置。 - 【請求項２】 ウェハース状態の半導体装置の電気的特
性測定装置において、 該半導体装置の１つの電極パッドに対し２本の接触用探
針を接触させ、該電極パッドの接触抵抗値を測定する手
段と、 該接触用探針により該半導体装置の電気的特性を測定す
る手段と、 を有することを特徴とする電気的特性測定装置。 - 【請求項３】 上記２本の接触用探針は、針先が二股形
状になっていることを特徴とする請求項１又は２記載の
電気的特性測定装置。 - 【請求項４】 電子装置の電極パッドに、所定の接触面
積を有する接触用探針を２本づつ接触させることによ
り、各電極パッドの接触抵抗値及び電気的特性を測定
し、各電子装置、各電極パッド毎に測定規格を接触抵抗
値分適正化することを特徴とする電気的特性測定方法。 - 【請求項５】 半導体装置の全ての電極パッドに、所定
の接触面積を有する接触用探針を２本づつ接触させるこ
とにより、各電極パッドの接触抵抗値及び電気的特性を
測定し、各半導体装置、各電極パッド毎に測定規格を接
触抵抗値分適正化することを特徴とする電気的特性測定
方法。 - 【請求項６】 上記接触用探針は、針先が二股になって
いることを特徴とする請求項４又は５記載の電気的特性
測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29694597A JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29694597A JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11133075A true JPH11133075A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3202669B2 JP3202669B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17840223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29694597A Expired - Fee Related JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202669B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791344B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique |
| WO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
| US7276924B2 (en) | 2004-05-13 | 2007-10-02 | Fujitsu Limited | Electrical connecting method |
| JP2020160057A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 新唐科技股▲ふん▼有限公司 | 電子デバイスを自動テストするための装置及び方法 |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP29694597A patent/JP3202669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791344B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique |
| US7276924B2 (en) | 2004-05-13 | 2007-10-02 | Fujitsu Limited | Electrical connecting method |
| WO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
| JP2020160057A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 新唐科技股▲ふん▼有限公司 | 電子デバイスを自動テストするための装置及び方法 |
| CN111751700A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 新唐科技股份有限公司 | 用于自动测试电子元件的装置及其方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3202669B2 (ja) | 2001-08-27 |
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