JP2004265942A - プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プローブピンのゼロ点を高精度に検出できなかった。
【解決手段】本発明のプローブピン8Aの検出方法は、メインチャック6上のウエハWとプローブカード8のプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック6と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板11を用いてプローブピン8AとウエハWとの接触点をゼロ点として検出する方法であって、ゼロ点検出板11を加熱する工程と、ゼロ点検出板11に水素を含むガスを吹き付けて銅の酸化物を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板11に水素を含むガスを吹き付けた状態でゼロ点検出板11を冷却する工程と、ゼロ点検出板11の還元後の銅とプローブピン8Aとを接触させる工程とを備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明のプローブピン8Aの検出方法は、メインチャック6上のウエハWとプローブカード8のプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック6と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板11を用いてプローブピン8AとウエハWとの接触点をゼロ点として検出する方法であって、ゼロ点検出板11を加熱する工程と、ゼロ点検出板11に水素を含むガスを吹き付けて銅の酸化物を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板11に水素を含むガスを吹き付けた状態でゼロ点検出板11を冷却する工程と、ゼロ点検出板11の還元後の銅とプローブピン8Aとを接触させる工程とを備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関し、更に詳しくは、検査時におけるプローブピンと被検査体との針圧を格段に軽減することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程でウエハに形成されたデバイスの電気的特性検査を行なう場合にはプローブ装置が用いられる。このプローブ装置は、例えば図5の(a)、(b)に示すように、ウエハWを搬送するローダ室1と、ローダ室1から引き渡されたウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室2とを備えている。ローダ室1は、カセット収納部3と、ウエハWをローダ室1へ搬送するウエハ搬送機構4と、ウエハ搬送機構4を介してウエハWを搬送する過程でそのオリフラまたはノッチを基準にしてプリアライメントするサブチャック5とを備えている。
【0003】
また、プローバ室2は、ウエハ搬送機構4からプリアライメント後のウエハWを載置し且つ昇降機構を内蔵した載置台(メインチャック)6と、メインチャック6をX及びY方向に移動させるXYテーブル7と、このXYテーブル7を介して移動するメインチャック6の上方に配置されたプローブカード8と、プローブカード8の複数のプローブピン8Aとメインチャック6上のウエハWの複数の電極パッドを正確に位置合わせする位置合わせ機構(アライメント機構)9とを備えている。アライメント機構9は、アライメントブリッジ9Aに取り付けられ且つウエハWを撮像する上カメラ9Bと、メインチャック6に付設され且つプローブピン8Aを撮像する下カメラ9Cとを備え、アライメントブリッジ9Aが一対のガイドレール9Dに従ってプローバ室2の正面奥から中央のプローブセンタまで進出し、ウエハWの電極パッドとプローブピン8AのX、Y、Z及びθ方向のアライメントを行なう。
【0004】
また、図5の(a)に示すようにプローバ室2のヘッドプレート2AにはテストヘッドTが旋回可能に配設され、テストヘッドTとプローブカード8はパフォーマンスボード(図示せず)を介して電気的に接続されている。そして、テスタ(図示せず)から検査用信号をテストヘッドT及びパフォーマンスボードを介してプローブピン8Aへ送信し、プローブピン8AからウエハWの電極パッドに検査用信号を印加してウエハWに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行う。
【0005】
ところで、ウエハWとプローブピン8Aのアライメントは例えば従来公知の方法によって行うことができる。即ち、XYテーブル7を介してメインチャック6が移動し、下カメラ9Cが所定のプローブピン8Aの真下に到達し、メインチャック6が昇降して下カメラ9Cで所定のプローブピン8Aの針先を撮像し、この時のメインチャック6の位置からプローブピン8Aの針先のX、Y及びZの位置座標を算出する。次いで、アライメントブリッジ9Aがプローブセンタに進出し、上カメラ9Bと下カメラ9Cの光軸を一致させた後、この位置において上カメラ9BでウエハWの所定の電極パッドを撮像し、この時のメインチャック6の位置から電極パッドのX、Y及びZの位置座標を算出し、ウエハWの電極パッドと所定のプローブピン8Aのアライメントを終了する。
【0006】
アライメント終了後、ウエハWの検査を行なう時には、メインチャック6が予め設定されたZ方向の設定位置(以下、「Z方向アライメント位置」と称す。)まで上昇した後、ウエハWをオーバードライブさせると、プローブピン8AとウエハWの電極パッド間に所定の針圧が働き、プローブピン8Aと電極パッドが電気的に導通してデバイスの電気的特性検査を行なう。検査後、メインチャック6が下降した後、次のデバイス以降は同様の手順でウエハWの全てのデバイスについて電気的特性検査を繰り返し行なう。
【0007】
従来のプローブ装置は上述のようにX、Y方向のアライメントを正確に行なうことができるが、ウエハWとプローブピン8Aとを高精度で接触させることが難しい。即ち、下カメラ9Cを用いてプローブピン8Aの針先を真下から撮像するため、プローブピン8Aの針先とウエハWの電極パッド間の距離を正確に検出することが難しく、誤差を生じることがあるため、アライメント後にプローブピン8Aに対してウエハWが殆ど針圧のない状態(オーバードライブ量=0)で接触する位置(以下、「ゼロ点」と称する。)を正確に求めることが難しい。例えば、図6の(a)に示すようにメインチャック6のZ方向アライメント位置がゼロ点までに寸法δ1だけ足りずウエハWの電極パッドPが接触しない場合や、逆に同図の(b)に示すようにメインチャック6のアライメント位置がゼロ点より寸法δ2だけ上昇し過ぎてプローブピン8Aと電極パッドP間に過度の針圧が働く場合がある。このため、従来はオペレータがプローブ装置毎にZ方向アライメント位置からゼロ点を経験と勘に基づいて設定している。
【0008】
また、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、探針(プローブピン)がペレット(デバイス)の電極に接触したか否かの判断は、特定の2本のプローブピン間に電圧を加えておき、これら特定のプローブピンが接触する電極部分の全面がアルミニウム等の金属層で覆われているデバイスに探針を接近させ、これら2本のプローブピン間に流れる電流を測定することで行っている。
【0009】
【特許文献1】
特開平4−340734号公報(段落[0013]の第1行〜第6行)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、検査時にデバイスの電極がプローブピンに接触した時に2本のプローブピン間に流れる電流に基づいて接触の有無を判断しているが、電極表面には自然酸化膜等の酸化膜が絶縁体として形成されているため、電極とプローブピンが単に接触しただけでは電流が流れず、電流を流すために電極にプローブピンを強く押し当てざるを得ず、電流が流れた時のウエハの位置をプローブピンのゼロ点として使用することができないという課題があった。特に、最近のようにデバイスの配線層等の薄膜化、多層化が進むと、検査時の針圧による電極パッドやその下地層へのダメージが問題となる。
【0011】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本出願人は、特願2002−322096において金薄膜が形成されたウエハ(以下、「金ウエハ」と称す。)とプローブピンを接触させてプローブピンの接触位置(ゼロコンタクトポイント)を採取する方法について提案したが、その後の研究により、図7に示すように金ウエハを用いた場合でもプローブピンと金ウエハとの接触抵抗が予想外に高く、ゼロ点を検出するには少なくとも0.5g/ピン程度の針圧が必要になることが判った。ところが、今後、デバイスの薄膜化、多層化、更にはプローブピンの細線化等により、更なる低針圧(例えば、0.1g/ピン以下)が要求されることになると、金ウエハではこのような低針圧化に対応することができないことが判った。
【0013】
そこで、本出願人は、ゼロ点検出板の導電膜について種々検討した結果、図7に示すように、還元銅を導電膜として使用すれば金よりも低い接触抵抗を得ることができ、今後の低針圧化に対応し得るとの知見を得た。
【0014】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、本発明の請求項1に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、載置台上の被検査体とプローブカードのプローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うに先立って、上記載置台と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を用いて上記プローブピンと上記被検査体との接触点をゼロ点として検出する方法であって、上記ゼロ点検出板を加熱する工程と、上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けて上記銅の酸化物を還元する工程と、還元後の上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けた状態で上記ゼロ点検出板を冷却する工程と、上記ゼロ点検出板の還元後の銅と上記プローブピンとを接触させる工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0015】
また、本発明の請求項2に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台に付設された支持台上に配置して用いることを特徴とするものである。
【0016】
また、本発明の請求項3にプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台上に載置する工程を備えたことを特徴とするものである。
【0017】
また、本発明の請求項4に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記加熱工程では、赤外線ランプで上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【0018】
また、本発明の請求項5に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記加熱工程では、抵抗発熱体で上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【0019】
また、本発明の請求項6に記載のプローブ装置は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを備え、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記載置台に支持台を付設すると共に上記支持台上に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を配置し、且つ、上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を上記支持台内に設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【0020】
また、本発明の請求項7に記載のプローブ装置は、被検査体を収納する収納部を有するローダ室と、このローダ室に隣接するプローバ室とを備え、上記プローバ室は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを有し、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記ローダ室内に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を収納する収納部を設け、且つ、上記ローダ室内の収納部または上記プローバ室内に上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【0021】
また、本発明の請求項8に記載のプローブ装置は、請求項6または請求項7に記載の発明において、上記加熱手段として赤外線ランプを設けたことを特徴とするものである。
【0022】
また、本発明の請求項9に記載のプローブ装置は、請求項6または請求項7に記載の発明において、上記加熱手段として発熱抵抗体を設けたことを特徴とするものである。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図4に示す実施形態に基づいて従来と同一または相当部分には同一符号を附して本発明の特徴を中心に説明する。
本実施形態のプローブ装置は、例えば図1、図2に示すように、プローバ室2内にゼロ点検出板及び還元手段を備えている以外は従来のプローブ装置に準じて構成されている。即ち、プローバ室2は、ウエハWを載置し且つ水平方向及び上下方向に移動するメインチャック6と、このメインチャック6をXY方向へ移動させるXYテーブル7と、これら両者6、7の上方に配置され且つプローブピン8Aを有するプローブカード8とを備え、従来と同様にウエハWとプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行なう。
【0024】
而して、図1、図2の(a)、(b)に示すようにメインチャック6には支持台10が付設され、この支持台10の上面がメインチャック6の載置面と同様に水平になっている。この支持台10は、XYテーブル7を介してメインチャック6と一緒にXY方向に移動すると共にメインチャック6に内蔵された昇降機構を介して上下方向(Z方向)に移動する。この支持台10上面には表面が金属銅によって形成されたゼロ点検出板11が設けられ、このゼロ点検出板11とプローブカード8のプローブピン8Aとが接触することによりプローブピン8Aの針先のゼロ点を検出するようにしてある。ゼロ点検出板11に不具合が発生した場合には交換することができる。尚、図1の(b)では支持台10及びゼロ点検出板11の動きのみを示し、メインチャック6を省略して示してある。
【0025】
ゼロ点検出板11は、その表面が金属銅によって形成されたものであれば特に制限されるものではない。従って、ゼロ点検出板11自体が金属銅によって形成されたものであっても良く、また、例えばシリコン基板の表面が金属銅の蒸着等によって被覆されたものであっても良い。しかしながら、金属銅は大気中で酸化銅を形成し易いため、表面の導電性が経時的に失われる。
【0026】
そこで、本実施形態ではゼロ点検出板11の金属銅表面に形成された酸化銅を還元して使用するようにしている。即ち、図1の(b)に示すように支持台10内には加熱手段12が設けられ、この加熱手段12によってゼロ点検出板11を加熱するようにしてある。この加熱手段12によってゼロ点検出板11を酸化銅の還元可能な温度(例えば、200〜350℃)まで加熱する。加熱手段12は特に制限されるものではないが、加熱手段12として例えば赤外線ランプまたは抵抗発熱体を用いることができる。
【0027】
また、図1の(a)、(b)に示すようにプローバ室2には例えば水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段13が設けられ、このガス供給手段13から還元可能な温度に達したゼロ点検出板11に水素ガスを含むガスを吹き付けてゼロ点検出板11表面の酸化銅を水素還元する。水素ガスを含むガスは、特に制限されないが、水素ガス濃度が例えば5%以内の防爆範囲内の濃度が好ましい。このようなガスとしては、例えば約3%の水素ガスを含むフォーミングガスを用いることができる。フォーミングガスの場合には、例えば1〜5L/分の流量で5〜30分間供給することが好ましい。また、水素ガスを活性化するために、水素ガスを予め加熱して供給しても良い。
【0028】
ガス供給手段13は、例えば図1の(a)、(b)に示すように、ガス供給源13A、配管13B、ガス吹き付け部13C、マスフローコントローラ13D及びバルブ13Eを備え、マスフローコントローラ13Dを介してフォーミングガスを流量調節しながらガス吹き付け部13Cから支持台10上のゼロ点検出板11に向けて吹き付け、酸化銅を還元する。また、水素ガスを活性化するために、配管途上に加熱手段を介在させても良い。
【0029】
次に、本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態について図3をも参照しながら説明する。ウエハWの検査に先立って、支持体10上のゼロ点検出板11の表面の酸化銅を還元して酸化膜を除去する。即ち、まず支持台10内の加熱手段12が作動してゼロ点検出板11を酸化銅の還元温度(例えば、300℃)まで加熱する。この間にメインチャック6がXYテーブル7を介して移動し、図1の(b)に示すように支持台10がガス吹き付け部13Cの真下の還元領域Rに位置する。次いで、ガス供給手段13のバルブ13Eを開き、マスフローコントローラ13Dを介して2L/分の流量でフォーミングガスを支持台10上のゼロ点検出板11に向けて吹き付けると、ゼロ点検出板11は既に酸化銅の還元温度まで加熱されているため、ゼロ点検出板11の表面の酸化銅が水素還元される。フォーミングガスを例えば20分間供給すると、ゼロ点検出板11の表面の酸化銅が完全に還元され、導電性を回復する。その後、加熱手段12への通電を切り、ゼロ点検出板11を例えば50℃以下まで冷却する。温度の確認は支持台10に挿入されている温度検出手段112によって行われる。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。この還元処理によりゼロ点検出板11を約1時間程度ゼロ点の検出に使用することができることが判った。
【0030】
然る後、メインチャック6がXYテーブル7を介して還元領域Rから検査領域Prまで移動し、図3の(a)に示すようにアライメント機構9の下カメラ9Cでプローブカード6を撮像し、プローブピン8Aを検出する。次いで、アライメント機構9のアライメントブリッジをプローブカード8下方のプローブセンタまで移動させた後、メインチャック6がXYテーブル7を介してXY方向に移動する間に、同図の(b)に示すように上カメラ9Bで支持台10を検出した時点でメインチャック6を停止させる。
【0031】
次いで、アライメントブリッジが後退して元の位置に戻る。そして、プローブカード8に電圧を印加した状態で、メインチャック6が昇降機構を介して予め設定されたZ方向アライメント位置まで上昇し、Z方向アライメント位置が接触点に届かない場合には、オペレータが制御装置を介してメインチャック6を操作して同図の(c)に示すようにゼロ点検出板11とプローブピン8Aを接触させ、プローブピン8Aの接触抵抗が安定した時点で昇降駆動機構を止める。この時のメインチャック6のZ方向の位置座標をプローブピン8Aの針先のゼロ点とする。
【0032】
また、逆にメインチャック6のZ方向アライメント位置がゼロ点を超え、ゼロ点検出板11とプローブピン8A間の接触抵抗が一気に低下すれば、オペレータがメインチャック6を徐々に下降させ、接触抵抗不安定になる直前でメインチャック6を止め、この時の位置座標をゼロ点とする。
【0033】
上述のようにしてゼロ点を検出した後、従来と同様にローダ室からプローバ室2内のメインチャック6上にウエハWを搬送し、アライメント機構9を介してプローブカード8とウエハWとのアライメントを行った後、ウエハWの電気的特性検査を行う。この際、本実施形態ではプローブピン8AとウエハWの電極パッドが接触するゼロ点を高精度に検出しているために、ウエハWとプローブピン8Aとをゼロ点で正確に接触させ、検査時の針圧を従来と比較して格段に低下させることができ、この後のデバイスの薄膜化、多層化に対応させることができる。
【0034】
以上説明したように本実施形態によれば、メインチャック6上のウエハWとプローブカード8のプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック6に付設された支持台10上のゼロ点検出板11にフォーミングガスを吹き付けて酸化銅を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板11とプローブピン8Aとを接触させる工程とを備えているため、金ウエハを用いる場合よりも低い針圧でプローブピン8Aの針先のゼロ点を検出することができ、延いては薄膜化、多層化したデバイスを検査する際に、プローブピン8Aによるデバイスへのダメージを防止し、信頼性の高い検査を確実に行うことができる。また、ウエハWをオーバードライブさせる場合には、オーバードライブ量を高精度に管理することができる。
【0035】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記実施形態では支持台10上にゼロ点検出板11を設けた場合について説明したが、本実施形態では、図4に示すように表面が銅によって形成された銅ウエハをゼロ点検出板11Aとして用いる。そして、ローダ室内に例えばゼロ点検出板11Aの収納場所を設けておく。また、本実施形態では加熱手段12Aとして例えばウエハWの高温試験用の加熱手段を使用することができる。ガス供給手段13は上記実施形態と同様にプローバ室2に設置されたものを使用することができる。
【0036】
次に、本実施形態のゼロ点の検出方法について説明する。まず、ローダ室からゼロ点検出板11Aを取り出してプローバ室内のメインチャック6上に載置する。次いで、メインチャック6の加熱手段12Aが作動してゼロ点検出板11Aを酸化銅の還元可能な温度まで加熱すると共にメインチャック6がXYテーブル7を介して移動し、図4に示すようにゼロ点検出板11Aがガス吹き付け部13Cの真下に位置する。次いで、上記実施形態と同様にガス供給手段13からフォーミングガスを所定の流量で所定時間だけゼロ点検出板11に向けて吹き付けてゼロ点検出板11の酸化銅を水素によって還元する。その後、加熱手段12Aへの通電を切り、ゼロ点検出板11Aを例えば50℃以下まで冷却する。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。温度の確認はメインチャック6に挿入されている温度検出手段112Aによって行われる。
【0037】
次いで、プローブカード8に電圧を印加した状態で、メインチャック6が図4に示す還元領域からプローブカード(図示せず)の真下の検査差領域まで移動した後、メインチャック6の昇降機構を介して上昇し、ゼロ点検出板11Aとプローブカード8のプローブピンとを接触させ、上記実施形態と同様にしてプローブピンのゼロ点を検出する。引き続き、メインチャック6からローダ室内の収納場所までゼロ点検出板11Aを搬送した後、従来と同様にカセットからメインチャック6までウエハWを搬送し、ウエハWの電気的特性検査を行う。
【0038】
以上説明したように本実施形態においても上記実施形態と同様にプローブカード8のプローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【0039】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、第1の実施形態の場合には、ゼロ点検出板11を用いてゼロ点を検出した後にウエハをメインチャックに搬送して検査する場合について説明したが、メインチャックにウエハを載置した状態でゼロ点を検出することもできる。また第2の実施形態ではメインチャック6に内蔵された加熱手段12Aを使用してプローバ室2内で銅ウエハの還元を行ったが、加熱手段及びガス供給手段をローダ室内に設け、ローダ室内で銅ウエハを還元した後、プローバ室内のメインチャックに銅ウエハを載置してゼロ点を検出するようにしても良い。
【0040】
【発明の効果】
本発明の請求項1〜請求項9に記載の発明によれば、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を概念的に示す図で、(a)はその平面図、(b)はその側面図である。
【図2】図1に示すプローブ装置のメインチャック、支持台及びプローブカードの関係を示す斜視図である。
【図3】本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態を説明するための説明図で、(a)は下カメラでプローブピンを検出する状態を示す図、(b)は上カメラで支持台を検出する状態を示す図、(c)はゼロ点検出板とプローブピンとを接触させてゼロ点を検出する状態を示す図である。
【図4】本発明のプローブ装置の他の実施形態の要部を概念的に示す側面図である。
【図5】従来のプローブ装置の一例を示す図で、(a)はプローバ室の正面部分を破断して示す正面図、(b)はプローブ装置の内部を示す平面図である。
【図6】(a)、(b)はそれぞれZ方向アライメント位置とプローブピンとの関係を示す模式図である。
【図7】金と銅の接触抵抗を比較して示すグラフである。
【符号の説明】
1 ローダ室
2 プローバ室
6 メインチャック(載置台)
8 プローブカード
8A プローブピン
10 支持台
11、11A ゼロ点検出板
12、12A 加熱手段
13 ガス供給手段
W ウエハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関し、更に詳しくは、検査時におけるプローブピンと被検査体との針圧を格段に軽減することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程でウエハに形成されたデバイスの電気的特性検査を行なう場合にはプローブ装置が用いられる。このプローブ装置は、例えば図5の(a)、(b)に示すように、ウエハWを搬送するローダ室1と、ローダ室1から引き渡されたウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室2とを備えている。ローダ室1は、カセット収納部3と、ウエハWをローダ室1へ搬送するウエハ搬送機構4と、ウエハ搬送機構4を介してウエハWを搬送する過程でそのオリフラまたはノッチを基準にしてプリアライメントするサブチャック5とを備えている。
【0003】
また、プローバ室2は、ウエハ搬送機構4からプリアライメント後のウエハWを載置し且つ昇降機構を内蔵した載置台(メインチャック)6と、メインチャック6をX及びY方向に移動させるXYテーブル7と、このXYテーブル7を介して移動するメインチャック6の上方に配置されたプローブカード8と、プローブカード8の複数のプローブピン8Aとメインチャック6上のウエハWの複数の電極パッドを正確に位置合わせする位置合わせ機構(アライメント機構)9とを備えている。アライメント機構9は、アライメントブリッジ9Aに取り付けられ且つウエハWを撮像する上カメラ9Bと、メインチャック6に付設され且つプローブピン8Aを撮像する下カメラ9Cとを備え、アライメントブリッジ9Aが一対のガイドレール9Dに従ってプローバ室2の正面奥から中央のプローブセンタまで進出し、ウエハWの電極パッドとプローブピン8AのX、Y、Z及びθ方向のアライメントを行なう。
【0004】
また、図5の(a)に示すようにプローバ室2のヘッドプレート2AにはテストヘッドTが旋回可能に配設され、テストヘッドTとプローブカード8はパフォーマンスボード(図示せず)を介して電気的に接続されている。そして、テスタ(図示せず)から検査用信号をテストヘッドT及びパフォーマンスボードを介してプローブピン8Aへ送信し、プローブピン8AからウエハWの電極パッドに検査用信号を印加してウエハWに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行う。
【0005】
ところで、ウエハWとプローブピン8Aのアライメントは例えば従来公知の方法によって行うことができる。即ち、XYテーブル7を介してメインチャック6が移動し、下カメラ9Cが所定のプローブピン8Aの真下に到達し、メインチャック6が昇降して下カメラ9Cで所定のプローブピン8Aの針先を撮像し、この時のメインチャック6の位置からプローブピン8Aの針先のX、Y及びZの位置座標を算出する。次いで、アライメントブリッジ9Aがプローブセンタに進出し、上カメラ9Bと下カメラ9Cの光軸を一致させた後、この位置において上カメラ9BでウエハWの所定の電極パッドを撮像し、この時のメインチャック6の位置から電極パッドのX、Y及びZの位置座標を算出し、ウエハWの電極パッドと所定のプローブピン8Aのアライメントを終了する。
【0006】
アライメント終了後、ウエハWの検査を行なう時には、メインチャック6が予め設定されたZ方向の設定位置(以下、「Z方向アライメント位置」と称す。)まで上昇した後、ウエハWをオーバードライブさせると、プローブピン8AとウエハWの電極パッド間に所定の針圧が働き、プローブピン8Aと電極パッドが電気的に導通してデバイスの電気的特性検査を行なう。検査後、メインチャック6が下降した後、次のデバイス以降は同様の手順でウエハWの全てのデバイスについて電気的特性検査を繰り返し行なう。
【0007】
従来のプローブ装置は上述のようにX、Y方向のアライメントを正確に行なうことができるが、ウエハWとプローブピン8Aとを高精度で接触させることが難しい。即ち、下カメラ9Cを用いてプローブピン8Aの針先を真下から撮像するため、プローブピン8Aの針先とウエハWの電極パッド間の距離を正確に検出することが難しく、誤差を生じることがあるため、アライメント後にプローブピン8Aに対してウエハWが殆ど針圧のない状態(オーバードライブ量=0)で接触する位置(以下、「ゼロ点」と称する。)を正確に求めることが難しい。例えば、図6の(a)に示すようにメインチャック6のZ方向アライメント位置がゼロ点までに寸法δ1だけ足りずウエハWの電極パッドPが接触しない場合や、逆に同図の(b)に示すようにメインチャック6のアライメント位置がゼロ点より寸法δ2だけ上昇し過ぎてプローブピン8Aと電極パッドP間に過度の針圧が働く場合がある。このため、従来はオペレータがプローブ装置毎にZ方向アライメント位置からゼロ点を経験と勘に基づいて設定している。
【0008】
また、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、探針(プローブピン)がペレット(デバイス)の電極に接触したか否かの判断は、特定の2本のプローブピン間に電圧を加えておき、これら特定のプローブピンが接触する電極部分の全面がアルミニウム等の金属層で覆われているデバイスに探針を接近させ、これら2本のプローブピン間に流れる電流を測定することで行っている。
【0009】
【特許文献1】
特開平4−340734号公報(段落[0013]の第1行〜第6行)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1に記載のプロービング装置の場合には、検査時にデバイスの電極がプローブピンに接触した時に2本のプローブピン間に流れる電流に基づいて接触の有無を判断しているが、電極表面には自然酸化膜等の酸化膜が絶縁体として形成されているため、電極とプローブピンが単に接触しただけでは電流が流れず、電流を流すために電極にプローブピンを強く押し当てざるを得ず、電流が流れた時のウエハの位置をプローブピンのゼロ点として使用することができないという課題があった。特に、最近のようにデバイスの配線層等の薄膜化、多層化が進むと、検査時の針圧による電極パッドやその下地層へのダメージが問題となる。
【0011】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本出願人は、特願2002−322096において金薄膜が形成されたウエハ(以下、「金ウエハ」と称す。)とプローブピンを接触させてプローブピンの接触位置(ゼロコンタクトポイント)を採取する方法について提案したが、その後の研究により、図7に示すように金ウエハを用いた場合でもプローブピンと金ウエハとの接触抵抗が予想外に高く、ゼロ点を検出するには少なくとも0.5g/ピン程度の針圧が必要になることが判った。ところが、今後、デバイスの薄膜化、多層化、更にはプローブピンの細線化等により、更なる低針圧(例えば、0.1g/ピン以下)が要求されることになると、金ウエハではこのような低針圧化に対応することができないことが判った。
【0013】
そこで、本出願人は、ゼロ点検出板の導電膜について種々検討した結果、図7に示すように、還元銅を導電膜として使用すれば金よりも低い接触抵抗を得ることができ、今後の低針圧化に対応し得るとの知見を得た。
【0014】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、本発明の請求項1に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、載置台上の被検査体とプローブカードのプローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うに先立って、上記載置台と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を用いて上記プローブピンと上記被検査体との接触点をゼロ点として検出する方法であって、上記ゼロ点検出板を加熱する工程と、上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けて上記銅の酸化物を還元する工程と、還元後の上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けた状態で上記ゼロ点検出板を冷却する工程と、上記ゼロ点検出板の還元後の銅と上記プローブピンとを接触させる工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0015】
また、本発明の請求項2に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台に付設された支持台上に配置して用いることを特徴とするものである。
【0016】
また、本発明の請求項3にプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台上に載置する工程を備えたことを特徴とするものである。
【0017】
また、本発明の請求項4に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記加熱工程では、赤外線ランプで上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【0018】
また、本発明の請求項5に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記加熱工程では、抵抗発熱体で上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【0019】
また、本発明の請求項6に記載のプローブ装置は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを備え、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記載置台に支持台を付設すると共に上記支持台上に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を配置し、且つ、上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を上記支持台内に設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【0020】
また、本発明の請求項7に記載のプローブ装置は、被検査体を収納する収納部を有するローダ室と、このローダ室に隣接するプローバ室とを備え、上記プローバ室は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを有し、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記ローダ室内に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を収納する収納部を設け、且つ、上記ローダ室内の収納部または上記プローバ室内に上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【0021】
また、本発明の請求項8に記載のプローブ装置は、請求項6または請求項7に記載の発明において、上記加熱手段として赤外線ランプを設けたことを特徴とするものである。
【0022】
また、本発明の請求項9に記載のプローブ装置は、請求項6または請求項7に記載の発明において、上記加熱手段として発熱抵抗体を設けたことを特徴とするものである。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図4に示す実施形態に基づいて従来と同一または相当部分には同一符号を附して本発明の特徴を中心に説明する。
本実施形態のプローブ装置は、例えば図1、図2に示すように、プローバ室2内にゼロ点検出板及び還元手段を備えている以外は従来のプローブ装置に準じて構成されている。即ち、プローバ室2は、ウエハWを載置し且つ水平方向及び上下方向に移動するメインチャック6と、このメインチャック6をXY方向へ移動させるXYテーブル7と、これら両者6、7の上方に配置され且つプローブピン8Aを有するプローブカード8とを備え、従来と同様にウエハWとプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行なう。
【0024】
而して、図1、図2の(a)、(b)に示すようにメインチャック6には支持台10が付設され、この支持台10の上面がメインチャック6の載置面と同様に水平になっている。この支持台10は、XYテーブル7を介してメインチャック6と一緒にXY方向に移動すると共にメインチャック6に内蔵された昇降機構を介して上下方向(Z方向)に移動する。この支持台10上面には表面が金属銅によって形成されたゼロ点検出板11が設けられ、このゼロ点検出板11とプローブカード8のプローブピン8Aとが接触することによりプローブピン8Aの針先のゼロ点を検出するようにしてある。ゼロ点検出板11に不具合が発生した場合には交換することができる。尚、図1の(b)では支持台10及びゼロ点検出板11の動きのみを示し、メインチャック6を省略して示してある。
【0025】
ゼロ点検出板11は、その表面が金属銅によって形成されたものであれば特に制限されるものではない。従って、ゼロ点検出板11自体が金属銅によって形成されたものであっても良く、また、例えばシリコン基板の表面が金属銅の蒸着等によって被覆されたものであっても良い。しかしながら、金属銅は大気中で酸化銅を形成し易いため、表面の導電性が経時的に失われる。
【0026】
そこで、本実施形態ではゼロ点検出板11の金属銅表面に形成された酸化銅を還元して使用するようにしている。即ち、図1の(b)に示すように支持台10内には加熱手段12が設けられ、この加熱手段12によってゼロ点検出板11を加熱するようにしてある。この加熱手段12によってゼロ点検出板11を酸化銅の還元可能な温度(例えば、200〜350℃)まで加熱する。加熱手段12は特に制限されるものではないが、加熱手段12として例えば赤外線ランプまたは抵抗発熱体を用いることができる。
【0027】
また、図1の(a)、(b)に示すようにプローバ室2には例えば水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段13が設けられ、このガス供給手段13から還元可能な温度に達したゼロ点検出板11に水素ガスを含むガスを吹き付けてゼロ点検出板11表面の酸化銅を水素還元する。水素ガスを含むガスは、特に制限されないが、水素ガス濃度が例えば5%以内の防爆範囲内の濃度が好ましい。このようなガスとしては、例えば約3%の水素ガスを含むフォーミングガスを用いることができる。フォーミングガスの場合には、例えば1〜5L/分の流量で5〜30分間供給することが好ましい。また、水素ガスを活性化するために、水素ガスを予め加熱して供給しても良い。
【0028】
ガス供給手段13は、例えば図1の(a)、(b)に示すように、ガス供給源13A、配管13B、ガス吹き付け部13C、マスフローコントローラ13D及びバルブ13Eを備え、マスフローコントローラ13Dを介してフォーミングガスを流量調節しながらガス吹き付け部13Cから支持台10上のゼロ点検出板11に向けて吹き付け、酸化銅を還元する。また、水素ガスを活性化するために、配管途上に加熱手段を介在させても良い。
【0029】
次に、本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態について図3をも参照しながら説明する。ウエハWの検査に先立って、支持体10上のゼロ点検出板11の表面の酸化銅を還元して酸化膜を除去する。即ち、まず支持台10内の加熱手段12が作動してゼロ点検出板11を酸化銅の還元温度(例えば、300℃)まで加熱する。この間にメインチャック6がXYテーブル7を介して移動し、図1の(b)に示すように支持台10がガス吹き付け部13Cの真下の還元領域Rに位置する。次いで、ガス供給手段13のバルブ13Eを開き、マスフローコントローラ13Dを介して2L/分の流量でフォーミングガスを支持台10上のゼロ点検出板11に向けて吹き付けると、ゼロ点検出板11は既に酸化銅の還元温度まで加熱されているため、ゼロ点検出板11の表面の酸化銅が水素還元される。フォーミングガスを例えば20分間供給すると、ゼロ点検出板11の表面の酸化銅が完全に還元され、導電性を回復する。その後、加熱手段12への通電を切り、ゼロ点検出板11を例えば50℃以下まで冷却する。温度の確認は支持台10に挿入されている温度検出手段112によって行われる。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。この還元処理によりゼロ点検出板11を約1時間程度ゼロ点の検出に使用することができることが判った。
【0030】
然る後、メインチャック6がXYテーブル7を介して還元領域Rから検査領域Prまで移動し、図3の(a)に示すようにアライメント機構9の下カメラ9Cでプローブカード6を撮像し、プローブピン8Aを検出する。次いで、アライメント機構9のアライメントブリッジをプローブカード8下方のプローブセンタまで移動させた後、メインチャック6がXYテーブル7を介してXY方向に移動する間に、同図の(b)に示すように上カメラ9Bで支持台10を検出した時点でメインチャック6を停止させる。
【0031】
次いで、アライメントブリッジが後退して元の位置に戻る。そして、プローブカード8に電圧を印加した状態で、メインチャック6が昇降機構を介して予め設定されたZ方向アライメント位置まで上昇し、Z方向アライメント位置が接触点に届かない場合には、オペレータが制御装置を介してメインチャック6を操作して同図の(c)に示すようにゼロ点検出板11とプローブピン8Aを接触させ、プローブピン8Aの接触抵抗が安定した時点で昇降駆動機構を止める。この時のメインチャック6のZ方向の位置座標をプローブピン8Aの針先のゼロ点とする。
【0032】
また、逆にメインチャック6のZ方向アライメント位置がゼロ点を超え、ゼロ点検出板11とプローブピン8A間の接触抵抗が一気に低下すれば、オペレータがメインチャック6を徐々に下降させ、接触抵抗不安定になる直前でメインチャック6を止め、この時の位置座標をゼロ点とする。
【0033】
上述のようにしてゼロ点を検出した後、従来と同様にローダ室からプローバ室2内のメインチャック6上にウエハWを搬送し、アライメント機構9を介してプローブカード8とウエハWとのアライメントを行った後、ウエハWの電気的特性検査を行う。この際、本実施形態ではプローブピン8AとウエハWの電極パッドが接触するゼロ点を高精度に検出しているために、ウエハWとプローブピン8Aとをゼロ点で正確に接触させ、検査時の針圧を従来と比較して格段に低下させることができ、この後のデバイスの薄膜化、多層化に対応させることができる。
【0034】
以上説明したように本実施形態によれば、メインチャック6上のウエハWとプローブカード8のプローブピン8Aとを接触させてウエハWの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック6に付設された支持台10上のゼロ点検出板11にフォーミングガスを吹き付けて酸化銅を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板11とプローブピン8Aとを接触させる工程とを備えているため、金ウエハを用いる場合よりも低い針圧でプローブピン8Aの針先のゼロ点を検出することができ、延いては薄膜化、多層化したデバイスを検査する際に、プローブピン8Aによるデバイスへのダメージを防止し、信頼性の高い検査を確実に行うことができる。また、ウエハWをオーバードライブさせる場合には、オーバードライブ量を高精度に管理することができる。
【0035】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記実施形態では支持台10上にゼロ点検出板11を設けた場合について説明したが、本実施形態では、図4に示すように表面が銅によって形成された銅ウエハをゼロ点検出板11Aとして用いる。そして、ローダ室内に例えばゼロ点検出板11Aの収納場所を設けておく。また、本実施形態では加熱手段12Aとして例えばウエハWの高温試験用の加熱手段を使用することができる。ガス供給手段13は上記実施形態と同様にプローバ室2に設置されたものを使用することができる。
【0036】
次に、本実施形態のゼロ点の検出方法について説明する。まず、ローダ室からゼロ点検出板11Aを取り出してプローバ室内のメインチャック6上に載置する。次いで、メインチャック6の加熱手段12Aが作動してゼロ点検出板11Aを酸化銅の還元可能な温度まで加熱すると共にメインチャック6がXYテーブル7を介して移動し、図4に示すようにゼロ点検出板11Aがガス吹き付け部13Cの真下に位置する。次いで、上記実施形態と同様にガス供給手段13からフォーミングガスを所定の流量で所定時間だけゼロ点検出板11に向けて吹き付けてゼロ点検出板11の酸化銅を水素によって還元する。その後、加熱手段12Aへの通電を切り、ゼロ点検出板11Aを例えば50℃以下まで冷却する。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。温度の確認はメインチャック6に挿入されている温度検出手段112Aによって行われる。
【0037】
次いで、プローブカード8に電圧を印加した状態で、メインチャック6が図4に示す還元領域からプローブカード(図示せず)の真下の検査差領域まで移動した後、メインチャック6の昇降機構を介して上昇し、ゼロ点検出板11Aとプローブカード8のプローブピンとを接触させ、上記実施形態と同様にしてプローブピンのゼロ点を検出する。引き続き、メインチャック6からローダ室内の収納場所までゼロ点検出板11Aを搬送した後、従来と同様にカセットからメインチャック6までウエハWを搬送し、ウエハWの電気的特性検査を行う。
【0038】
以上説明したように本実施形態においても上記実施形態と同様にプローブカード8のプローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【0039】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、第1の実施形態の場合には、ゼロ点検出板11を用いてゼロ点を検出した後にウエハをメインチャックに搬送して検査する場合について説明したが、メインチャックにウエハを載置した状態でゼロ点を検出することもできる。また第2の実施形態ではメインチャック6に内蔵された加熱手段12Aを使用してプローバ室2内で銅ウエハの還元を行ったが、加熱手段及びガス供給手段をローダ室内に設け、ローダ室内で銅ウエハを還元した後、プローバ室内のメインチャックに銅ウエハを載置してゼロ点を検出するようにしても良い。
【0040】
【発明の効果】
本発明の請求項1〜請求項9に記載の発明によれば、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を概念的に示す図で、(a)はその平面図、(b)はその側面図である。
【図2】図1に示すプローブ装置のメインチャック、支持台及びプローブカードの関係を示す斜視図である。
【図3】本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態を説明するための説明図で、(a)は下カメラでプローブピンを検出する状態を示す図、(b)は上カメラで支持台を検出する状態を示す図、(c)はゼロ点検出板とプローブピンとを接触させてゼロ点を検出する状態を示す図である。
【図4】本発明のプローブ装置の他の実施形態の要部を概念的に示す側面図である。
【図5】従来のプローブ装置の一例を示す図で、(a)はプローバ室の正面部分を破断して示す正面図、(b)はプローブ装置の内部を示す平面図である。
【図6】(a)、(b)はそれぞれZ方向アライメント位置とプローブピンとの関係を示す模式図である。
【図7】金と銅の接触抵抗を比較して示すグラフである。
【符号の説明】
1 ローダ室
2 プローバ室
6 メインチャック(載置台)
8 プローブカード
8A プローブピン
10 支持台
11、11A ゼロ点検出板
12、12A 加熱手段
13 ガス供給手段
W ウエハ
Claims (9)
- 載置台上の被検査体とプローブカードのプローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うに先立って、上記載置台と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を用いて上記プローブピンと上記被検査体との接触点をゼロ点として検出する方法であって、上記ゼロ点検出板を加熱する工程と、上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けて上記銅の酸化物を還元する工程と、還元後の上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けた状態で上記ゼロ点検出板を冷却する工程と、上記ゼロ点検出板の還元後の銅と上記プローブピンとを接触させる工程とを備えたことを特徴とするプローブピンのゼロ点検出方法。
- 上記ゼロ点検出板を上記載置台に付設された支持台上に配置して用いることを特徴とする請求項1に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
- 上記ゼロ点検出板を上記載置台上に載置する工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
- 上記加熱工程では、赤外線ランプで上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
- 上記加熱工程では、抵抗発熱体で上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
- 被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを備え、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記載置台に支持台を付設すると共に上記支持台上に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を配置し、且つ、上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を上記支持台内に設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするプローブ装置。
- 被検査体を収納する収納部を有するローダ室と、このローダ室に隣接するプローバ室とを備え、上記プローバ室は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを有し、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記ローダ室内に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を収納する収納部を設け、且つ、上記ローダ室内の収納部または上記プローバ室内に上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするプローブ装置。
- 上記加熱手段として赤外線ランプを設けたことを特徴とする請求項6または請求項7に記載のプローブ装置。
- 上記加熱手段として抵抗発熱体を設けたことを特徴とする請求項6または請求項7に記載のプローブ装置。
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