TW201443449A

TW201443449A - 基板檢測裝置及基板檢測方法

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Publication number: TW201443449A
Application number: TW103113799A
Authority: TW
Inventors: Munehiro Yamashita
Original assignee: Nidec Read Corp
Priority date: 2013-04-26
Filing date: 2014-04-16
Publication date: 2014-11-16
Also published as: KR20160004263A; JP2014215239A; TWI510794B; CN110794290A; CN110794290B; KR102158640B1; CN105164542A; WO2014174852A1; JP6137536B2

Abstract

本發明提供一種在消除熱電動勢影響的同時，能高速檢測的基板檢測裝置。控制部及信號切換部經過測定物件的複數個電路圖形而形成電壓測定迴路。控制部在校正電壓測定工序，對測定物件的任一電路圖形都不供應電流的狀態下，由電壓測定部測定熱電動勢。控制部在電路圖形測定工序，對測定物件的任一電路圖形供應電流的狀態下，由電壓測定部測定電壓降。而且控制部在校正工序，將電路圖形測定工序中測定的電壓降使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢值來校正。並且控制部對測定物件的複數個電路圖形分別執行電路圖形測定工序及校正工序。

Description

基板檢測裝置及基板檢測方法

【0001】

本發明係一種在基板檢測裝置中用於消除熱電動勢的影響的構成。

【0002】

以往，知曉有檢測在電路基板上形成的複數個電路圖形的基板檢測裝置。例如，專利文獻1記載了這類基板檢測裝置。

【0003】

在第9圖中示意性地例示了現有的基板檢測裝置檢測電路基板11上形成的電路圖形12的狀態。在第9圖中例示的電路圖形12上形成有檢測點13、14。基板檢測裝置具有能接觸各檢測點13、14的複數個檢測用探針15。

【0004】

基板檢測裝置具有測定檢測點13、14之間電位差的電壓測定部19(電壓表)。而且，基板檢測裝置具有可對電路圖形12供應所定的電流的電流供應部17。

【0005】

如上構成的基板檢測裝置由電流供應部17對電路圖形12供應所定的電流i[A]，同時由電壓測定部19測定此時在檢測點13、14之間產生的電壓降。電路圖形12的檢測點13、14之間電阻為R[Ω]時，則其檢測點13、14之間產生的電壓降大小為iR[V]。

【0006】

基板檢測裝置基於對電路圖形12供應的電流i大小，和由電壓測定部19測定的電壓降iR大小，求得該電路圖形12的電阻R。基板檢測裝置將求得的電阻R值作為基礎，可以判斷電路圖形12是否正常。

【0007】

在這類基板檢測裝置，由於檢測用探針15和檢測點13或14相接觸，從而可能產生由塞貝克效應（seebeck effect）引起的熱電動勢。因此受到熱電動勢的影響，第9圖的電壓測定部19不能只單純地測定在檢測點13、14之間產生的電壓降iR。在此，賽貝克效應引起的熱電動勢對電壓測定部19的測定結果V[V]產生的影響為V 0 [V]時，其測定結果V可由數學式1表示如下。

【0008】

數學式1

【0009】

V=iR+V₀

【0010】

因此，為了正確地測定在電路圖形12產生的電壓降iR大小，優選地校正以從電壓測定部19的測定結果V消除熱電動勢V₀的影響。然而，一般來講，熱電動勢 V₀的大小是未知的。

【0011】

以往，認為熱電動勢V₀是誤差的範圍。因此，沒有特別採取消除熱電動勢 V₀影響的校正。

【0012】

可是，由於隨著近來製作工作的薄芯化或無芯化，電路基板11的厚度變薄，電路圖形12的電阻也變小。由此，最近的檢測裝置需要以良好的精密度能測定微小電阻，所以不能忽視熱電動勢V₀的影響。

【0013】

因此，近來有意採取校正來消除熱電動勢V₀的影響。為此，執行第9圖的測定後，改變對電路圖形12供應的電流大小，再測定一次。例如，如第10圖所示，對電路圖形12供應與第一次測定(第9圖)方向相反的電流-i[A]，由電壓測定部19測定電壓。此時由電壓測定部19測定電壓的測定結果(第二次測定結果)為V'時，則V'=-iR+V₀。在此，認定第一次測定(第9圖)和第二次測定(第10圖)的熱電動勢V₀大小不變時，求取第一次的測定結果V和第二次的測定結果V'的相差，由此可以抵消熱電動勢V₀的影響。即，V-V'=2iR。因此，根據R=(V-V')/2i，以良好的精密度可以求得電路圖形12的電阻R。另外，在以下的說明，對如上所述抵消熱電動勢V₀影響的方法，簡稱為“現有檢測方法”。

【0014】

現有檢測方法，為了消除熱電動勢V₀的影響，對1個電路圖形至少需要2次的測定。由此，相比於不校正熱電動勢影響的情況，以單純的計算需要2倍的檢測時間。

【0015】

如此，在現有的基板檢測裝置，執行消除熱電動勢V₀影響的校正時，具有電路基板的檢測時間變長的問題。

【0016】

現有技術文獻

【0017】

專利文獻

【0018】

日本專利公開第2009-139182號公報

【0019】

本發明是鑒於以上情況而完成，其目的是提供一種在消除熱電動勢影響的同時，能高速檢測的基板檢測裝置。

【0020】

本發明要解決的課題同上，接著對解決該課題的方案及其效果進行說明。

【0021】

根據本發明的觀點，提供一種用於檢測電路基板上形成的電路圖形的基板檢測裝置。即，該基板檢測裝置具備電壓測定迴路形成部、電壓測定部、電流供應部和控制部。電壓測定迴路形成部是經過測定物件的電路圖形而形成電壓測定迴路。電壓測定部配置在所述電壓測定迴路上。電流供應部能對測定物件的電路圖形供應電流。控制部能執行校正電壓測定工序、電路圖形測定工序和校正工序。校正電壓測定工序是對測定物件的電路圖形不供應電流的狀態下，由電壓測定部測定電壓。電路圖形測定工序是對測定物件的電路圖形供應電流的狀態下，由電壓測定部測定電壓。校正工序是將所述電路圖形測定工序中測定的電壓由校正電壓測定工序中測定的電壓來校正。

【0022】

根據上述的校正電壓測定工序，可以測定在電壓測定迴路產生的熱電動勢的影響。因此，使用校正電壓測定工序中的測定值，可以執行消除熱電動勢影響的校正。在校正電壓測定工序中，由於對電路圖形不流入電流，因此沒有浪湧電流，可以立即測定電壓。由此，校正電壓測定工序相比於測定電路圖形的電壓降，能高速完成。所以，相比於為了消除熱電動勢的影響而測定2次電路圖形的電壓降的現有檢測方法，可以縮短測定所需的時間。

【0023】

基板檢測裝置構成如下較好。即，電壓測定迴路形成部是經過測定物件的複數個電路圖形而形成電壓測定迴路。而且，控制部是對測定物件的複數個電路圖形分別執行電路圖形測定工序及所述校正工序。

【0024】

如此，由於經過測定物件的複數個電路圖形形成電壓測定迴路，所以由1個電壓測定迴路可以測定複數個電路圖形。熱電動勢的影響測定1次即可，且測定物件的各電路圖形也測定1次即可。因此，相比於為了消除熱電動勢的影響而對各電路圖形需要測定2次的現有檢測方法，減少測定次數，可以縮短測定所需的時間。

【0025】

在基板檢測裝置，電壓測定迴路形成部是經過測定物件的3個以上的電路圖形而形成電壓測定迴路較好。

【0026】

如此，可以經過多數的電路圖形而形成電壓測定迴路。由此，透過1個電壓測定迴路能測定的電路圖形個數增加，所以能提高縮短測定所需時間的效果。

【0027】

在基板檢測裝置，電壓測定迴路包含偶數個導通電路基板兩面的電路圖形較好。

【0028】

由此，不需要用於連接基板的表面和背面的配線，而可以閉合電壓測定迴路。據此，能使電壓測定迴路的面積變小，很難受到干擾(noise)的影響，可以提高測定精度。

【0029】

根據本發明的另一觀點，提供一種用於檢測電路基板上形成的電路圖形的基板檢測方法。即，基板檢測方法包含電壓測定迴路形成工序、校正電壓測定工序、電路圖形測定工序和校正工序。電壓測定迴路形成工序是經過測定物件的電路圖形而形成電壓測定迴路。校正電壓測定工序是對測定物件的電路圖形不供應電流的狀態下，由配置在電壓測定迴路的電壓測定部測定電壓。電路圖形測定工序是對測定物件的電路圖形供應電流的狀態下，由電壓測定部測定電壓。校正工序是將電路圖形測定工序中測定的電壓由校正電壓測定工序中測定的電壓來校正。

10．．．基板檢測裝置

11．．．電路基板

12．．．電路圖形

13、14．．．檢測點

15．．．探針

17．．．電流供應部

18．．．電流測定部

19．．．電壓測定部

20．．．基板載置台

21．．．第一檢測部

22．．．第二檢測部

23．．．檢測夾具

24．．．保持體

25．．．夾具移動機構

26．．．信號切換部(電壓測定迴路形成部)

27．．．控制部(電壓測定迴路形成部)

29．．．電壓測定迴路

30．．．殼體

31．．．匯流排

41、42．．．第一及第二電路圖形

43．．．檢測點

44．．．檢測點

45．．．檢測點

46．．．檢測點

51．．．第一電路圖形

52．．．第二電路圖形

53．．．第三電路圖形

54．．．第四電路圖形

55．．．第五電路圖形

59．．．電壓測定迴路

60．．．配線

【0030】

第1圖是根據本發明一實施形態的基板檢測裝置的整體構成正面圖。

【0031】

第2圖是第一實施形態的校正電壓測定工序的示意圖。

【0032】

第3圖是電壓測定迴路的說明圖。

【0033】

第4圖是第一電路圖形測定工序的示意圖。

【0034】

第5圖是第二電路圖形測定工序的示意圖。

【0035】

第6圖是第二實施形態的示意圖。

【0036】

第7圖是第二實施形態的電壓測定迴路的說明圖。

【0037】

第8圖是示出變形例的圖。

【0038】

第9圖是現有基板檢測方法的說明圖。

【0039】

第10圖是現有基板檢測方法的說明圖。

【0040】

以下，結合附圖對本發明的第一實施形態進行說明。第1圖示出了根據該第一實施形態的基板檢測裝置10的概略正面圖。

【0041】

如第1圖所示，基板檢測裝置10具有殼體30。在殼體30的內部空間設置有用於載置檢測物件電路基板的基板載置台20、第一檢測部21和第二檢測部22。

【0042】

基板載置台20，其構成為能載置檢測物件的電路基板11。第一檢測部21位於載置在基板載置台20的電路基板11的上部。第二檢測部22位於載置在基板載置台20的電路基板11的下部。第一及第二檢測部21、22分別包含具有複數個探針(接觸端子)15的檢測夾具23和用於保持檢測夾具23的保持體24。

【0043】

另外，基板檢測裝置10具有夾具移動機構25。夾具移動機構25在殼體30的內部空間，其構成為能使第一檢測部21及第二檢測部22適當地移動。

【0044】

如上構成的基板檢測裝置10使第一及第二檢測部21、22相對於載置在基板載置台20的電路基板11移動，由此探針15可以接觸該電路基板11具有的電路圖形上形成的檢測點。

【0045】

第2圖示意性示出了探針15接觸檢測點的狀態。在第2圖例示的電路基板11上形成有第一電路圖形41 及第二電路圖形42。另外，這是為了圖示而簡化的附圖，實際情況的電路基板上可能形成有數十至數千的電路圖形。

【0046】

在第2圖例示的電路圖形41、42是相互絕緣的。而且，在第2圖例示的各個電路圖形41、42是分別導通電路基板11的上面(第一面)和下面(第二面)而形成。第一及第二電路圖形41、42上分別至少形成2個能接觸探針15的檢測點。例如，在第2圖例示的第一電路圖形41是在電路基板11的上面側具有檢測點43，在下面側具有檢測點44。而且，在第2圖例示的第二電路圖形42是在電路基板11的上面側具有檢測點45，在下面側具有檢測點46。另外，第2圖是簡化的，實際情況的電路基板可能具有數百至數千的檢測點。

【0047】

探針15是具有導電性的針形或線形部件。如第2圖所示，第一檢測部21所具備的複數個探針15被設置為能接觸在檢測物件電路基板11的上面(第一面)形成的檢測點43、45、… 。同理，第二檢測部22所具備的複數個探針15被設置為能接觸在檢測物件電路基板11的下面(第二面)形成的檢測點44、46、… 。另外，第2圖示出了第一及第二檢測部21、22分別具有4個探針的狀態，但這是簡化的，實際情況的裝置可能具有數百至數千個探針15。

【0048】

第一及第二檢測部21、22，其構成為對各個檢測點可以接觸2個探針15。這是因為本實施形態的基板檢測裝置10的構成是以四端子法測定檢測點之間的電阻。即，在各檢測點接觸的2個探針15中，一個是電流供應用探針，另一個是電壓測定用探針。

【0049】

如第1圖所示，上下的第一及第二檢測部21、22分別在保持體24內具有電流供應部17、電流測定部18及電壓測定部19。而且，在上下的第一及第二檢測部21、22的保持體24內設置有信號切換部26。基板檢測裝置10具備能控制信號切換部26的控制部27。該控制部27是以CPU、ROM、RAM等組成的電腦構成。控制部27保持在電路基板11上形成的電路圖形等相關的資料。

【0050】

電流供應部17，其構成為能供應所定的電流(本實施形態中是直流電流)。如第2圖等所示，信號切換部26是在各電流測定用探針15具有能切換電流測定用探針15和電流供應部17的正極側端子之間的連接/非連接狀態的開關。另外，在第2圖等，為了便於說明，適當地省略了不必要的開關及配線的圖示。

【0051】

電流測定部18，其構成為能測定流動的電流。如第2圖等所示，信號切換部26是在各電流測定用探針15具有能切換電流測定用探針15和電流測定部18的正極側端子之間的連接/非連接狀態的開關。另外，在第2圖等，為了便於說明，適當地省略了不必要的開關及配線的圖示。而且，電流測定部18的負極側端子接地。

【0052】

控制部27適當地控制信號切換部26的開關，由此可將電流測定用的各探針15切換成連接於電流供應部17的狀態、連接於電流測定部18的狀態、或非連接於電流供應部17和電流測定部18中任一側的狀態中的任何一個狀態。

【0053】

例如，如第4圖所示，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將接觸於第一電路圖形41的檢測點43的電流測定用探針15連接電流供應部17。而且此時，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將接觸於第一電路圖形41的另一檢測點44的電流測定用探針15連接電流測定部18。而且此時，控制部27將以外的電流測定用探針15置於不連接於電流供應部17且不連接於電流測定部18的狀態。由此，將所定的電流由電流供應部17供應給第一電路圖形41的檢測點43、44之間，此時可由電流測定部18測定流動電流的大小。

【0054】

同理，例如，如第5圖所示，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將接觸於第二電路圖形42的檢測點45的電流測定用探針15連接電流供應部17。而且此時，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將接觸於第二電路圖形42的另一檢測點46的電流測定用探針15連接電流測定部18。而且此時，控制部27將以外的電流測定用探針15置於不連接於電流供應部17且不連接於電流測定部18的狀態。由此，將所定的電流由電流供應部17供應給第二電路圖形42的檢測點45、46之間，此時可由電流測定部18測定流動電流的大小。

【0055】

如上所述，控制部27適當地控制信號切換部26，由此對電路基板11具備的任一電路圖形供應電流，此時可以測定在該電路圖形流動電流的大小。

【0056】

電壓測定部19，其構成為能測定電壓。如第2圖等所示，信號切換部26是在各電壓測定用探針15具有能切換電壓測定用探針15和電壓測定部19的正極側端子之間的連接/非連接狀態的開關。而且，如第2圖等所示，信號切換部26是在各電壓測定用探針15具有能切換電壓測定用探針15和電壓測定部19的負極側端子之間的連接/非連接狀態的開關。另外，在第2圖等，為了便於說明，適當地省略了不必要的開關及配線的圖示。

【0057】

而且，如第2圖等所示，信號切換部26具有將電壓測定用探針15之間形成短路的相互連接匯流排31。而且信號切換部26是在各電壓測定用探針15具有能切換所述相互連接匯流排31和電壓測定用探針15之間的連接/非連接狀態的開關。另外，在第2圖等，為了便於說明，適當地省略了不必要的開關及相互連接匯流排31的圖示。

【0058】

控制部27適當地控制信號切換部26的開關，由此可以形成經過複數個電路圖形的電壓測定迴路。

【0059】

例如，在第2圖的例，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將連接於第一電路圖形41的檢測點43的電壓測定用探針15連接電壓測定部19的正極側端子。而且此時，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將連接於第二電路圖形42的檢測點45的電壓測定用探針15連接電壓測定部19的負極側端子。而且此時，控制部27適當地控制信號切換部26，由此將連接於第一電路圖形41的檢測點44的電壓測定用探針15和連接於第二電路圖形42的檢測點46的電壓測定用探針15由相互連接匯流排31連接。因此，在第2圖的例中形成經過第一電路圖形41及第二電路圖形42的電壓測定迴路。

【0060】

為了清楚地表明電壓測定迴路，將第2圖的電路更示意性地顯示在第3圖。如第3圖所示，電壓測定迴路29是以閉合的環形形成的電路，在其途中串聯插入電壓測定部19。在第2圖及第3圖例示的電壓測定迴路29是經過第一電路圖形41及第二電路圖形42而形成。

【0061】

根據如上構成，控制部27適當地控制信號切換部26，由此可以經過電路基板11所具備的任意電路圖形而形成電壓測定迴路29。因此，本實施形態的控制部27和信號切換部26可以稱為電壓測定迴路形成部。

【0062】

接著，結合附圖第2圖至附圖第5圖，對使用本實施形態的基板檢測裝置10的基板檢測方法進行說明。

【0063】

首先，控制部27適當地控制信號切換部26，由此經過測定物件的複數個電路圖形而形成電壓測定迴路(電壓測定迴路形成工序)。該狀態例示在第2圖。第2圖為例，在電路基板11形成的第一電路圖形41及第二電路圖形42為測定物件。在第2圖的情況，控制部27是經過測定物件的第一電路圖形41及第二電路圖形42而形成電壓測定迴路29(參照第3圖)。

【0064】

接著，控制部27適當地控制信號切換部26，由此使連接於測定物件的電路圖形的檢測點的任何一個探針15都處於非連接電流供應部17的狀態(第2圖的狀態)。因此成為對測定物件的任何第一及第二電路圖形41、42都不供應電流的狀態。

【0065】

在此狀態下，控制部27是由電壓測定部19測定電壓(校正電壓測定工序)。由此，可以測定在電壓測定迴路29產生的熱電動勢對電壓測定部19的測定結果產生的影響大小V₀(以下，簡稱為“熱電動勢V₀”)。此時，控制部27存儲測定的熱電動勢V₀值。

【0066】

接著，控制部27對測定物件的電路圖形供應電流，將此時流動的電流大小由電流測定部18測定，同時將此時產生的電位差(電壓降)由電壓測定部19測定(第一及第二電路圖形測定工序)。控制部27對測定物件的電路圖形41、42分別執行電路圖形測定工序。

【0067】

例如，控制部27適當地控制信號切換部26，如第4圖所示，對測定物件第一電路圖形41的2個檢測點43、44之間供應電流。並且控制部27是由電流測定部18檢測此時流動電流的大小。此時根據電流測定部18的電流測定結果為i₁。第一電路圖形41的2個檢測點43、44之間的電阻為R₁時，檢測點43、44之間會產生電壓降(i₁R₁)。控制部27是由電壓測定部19測定檢測點43、44之間產生的電壓降。此時根據電壓測定部19的電壓降測定結果為V₁。為了便於說明，以上的測定稱為“第一電路圖形測定工序”。

【0068】

而且，在電路圖形測定工序中，電壓測定迴路形成部（控制部27及信號切換部26）構成為使連接有電壓測定用探針15的開關狀態從校正電壓測定工序的狀態不改變。因此，並指出在所述第一電路圖形測定工序中的電壓測定迴路29的構成(第4圖)是從校正電壓測定工序中測定熱電動勢 V₀時的狀態(第2圖及第3圖的狀態)沒有改變。即，第2圖及第3圖的電壓測定迴路29是經過測定物件的第一電路圖形41而構成。由此，配置在該電壓測定迴路29中的電壓測定部19是在原來的狀態下可以測定第一電路圖形41。

【0069】

同理，控制部27適當地控制信號切換部26，如第5圖所示，對另一個測定物件第二電路圖形42的2個檢測點45、46之間供應電流。並且控制部27是由電流測定部18檢測此時流動電流的大小。此時根據電流測定部18的電流測定結果為i₂。第二電路圖形42的2個檢測點45、46之間的電阻為R₂時，檢測點45、46之間會產生電壓降(i₂R₂)。控制部27是由電壓測定部19測定檢測點45、46之間產生的電壓降。此時根據電壓測定部19的電壓降測定結果為V₂。為了便於說明，以上的測定稱為“第二電路圖形測定工序”。

【0070】

而且，並指出在所述第二電路圖形測定工序(第5圖)中的電壓測定迴路29的構成是從校正電壓測定工序中測定熱電動勢 V₀時的狀態(第2圖及第3圖的狀態)沒有改變。即，第2圖及第3圖的電壓測定迴路29是經過測定物件的第二電路圖形42而構成。由此，配置在該電壓測定迴路29中的電壓測定部19是在原來的狀態下可以測定第二電路圖形42。

【0071】

可是，在電壓測定迴路29可能產生塞貝克效應引起的熱電動勢，所以第一電路圖形測定工序中的電壓降測定結果V₁及第二電路圖形測定工序中的電壓降測定結果V₂分別包含熱電動勢的影響。但，如前所述，在第一電路圖形測定工序(第4圖)中，亦在第二電路圖形測定工序(第5圖)中，電壓測定迴路29的構成是自從校正電壓測定工序(第2圖及第3圖)時開始沒有變化。所以，可以視為在該電壓測定迴路29產生的熱電動勢是透過校正電壓測定工序、第一電路圖形測定工序及第二電路圖形測定工序不產生變化。

【0072】

即，在第一電路圖形測定工序中電壓測定部19的測定結果V₁使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀可以如數學式2表示如下：

【0073】

數學式2

【0074】

V₁=i₁R₁+V₀

【0075】

同理，在第二電路圖形測定工序中電壓測定部19的測定結果V₂使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀可以如數學式3表示如下：

【0076】

數學式3

【0077】

V₂=i₂R₂+V₀

【0078】

因此，控制部27是使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀值分別校正第一電路圖形測定工序中電壓測定部19的測定結果V₁和第二電路圖形測定工序中電壓測定部19的測定結果V₂(校正工序)。

【0079】

更具體的，控制部27是從第一電路圖形測定工序中的電壓測定部19的測定結果 V₁減去校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀，由此抵消熱電動勢的影響（參照數學式4）。

【0080】

數學式4

【0081】

V₁-V₀=i₁R₁

【0082】

由此，控制部27可以正確地獲得在第一電路圖形41產生的電壓降大小(i₁R₁)。

【0083】

同理，控制部27是從第二電路圖形測定工序中的電壓測定部19的測定結果 V₂減去校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V0，由此抵消熱電動勢的影響（參照數學式5）。

【0084】

數學式5

【0085】

V₂-V₀=i₂R₂

【0086】

由此，控制部27可以正確地獲得在第二電路圖形42產生的電壓降大小(i₂R₂)。

【0087】

如上所述，根據使用本實施形態的基板檢測裝置10的基板檢測方法，可以消除熱電動勢的影響，從而正確地測定在第一及第二電路圖形41、42產生的電壓降。

【0088】

然而，在現有檢測方法，為了消除熱電動勢的影響，對各電路圖形需要測定2次電壓。所以，在現有檢測方法，為了測定2個第一及第二電路圖形41、42，總共需要測定4次電壓。

【0089】

對此，根據本實施形態的基板檢測方法，用於測定2個第一及第二電路圖形41、42所需要的電壓測定次數是總共3次(校正電壓測定工序、第一電路圖形測定工序及第二電路圖形測定工序)就可。如此，根據本實施形態的檢測方法，將測定次數可從現有的4次減少成3次。所以，相比於現有的，以單純的計算可以提高約1.33倍的測定速度。

【0090】

另外，由於校正電壓測定工序只需測定熱電動勢V₀，相比於電路圖形測定工序能以高速完成。即，在校正電壓測定工序，對任何電路圖形都不流入電流，所以沒有浪湧電流，可以立即測定電壓。因此，在該校正電壓測定工序中的電壓測定相比於對電路圖形供應電流執行1次的電壓測定更能高速化。如此，能使該校正電壓測定工序高速化，本實施形態的基板檢測方法比現有檢測方法的1.33倍更能高速化。

【0091】

如上所述，本實施形態的電壓測定迴路形成部（控制部27及信號切換部26）是經過測定物件的複數個第一及第二電路圖形41、42而形成電壓測定迴路29。控制部27是在校正電壓測定工序，對測定物件的任何一個第一及第二電路圖形41、42都不供應電流的狀態下，由電壓測定部19測定熱電動勢 V₀。控制部27是在電路圖形測定工序，對測定物件的任何一個第一及第二電路圖形41、42供應電流的狀態下，由電壓測定部19測定電壓降。而且，控制部27是在校正工序，將電路圖形測定工序中測定的電壓降使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀值來校正。

【0092】

根據上述的校正電壓測定工序，可以測定在電壓測定迴路29產生的熱電動勢V₀。因此，使用在校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀值，可以執行消除其熱電動勢V₀影響的校正。在校正電壓測定工序，因對任何電路圖形41、42都不流入電流，沒有浪湧電流，可以立即測定電壓。由此，校正電壓測定工序相比於測定電路圖形的電壓降，能高速完成。所以，相比於現有檢測方法，可以縮短測定所需的時間。

【0093】

而且，本實施形態的控制部27對測定物件的複數個第一及第二電路圖形41、42分別執行電路圖形測定工序及校正工序。

【0094】

即，在本實施形態，因為經過測定物件的複數個第一及第二電路圖形41、42而形成電壓測定迴路29，因此由1個電壓測定迴路29可以測定複數個第一及第二電路圖形41、42。熱電動勢 V₀測定1次即可，且測定物件的各電路圖形也測定1次即可。所以，相比於為了消除熱電動勢的影響對各電路圖形測定2次的現有檢測方法，減小測定次數，可以縮短測定所需的時間。

【0095】

以下，說明本發明的第二實施形態。而且，在第二實施形態的說明，對與上述的實施形態相同或類似的部件在附圖使用相同的符號，並省略其說明。

【0096】

在上述的第一實施形態，電壓測定迴路形成部（控制部27及信號切換部26）是經過測定物件的2個第一及第二電路圖形41、42而形成電壓測定迴路29。然而，電壓測定迴路29包含的電路圖形個數並不限定於2個，也可以為3個以上。

【0097】

例如，如第6圖所示，在第二實施形態示出了電壓測定迴路形成部（控制部27及信號切換部26）是經過測定物件的5個電路圖形（第一電路圖形51、第二電路圖形52、第三電路圖形53、第四電路圖形54及第五電路圖形55）而形成電壓測定迴路。

【0098】

為了更清楚地示出第二實施形態的電壓測定迴路，將第6圖的電路更示意性地顯示在第7圖。與第一實施形態一樣，第二實施形態的電壓測定迴路59也是以閉合的環形形成，在其途中串聯插入電壓測定部19。

【0099】

如此，經過測定物件的5個第一至第五電路圖形51、52、53、54、55形成電壓測定迴路59時，由1個電壓測定迴路59可以測定5個第一至第五電路圖形51、52、53、54、55。因此，在此情況，控制部27是對任何一個第一至第五電路圖形51、52、53、54、55都不供應電流的狀態下測定熱電動勢V₀(校正電壓測定工序)，並分別對5個第一至第五電路圖形51、52、53、54、55執行電壓降的測定(電路圖形測定工序)，將各個測定結果以校正電壓測定工序中測定的熱電動勢V₀進行校正(校正工序)。所以，利用在第6圖及第7圖顯示的第二實施形態的電壓測定迴路59執行測定時，控制部27執行1次校正電壓測定工序和5次電路圖形測定工序，總共6次的電壓測定。

【0100】

對此，在現有檢測方法，對5個第一至第五電路圖形51、52、53、54、55分別需要測定2次電壓，總共需要10次測定。如此，根據第6圖及第7圖所示的第二實施形態，將測定次數可以從現有檢測方法的10次減到6次，相比於現有檢測方法，以單純的計算可以提高約1.66倍的測定速度。所以，該第二實施形態比第一實施形態(1.33倍)更具有提高測定速度的效果。

【0101】

如此，根據本發明的基板檢測方法，電壓測定迴路包含測定物件的電路圖形個數越多，更能提高測定速度的效果。在電壓測定迴路包含的電路圖形個數並無限制，控制部27及信號切換部26是可以經過能對應的任意個數的電路圖形而形成電壓測定迴路。例如，可以經過100個電路圖形而形成電壓測定迴路。

【0102】

如上所述，在第二實施形態的電壓測定迴路59包含測定物件的3個以上的電路圖形(具體是5個)。

【0103】

如此，可以經過多數個電路圖形而形成電壓測定迴路59。由此，由1個電壓測定迴路59能測定的電路圖形個數增多，更能提高縮短測定所需時間的效果。

【0104】

以上是說明本發明的較佳實施形態，但所述構成，例如可以變更如下。

【0105】

在以上的實施形態中，電壓測定迴路形成部是經過複數個電路圖形而形成電壓測定迴路。因此，由1個電壓測定迴路可以測定複數個電路圖形，相比於現有檢測方法可以減少電壓測定次數。但並不限定於此，電壓測定迴路形成部可以只經過測定物件的1個電路圖形而形成電壓測定迴路。在此情況，在該電壓測定迴路只能測定1個電路圖形，所以需要校正電壓測定工序和電路圖形測定工序各1次，總共2次的測定，在測定次數方面與現有檢測方法相同。但是，如上所述，在校正電壓測定工序中的電壓測定相比於測定電路圖形的電壓降，能高速完成。所以，電壓測定迴路只經過測定物件的1個電路圖形時，也相比於現有檢測方法可以獲得縮短測定時間的效果。

【0106】

在第一實施形態中，形成電壓測定迴路29的任一個第一及第二電路圖形41、42都導通電路基板11的上面和下面，但並不限定於此。例如，如第6圖及第7圖所示，在第二實施形態中，經過形成在電路基板11上面的第三電路圖形53而形成電壓測定迴路59。如此，可以經過沒有導通電路基板上下面的電路圖形而形成電壓測定迴路。

【0107】

然而，在電壓測定迴路包含偶數個導通電路基板11兩面的電路圖形較好。

【0108】

為了說明這個，在第8圖例示，在電壓測定迴路只包含奇數個導通電路基板11兩面的電路圖形的情況。即，在第8圖的例，經過第一電路圖形51、第二電路圖形52、第三電路圖形53及第四電路圖形54而形成電壓測定迴路。在這4個電路圖形中，導通電路基板11兩面的是第一電路圖形51、第二電路圖形52及第四電路圖形54三個(奇數)。

【0109】

如此，在電壓測定迴路只包含奇數個導通電路基板11兩面的電路圖形時，亦可以適用本發明。但在此情況，為了閉合電壓測定迴路，另外需要連接第一檢測部21側和第二檢測部22側的配線60(參照第8圖)。因此，電壓測定迴路的面積變大，容易受到干擾的影響。

【0110】

關於這一點，如第一實施形態(第2圖)或第二實施形態(第6圖)，在電壓測定迴路包含偶數個導通電路基板11兩面的電路圖形時，不需要如上的配線60即可閉合電壓測定迴路。由此，電壓測定迴路的面積變小，很難受到干擾的影響，可以提高測定精度。

【0111】

另外，在電壓測定迴路亦可以完全不包含導通電路基板11兩面的電路圖形。例如，電壓測定迴路亦可只經過形成在電路基板11上面(第一面)的電路圖形（例如，與第6圖的第三電路圖形53一樣）而形成。而且，在此情況，由於只測定電路基板11的上面側，因此可以省略第二檢測部22。另外，例如，在電壓測定迴路亦可只經過形成在電路基板11下面(第二面)的電路圖形而形成。而且，在此情況，由於只測定電路基板11的下面側，因此可以省略第一檢測部21。

【0112】

在上述實施形態中，對電壓測定迴路包含的所有電路圖形測定電壓降。但並不限定於此，可以對電壓測定迴路包含的幾個電路圖形不測定電壓降。即，可以經過非測定物件的電路圖形而形成電壓測定迴路。例如，在第6圖的情況，可以只測定第一電路圖形51和第二電路圖形52的電壓降，而並不測定剩下的第三至第五電路圖形53、54、55的電壓降（即，第三至第五電路圖形53、54、55不是測定物件）。為了獲得本發明的效果，電壓測定迴路至少包含測定物件的1個電路圖形即可。

【0113】

執行校正電壓測定工序、電路圖形測定工序及校正工序的順序是除了在校正工序前，有必要完成校正電壓測定工序及電路圖形測定工序以外，沒有特別的限定。例如，執行電路圖形測定工序後，執行校正電壓測定工序也無妨。另外，在第一實施形態的說明中，將測定物件的所有第一及第二電路圖形41、42的測定結束後，再將各測定結果校正，但並不限定於此，例如，每當各電路圖形的測定結束後，也可以將其測定結果依序校正。