CN102084510B - 辐射检测器和辐射检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供辐射检测器和辐射检测方法。该辐射检测器是具有高检测灵敏度的辐射检测器。本发明的辐射检测器，包括：Al₂O₃基板；叠层在Al₂O₃基板上、CoO₂面相对于Al₂O₃基板表面倾斜地排列的Ca_xCoO₂薄膜(0.15＜x＜0.55)；配置在Ca_xCoO₂薄膜上的第一电极；和位于上述Ca_xCoO₂薄膜上的第二电极，该第二电极在上述CoO₂面倾斜排列的方向上，配置在与第一电极相对的位置上，其中，上述Al₂O₃基板的表面为n面或S面。

Description

辐射检测器和辐射检测方法

技术领域

本发明涉及利用各向异性热电效应的辐射检测器和使用该辐射检测器的辐射检测方法。

背景技术

当热电转换材料的两端产生温度差时，与该温度差成比例地产生电动势(热电动势)。在热电转换材料中，热能转换为电能的现象，作为塞贝克效应被公知。所产生的电动势V能够用温度差ΔT和材料固有的塞贝克系数S以V＝SΔT来表示。

在表现各向同性的物性的热电转换材料中，基于塞贝克效应产生的电动势，仅在产生温度差的方向上产生。另一方面，在电传导特性上表现各向异性的热电转换材料，由于结晶轴的倾斜配置，而在与产生温度差的方向正交的方向上产生电动势。另外，电传导特性是指具有电荷的电子或空穴在物质中移动的行为。这样，将由于材料的结晶轴的倾斜配置而在与产生温度差的方向(热流方向)不同的方向上产生电动势的现象，称为各向异性热电效应或非对角热电效应。

图11为用于说明各向异性热电效应的坐标系的图。如图11所示，试料101的结晶轴abc相对于空间轴xyz倾斜。在试料101中，如果在z轴方向上提供温度差ΔT₂，则在沿着与z轴正交的方向即x轴的方向上产生电动势V_x。电动势V_x可用式(1)表示。

$V_x=\frac{1}{2d}\mathrm{\Δ}{T}_z\·\mathrm{\ΔS}\·\sin 2\mathrm{\α}---\left(1\right)$

其中，l表示试料101的宽度，d表示试料101的厚度，α表示ab面相对于试料101的表面(xy面)的倾斜角度，ΔS表示c轴方向的塞贝克系数S_c与ab面内方向的塞贝克系数S_ab之差(由于各向异性导致的差)。

以往，作为利用各向异性热电效应的辐射检测器，提出有使用YBa₂Cu₃O_7-d(以下称为YBCO)的倾斜叠层薄膜的辐射检测器(例如参照专利文献1)。倾斜叠层薄膜为叠层在基板上的薄膜，具有结晶轴相对于基板表面倾斜、多个倾斜的层叠层形成的层状构造。YBCO薄膜包括由具有电传导性的CuO₂层和具有绝缘性的Y层和BaO层沿着c轴方向交替叠层而成的各向异性的结晶构造。将该YBCO薄膜以c轴相对于基板表面倾斜的方式叠层(倾斜叠层)在适当的基板表面上时，与图11所示的系统相同的系统成立。CuO₂面与图11中的ab面相对应。如果电磁波入射到该倾斜叠层的YBCO薄膜的表面上，则在与YBCO薄膜的表面垂直的方向上产生温度差。其结果是，由于各向异性热电效应，在与YBCO薄膜的表面平行的方向上产生电动势。通过读取该电动势，能够检测入射到YBCO薄膜的表面上的电磁波。使用该YBCO薄膜的辐射检测器中，能够以约100mV/K的灵敏度检测电磁波。

根据公式(1)，基于各向异性热电效应所产生的电动势V_x，与塞贝克系数的各向异性带来的差ΔS、试料的纵横比(aspect ratio)l/d和倾斜角度α的2倍的角度的正弦值sin2α成比例。YBCO薄膜的ΔS小于10μV/K、CuO₂面的倾斜角度α保持为单一角度时的上限被限制为10～20°(例如，参照非专利文献1、非专利文献2)。因此，使用YBCO薄膜的辐射检测器为了实用化，而灵敏度并不足够。为了提高使用倾斜叠层薄膜的辐射检测器的灵敏度，有使用ΔS更大的材料、使薄膜的倾斜角度α尽量靠近45度等方法。倾斜叠层薄膜的倾斜角度α的范围，依赖于薄膜材料与叠层有该薄膜材料的基板材料的组合，因此优选选择适当的基板材料，使得能够大范围地控制倾斜角度α至45°附近。

在专利文献1中，公开了使用部分掺杂了Pr的YBCO薄膜的辐射检测器。根据专利文献1，该辐射检测器与使用没有掺杂的YBCO薄膜的辐射检测器相比，具有约20倍的灵敏度。其理由被认为是通过进行Pr掺杂而使YBCO薄膜的塞贝克系数增加。但是，在非专利文献3中记载了通过进行Pr掺杂，虽然YBCO薄膜中的ab面内方向的塞贝克系数增加，但是ΔS变小的情况。此外，在非专利文献3中记载了专利文献1的辐射检测器所使用的YBCO薄膜的Pr掺杂范围中ΔS变小的情况。非专利文献3中还记载有使用与专利文献1中所使用的波长248nm的光不同的波长(308nm)的光，测定对于进行了Pr掺杂的YBCO薄膜的光照射的响应的结果。根据该结果，就基于各向异性热电效应产生的电动势而言，与没有掺杂的YBCO薄膜相比，进行了Pr掺杂的YBCO薄膜的更小。如专利文献1所记载，使用进行了Pr掺杂的YBCO薄膜的辐射检测器的灵敏度提高的原因，可能是由于通过Pr掺杂使得YBCO薄膜对波长248nm的光的吸收系数增加。因此，专利文献1的辐射检测器对于波长248nm的光有高灵敏度，但对其他的波长范围，未必能提高检测灵敏度。

专利文献1：日本特开平8-247851号公报

非专利文献1：H.S.Kwok，J.P.Zheng，“Anomalous photovoltaicresponse in YBa2Cu307”，The American Physical Society，PHYSICALREVIEW B，(1992)，VOLUME 46，NUMBER 6，3692

非专利文献2：Physica C 377(2002)26-35，Elsevier Science B.V.

非专利文献3：15th International Conference on Thermoelectrics(1996)，IEEE，pp.494-498

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种检测灵敏度更高的辐射检测器和辐射检测方法。

本发明人进行了各种研究，结果发现上述目的可以通过以下发明来达成。即，本发明的辐射检测器包括：Al₂O₃基板；Ca_xCoO₂薄膜，其叠层在上述Al₂O₃基板上，CoO₂面相对于上述Al₂O₃基板表面倾斜地排列，其中，0.15＜x＜0.55；第一电极，其配置在上述Ca_xCoO₂薄膜上；和位于上述Ca_xCoO₂薄膜上的第二电极，该第二电极在上述CoO₂面倾斜排列的方向上，配置在与上述第一电极相对的位置，其中，上述Al₂O₃基板的表面为n面或S面。

此外，本发明的辐射检测方法，其使用辐射检测器对电磁波进行检测，该辐射检测方法的特征在于：上述辐射检测器包括：Al₂O₃基板；Ca_xCoO₂薄膜，其叠层在上述Al₂O₃基板上，CoO₂面相对于上述Al₂O₃基板表面倾斜地排列，其中，0.15＜x＜0.55；第一电极，其配置在上述Ca_xCoO₂薄膜上；和位于上述Ca_xCoO₂薄膜上的第二电极，该第二电极在上述CoO₂面倾斜排列的方向上，配置在与上述第一电极相对的位置，其中，上述Al₂O₃基板的表面为n面或S面，基于由于入射至上述Ca_xCoO₂薄膜的电磁波而在上述Ca_xCoO₂薄膜内产生的温度差，取出在上述第一电极与上述第二电极之间产生的热电动势，基于上述热电动势检测上述电磁波。

本发明人对各种条件进行了研究并通过最优化，发现能够在具有Ca_xCoO₂薄膜、Al₂O₃基板的2层构造的叠层体中，制作结晶轴相对于Al₂O₃基板的表面大幅倾斜的Ca_xCoO₂薄膜。根据配置有具备2层构造的叠层体的辐射检测器，能够使作为倾斜叠层薄膜的Ca_xCoO₂薄膜的结晶轴的倾斜角度增大。因此，也能够使倾斜角度接近45°，由此能够提高辐射检测器的检测灵敏度(电动势)。

根据本发明，能够提供检测灵敏度更高的辐射检测器和辐射检测方法。

附图说明

图1为本发明的辐射检测器的一个方式的截面图。

图2为表示Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的极图(pole figure)的图。

图3为表示Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的极图的图。

图4为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n叠层体的2层截面像。

图5为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜内的高分辨率像。

图6为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S叠层体的2层截面像。

图7为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜内的高分辨率像。

图8为表示电动势测定用的辐射检测器的结构的立体图。

图9为表示使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引起的电动势随时间变化的曲线图。

图10为表示使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引起的电动势随时间变化的曲线图。

图11为用于说明各向异性热电效应的坐标系的图。

具体实施方式

图1为本发明的辐射检测器的一个方式的截面图。如图1所示，辐射检测器10包括Al₂O₃基板(蓝宝石基板)11、以与Al₂O₃基板11相接的方式叠层在Al₂O₃基板11上的Ca_xCoO₂薄膜13、配置在Ca_xCoO₂薄膜13上的第一电极14和第二电极15。其中，Ca_xCoO₂薄膜13因制作条件不同而产生成分(组成)偏差，但x为0.15＜x＜0.55即可。x在该范围内时，Ca_xCoO₂具有稳定的构造。

Ca_xCoO₂薄膜13为倾斜叠层薄膜，具有CoO₂层和Ca_x块层(blocklayer)交替叠层的层状构造。在Ca_xCoO₂薄膜13中，CoO₂面16内方向的塞贝克系数S_ab与其垂直方向即Ca_xCoO₂薄膜13的c轴方向的塞贝克系数S_c为不同的值，Ca_xCoO₂薄膜13显示出各向异性。

在Ca_xCoO₂薄膜13中，多个CoO₂面16相对于Al₂O₃基板11表面倾斜，相互平行地排列配置。第二电极15与第一电极14在电动势取出方向17上分离地配置。即，电动势取出方向为第一电极14与第二电极15对置的方向。电动势取出方向17，是相对于CoO₂面16与Ca_xCoO₂薄膜13的表面的交线(与纸面垂直方向上的线)垂直并且与Ca_xCoO₂薄膜13的表面平行的方向，是CoO₂面16倾斜排列的方向。CoO₂面16相对于电动势取出方向17以倾斜角度α倾斜。此外，CoO₂面16相对于Al₂O₃基板11的表面也以倾斜角度α倾斜。

辐射检测器10具有由Ca_xCoO₂薄膜13和Al₂O₃基板11构成的2层构造。在该2层构造的叠层体中，相对于Al₂O₃基板11的表面，能够制作具有结晶轴大幅倾斜的构造的倾斜叠层薄膜(Ca_xCoO₂薄膜13)。因此，能够使倾斜角度α比现有的辐射检测器的倾斜叠层薄膜的倾斜角度更大。在辐射检测器10中，倾斜角度α为10°以上80°以下即可，优选为20°以上70°以下。由此，能够实现检测灵敏度高的辐射检测器10。从公式(1)可知，在辐射检测器10中，倾斜角度α特别优选为45°。在辐射检测器10中，能够使倾斜角度α更接近45°。

在辐射检测器10中，当电磁波入射到Ca_xCoO₂薄膜13上时，电磁波被Ca_xCoO₂薄膜13吸收。由此，在Ca_xCoO₂薄膜13中，薄膜面间方向(厚度方向)18上产生温度梯度。薄膜面间方向18为垂直于Ca_xCoO₂薄膜13的表面的方向，与电动势取出方向17正交。通过在Ca_xCoO₂薄膜13内产生温度差，由于各向异性热电效应，所以在Ca_xCoO₂薄膜13中在电动势取出方向17上产生电动势。所产生的电动势经由第一电极14和第二电极15被输出到外部。通过检测输出到外部的电动势，能够检测入射到Ca_xCoO₂薄膜13的电磁波。

本发明的辐射检测器10能够通过在Al₂O₃基板11上叠层Ca_xCoO₂薄膜13，在Ca_xCoO₂薄膜13上设置第一电极14和第二电极15而制作。叠层Ca_xCoO₂薄膜13的方法并无特别限定。例如，利用溅射法、蒸镀法、激光烧蚀法、化学气相生长法等气相生长的方法或者自液相的生长等，各种方法均可适用。Ca_xCoO₂薄膜13的膜厚，只要为单位晶格层以上则无特别限定，具体来说可以为100～200nm。另外，在该范围以外的厚度也没有问题。

Ca_xCoO₂薄膜13的CoO₂面16的倾斜角度α，由Al₂O₃基板11的(0001)面19相对于Al₂O₃基板11的表面的倾斜角度β决定。因此，在制作辐射检测器10时，使用具有与所期望的倾斜角度α的值相应的倾斜角度β的Al₂O₃基板11即可。例如，优选使用表面为n面或S面的Al₂O₃基板11。另外，n面例如为(11-23)面，S面例如为(10-11)面。另外，α为β±10°左右的值，但根据制作条件α的值也会变动到该范围以外。

第一电极14和第二电极15只要是电传导性高的材料则没有特别限定。具体来说，使用Cu、Ag、Mo、Al、Ti、Cr、Au、Pt、In等金属、TiN等氮化物或添加锡的氧化铟(铟锡氧化物)(ITO)、SnO₂等氧化物即可。此外，也可以使用焊料、导电性浆料等制作第一电极14、第二电极15。此外，在Ca_xCoO₂薄膜13上制作第一电极14、第二电极15的方法也没有特别限定。例如，除了蒸镀法、溅射法等利用气相生长的方法外，还能够利用导电性浆料的涂覆、电镀、热喷涂、焊料接合等各种方法。另外，第一电极14和第二电极15的构成材料，优选为Cu、Ag、Au或Al，更优选为Cu、Ag或Au，特别优选为Cu或Ag。

另外，辐射检测器10的制造方法，只要是能够实现由Al₂O₃基板11和Ca_xCoO₂薄膜13构成的2层构造，并在Ca_xCoO₂薄膜13上设置第一电极14、第二电极15的方法即可，并不特别限定于上述方法。

辐射检测器10在制作时，能够通过控制Al₂O₃基板11的(0001)面19的倾斜角度β来控制倾斜角度α，因此能够在大范围内控制倾斜角度α。由此，与现有的YBCO薄膜相比，在具有约4倍左右大小的ΔS的Ca_xCoO₂薄膜13中，能够实现大幅超过现有的YBCO薄膜的CuO₂面的倾斜角度的CoO₂面16的倾斜角度。因此，能够实现大大超过现有的使用倾斜叠层薄膜的辐射检测器的性能的辐射检测器。本发明能够促进热与电的能量转换，本发明的工业价值较高。

另外，虽然使用Ca_xCoO₂薄膜作为倾斜叠层薄膜，但使用Sr_xCoO₂薄膜来代替也能够认为起到同样的效果。

[实施例]

下面说明本发明的更具体的实施例。

在表面具有相对于(0001)面以61°倾斜的n面((11-23)面)的Al₂O₃-n面基板上叠层Ca_xCoO₂薄膜，制作出2层构造的叠层体。以下，将该叠层体中的Ca_xCoO₂薄膜记为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜。另外，Al₂O₃-n面基板的倾斜角度β为61°。

此外，在表面具有相对于(0001)面以72°倾斜的S面((10-11)面)的Al₂O₃-S面基板上，叠层Ca_xCoO₂薄膜，制作出2层构造的叠层体。以下，将该叠层体中的Ca_xCoO₂薄膜记为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜。另外，Al₂O₃-S面基板的倾斜角度β为72°。薄膜的制作全部使用了高频(RF：Radio Frequency)磁控管溅射器。

在Ca_xCoO₂薄膜(膜厚150nm)的制作中，使用以Ca、Co的摩尔比为1∶1的方式混合而成的靶。将成膜腔室内排气至1.0×10^-3Pa以下后，导入氩(96％)、氧(4％)的混合气体，并且利用电阻加热器加热Al₂O₃-n面基板。为了选定用于制作Ca_xCoO₂薄膜的最佳条件，作为成膜条件，在将气压固定为5Pa的状态下，使Al₂O₃-n面基板的温度在400～600℃内变化。溅射时的RF功率固定为100W。薄膜沉积后，导入氩(96％)、氧(4％)的混合气体，将腔室内的气压保持为5Pa，经过60分钟冷却至室温。同样地，在Al₂O₃-S面基板上也制作出Ca_xCoO₂薄膜(膜厚150nm)。利用能量分散型X射线分析装置对所制作的Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的阳离子组成比进行评估后，可知两者的Ca、Co组成比都为大致1∶2。因此，x≒0.5。

为了确认Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜中的CoO₂面的倾斜叠层构造，分别对其进行极图XRD测定。通过极图测定，能够得到某个特定的结晶面的相对于基板表面的倾斜度、与其排列(整列)方向相关的信息。测定条件，在作为测定目标的结晶面与水平面平行地配置中，将X射线的入射以及检测角度(θ-2θ)固定为满足布拉格(Bragg’s)条件的角度。在此状态下，使基板平面从水平方向起倾斜(ψ＝0～90°)，进一步在面内方向上旋转检测的散射X射线，仅在与作为目标的结晶面与水平面平行时相互增强。通过使ψ和变化来测定所检测的散射光的强度分布，能够获知该结晶面的倾斜角度(ψ值)和排列方向

将2θ固定于Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的(001)衍射峰出现的角度来进行测定，表示所得到的极图的图如图2所示。另外，Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的(001)面与CoO₂面相对应。如图2所示，ψ≒62°、处出现具有最大值的一个衍射峰。这表明CoO₂面相对于Al₂O₃-n面基板的表面以62°倾斜地叠层。因此，倾斜角度α为约62°。

表示同样地测定所得到的Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的极图的图如图3所示。如图3所示，ψ≒70°、

处出现具有最大值的一个衍射峰。这表明CoO₂面相对于Al₂O₃-S面基板的表面以70°倾斜地叠层。因此，倾斜角度α为约70°。在图2和图3中，只观测到一个衍射峰，因此可知在Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜中，CoO₂面在单一方向上倾斜地叠层。

为了进一步确认Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜中的CoO₂面的倾斜叠层构造，利用截面透射电子显微镜进行评估。图4为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n叠层体的2层截面像，图5为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜内的高分辨率像。此外，图6为Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S叠层体的2层截面像，图7为Ca_xoO₂/Al₂O₃-S薄膜内的高分辨率像。

根据图4～图7，在Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜中清晰地观察到均匀的条纹构造。该条纹构造分别相对于Al₂O₃-n面基板和Al₂O₃-S面基板的表面倾斜，其角度与根据各自的极图计算出的CoO₂面的倾斜角度α一致。进一步地，该条纹的间隔与Ca_xCoO₂中的CoO₂面的晶格间隔(

(埃))一致。根据以上，能够确认通过在(0001)面相对于表面倾斜的Al₂O₃基板上叠层Ca_xCoO₂薄膜，实际形成有CoO₂面相对于Al₂O₃基板表面倾斜叠层的Ca_xCoO₂薄膜。

图8为表示电动势测定用的辐射检测器的结构的立体图。如图8所示，辐射检测器20包括Al₂O₃基板11、叠层在Al₂O₃基板11上的Ca_xCoO₂薄膜13、设置在Ca_xCoO₂薄膜13上的第一电极对21和第二电极对22。第一电极对21为沿着CoO₂面16的倾斜排列方向23分离地配置的一对电极，第二电极对22为沿着与倾斜排列方向23垂直的方向分离地配置的一对电极。另外，倾斜排列方向23与电动势取出方向为同一方向。以连结第一电极对21的各电极间的线段与连结第二电极对22的各电极间的线段的交点位于彼此的线段的中心位置的方式配置第一电极对21和第二电极对22。此外，第二电极对22是用于确认在与倾斜排列方向23垂直的方向上是否产生电动势的部件，实际的辐射检测器中也可以不配置。

分别使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜，制作出图8所示构造的辐射检测器。第一电极对和第二电极对分别由Au构成，利用真空蒸镀法形成在Ca_xCoO₂薄膜的表面。各电极对中的各个电极之间的宽度为6mm。另外，在实际的辐射检测器中，电极宽度并不限定于6mm，根据用途和设置部位适当确定并最适化即可。

使从红外线灯(波长800～2000nm)产生的电磁波，以斑点(spot)直径为8mm入射到所制作的辐射检测器的表面。具体来说，从红外线灯输出480mW的电磁波，使其入射到Ca_xCoO₂薄膜的表面的中心位置，测定在倾斜排列方向上产生的电动势V₁和相对于倾斜排列方向垂直的方向上产生的电动势V₂。图9为使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引起的电动势随时间变化的曲线图。如图9所示，在来自红外线灯的电磁波没有入射到使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜的辐射检测器中时，不产生电动势V₁和V₂。然后，当打开(On)红外线灯使电磁波射入时，电动势V₁急剧地增加，固定地显示约112μV的值。另一方面，电动势V₂不会显示出显著的增减。其后，当关闭(OFF)红外线灯而截断电磁波时，电动势V₁急剧减少并回到零。另一方面，电动势V₂不会显示出显著的增减。

此外，图10为表示使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引起的电动势随时间变化的曲线图。如图10所示，在来自红外线灯的电磁波没有入射到使用Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的辐射检测器中时，不会产生电动势V₁和V₂。然后，当打开红外线灯使电磁波射入时，电动势V₁急剧地增加，固定地显示约90μV的值。另一方面，电动势V₂不会显示出显著的增减。其后，当关闭红外线灯来截断电磁波时，电动势V₁急剧减少并回到零。另一方面，电动势V₂不会显示出显著的增减。从图9和图10可知，在辐射检测器中，电动势产生的方向仅为倾斜排列方向。由于电动势的产生方向依赖于CoO₂面的倾斜排列方向，所以可知V₁的电动势的产生由来于各向异性热电效应。

这些辐射检测器的Ca_xCoO₂/Al₂O₃-n薄膜和Ca_xCoO₂/Al₂O₃-S薄膜的表背面中产生的温度差ΔT_z，由公式(1)均估算为0.25mK左右。另外，公式(1)中的各值，均为ΔS＝35μV/K、d＝150nm、I＝6mm。而且，如上所述，在各个辐射检测器中，V_x为112μV、90μV，α为62°、70°。

因此，倾斜排列方向的检测灵敏度，在各个辐射检测器中分别达到450mV/K和360mV/K。这与现有的使用YBCO倾斜叠层薄膜的辐射检测器的检测灵敏度(100mV/K)相比较，分别为约4.5倍和约3.6倍。

产业上的可利用性

本发明的辐射检测器，具有优良的辐射检测特性，能够应用于温度传感器、激光的功率计等伴随有电磁波的辐射的各种对象物的检测中。

Claims (3)

1.一种辐射检测器，其特征在于，包括：

Al₂O₃基板；

叠层在所述Al₂O₃基板上、CoO₂面相对于所述Al₂O₃基板表面倾斜地排列的Ca_xCoO₂薄膜，其中，0.15＜x＜0.55；

配置在所述Ca_xCoO₂薄膜上的第一电极；和

位于所述Ca_xCoO₂薄膜上的第二电极，该第二电极与所述第一电极在所述CoO₂面倾斜排列的方向上分离地配置，其中，

所述Al₂O₃基板的表面为n面或S面。

2.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于：

所述第一电极和所述第二电极包含Cu、Ag、Au或Al。

3.一种辐射检测方法，其使用辐射检测器对电磁波进行检测，该辐射检测方法的特征在于：

所述辐射检测器包括：Al₂O₃基板；叠层在所述Al₂O₃基板上、CoO₂面相对于所述Al₂O₃基板表面倾斜地排列的Ca_xCoO₂薄膜，其中，0.15＜x＜0.55；配置在所述Ca_xCoO₂薄膜上的第一电极；和位于所述Ca_xCoO₂薄膜上的第二电极，该第二电极与所述第一电极在所述CoO₂面倾斜排列的方向上分离地配置，其中，所述Al₂O₃基板的表面为n面或S面，

基于由于入射至所述Ca_xCoO₂薄膜的电磁波而在所述Ca_xCoO₂薄膜内产生的温度差，取出在所述第一电极与所述第二电极之间产生的热电动势，基于所述热电动势检测所述电磁波。

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