JP2977959B2 - 半導体装置およびその測定方法 - Google Patents
半導体装置およびその測定方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の構造に
関し、さらに詳しくは半導体集積回路に形成した突起電
極の構造と、その測定方法とに関するものである。
関し、さらに詳しくは半導体集積回路に形成した突起電
極の構造と、その測定方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路（以下ＩＣと記載
することもある）に形成した突起電極の構造と、その検
査方法とを図２を用いて説明する。
することもある）に形成した突起電極の構造と、その検
査方法とを図２を用いて説明する。
【０００３】一般的にＩＣの検査は、プローバ装置を用
いて行っている。このプローバ装置を用いたＩＣの検査
においては、ＩＣの外部より入力する信号により、ＩＣ
内部で所定の処理が行われ、電極６に出力する電位を、
電極６、あるいはこの電極６上に形成する突起電極７
に、触針することにより測定を行っている。この結果、
ＩＣ機能によりあらかじめ予想される期待値と出力とを
比較することによって、ＩＣの良品、不良品を選別して
いる。
いて行っている。このプローバ装置を用いたＩＣの検査
においては、ＩＣの外部より入力する信号により、ＩＣ
内部で所定の処理が行われ、電極６に出力する電位を、
電極６、あるいはこの電極６上に形成する突起電極７
に、触針することにより測定を行っている。この結果、
ＩＣ機能によりあらかじめ予想される期待値と出力とを
比較することによって、ＩＣの良品、不良品を選別して
いる。
【０００４】この上述の測定方法では、プローバ装置の
検査用の針を全部の電極６、あるいは全部の突起電極７
に触針しなければならない。したがって、半導体集積回
路を高集積化して電極６の数が増加した場合、半導体集
積回路の巨大化と検査の煩雑化を招く。
検査用の針を全部の電極６、あるいは全部の突起電極７
に触針しなければならない。したがって、半導体集積回
路を高集積化して電極６の数が増加した場合、半導体集
積回路の巨大化と検査の煩雑化を招く。
【０００５】電極６、あるいは突起電極７に直接触針す
ることなしに、非接触で検査を行うことができれば、電
極６、あるいは突起電極７の占有面積を大幅に縮小する
ことが可能であり、半導体集積回路のチップ面積を小型
化し、そのうえ検査を簡便にすることが可能になる。
ることなしに、非接触で検査を行うことができれば、電
極６、あるいは突起電極７の占有面積を大幅に縮小する
ことが可能であり、半導体集積回路のチップ面積を小型
化し、そのうえ検査を簡便にすることが可能になる。
【０００６】図２に示す半導体集積回路の構造は、ＩＣ
の良否を電極６、あるいは突起電極７に非接触で検査す
ることを可能にした構造になっている。すなわち電極６
には、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４
と、電源電位と接地電位との中間の電位を出力するコン
トロールスイッチ５とを接続している。
の良否を電極６、あるいは突起電極７に非接触で検査す
ることを可能にした構造になっている。すなわち電極６
には、電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４
と、電源電位と接地電位との中間の電位を出力するコン
トロールスイッチ５とを接続している。
【０００７】電源電位線１と、接地電位線２と、中間電
位線８とは、それぞれＩＣに電源を供給するための電源
供給用電極（図示せず）に接続している。
位線８とは、それぞれＩＣに電源を供給するための電源
供給用電極（図示せず）に接続している。
【０００８】電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイ
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組合せに
制御することにより、ＩＣの検査を非接触で行なうこと
が出来る。この電極６、あるいは突起電極７に直接触針
することなしに、非接触で行う検査方法を以下に示す。
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組合せに
制御することにより、ＩＣの検査を非接触で行なうこと
が出来る。この電極６、あるいは突起電極７に直接触針
することなしに、非接触で行う検査方法を以下に示す。
【０００９】すなわち電源電位側スイッチ３とコントロ
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御する。このとき、電源電位線１を通
してＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。この電流を
ＩＣの機能からあらかじめ予測される期待値と比較する
ことにより、電源電位側スイッチ３と、コントロールス
イッチ５とが正しく導通状態に制御でき、なおかつ正常
な導通抵抗であることを確認できる。
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御する。このとき、電源電位線１を通
してＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。この電流を
ＩＣの機能からあらかじめ予測される期待値と比較する
ことにより、電源電位側スイッチ３と、コントロールス
イッチ５とが正しく導通状態に制御でき、なおかつ正常
な導通抵抗であることを確認できる。
【００１０】同様に接地電位側スイッチ４とコントロー
ルスイッチ５とを導通状態に、電源電位側スイッチ３を
不導通状態にすることにより、接地電位側スイッチ４の
正常動作を確認できる。
ルスイッチ５とを導通状態に、電源電位側スイッチ３を
不導通状態にすることにより、接地電位側スイッチ４の
正常動作を確認できる。
【００１１】一方、電源電位側スイッチ３と、接地電位
側スイッチ４とを不導通状態に、コントロールスイッチ
５を導通状態に制御する。このとき、中間電位線８を通
じてＩＣ外部に流れ出る電流を測定し、この電流をＩＣ
の機能からあらかじめ予測される期待値と比較するによ
り電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４が正
しく不導通状態に制御でき、なおかつ短絡不良が無いこ
とを確認できる。
側スイッチ４とを不導通状態に、コントロールスイッチ
５を導通状態に制御する。このとき、中間電位線８を通
じてＩＣ外部に流れ出る電流を測定し、この電流をＩＣ
の機能からあらかじめ予測される期待値と比較するによ
り電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイッチ４が正
しく不導通状態に制御でき、なおかつ短絡不良が無いこ
とを確認できる。
【００１２】同様に電源電位側スイッチ３と、接地電位
側スイッチ４とを導通状態に、コントロールスイッチ５
を不導通状態にすることにより、コントロールスイッチ
５の正常動作を確認できる。
側スイッチ４とを導通状態に、コントロールスイッチ５
を不導通状態にすることにより、コントロールスイッチ
５の正常動作を確認できる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図２を用いて説明した
半導体装置の構造では、ＩＣの良否を電極６、あるいは
この電極６上に形成する突起電極７に、直接触針するこ
となしに検査を行うこと可能にしている。
半導体装置の構造では、ＩＣの良否を電極６、あるいは
この電極６上に形成する突起電極７に、直接触針するこ
となしに検査を行うこと可能にしている。
【００１４】突起電極７は、ＩＣと、このＩＣを搭載す
る回路基板との電気的接続のために使用する。すなわ
ち、ＩＣ内部から発生した電気信号は、電極６から突起
電極７を経由して回路基板へ伝わる。
る回路基板との電気的接続のために使用する。すなわ
ち、ＩＣ内部から発生した電気信号は、電極６から突起
電極７を経由して回路基板へ伝わる。
【００１５】電極６はＩＣの製造工程の中で一貫して形
成できるが、突起電極７は完成したＩＣの電極６上に、
メッキ法、あるいは真空蒸着法で形成する。したがっ
て、電極６と突起電極７との電気的導通性の検査が必要
となる。図２に示す従来構造では、電極６と突起電極７
とは同電位にしかなりえず、電源電位側スイッチ３と、
接地電位側スイッチ４と、コントロールスイッチ５とを
介して電極６に流れ込む電流は、突起電極７に流れ込む
ことはない。
成できるが、突起電極７は完成したＩＣの電極６上に、
メッキ法、あるいは真空蒸着法で形成する。したがっ
て、電極６と突起電極７との電気的導通性の検査が必要
となる。図２に示す従来構造では、電極６と突起電極７
とは同電位にしかなりえず、電源電位側スイッチ３と、
接地電位側スイッチ４と、コントロールスイッチ５とを
介して電極６に流れ込む電流は、突起電極７に流れ込む
ことはない。
【００１６】この突起電極７に流れ込む電流を測定する
ためには、プローバ装置の検査用の針を突起電極７に触
針する以外に方法はない。したがって従来の半導体装置
の構造においては、電極６と突起電極７との電気的導通
性を非接触で検査することはできない。
ためには、プローバ装置の検査用の針を突起電極７に触
針する以外に方法はない。したがって従来の半導体装置
の構造においては、電極６と突起電極７との電気的導通
性を非接触で検査することはできない。
【００１７】本発明の目的は上記課題を解決して、電極
と突起電極との電気的導通性を非接触で測定可能な半導
体集積回路の構成と、測定方法とを提供することであ
る。
と突起電極との電気的導通性を非接触で測定可能な半導
体集積回路の構成と、測定方法とを提供することであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は下記記載の構成と測定方法とを採用する。
に本発明は下記記載の構成と測定方法とを採用する。
【００１９】本発明における半導体装置は、第１の分割
電極と、第２の分割電極と、この第１の分割電極と第２
の分割電極との上面に設ける突起電極と、第１の分割電
極に接続する電源電位側スイッチおよび接地電位側スイ
ッチと、第２の分割電極に接続するコントロールスイッ
チとを有する。
電極と、第２の分割電極と、この第１の分割電極と第２
の分割電極との上面に設ける突起電極と、第１の分割電
極に接続する電源電位側スイッチおよび接地電位側スイ
ッチと、第２の分割電極に接続するコントロールスイッ
チとを有する。
【００２０】本発明における半導体装置の測定方法は、
電源電位側スイッチと接地電位側スイッチとコントロー
ルスイッチとを制御して、電流を第１の分割電極から突
起電極を経由して第２の分割電極に流すことにより、こ
の突起電極と第１の分割電極と、突起電極と第２の分割
電極との電気的導通を測定する。
電源電位側スイッチと接地電位側スイッチとコントロー
ルスイッチとを制御して、電流を第１の分割電極から突
起電極を経由して第２の分割電極に流すことにより、こ
の突起電極と第１の分割電極と、突起電極と第２の分割
電極との電気的導通を測定する。
【００２１】
【実施例】以下本発明の実施例を図１に基づいて説明す
る。図１は本発明の半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
る。図１は本発明の半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
【００２２】電極を第１の分割電極１１ａと第２の分割
電極１１ｂとの２つに分割する。第１の分割電極１１ａ
には、電源電位側スイッチ３と接地電位側スイッチ４と
を接続し、第２の分割電極１１ｂには、コントロールス
イッチ５を接続する。
電極１１ｂとの２つに分割する。第１の分割電極１１ａ
には、電源電位側スイッチ３と接地電位側スイッチ４と
を接続し、第２の分割電極１１ｂには、コントロールス
イッチ５を接続する。
【００２３】第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に設ける保護膜１２は、突起電極７を形成す
る領域のみを除去する。さらに突起電極７は、第１の分
割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに跨ぐように形
成する。
１ｂとの上に設ける保護膜１２は、突起電極７を形成す
る領域のみを除去する。さらに突起電極７は、第１の分
割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに跨ぐように形
成する。
【００２４】第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとのあいだの距離は、充分に小さく形成している。
したがって、第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に形成する突起電極７の形成は、電極が第１
の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに分割され
ていない場合と同様な方法で形成することが可能で、容
易に形成することができる。
１ｂとのあいだの距離は、充分に小さく形成している。
したがって、第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとの上に形成する突起電極７の形成は、電極が第１
の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとに分割され
ていない場合と同様な方法で形成することが可能で、容
易に形成することができる。
【００２５】第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１
１ｂとは、半導体集積回路の製造工程の中で一貫して形
成する。第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂ
とを形成した段階では、空間的に離れており、電気的に
も切り離なされており、第１の分割電極１１ａと第２の
分割電極１１ｂとは、導通していない。
１ｂとは、半導体集積回路の製造工程の中で一貫して形
成する。第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂ
とを形成した段階では、空間的に離れており、電気的に
も切り離なされており、第１の分割電極１１ａと第２の
分割電極１１ｂとは、導通していない。
【００２６】突起電極７を第１の分割電極１１ａと第２
の分割電極１１ｂとに跨ぐように形成することにより、
第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとは、突
起電極７を介してして電気的導通が可能になる。
の分割電極１１ｂとに跨ぐように形成することにより、
第１の分割電極１１ａと第２の分割電極１１ｂとは、突
起電極７を介してして電気的導通が可能になる。
【００２７】電源電位側スイッチ３と、接地電位側スイ
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組合に制
御することによりＩＣの検査を非接触で行なうことが可
能となる。さらにＩＣの検査を電極や突起電極に非接触
で行うことが可能であることと同時に、第１の分割電極
１１ａと突起電極７との間、および第２の分割電極１１
ｂと突起電極７との間の電気的導通状態も非接触で検査
することができる。この検査方法を以下に記載する。
ッチ４と、コントロールスイッチ５とを適切な組合に制
御することによりＩＣの検査を非接触で行なうことが可
能となる。さらにＩＣの検査を電極や突起電極に非接触
で行うことが可能であることと同時に、第１の分割電極
１１ａと突起電極７との間、および第２の分割電極１１
ｂと突起電極７との間の電気的導通状態も非接触で検査
することができる。この検査方法を以下に記載する。
【００２８】すなわち電源電位側スイッチ３とコントロ
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御し、その時、電源電位線１を通して
ＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。電源電位線１を
通してＩＣに流れ込む電流は、電源電位側スイッチ３を
通り第１の分割電極１１ａに達し、必ず突起電極７を経
由して第２の分割電極１１ｂへ流れ、その後、コントロ
ールスイッチ５へ流入する。
ールスイッチ５とを導通状態に、接地電位側スイッチ４
を不導通状態に制御し、その時、電源電位線１を通して
ＩＣ外部から流れ込む電流を測定する。電源電位線１を
通してＩＣに流れ込む電流は、電源電位側スイッチ３を
通り第１の分割電極１１ａに達し、必ず突起電極７を経
由して第２の分割電極１１ｂへ流れ、その後、コントロ
ールスイッチ５へ流入する。
【００２９】この電流をＩＣの機能からあらかじめ予測
される期待値と比較することにより電源電位側スイッチ
３と、コントロールスイッチ５とが正しく導通状態に制
御でき、かつ正常な導通抵抗であることと、第１の分割
電極１１ａと突起電極７、第２の分割電極１１ｂと突起
電極７との電気的導通性が良好でであることを確認でき
る。
される期待値と比較することにより電源電位側スイッチ
３と、コントロールスイッチ５とが正しく導通状態に制
御でき、かつ正常な導通抵抗であることと、第１の分割
電極１１ａと突起電極７、第２の分割電極１１ｂと突起
電極７との電気的導通性が良好でであることを確認でき
る。
【００３０】図１の説明では、電極は２つに分割した実
施例で説明したが、この電極の分割数は３つ以上であっ
ても良い。すなわち、電極を３つに分割したときは、第
１の分割電極には電源電位側スイッチ３を、第２の分割
電極には接地電位側スイッチ４を、第３の分割電極には
コントロールスイッチ５をそれぞれ接続し、突起電極７
をこれらの第１から第３のすべての分割電極に跨ぐよう
に形成すれば良い。
施例で説明したが、この電極の分割数は３つ以上であっ
ても良い。すなわち、電極を３つに分割したときは、第
１の分割電極には電源電位側スイッチ３を、第２の分割
電極には接地電位側スイッチ４を、第３の分割電極には
コントロールスイッチ５をそれぞれ接続し、突起電極７
をこれらの第１から第３のすべての分割電極に跨ぐよう
に形成すれば良い。
【００３１】また各分割電極に接続する各スイッチの接
続組合せは任意であり、図１を用いて説明したように、
一方の分割電極に流れ込んだ電流が、必ず突起電極を経
由して他方の分割電極に流れ込むような電流経路が存在
すれば良い。
続組合せは任意であり、図１を用いて説明したように、
一方の分割電極に流れ込んだ電流が、必ず突起電極を経
由して他方の分割電極に流れ込むような電流経路が存在
すれば良い。
【００３２】これらのスイッチは検査専用に設けること
も可能であるが、半導体集積回路の機能を果たすため元
々存在したスイッチで代用することも可能である。
も可能であるが、半導体集積回路の機能を果たすため元
々存在したスイッチで代用することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明においては、検査用端子である電
極と、回路基板への接続のための役割を有する突起電極
との電気的導通性を非接触で検査することが可能とな
る。この結果、半導体集積回路の検査を大幅に簡素化す
ることが可能なる。さらに電極、あるいは突起電極に直
接触針することなく半導体集積回路の検査を行うことが
可能となる。したがって、電極、あるいは突起電極の占
有面積を大幅に縮小することが可能となり、半導体集積
回路装置のチップ面積を小さくすることができる。
極と、回路基板への接続のための役割を有する突起電極
との電気的導通性を非接触で検査することが可能とな
る。この結果、半導体集積回路の検査を大幅に簡素化す
ることが可能なる。さらに電極、あるいは突起電極に直
接触針することなく半導体集積回路の検査を行うことが
可能となる。したがって、電極、あるいは突起電極の占
有面積を大幅に縮小することが可能となり、半導体集積
回路装置のチップ面積を小さくすることができる。
【００３４】さらに、本発明の方法で分割電極と突起電
極とに電流を印加することにより、分割電極と突起電極
との界面に形成される絶縁性を有する酸化膜が破壊し、
分割電極と突起電極とあいだの導電性が回復し、導通性
不良品の救済が可能となる効果を有する。
極とに電流を印加することにより、分割電極と突起電極
との界面に形成される絶縁性を有する酸化膜が破壊し、
分割電極と突起電極とあいだの導電性が回復し、導通性
不良品の救済が可能となる効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置の構造と測定方法とを示す
断面図である。
断面図である。
【図２】従来技術の半導体装置の構造と測定方法とを示
す説明図である。
す説明図である。
１ 電源電位線 ２ 接地電位線 ３ 電源電位側スイッチ ４ 接地電位側スイッチ ５ コントロールスイッチ ６ 電極 ７ 突起電極 ８ 中間電位線 １１ａ 第１の分割電極 １１ｂ 第２の分割電極
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の分割電極と、第２の分割電極と、
該第１の分割電極と第２の分割電極との上面に設ける突
起電極と、前記第１の分割電極に接続する電源電位側ス
イッチおよび接地電位側スイッチと、前記第２の分割電
極に接続するコントロールスイッチとを有することを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 電源電位側スイッチと接地電位側スイッ
チとコントロールスイッチとを制御して、電流を第１の
分割電極から突起電極を経由して第２の分割電極に流す
ことにより、該突起電極と第１の分割電極と、前記突起
電極と第２の分割電極との電気的導通を測定することを
特徴とする半導体装置の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197443A JP2977959B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197443A JP2977959B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521556A JPH0521556A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2977959B2 true JP2977959B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16374595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3197443A Expired - Fee Related JP2977959B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置およびその測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2977959B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6487682B2 (en) | 1991-09-18 | 2002-11-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit |
| DE102010038453A1 (de) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Lötstellenkontrolle |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3197443A patent/JP2977959B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0521556A (ja) | 1993-01-29 |
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