JP3227207B2 - 半導体装置およびその測定方法 - Google Patents
半導体装置およびその測定方法Info
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の構造と
測定方法とに関し、さらに詳しくは半導体集積回路に突
起電極を形成する前と、突起電極を形成した後とについ
て測定が可能な半導体装置の構造と、測定方法とに関す
るものである。
測定方法とに関し、さらに詳しくは半導体集積回路に突
起電極を形成する前と、突起電極を形成した後とについ
て測定が可能な半導体装置の構造と、測定方法とに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路（以下ＩＣと記載
することもある）に形成した突起電極の構造と、その検
査方法とを図２を用いて説明する。
することもある）に形成した突起電極の構造と、その検
査方法とを図２を用いて説明する。
【０００３】一般的にＩＣの検査は、プローバ装置を用
いて行っている。このプローバ装置を用いたＩＣの検査
においては、ＩＣの外部より入力する信号により、ＩＣ
内部で所定の処理が行われ、電極６に出力する電位を、
電極６、あるいはこの電極６上に形成する突起電極７
に、触針することにより測定を行っている。この結果、
ＩＣ機能によりあらかじめ予想される期待値と出力とを
比較することによって、ＩＣの良品、不良品を選別して
いる。
いて行っている。このプローバ装置を用いたＩＣの検査
においては、ＩＣの外部より入力する信号により、ＩＣ
内部で所定の処理が行われ、電極６に出力する電位を、
電極６、あるいはこの電極６上に形成する突起電極７
に、触針することにより測定を行っている。この結果、
ＩＣ機能によりあらかじめ予想される期待値と出力とを
比較することによって、ＩＣの良品、不良品を選別して
いる。
【０００４】この上述の測定方法では、プローバ装置の
検査用の針を全部の電極６、あるいは全部の突起電極７
に触針しなければならない。したがって、半導体集積回
路を高集積化して電極６の数が増加した場合、半導体集
積回路の巨大化と検査の煩雑化を招く。
検査用の針を全部の電極６、あるいは全部の突起電極７
に触針しなければならない。したがって、半導体集積回
路を高集積化して電極６の数が増加した場合、半導体集
積回路の巨大化と検査の煩雑化を招く。
【０００５】電極６、あるいは突起電極７に直接触針す
ることなしに、非接触で検査を行うことができれば、電
極６、あるいは突起電極７の占有面積を大幅に縮小する
ことが可能であり、ＩＣのチップ面積を小型化し、その
うえ検査を簡単にすることが可能になる。
ることなしに、非接触で検査を行うことができれば、電
極６、あるいは突起電極７の占有面積を大幅に縮小する
ことが可能であり、ＩＣのチップ面積を小型化し、その
うえ検査を簡単にすることが可能になる。
【０００６】図２に示す半導体集積回路の構造は、ＩＣ
の良否を電極６、あるいは突起電極７に非接触で検査す
ることを可能にした構造になっている。すなわち、電極
６には、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ
４と、電源電位と接地電位との中間電位を出力するコン
トロールスイッチ５とを接続している。
の良否を電極６、あるいは突起電極７に非接触で検査す
ることを可能にした構造になっている。すなわち、電極
６には、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ
４と、電源電位と接地電位との中間電位を出力するコン
トロールスイッチ５とを接続している。
【０００７】電源電位線１と、接地電位線２と、中間電
位線８とは、それぞれＩＣに電源を供給するための電源
供給用電極（図示せず）に接続している。
位線８とは、それぞれＩＣに電源を供給するための電源
供給用電極（図示せず）に接続している。
【０００８】電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイ
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組み合わ
せに制御することにより、ＩＣの検査を非接触で行うこ
とができる。この電極６、あるいは突起電極７に直接触
針することなしに、非接触で行う検査方法を以下に示
す。
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組み合わ
せに制御することにより、ＩＣの検査を非接触で行うこ
とができる。この電極６、あるいは突起電極７に直接触
針することなしに、非接触で行う検査方法を以下に示
す。
【０００９】すなわち電源電位側スイッチ３とコントロ
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御する。このとき、電源電位線１を通
してＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。この電流値
をＩＣの機能からあらかじめ予測される期待値と比較す
ることにより、電源電位側スイッチ３と、コントロール
スイッチ５とが正しく導通状態に制御でき、なおかつ正
常な導通抵抗であることを確認できる。
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御する。このとき、電源電位線１を通
してＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。この電流値
をＩＣの機能からあらかじめ予測される期待値と比較す
ることにより、電源電位側スイッチ３と、コントロール
スイッチ５とが正しく導通状態に制御でき、なおかつ正
常な導通抵抗であることを確認できる。
【００１０】同様に接地電位側スイッチ４とコントロー
ルスイッチ５とを導通状態に、電源電位側スイッチ３を
不導通状態にすることにより、接地電位側スイッチ４の
正常動作を確認できる。
ルスイッチ５とを導通状態に、電源電位側スイッチ３を
不導通状態にすることにより、接地電位側スイッチ４の
正常動作を確認できる。
【００１１】一方、電源電位側スイッチ３と、接地電位
側スイッチ４とを不導通状態に、コントロールスイッチ
５を導通状態に制御する。このとき、中間電位線８を通
じてＩＣ外部に流れ出る電流を測定し、この電流をＩＣ
の機能からあらかじめ予測される期待値と比較すること
により、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ
４とが正しく不導通状態に制御でき、なおかつ短絡不良
がないことを確認することができる。
側スイッチ４とを不導通状態に、コントロールスイッチ
５を導通状態に制御する。このとき、中間電位線８を通
じてＩＣ外部に流れ出る電流を測定し、この電流をＩＣ
の機能からあらかじめ予測される期待値と比較すること
により、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ
４とが正しく不導通状態に制御でき、なおかつ短絡不良
がないことを確認することができる。
【００１２】同様に電源電位側スイッチ３と、接地電位
側スイッチ４とを導通状態に、コントロールスイッチ５
を不導通状態にすることにより、コントロールスイッチ
５の正常動作を確認できる。
側スイッチ４とを導通状態に、コントロールスイッチ５
を不導通状態にすることにより、コントロールスイッチ
５の正常動作を確認できる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図２を用いて説明した
半導体装置の構造では、ＩＣの良否を電極６、あるいは
この電極６上に形成する突起電極７に、直接触針するこ
となしに検査を行うことを可能としている。
半導体装置の構造では、ＩＣの良否を電極６、あるいは
この電極６上に形成する突起電極７に、直接触針するこ
となしに検査を行うことを可能としている。
【００１４】突起電極７は、ＩＣと、このＩＣを搭載す
る回路基板との電気的接続のために使用する。すなわ
ち、ＩＣ内部から発生した電気信号は、電極６から突起
電極７を経由して回路基板へ伝わる。
る回路基板との電気的接続のために使用する。すなわ
ち、ＩＣ内部から発生した電気信号は、電極６から突起
電極７を経由して回路基板へ伝わる。
【００１５】電極６はＩＣの製造工程の中で一貫して形
成できるが、突起電極７は完成したＩＣの電極６上に、
メッキ法、あるいは真空蒸着法で形成する。したがっ
て、電極６上に突起電極７を形成する前と、電極６上に
突起電極７を形成した後で電気的導通性の検査が必要と
なる。
成できるが、突起電極７は完成したＩＣの電極６上に、
メッキ法、あるいは真空蒸着法で形成する。したがっ
て、電極６上に突起電極７を形成する前と、電極６上に
突起電極７を形成した後で電気的導通性の検査が必要と
なる。
【００１６】図２に示す従来構造においては、電源電位
側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４と、コントロー
ルスイッチ５とを介して電極６に流れる電流を測定する
ことは可能である。しかしながら、電極６上に突起電極
７を形成した後では、電極６と、突起電極７とは同電位
にしかなりえず、電源電位側スイッチ３と、接地電位側
スイッチ４と、コントロールスイッチ５とを介して電極
６に流れる電流は、突起電極７には流れ込まない。
側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４と、コントロー
ルスイッチ５とを介して電極６に流れる電流を測定する
ことは可能である。しかしながら、電極６上に突起電極
７を形成した後では、電極６と、突起電極７とは同電位
にしかなりえず、電源電位側スイッチ３と、接地電位側
スイッチ４と、コントロールスイッチ５とを介して電極
６に流れる電流は、突起電極７には流れ込まない。
【００１７】電極６上に突起電極７を形成した後の突起
電極７に流れる電流を測定するためには、プローバ装置
の検査用針を突起電極７に触針する以外に方法はない。
したがって従来の半導体装置の構造では、電極６と突起
電極７との電気的導通を非接触で検査することはできな
い。
電極７に流れる電流を測定するためには、プローバ装置
の検査用針を突起電極７に触針する以外に方法はない。
したがって従来の半導体装置の構造では、電極６と突起
電極７との電気的導通を非接触で検査することはできな
い。
【００１８】本発明の目的は、上記課題を解決して、電
極上に突起電極を形成する前と、電極上に突起電極を形
成した後とにおいて、電気的導通性の検査が非接触で測
定可能な半導体集積回路の構成と、その測定方法とを提
供することである。
極上に突起電極を形成する前と、電極上に突起電極を形
成した後とにおいて、電気的導通性の検査が非接触で測
定可能な半導体集積回路の構成と、その測定方法とを提
供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目標を達成するため
に本発明は下記記載の構成と測定方法とを採用する。
に本発明は下記記載の構成と測定方法とを採用する。
【００２０】本発明における半導体装置は、突起電極下
面に二分割した電極、第１の分割電極と、第２の分割電
極とを備え、突起電極により第１の分割電極と、第２の
分割電極とを接続している。第１の分割電極には、電源
電位側スイッチと第１のコントロールスイッチとを接続
し、第２の分割電極には、接地電位側スイッチと、第２
のコントロールスイッチとを接続している。さらにこの
第１のコントロールスイッチと第２のコントロールスイ
ッチとは、中間電位線に接続する構造を有している。
面に二分割した電極、第１の分割電極と、第２の分割電
極とを備え、突起電極により第１の分割電極と、第２の
分割電極とを接続している。第１の分割電極には、電源
電位側スイッチと第１のコントロールスイッチとを接続
し、第２の分割電極には、接地電位側スイッチと、第２
のコントロールスイッチとを接続している。さらにこの
第１のコントロールスイッチと第２のコントロールスイ
ッチとは、中間電位線に接続する構造を有している。
【００２１】本発明における突起電極の形成前の測定方
法は、電源電位側スイッチと接地電位側スイッチと第１
のコントロールスイッチと第２のコントロールスイッチ
とを制御して、電流を第１の分割分割電極、または第２
の分割電極に流すことによって、電気的導通を測定す
る。
法は、電源電位側スイッチと接地電位側スイッチと第１
のコントロールスイッチと第２のコントロールスイッチ
とを制御して、電流を第１の分割分割電極、または第２
の分割電極に流すことによって、電気的導通を測定す
る。
【００２２】本発明における突起電極形成後の測定方法
は、電源電位側スイッチと接地電位側スイッチと第１の
コントロールスイッチと第２のコントロールスイッチと
を制御して、電流を第１の分割電極から突起電極を経由
して第２の分割電極に流すことにより、突起電極と第１
の分割電極と、突起電極と第２の分割電極との電気的導
通による測定をする。
は、電源電位側スイッチと接地電位側スイッチと第１の
コントロールスイッチと第２のコントロールスイッチと
を制御して、電流を第１の分割電極から突起電極を経由
して第２の分割電極に流すことにより、突起電極と第１
の分割電極と、突起電極と第２の分割電極との電気的導
通による測定をする。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の半導体装置の構造と測定方法を示す
断面図である。
る。図１は本発明の半導体装置の構造と測定方法を示す
断面図である。
【００２４】図１に示すように、電極を第１の分割電極
１１ａと第２の分割電極１１ｂとに二分割にする。第１
の分割電極１１ａには、電源電位側スイッチ３と第１の
コントロールスイッチ９ａとを接続し、第２の分割電極
１１ｂには、接地電位側スイッチ４と第２のコントロー
ルスイッチ９ｂとを接続する。さらに第１のコントロー
ルスイッチ９ａと第２のコントロールスイッチ９ｂと
を、中間電位線８に接続する。
１１ａと第２の分割電極１１ｂとに二分割にする。第１
の分割電極１１ａには、電源電位側スイッチ３と第１の
コントロールスイッチ９ａとを接続し、第２の分割電極
１１ｂには、接地電位側スイッチ４と第２のコントロー
ルスイッチ９ｂとを接続する。さらに第１のコントロー
ルスイッチ９ａと第２のコントロールスイッチ９ｂと
を、中間電位線８に接続する。
【００２５】第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に設ける保護膜１２は、突起電極７を形成す
る領域のみを除去する。さらに第１の分割電極１１ａと
第２の分割電極１１ｂとの間には、絶縁性を有する保護
膜１２を設ける。さらにそのうえ突起電極７は、第１の
分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように
形成する。
１ｂとの上に設ける保護膜１２は、突起電極７を形成す
る領域のみを除去する。さらに第１の分割電極１１ａと
第２の分割電極１１ｂとの間には、絶縁性を有する保護
膜１２を設ける。さらにそのうえ突起電極７は、第１の
分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように
形成する。
【００２６】ここで、第１の分割電極１１ａと第２の分
割電極１１ｂとの間の距離は、充分に小さくしている。
したがって、第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に形成する突起電極７は、電極が第１の分割
電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに分割されていな
い場合と同様な方法で形成することが可能であり、容易
に形成することができる。
割電極１１ｂとの間の距離は、充分に小さくしている。
したがって、第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に形成する突起電極７は、電極が第１の分割
電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに分割されていな
い場合と同様な方法で形成することが可能であり、容易
に形成することができる。
【００２７】第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとは、半導体集積回路の製造工程の中で一貫して形
成する。第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂ
とを形成した段階では、空間的に離れており、電気的に
も切り離されており、第１の分割電極１１ａと第２の分
割電極１１ｂとは、導通していない。
１ｂとは、半導体集積回路の製造工程の中で一貫して形
成する。第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂ
とを形成した段階では、空間的に離れており、電気的に
も切り離されており、第１の分割電極１１ａと第２の分
割電極１１ｂとは、導通していない。
【００２８】突起電極７は、完成したＩＣの第１の分割
電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように形成
する。したがって突起電極７を形成する前にも検査する
必要がある。以下に突起電極７を形成する前のＩＣを、
非接触で検査する方法を記載する。
電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように形成
する。したがって突起電極７を形成する前にも検査する
必要がある。以下に突起電極７を形成する前のＩＣを、
非接触で検査する方法を記載する。
【００２９】電源電位側スイッチ３と第１のコントロー
ルスイッチ９ａとを導通状態に、接地電位側スイッチ４
と第２のコントロールスイッチ９ｂとを不導通状態に制
御し、そのとき、電源電位線１を通してＩＣ外部から流
れる電流は、電源電位側スイッチ３を通り第１の分割電
極１１ａを経由して、第１のコントロールスイッチ９ａ
を通り中間電位線８へと流れる。
ルスイッチ９ａとを導通状態に、接地電位側スイッチ４
と第２のコントロールスイッチ９ｂとを不導通状態に制
御し、そのとき、電源電位線１を通してＩＣ外部から流
れる電流は、電源電位側スイッチ３を通り第１の分割電
極１１ａを経由して、第１のコントロールスイッチ９ａ
を通り中間電位線８へと流れる。
【００３０】この電流値をＩＣの機能からあらかじめ予
測される期待値と比較することによって、電源電位スイ
ッチ３と、第１のコントロールスイッチ９ａとが正しく
制御され、かつ正常な導通抵抗を確認することにより、
第１の分割電極１１ａと電源電位スイッチ３と第１のコ
ントロールスイッチ９ａとが正しく構成されていること
が解る。
測される期待値と比較することによって、電源電位スイ
ッチ３と、第１のコントロールスイッチ９ａとが正しく
制御され、かつ正常な導通抵抗を確認することにより、
第１の分割電極１１ａと電源電位スイッチ３と第１のコ
ントロールスイッチ９ａとが正しく構成されていること
が解る。
【００３１】また、接地電位側スイッチ４と第２のコン
トロールスイッチ９ｂとを導通状態に、電源電位側スイ
ッチ３と第１のコントロールスイッチ９ａとを不導通状
態に制御し、接地電位線２を通してＩＣ外部から流れる
電流は、接地電位側スイッチ４を通り第２の分割電極１
１ｂを経由して、第２のコントロールスイッチ５ｂを通
り中間電位線８へと流れる。
トロールスイッチ９ｂとを導通状態に、電源電位側スイ
ッチ３と第１のコントロールスイッチ９ａとを不導通状
態に制御し、接地電位線２を通してＩＣ外部から流れる
電流は、接地電位側スイッチ４を通り第２の分割電極１
１ｂを経由して、第２のコントロールスイッチ５ｂを通
り中間電位線８へと流れる。
【００３２】この電流値をＩＣの機能からあらかじめ予
測される期待値と比較することによって、接地電位側ス
イッチ４と、第２のコントロールスイッチ９ｂと、第２
の分割電極１１ｂとが正しく構成されていることが確認
できる。
測される期待値と比較することによって、接地電位側ス
イッチ４と、第２のコントロールスイッチ９ｂと、第２
の分割電極１１ｂとが正しく構成されていることが確認
できる。
【００３３】つぎに突起電極７を、第１の分割電極１１
ａと、第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように形成した後
のＩＣを、非接触で検査する方法を以下に記載する。
ａと、第２の分割電極１１ｂとを跨ぐように形成した後
のＩＣを、非接触で検査する方法を以下に記載する。
【００３４】電源電位側スイッチ３と第２のコントロー
ルスイッチ９ｂとを導通状態に、接地電位側スイッチ４
と第１のコントロールスイッチ９ａとを不導通状態に制
御する。このとき電源電位線１を通してＩＣ外部から流
れる電流は、電源電位側スイッチ３から第１の分割電極
１１ａを通り突起電極７を経由して、さらに第２の分割
電極１１ｂを通り第２のコントロールスイッチ９ｂを経
て、中間電位線８へと流れる。
ルスイッチ９ｂとを導通状態に、接地電位側スイッチ４
と第１のコントロールスイッチ９ａとを不導通状態に制
御する。このとき電源電位線１を通してＩＣ外部から流
れる電流は、電源電位側スイッチ３から第１の分割電極
１１ａを通り突起電極７を経由して、さらに第２の分割
電極１１ｂを通り第２のコントロールスイッチ９ｂを経
て、中間電位線８へと流れる。
【００３５】この電流値をＩＣの機能からあらかじめ予
測される期待値と比較することによって、電源電位側ス
イッチ３と第２のコントロールスイッチ９ｂとが正しく
制御され、また導通電流を測定することにより、電源電
位側スイッチ３と、第２のコントロールスイッチ９ｂと
の導通状態の抵抗と、第１の分割電極１１ａと突起電極
７と、第２の分割電極１１ｂと突起電極７との導通抵抗
とが良好であることが確認できる。
測される期待値と比較することによって、電源電位側ス
イッチ３と第２のコントロールスイッチ９ｂとが正しく
制御され、また導通電流を測定することにより、電源電
位側スイッチ３と、第２のコントロールスイッチ９ｂと
の導通状態の抵抗と、第１の分割電極１１ａと突起電極
７と、第２の分割電極１１ｂと突起電極７との導通抵抗
とが良好であることが確認できる。
【００３６】接地電位側スイッチ４と第１のコントロー
ルスイッチ９ａとを導通状態に、電源電位側スイッチ３
と第２のコントロールスイッチ９ｂとを不導通状態に制
御する。このとき接地電位線２を通しＩＣ外部より流れ
る電流は、接地電位スイッチ４を通り第２の分割電極１
１ｂを経て突起電極７に流れ、第１の分割電極１１ａを
通り第１のコントロールスイッチ９ａから中間電位線８
へ流れる。
ルスイッチ９ａとを導通状態に、電源電位側スイッチ３
と第２のコントロールスイッチ９ｂとを不導通状態に制
御する。このとき接地電位線２を通しＩＣ外部より流れ
る電流は、接地電位スイッチ４を通り第２の分割電極１
１ｂを経て突起電極７に流れ、第１の分割電極１１ａを
通り第１のコントロールスイッチ９ａから中間電位線８
へ流れる。
【００３７】この電流値をＩＣの機能よりあらかじめ予
測できる期待値と比較することによって、第１の分割電
極１１ａと第２の分割電極１１ｂと突起電極７と電源電
位側スイッチ３と接地電位側スイッチ４と第１のコント
ロールスイッチ９ａと第２のコントロールスイッチ９ｂ
とが、正しく構成されていることが確認できる。
測できる期待値と比較することによって、第１の分割電
極１１ａと第２の分割電極１１ｂと突起電極７と電源電
位側スイッチ３と接地電位側スイッチ４と第１のコント
ロールスイッチ９ａと第２のコントロールスイッチ９ｂ
とが、正しく構成されていることが確認できる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明は
突起電極を形成する前と、突起電極を形成した後とにお
ける電気的導通性の測定を非接触での検査が可能であ
る。このため、突起電極を形成する前の出荷検査や、突
起電極を形成する前の検査ができる。またさらに、非接
触で検査を行うことができるため、半導体集積回路の検
査を大幅に簡素化することが可能になる。さらに電極、
あるいは突起電極に直接触針することなく半導体集積回
路の測定が可能である。したがって電極や突起電極の占
有面積を大幅に縮小することで、半導体装置のチップ面
積を小さくする効果を有する。
突起電極を形成する前と、突起電極を形成した後とにお
ける電気的導通性の測定を非接触での検査が可能であ
る。このため、突起電極を形成する前の出荷検査や、突
起電極を形成する前の検査ができる。またさらに、非接
触で検査を行うことができるため、半導体集積回路の検
査を大幅に簡素化することが可能になる。さらに電極、
あるいは突起電極に直接触針することなく半導体集積回
路の測定が可能である。したがって電極や突起電極の占
有面積を大幅に縮小することで、半導体装置のチップ面
積を小さくする効果を有する。
【００３９】またそのうえ本発明は、非接触で突起電極
に電流を流すことができるため、分割電極と突起電極と
の界面に形成される絶縁性を有する薄い酸化膜を破壊す
ることが可能である。このため分割電極と突起電極との
間の導通性不良の救済を、電流を両者の間に流すことに
より可能となるという効果を有する。
に電流を流すことができるため、分割電極と突起電極と
の界面に形成される絶縁性を有する薄い酸化膜を破壊す
ることが可能である。このため分割電極と突起電極との
間の導通性不良の救済を、電流を両者の間に流すことに
より可能となるという効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置の構造と測定方法とを示す
図面である。
図面である。
【図２】従来技術の半導体装置の構造と測定方法とを示
す図面である。
す図面である。
３ 電源電位側スイッチ ４ 接地電位側スイッチ ５ コントロールスイッチ ７ 突起電極 ８ 中間電位線 ９ａ 第１のコントロールスイッチ ９ｂ 第２のコントロールスイッチ １１ａ 第１の分割電極 １１ｂ 第２の分割電極
Claims (3)
- 【請求項１】 突起電極の下面に二分割した第１の分割
電極と第２の分割電極とを備え、 前記第１の分割電極に接続する電源電位側スイッチおよ
び第１のコントロールスイッチと、 前記第２の分割電極に接続する接地電位側スイッチおよ
び第２のコントロールスイッチとを有することを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 突起電極の下面に二分割した第１の分割
電極と第２の分割電極とを備え、前記第１の分割電極に
接続する電源電位側スイッチおよび第１のコントロール
スイッチと、前記第２の分割電極に接続する接地電位側
スイッチおよび第２のコントロールスイッチとを有する
半導体装置の測定方法であって、 前記電源電位側スイッチと前記第２のコントロールスイ
ッチとを導通状態とし前記接地電位側スイッチと前記第
１のコントロールスイッチとを非導通状態として、電流
を前記電源電位スイッチから前記第１の分割電極を通り
前記突起電極を経由して前記第２の分割電極を通り前記
第２のコントロールスイッチに流し、 さらに前記接地電位側スイッチと前記第１のコントロー
ルスイッチとを導通状態とし前記電源電位側スイッチと
前記第２のコントロールスイッチとを非導通状態とし
て、電流を前記接地電位側スイッチから前記第２の分割
電極を通り前記突起電極を経由して前記第１の分割電極
を通り前記第１のコントロールスイッチに流すことによ
り、 前記突起電極と前記第１の分割電極と、前記突起電極と
前記第２の分割電極との電気的導通を測定することを特
徴とする半導体装置の測定方法。 - 【請求項３】 二分割した第１の分割電極と第２の分割
電極とを備え、前記第１の分割電極に接続する電源電位
側スイッチおよび第１のコントロールスイッチと、前記
第２の分割電極に接続する接地電位側スイッチおよび第
２のコントロールスイッチとを有する半導体装置の測定
方法であって、 前記電源電位側スイッチと前記第１のコントロールスイ
ッチとを導通状態とし前記接地電位側スイッチと前記第
２のコントロールスイッチとを非導通状態として、電流
を前記電源電位側スイッチを通り前記第１の分割電極を
経由して前記第１のコントロールスイッチに流し、 さらに前記接地電位側スイッチと前記第２のコントロー
ルスイッチとを導通状態とし前記電源電位側スイッチと
前記第１のコントロールスイッチとを非導通状態とし
て、電流を前記接地電位側スイッチを通り前記第２の分
割電極を経由して前記前記第２のコントロールスイッチ
に流すことにより、 突起電極を形成する前に前記半導体装置の電気的導通を
測定することを特徴とする半導体装置の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17767092A JP3227207B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17767092A JP3227207B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347340A JPH05347340A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3227207B2 true JP3227207B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=16035059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17767092A Expired - Fee Related JP3227207B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3227207B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6487682B2 (en) | 1991-09-18 | 2002-11-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit |
| KR100327442B1 (ko) * | 1995-07-14 | 2002-06-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 반도체소자의범프구조및형성방법 |
| JP5152099B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | 基板構造 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17767092A patent/JP3227207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347340A (ja) | 1993-12-27 |
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