JP2001110857A - プローブ方法及びプローブ装置 - Google Patents

プローブ方法及びプローブ装置

Info

Publication number
JP2001110857A
JP2001110857A JP28513999A JP28513999A JP2001110857A JP 2001110857 A JP2001110857 A JP 2001110857A JP 28513999 A JP28513999 A JP 28513999A JP 28513999 A JP28513999 A JP 28513999A JP 2001110857 A JP2001110857 A JP 2001110857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
mounting table
load
amount
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28513999A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahito Kobayashi
将人 小林
Kazunari Ishii
一成 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP28513999A priority Critical patent/JP2001110857A/ja
Priority to US09/667,502 priority patent/US6777968B1/en
Priority to TW089119656A priority patent/TW471087B/zh
Priority to KR1020000057794A priority patent/KR100657105B1/ko
Publication of JP2001110857A publication Critical patent/JP2001110857A/ja
Priority to US10/870,073 priority patent/US7009415B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来はZ軸の駆動量で一定のオーバドライブ
量を確保しているため、プローブカード24の使用によ
る経時的変形や、検査時の熱的影響による膨張、収縮が
あってプローブの針先とウエハW間の距離にバラツキが
あってもメインチャック17がオーバードライブ量が一
定であるため、一定の安定した接触荷重を得ることがで
きない。 【解決手段】 本発明のプローブ方法は、コントローラ
13の制御下でメインチャック17に載置したウエハW
とプローブ24Aとを接触させた後、メインチャック1
7をオーバドライブさせてウエハWの電気的特性検査を
行う際、コントローラ13の制御下で、オーバドライブ
時にプローブ24AとウエハWの接触により発生する荷
重をメインチャック17に設けられた圧力センサ31を
介して測定し、この測定荷重に基づいてメインチャック
17のオーバドライブ量を制御することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プローブ方法及び
プローブ装置に関し、更に詳しくはオーバドライブ時の
プローブの接触荷重を実測し、常に安定した接触荷重を
得ることができ、信頼性の高い検査を行うことができる
プローブ方法及びプローブ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】プローブ装置10は、例えば図8に示す
ように、カセットC内に収納されたウエハWを1枚ずつ
取り出して搬送するローダ室11と、このローダ室11
に隣接しローダ室11から搬送されたウエハWを検査す
るプローバ室12と、このプローバ室12及びローダ室
11を制御するコントローラ13と、このコントローラ
13を操作する操作パネルを兼ねる表示装置14とを備
えている。
【0003】上記ローダ室11にはウエハWの搬送機構
としてピンセット15が回転軸を介して立設され、この
ピンセット15が水平方向で進退動すると共に正逆回転
することによりカセットC内のウエハWを1枚ずつ取り
出してプローバ室12へ搬送するようにしてある。ま
た、ピンセット15の近傍にはウエハWのプリアライメ
ントを行うサブチャック16が配設され、このサブチャ
ック16がピンセット15からウエハWを受け取った
後、θ方向に正逆回転し、その間にウエハWのオリエン
テーションフラット(以下、単に「オリフラ」と称
す。)を光学的に検出し、オリフラを基準にしてウエハ
Wをプリアライメントするようにしてある。
【0004】上記ローダ室11に隣接するプローバ室1
2にはウエハWを載置するメインチャック17が配設さ
れ、このメインチャック17はX、Yステージ18、1
9を介してX、Y方向に移動すると共に内蔵の駆動機構
を介してZ、θ方向に移動するようになっている。ま
た、プローバ室12内にはアライメント手段20が配設
され、このアライメント手段20を介してウエハWのア
ライメントを行うようにしてある。このアライメント手
段20はウエハWを撮像するCCDカメラ等からなる第
1撮像手段21を有するアライメントブリッジ22と、
このアライメントブリッジ22のY方向への往復移動を
案内する一対のガイドレール23、23と、メインチャ
ック17に付設されたCCDカメラ等からなる第2撮像
手段(図示せず)とを備えている。また、プローバ室1
2の上面には図示しないプローブカードが配設され、こ
のプローブカードの上面には図示しないテストヘッドが
接続リング(図示せず)を介して電気的に接続されてい
る。そして、テスタからのテスト信号をテストヘッド及
び接続リングを介してプローブカードにおいて受信し、
プローブと接触したウエハWについて電気的特性検査を
行うようにしてある。
【0005】ウエハWの検査を行う場合には、まず、ロ
ーダ室11内でピンセット15が駆動してカセットC内
から1枚のウエハWを取り出し、ピンセット15を介し
てウエハWをプローバ室12へ搬送する間にサブチャッ
ク16においてウエハWのプリアライメントを行い、そ
の後、ピンセット15からプローバ室12内のメインチ
ャック17へウエハWを引き渡す。その後、アライメン
トブリッジ22がプローブセンタへ移動すると共に、ア
ライメントブリッジ22の第1撮像手段21の下方へ移
動し、第1撮像手段21とメインチャック17側の第2
撮像手段とが協働してメインチャック17上のウエハW
のアライメントを行う。その後、メインチャック17が
X、Y方向に移動してウエハWをインデックス送りする
と共にメインチャック17がZ方向に上昇し、ウエハW
とプローブとが接触した後、メインチャック17がオー
バドライブしてウエハWの各ICチップとプローブとが
電気的に接触し、各ICチップについて電気的特性検査
を行う。
【0006】ウエハサイズが例えば200mmまでのウ
エハWの場合には、図9の(a)で示すようにメインチ
ャック17のオーバドライブにより、載置されたウエハ
Wが一点鎖線で示す位置から実線で示す位置まで上昇し
ても、ウエハWは同図の実線で示すように殆ど傾くこと
なく水平状態のままZ方向に上昇する。この際、プロー
ブカード24のプローブ24Aは同図(a)の一点鎖線
で示す位置から実線で示す位置まで弾力的に持ち上げら
れ針先が太い線の始点Sから終点Eまで移動する。この
状態を平面的に観ると、針先の始点Sから終点Eに至る
移動距離は同図(b)の斜線の矢印で示すようにICチ
ップの電極パッドP内にあり、プローブ24Aと電極パ
ッドPが電気的に接触し、ICチップの検査を行う。
【0007】ところが、ウエハサイズが例えば300m
mの時代になると、ウエハサイズが大きくなるばかりで
なく、ICチップが超微細化して電極パッド間のピッチ
が狭くなる。これに伴ってプローブカードが多ピン化し
てピン数が例えば約2000ピンにも達すると、オーバ
ドライブ時に全プローブ24Aからメインチャック17
に働く荷重が例えば10数Kg〜20Kgにもなるた
め、ウエハWが図10の(a)の一点鎖線で示す位置か
らオーバドライブしてプローブ24Aと電気的に接触す
ると、この時の偏荷重でメインチャック17の回転軸
(図示せず)が撓み、ウエハWが同図の実線で示すよう
に例えば20〜30μm程度傾いて本来の上昇位置より
も外側へ偏倚する。この時、プローブ24Aは、その針
先が同図(a)の一点鎖線で示す位置から実線で示す位
置まで弾力的に持ち上げられて図9に示す場合よりも長
い針跡を図10の(a)の太い線で示すように残す。こ
の時の針先の始点Sは図9で示す場合と同じ位置でも終
点Eが図10の(b)に斜線の矢印で示すように電極パ
ッドPからはみ出した位置に達し、検査時には針先が電
極パッドPから外れる虞があり、ひいてはプローブ24
Aから電極パッドPにテスト信号を送れず、検査の信頼
性を損なう虞がある。
【0008】そこで、本出願人は、特開平9−3065
16号公報において、接触荷重によるプローブの位置ず
れを三次元的に補正するプローブ方法及びプローブ装置
を提案した。この技術は、メインチャックの情報(外
径、材質等)、ウエハの情報(外径、チップ数等)及び
プローブカードの情報(プローブの針先面積、プローブ
数等)等の既知のデータに基づいてプローブの接触位置
におけるメインチャックの歪み量を予測し、この予測値
に基づいてプローブの接触位置の三次元補正を行うもの
である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
9−306516号公報において提案されたプローブ方
法及びプローブ装置の場合にはプローブの接触位置を三
次元補正する際に、オーバドライブ時のプローブ24A
の接触位置と一定のオーバドライブ量に基づいて接触位
置における荷重(針圧)を予測し、この予測荷重に基づ
いてメインチャック17の歪み量を予測しているため、
接触時の予測荷重と実際の荷重とが一致している保証が
なく、三次元補正に狂いが生じる虞があった。更に、従
来はZ軸の駆動量で一定のオーバドライブ量を得るよう
にしているため、プローブカード24の使用による経時
的変形や、検査時の熱的影響による膨張、収縮があって
プローブの針先とウエハW間の距離にバラツキがあって
もメインチャック17がオーバードライブ量が一定であ
るため、一定の接触荷重を得ることができないという課
題があった。
【0010】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プローブカードが種々の原因で変形した
り、熱的影響により膨張、収縮したりしてもプローブと
被検査体の電極パッドを安定した荷重で正確に接触させ
ることができ、また、オーバドライブ時に載置台が偏荷
重を受けて傾斜してもプローブと被検査体の電極パッド
とを正確に接触させることができ、高精度の検査を行う
ことができるプローブ方法及びプローブ装置を提供する
ことを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のプローブ方法は、コントローラの制御下で、X、Y、
Z及びθ方向に移動可能な載置台に載置した被検査体と
プローブカードのプローブとを接触させた後、上記載置
台をオーバドライブさせて上記被検査体の電気的特性検
査を行うプローブ方法において、上記コントローラの制
御下で、上記オーバドライブ時に上記プローブと上記被
処理体の接触により発生する荷重を上記載置台に設けら
れた圧力センサを介して測定し、この測定荷重に基づい
て上記載置台のオーバドライブ量を制御することを特徴
とするものである。
【0012】また、本発明の請求項2に記載のプローブ
方法は、請求項1に記載の発明において、上記載置台の
荷重と歪み量の関係に基づいて上記測定荷重に対する上
記載置台の歪み量を求め、この歪み量に基づいて上記プ
ローブと上記被検査体との位置ずれを補正することを特
徴とするものである。
【0013】また、本発明の請求項3に記載のプローブ
方法は、コントローラの制御下で、X、Y、Z及びθ方
向に移動可能な載置台に載置した被検査体とプローブカ
ードのプローブとを接触させた後、上記載置台をオーバ
ドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を行うプ
ローブ方法において、上記コントローラの制御下で、上
記プローブの針先を研磨する時に使用される、上記載置
台に付設された研磨機構の針研板を上記プローブの真下
に配置し、この位置において上記針研板をオーバドライ
ブさせた時の上記針研板と上記プローブの接触により発
生する荷重を上記研磨機構に設けられた圧力センサを介
して測定し、この測定荷重に基づいて上記載置台のオー
バドライブ量を制御することを特徴とするものである。
【0014】また、本発明の請求項4に記載のプローブ
方法は、請求項3に記載の発明において、上記測定荷重
と上記研磨機構の荷重と歪み量の関係に基づいて上記測
定荷重に対する上記研磨機構の歪み量を求めた後、この
歪み量と上記針研板のオーバドライブ量とから上記プロ
ーブのバネ定数を求め、更に、このバネ定数と上記載置
台の荷重と歪み量の関係に基づいて求められた上記載置
台のバネ定数と上記載置台のオーバードライブ量の関係
に基づいて上記載置台での発生荷重を求め、この発生荷
重に基づいて上記載置台のオーバドライブ量を制御する
ことを特徴とするものである。
【0015】また、本発明の請求項5に記載のプローブ
装置は、被検査体を載置する載置台と、この載置台の上
方に配置されたプローブカードと、このプローブカード
のプローブと上記被検査体を接触させるために上記載置
台をX、Y及びZ方向にそれぞれ移動させる駆動機構
と、これらの駆動機構を制御するコントローラとを備
え、上記コントローラの制御下で、上記載置台を移動さ
せて上記被検査体と上記プローブとを接触させた後、上
記載置台をオーバドライブさせて上記被検査体の電気的
特性検査を行うプローブ装置において、上記載置台は上
記被検査体と上記プローブの接触荷重を測定する圧力セ
ンサを有し、上記コントローラは、上記プローブの接触
位置及びその位置での上記圧力センサの測定荷重に基づ
いて上記載置台の歪み量を求める手段を有することを特
徴とするものである。
【0016】また、本発明の請求項6に記載のプローブ
装置は、被検査体を載置する載置台と、この載置台の上
方に配置されたプローブカードと、このプローブカード
のプローブと上記被検査体を接触させるために上記載置
台をX、Y及びZ方向にそれぞれ移動させる駆動機構
と、これらの駆動機構を制御するコントローラと、上記
載置台に付設され且つ上記プローブを研磨する研磨機構
とを備え、上記コントローラの制御下で、上記載置台を
移動させて上記被検査体と上記プローブとを接触させた
後、上記載置台をオーバドライブさせて上記被検査体の
電気的特性検査を行うプローブ装置において、上記研磨
機構は、上記プローブを研磨する針研板と、この針研板
と上記プローブの接触荷重を測定する圧力センサとを有
し、上記コントローラは、上記圧力センサの測定荷重に
基づいて上記プローブのバネ定数を求める手段と、上記
載置台の荷重と歪み量の関係に基づいて上記載置台のバ
ネ定数を求める手段と、上記プローブのバネ定数と上記
載置台のバネ定数と上記載置台のオーバードライブ量の
関係に基づいて上記プローブの上記載置台との接触位置
における発生荷重を求める手段とを有することを特徴と
するものである。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図7に示す実施形態
に基づいて従来と同一または相当部分には同一符号を附
して本発明を説明する。本実施形態のプローブ装置10
は、図8に示すプローブ装置と同様に、ローダ室11及
びプローバ室12を備えている。ローダ室11内にはピ
ンセット15及びサブチャック16がそれぞれ配設さ
れ、カセットC内のウエハWをピンセット15を介して
1枚ずつ搬送し、この間にサブチャック16を介してプ
リアライメントするようにしてある。また、プローバ室
12内にはZ、θ方向に移動可能なメインチャック1
7、Xステージ18、Yステージ19及びアライメント
手段20がそれぞれ配設され、コントローラ13の制御
下でメインチャック17がX、Y、Z、θ方向に移動
し、アライメント手段20と協働してメインチャック1
7上のウエハWをアライメントした後、図示しないプロ
ーブカードを介してウエハWの電気的特性検査を行うよ
うにしてある。
【0018】ところで本実施形態では、例えば図1に示
すようにロードセル等の圧力センサ31がメインチャッ
ク17とXテーブル18の間に設けられ、この圧力セン
サ31によってプローブ24Aからメインチャック17
上のウエハWへの荷重を実測する。この圧力センサ31
は図2に示すようにコントローラ13に接続され、この
コントローラが圧力センサ31の測定信号に基づいてプ
ローブ24Aの針圧が常に一定になるように制御してい
る。
【0019】即ち、図2に示すように、上記コントロー
ラ13は、ウエハWに関するウエハ情報及びプローブカ
ードに関するカード情報等のデータを記憶する第1記憶
手段131と、プローブ装置の制御用のプログラム及び
メインチャック17に関するメインチャック情報等のデ
ータを記憶する第2記憶手段132と、第1、第2記憶
手段131、132で記憶された各情報を読み出して所
定のプログラムに則った処理を行う中央演算処理装置
(以下、「CPU」と称す)133とを備えている。
【0020】上記ウエハ情報としては、例えば、チップ
の配置、チップサイズ、その重心位置、電極パッド数、
電極パッドの面積、電極パッド間のピッチ等のパラメー
タがあり、また、カード情報としては、例えば、プロー
ブ針の本数(ピン数)及びその配置、プローブ針の材質
及び物性等のパラメータがある。また、メインチャック
情報としては、例えば、メインチャック17の回転軸の
機械的強度、メインチャック17の外径及び荷重・歪み
量データ等のパラメータがある。荷重・歪み量データ
は、メインチャック17上面の代表的なポイントにおけ
る荷重とこの荷重に対するメインチャック17の歪み量
の関係を示したデータである。
【0021】また、CPU133は、圧力センサ31の
測定荷重(針圧)と、第2記憶手段132のメインチャ
ックの荷重・歪みデータ及びウエハ情報に基づいてオー
バドライブ時のプローブの接触位置でのメインチャック
17の歪み量を求める歪み量処理手段133Aを有し、
この歪み量処理手段133Aを介してプローブ24Aの
接触位置における圧力センサ31の測定荷重と荷重・歪
みデータに基づいてメインチャック17の歪み量を求め
るようにしてある。
【0022】更に、上記コントローラ13には図2に示
すように入力手段(例えば、キーボード等)25及び表
示装置14がそれぞれ接続され、入力手段25からウエ
ハ情報及びメインチャック情報等の各種の検査に必要な
データを入力し、入力データは表示装置14によって確
認できるようにしてある。このコントローラ13には駆
動機構26が接続され、この駆動機構26を介してメイ
ンチャック17を駆動させるようにしてある。
【0023】次に、本実施形態のプローブ方法及びプロ
ーブ装置の動作について説明する。まず、ウエハWの検
査を行う前に、入力手段25を介してウエハ情報及びカ
ード情報を入力し、入力データを表示画面で確認する。
入力データに間違いがなければ、入力データを第1記憶
手段131へ登録して記憶させる。次いで、そのウエハ
Wをプローブ装置10内へカセット単位で供給する。そ
して、プローブ装置10を始動させると、ローダ室内で
プリアライメントされたウエハWがプローバ室内のメイ
ンチャック17上へ供給され、プローバ室内でアライメ
ント手段を介してウエハWのアライメントが行われる。
その後、ウエハWの各チップについて順次電気的特性検
査を行う。
【0024】各チップについて検査を行う場合には、C
PU133により第2記憶手段132から本発明のプロ
ーブ方法に関するプログラムを読み出すとプローブ装置
10がプログラムに従って駆動する。即ち、検査すべき
ウエハW内の最初に接触すべきチップを決める。次い
で、CPU133を介してメインチャック17をインデ
ックス送りしてウエハWの各チップを順次検査する。各
チップの検査ではメインチャック17がウエハWとプロ
ーブ24Aが接触する位置まで上昇した後オーバドライ
ブする。オーバドライブする間に圧力センサ31が作動
し、プローブ24AとウエハW間の荷重(針圧)を実測
し、この測定荷重に基づいてオーバドライブ量をモニタ
ーする。圧力センサ31が予め設定された荷重を実測し
た時点で、コントローラ13を介して駆動機構26が停
止し、メインチャック17が停止し、一定のオーバード
ライブ量を確保する。オーバードライブによりメインチ
ャック17に偏荷重が作用すると、図3で誇張して示す
ようにメインチャック17が偏荷重により傾斜する。
尚、図3ではプローブカード24の変形を誇張して図示
してあり、矢印は接触荷重及びその反力である。
【0025】従来のプローブ方法の場合にはメインチャ
ック17のZアップ量を一定にすることでオーバードラ
イブ量を制御しているため、検査中にウエハWが発熱し
てプローブカード24が熱膨張したり、ウエハWを冷却
してプローブカード24が収縮したり、あるいはプロー
ブカード24が使用により図3で誇張して示すように経
時的に変形したりしているとプローブ24Aの針先位置
が基準位置よりも上下に偏倚し、しかも従来のようにメ
インチャック17のZアップ量を一定に制御しているた
め、プローブ24AとウエハW間の実際の離間距離に即
したオーバドライブ量を確保することができず、場所に
よって接触荷重、ひいては針先位置が変動し安定した検
査を行うことが難しかった。しかしながら、本実施形態
ではプローブ24AとウエハWの接触荷重(針圧)を実
測し、測定荷重に基づいてオーバドライブ量を制御して
いるため、プローブカード24の熱的影響や経時的変形
に左右されることなく、常に一定の接触荷重(針圧)で
安定した検査を行うことができる。
【0026】また、本実施形態ではオーバードライブ時
にプローブ24Aの接触位置を三次元補正するが、本実
施形態の場合には特開平9−306516号公報におい
て提案したプローブ方法とは異なり、メインチャック1
7におけるプローブ24AとウエハWの実測荷重に基づ
いてプローブ24Aの接触位置を三次元補正している。
尚、特開平9−306516号公報のプローブ方法では
オーバドライブ量に基づいてプローブの接触荷重を予測
し、この予測値に基づいてメインチャック17の歪み量
を求めた後、この歪み量に即して三次元補正している。
【0027】即ち、ウエハWが図4の一点鎖線位置でプ
ローブ24Aと接触し、一点鎖線位置から実線位置まで
オーバドライブする時にはウエハW上でプローブ24A
から偏荷重が作用し、この偏荷重によりメインチャック
17が傾いてウエハWが本来の上昇位置よりも外側へ偏
倚して傾斜し、プローブ24Aの針先の始点Sが同図の
矢印Aで示す方向へ移動しようとする。ところが、本実
施形態ではコントローラ13において圧力センサ31に
よる測定荷重と荷重・歪み量データに基づいて測定荷重
に対する歪み量を歪み量処理手段133Aを介して求
め、この歪み量に即してメインチャック17の移動量を
駆動機構26を介して補正し、図4に示すようにウエハ
Wを同図の矢印B方向へ移動させる。このように圧力セ
ンサ31の測定荷重に基づいてメインチャック17の移
動方向を補正するため、あたかもウエハWが水平を保持
したまま上昇するかのようにプローブ24Aの針先が同
図の矢印Cで示すように垂直上方に持ち上げられる。こ
の結果、針先は図5の(a)で太い線で示すようにウエ
ハWが水平に持ち上げられた場合(図9参照)と殆ど変
わらない軌跡を描いて移動し、メインチャック17の上
昇端で同図の(b)で示すように針先の終点Eが電極パ
ッドP内に留まり、プローブ24Aと所定の電極パッド
Pが確実に接触し、チップの検査を確実且つ安定的に行
うことができる。
【0028】以上説明したように本実施形態によれば、
コントローラ13の制御下で、メインチャック17のオ
ーバドライブ時にプローブ24AとウエハWの接触によ
り発生する荷重を圧力センサ31を介して測定し、この
測定荷重に基づいてメインチャック17のオーバドライ
ブ量を制御するようにしたため、プローブカード24に
熱的影響や使用による変形があってもプローブ24Aと
ウエハWが常に一定の安定した針圧で接触し、信頼性の
高い検査を行うことができる。
【0029】また、ウエハWが大口径化し、プローブカ
ード24が多ピン化してオーバドライブ時の偏荷重によ
りメインチャック17が傾斜する時には圧力センサ31
により偏荷重を実測し、この測定荷重とメインチャック
17の荷重・歪みデータに基づいてプローブ24Aの接
触位置を補正するようにしているため、プローブカード
24の熱的影響や使用による変形に左右されることな
く、三次元補正を高精度に行うことができ、ウエハWの
如何なる場所であってもプローブ24Aと各チップの電
極パッドPとが図5の(b)に示すように確実に電気的
に接触し、信頼性の高い検査を確実に行うことができ
る。
【0030】図6、図7はそれぞれ本発明の他の実施形
態を示す図である。即ち、図6に示すように本実施形態
では、メインチャック17の直胴部から支持腕32が水
平に延設され、この支持腕32にプローブ24Aを研磨
する研磨機構33が配設されている。研磨機構33は、
プローブ24Aを研磨する針研板33Aと、この針研板
33Aを支持する支持体33Bとを有し、針研板33A
をオーバードライブさせてプローブ24Aを研磨するも
のである。また、支持腕32と支持体33Bの間には例
えばロードセル等の圧力センサ31Aが介装され、この
圧力センサ31Aを介してオーバドライブ量に対する針
研板33Aにおける荷重を実測する。この測定荷重と研
磨機構33の歪み量との関係はメインチャック17の荷
重・歪み量データと同様に事前に測定し、研磨機構33
の荷重・歪み量データとしてメインチャック17の荷重
・歪み量データとは別に第2記憶手段132に格納して
おく。
【0031】一方、本実施形態のコントローラ13は、
図7に示すように、圧力センサ31Aの測定荷重に基づ
いてプローブ24Aのバネ定数KPを求める第1バネ定
数演算手段133Bと、メインチャック17の荷重と歪
み量の関係に基づいてメインチャック17のバネ定数K
Cを求める第2バネ定数演算手段133Cと、プローブ
のバネ定数KPとメインチャック17のバネ定数KCと
メインチャック17台のオーバードライブ量ODの関係
に基づいてプローブ24Aのメインチャック17との接
触位置における発生荷重GCを求める発生荷重演算手段
133Dとを有し、上述のように圧力センサ31Aの測
定荷重と研磨機構33の荷重・歪み量データに基づいて
メインチャック17における検査時に発生荷重を高精度
に求めることができる。
【0032】即ち、上記針研板33Aにおいて所定のオ
ーバードライブ量(X)でプローブ24Aを接触させ、
その時の荷重(G)を圧力センサ31Aを介して測定す
る。この時プローブ24Aに掛かるオーバードライブ量
は、上記オーバードライブ量(X)と第2記憶手段13
2に格納してある研磨機構33の荷重・歪み量データの
荷重(G)における歪み量(B)の関係から(B−X)
として求めることができる。またプローブ24Aのバネ
定数KPは第1バネ定数演算手段133Bにおいて下記
式により求めることができる。 KP=G/(B−X)・・・ メインチャック17のバネ定数KCはメインチャック情
報記憶部に格納された荷重・歪み量データの関係から第
2バネ定数演算手段133Cにおいて求められるため、
メインチャック17においてプローブ24Aに掛かるオ
ーバードライブ量をODP、メインチャック17に掛か
るオーバードライブ量ODCとすると、発生荷重演算手
段Dにおいてメインチャック17におけるオーバードラ
イブ量ODは下記式によって求めることができ、その
時の発生荷重GCは下記式によって求めることができ
る。 OD=ODP+ODC・・・ GC=KP*ODP=KC*ODC・・・
【0033】上記式及び式からメインチャック17
におけるオーバードライブ量ODと発生荷重GCは下記
式の関係にあり、しかも下記式においてバネ定数K
P、KCは既知である。 GC=[(KP*KC)/(KP+KC)]*OD・・・ この式をコントローラ13のメインチャック情報記憶
部132Aに記憶させておけば、上述のようにしてウエ
ハWの検査時にはCPU133においてメインチャック
17のオーバードライブ量ODからメインチャック17
における発生荷重GCを求めることができ、ひいては瞬
間瞬間のオーバードライブ量ODを介して発生荷重GC
を逐次モニターすることができる。この発生荷重GCを
介してオーバドライブ量が一定値になるように制御すれ
ば、安定した検査を確実に行うことができる。
【0034】従って、本実施形態によれば、プローブカ
ード24が経時的に変形した場合であっても針研板33
Aにおいて変形を反映した発生荷重GCを実測してある
ため、ウエハWの検査時にもプローブカード24の変形
を反映した荷重をモニターすることができる。また、同
一種のプローブカード24であっても各プローブカード
24は厳密には多少の歪み等があり全く同一の形態であ
る保証はなく、それぞれ固有の形態を呈する。このよう
な場合であっても研磨機構33においてプローブ24A
と針研板33Aの発生荷重GCを実測しておけば、各プ
ローブカード24の個性を反映した荷重をメインチャッ
ク17においてもモニターすることができる。
【0035】また、ウエハWの検査時にメインチャック
17に偏荷重が掛かった場合であっても、本実施形態で
はメインチャック17での荷重を上述のようにしてモニ
ターすることができるため、メインチャック17の歪み
量を正確に求めることができ、上記実施形態と同様にプ
ローブ24Aの三次元補正の精度を向上させることがで
き、プローブ24Aと電極パッドPとを確実に接触させ
ることができ、上記実施形態に準じた作用効果を期する
ことができる。
【0036】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではない。例えば、圧力センサ31はメインチャ
ック17とXテーブル18の間に設けられたものについ
て説明したが、メインチャック17上の荷重を実測でき
る場所であれば圧力センサの設置場所は特に制限される
ものではない。研磨機構側に設けられる圧力センサにつ
いても同様のことが云える。要は、ウエハWの検査時に
メインチャック(載置台)とプローブの荷重(針圧)を
モニターし、その結果に基づいて載置台のオーバドライ
ブ量を制御すると共にプローブの接触位置を三次元補正
するプローブ方法及びプローブ装置であれば、本発明の
プローブ方法及びプローブ装置に包含される。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1〜
請求項6に記載の発明によれば、プローブカードが種々
の原因で変形したり、熱的影響により膨張、収縮したり
してもプローブと被検査体の電極パッドを安定した荷重
で正確に接触させることができ、また、オーバドライブ
時に載置台が偏荷重を受けて傾斜してもプローブと被検
査体の電極パッドとを正確に接触させることができ、高
精度の検査を行うことができるプローブ方法及びプロー
ブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を示
す側面図である。
【図2】図1に示すプローブ装置の要部を示すブロック
図である。
【図3】図2に示すプローブ装置の要部の動作説明図で
ある。
【図4】図2に示すメインチャック上のウエハとプロー
ブの動作説明図である。
【図5】図4に示すウエハとプローブの動作説明図で、
(a)はウエハとプローブの動きの説明図、(b)は電
極パッドにおけるプローブの針跡を説明する図である。
【図6】本発明のプローブ装置の他の実施形態を示す図
1に相当する側面図である。
【図7】図7に示すプローブ装置の要部を示すブロック
図である。
【図8】プローブ装置の一部を破断して示す斜視図であ
る。
【図9】(a)は多ピン化前のプローブカードを用いて
従来のプローブ方法によりメインチャックをオーバドラ
イブした時のメインチャックとプローブとの関係を部分
的に拡大して示す概念図、(b)は(a)の状態におけ
る電極パッドと針跡との関係を示す説明図である。
【図10】(a)は多ピン化したプローブカードを用い
て従来のプローブ方法によりメインチャックをオーバド
ライブした時のメインチャックとプローブとの関係を部
分的に拡大して示す概念図、(b)は(a)の状態にお
ける電極パッドと針跡との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
10 プローブ装置 13 コントローラ 17 メインチャック(載置台) 24 プローブカード 24A プローブ 31、31A 圧力センサ 33 研磨機構 33A 針研板 133A 歪み量処理手段 133B 第1バネ定数演算手段 133C 第2バネ定数演算手段 133D 発生荷重演算手段 W ウエハ(被検査体)
フロントページの続き Fターム(参考) 2F051 AA21 AB09 AC01 BA07 2G011 AA17 AC01 AC02 AC06 AC14 AE03 2G032 AE06 AF01 AF04 AF05 4M106 AA01 BA01 DD06 DD10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コントローラの制御下で、X、Y、Z及
    びθ方向に移動可能な載置台に載置した被検査体とプロ
    ーブカードのプローブとを接触させた後、上記載置台を
    オーバドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を
    行うプローブ方法において、上記コントローラの制御下
    で、上記オーバドライブ時に上記プローブと上記被処理
    体の接触により発生する荷重を上記載置台に設けられた
    圧力センサを介して測定し、この測定荷重に基づいて上
    記載置台のオーバドライブ量を制御することを特徴とす
    るプローブ方法。
  2. 【請求項2】 上記載置台の荷重と歪み量の関係に基づ
    いて上記測定荷重に対する上記載置台の歪み量を求め、
    この歪み量に基づいて上記プローブと上記被検査体との
    位置ずれを補正することを特徴とする請求項1に記載の
    プローブ方法。
  3. 【請求項3】 コントローラの制御下で、X、Y、Z及
    びθ方向に移動可能な載置台に載置した被検査体とプロ
    ーブカードのプローブとを接触させた後、上記載置台を
    オーバドライブさせて上記被検査体の電気的特性検査を
    行うプローブ方法において、上記コントローラの制御下
    で、上記プローブの針先を研磨する時に使用される、上
    記載置台に付設された研磨機構の針研板を上記プローブ
    の真下に配置し、この位置において上記針研板をオーバ
    ドライブさせた時の上記針研板と上記プローブの接触に
    より発生する荷重を上記研磨機構に設けられた圧力セン
    サを介して測定し、この測定荷重に基づいて上記載置台
    のオーバドライブ量を制御することを特徴とするプロー
    ブ方法。
  4. 【請求項4】 上記測定荷重と上記研磨機構の荷重と歪
    み量の関係に基づいて上記測定荷重に対する上記研磨機
    構の歪み量を求めた後、この歪み量と上記針研板のオー
    バドライブ量とから上記プローブのバネ定数を求め、更
    に、このバネ定数と上記載置台の荷重と歪み量の関係に
    基づいて求められた上記載置台のバネ定数と上記載置台
    のオーバードライブ量の関係に基づいて上記載置台での
    発生荷重を求め、この発生荷重に基づいて上記載置台の
    オーバドライブ量を制御することを特徴とする請求項3
    に記載のプローブ方法。
  5. 【請求項5】 被検査体を載置する載置台と、この載置
    台の上方に配置されたプローブカードと、このプローブ
    カードのプローブと上記被検査体を接触させるために上
    記載置台をX、Y及びZ方向にそれぞれ移動させる駆動
    機構と、これらの駆動機構を制御するコントローラとを
    備え、上記コントローラの制御下で、上記載置台を移動
    させて上記被検査体と上記プローブとを接触させた後、
    上記載置台をオーバドライブさせて上記被検査体の電気
    的特性検査を行うプローブ装置において、上記載置台は
    上記被検査体と上記プローブの接触荷重を測定する圧力
    センサを有し、上記コントローラは、上記プローブの接
    触位置及びその位置での上記圧力センサの測定荷重に基
    づいて上記載置台の歪み量を求める手段を有することを
    特徴とするプローブ装置。
  6. 【請求項6】 被検査体を載置する載置台と、この載置
    台の上方に配置されたプローブカードと、このプローブ
    カードのプローブと上記被検査体を接触させるために上
    記載置台をX、Y及びZ方向にそれぞれ移動させる駆動
    機構と、これらの駆動機構を制御するコントローラと、
    上記載置台に付設され且つ上記プローブを研磨する研磨
    機構とを備え、上記コントローラの制御下で、上記載置
    台を移動させて上記被検査体と上記プローブとを接触さ
    せた後、上記載置台をオーバドライブさせて上記被検査
    体の電気的特性検査を行うプローブ装置において、上記
    研磨機構は、上記プローブを研磨する針研板と、この針
    研板と上記プローブの接触荷重を測定する圧力センサと
    を有し、上記コントローラは、上記圧力センサの測定荷
    重に基づいて上記プローブのバネ定数を求める手段と、
    上記載置台の荷重と歪み量の関係に基づいて上記載置台
    のバネ定数を求める手段と、上記プローブのバネ定数と
    上記載置台のバネ定数と上記載置台のオーバードライブ
    量の関係に基づいて上記プローブの上記載置台との接触
    位置における発生荷重を求める手段とを有することを特
    徴とするプローブ装置。
JP28513999A 1999-10-06 1999-10-06 プローブ方法及びプローブ装置 Pending JP2001110857A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28513999A JP2001110857A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 プローブ方法及びプローブ装置
US09/667,502 US6777968B1 (en) 1999-10-06 2000-09-22 Probing method and probing apparatus in which steady load is applied to main chuck
TW089119656A TW471087B (en) 1999-10-06 2000-09-22 Probing method and probing apparatus
KR1020000057794A KR100657105B1 (ko) 1999-10-06 2000-10-02 프로브 방법 및 장치
US10/870,073 US7009415B2 (en) 1999-10-06 2004-06-18 Probing method and probing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28513999A JP2001110857A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 プローブ方法及びプローブ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001110857A true JP2001110857A (ja) 2001-04-20

Family

ID=17687615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28513999A Pending JP2001110857A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 プローブ方法及びプローブ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6777968B1 (ja)
JP (1) JP2001110857A (ja)
KR (1) KR100657105B1 (ja)
TW (1) TW471087B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724174B1 (ko) * 2001-08-06 2007-05-31 동경 엘렉트론 주식회사 프로브 카드의 특성을 측정하는 장치 및 방법
JP2007324189A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービング方法
JP2007324181A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービング方法
CN100407390C (zh) * 2001-11-30 2008-07-30 东京毅力科创株式会社 探测器装置和探测器测试方法
JP2009130114A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2009135503A (ja) * 2008-12-03 2009-06-18 Yokogawa Electric Corp ステージの昇降装置
JP2010508533A (ja) * 2006-11-01 2010-03-18 フォームファクター, インコーポレイテッド プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置
JP2015037136A (ja) * 2013-08-14 2015-02-23 株式会社東京精密 プローブ装置及びプローブ方法
JP6308639B1 (ja) * 2017-08-07 2018-04-11 株式会社テクノホロン プロービングステーション
TWI630396B (zh) * 2018-01-31 2018-07-21 中華精測科技股份有限公司 探針檢測裝置及其檢測模組
CN116990563A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 武汉精毅通电子技术有限公司 一种悬臂针自动植针系统及其方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4721247B2 (ja) * 2001-03-16 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
US7026832B2 (en) * 2002-10-28 2006-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Probe mark reading device and probe mark reading method
US7084650B2 (en) * 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
JP2004265895A (ja) * 2003-01-20 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法
JP2004265942A (ja) * 2003-02-20 2004-09-24 Okutekku:Kk プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置
EP1604218A2 (en) * 2003-03-14 2005-12-14 Applied Precision, LLC Method of mitigating effects of component deflection in a probe card analyzer
US7368929B2 (en) * 2006-01-18 2008-05-06 Electroglas, Inc. Methods and apparatuses for improved positioning in a probing system
KR100764631B1 (ko) * 2006-04-13 2007-10-08 (주)티에스이 프로브 팁 라운드 형상 가공 방법
CN101685133B (zh) * 2008-09-27 2011-12-07 京元电子股份有限公司 集成电路元件测试设备及其测试方法
WO2010143852A2 (ko) * 2009-06-09 2010-12-16 주식회사 쎄믹스 척의 기구적 강성을 보완한 웨이퍼 프로버 스테이션 및 그 제어방법
KR101089593B1 (ko) * 2009-06-09 2011-12-05 주식회사 쎄믹스 척의 기구적 강성을 보완한 웨이퍼 프로버 스테이션 및 그 제어방법
JP5529605B2 (ja) * 2010-03-26 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 ウエハチャックの傾き補正方法及びプローブ装置
KR102396428B1 (ko) 2014-11-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장치 및 방법
EP3379222B1 (en) 2017-03-22 2020-12-30 Methode Electronics Malta Ltd. Magnetoelastic based sensor assembly
US11221262B2 (en) 2018-02-27 2022-01-11 Methode Electronics, Inc. Towing systems and methods using magnetic field sensing
US11014417B2 (en) 2018-02-27 2021-05-25 Methode Electronics, Inc. Towing systems and methods using magnetic field sensing
US11084342B2 (en) 2018-02-27 2021-08-10 Methode Electronics, Inc. Towing systems and methods using magnetic field sensing
US11491832B2 (en) 2018-02-27 2022-11-08 Methode Electronics, Inc. Towing systems and methods using magnetic field sensing
EP3758959A4 (en) 2018-02-27 2022-03-09 Methode Electronics, Inc. TOWING SYSTEMS AND METHODS USING MAGNETIC SENSING
US11135882B2 (en) 2018-02-27 2021-10-05 Methode Electronics, Inc. Towing systems and methods using magnetic field sensing
TWI747720B (zh) * 2021-01-19 2021-11-21 吉而特科技股份有限公司 具定位效果的自動磨針機

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758785A (en) * 1986-09-03 1988-07-19 Tektronix, Inc. Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station
JPS6386445A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Canon Inc ウエハプロ−バのz軸オ−バドライブ量制御装置および方法
JPS6465848A (en) 1987-09-04 1989-03-13 Canon Kk Alignment
JP3208734B2 (ja) 1990-08-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP3219844B2 (ja) 1992-06-01 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5657394A (en) * 1993-06-04 1997-08-12 Integrated Technology Corporation Integrated circuit probe card inspection system
JP2818363B2 (ja) * 1993-08-31 1998-10-30 株式会社東芝 半導体製造装置
JPH07161783A (ja) * 1993-12-13 1995-06-23 Nec Corp 半導体測定装置及びその測定状態設定方法
KR100248569B1 (ko) * 1993-12-22 2000-03-15 히가시 데쓰로 프로우브장치
US5777485A (en) 1995-03-20 1998-07-07 Tokyo Electron Limited Probe method and apparatus with improved probe contact
US5773987A (en) 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
JPH09306516A (ja) 1996-05-15 1997-11-28 Mitsubishi Electric Corp 溶融炭酸塩型燃料電池
US5872458A (en) 1996-07-08 1999-02-16 Motorola, Inc. Method for electrically contacting semiconductor devices in trays and test contactor useful therefor
JP3639887B2 (ja) 1997-01-30 2005-04-20 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
JP3423979B2 (ja) 1997-07-11 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
JP2000260852A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ及び検査装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724174B1 (ko) * 2001-08-06 2007-05-31 동경 엘렉트론 주식회사 프로브 카드의 특성을 측정하는 장치 및 방법
CN100407390C (zh) * 2001-11-30 2008-07-30 东京毅力科创株式会社 探测器装置和探测器测试方法
JP2007324189A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービング方法
JP2007324181A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービング方法
JP2010508533A (ja) * 2006-11-01 2010-03-18 フォームファクター, インコーポレイテッド プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置
JP2009130114A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2009135503A (ja) * 2008-12-03 2009-06-18 Yokogawa Electric Corp ステージの昇降装置
JP2015037136A (ja) * 2013-08-14 2015-02-23 株式会社東京精密 プローブ装置及びプローブ方法
JP6308639B1 (ja) * 2017-08-07 2018-04-11 株式会社テクノホロン プロービングステーション
JP2019033150A (ja) * 2017-08-07 2019-02-28 株式会社テクノホロン プロービングステーション
TWI630396B (zh) * 2018-01-31 2018-07-21 中華精測科技股份有限公司 探針檢測裝置及其檢測模組
CN116990563A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 武汉精毅通电子技术有限公司 一种悬臂针自动植针系统及其方法
CN116990563B (zh) * 2023-09-27 2024-01-16 武汉精毅通电子技术有限公司 一种悬臂针自动植针系统及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6777968B1 (en) 2004-08-17
KR100657105B1 (ko) 2006-12-12
KR20010039968A (ko) 2001-05-15
TW471087B (en) 2002-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001110857A (ja) プローブ方法及びプローブ装置
US7009415B2 (en) Probing method and probing apparatus
JP3423979B2 (ja) プローブ方法及びプローブ装置
KR101099990B1 (ko) 프로브 장치, 프로빙 방법, 및 기록 매체
US7504844B2 (en) Inspection apparatus and method
TWI418819B (zh) 探測系統之改良式定位方法及設備
US4934064A (en) Alignment method in a wafer prober
TWI464817B (zh) An alignment method, a needle position detecting device, and a probe device
US7221177B2 (en) Probe apparatus with optical length-measuring unit and probe testing method
TWI431705B (zh) Method for detecting the position of the needle end of the probe, the alignment method, the needle end position detecting device, and the probe device
JP2003050271A (ja) プローブカード特性測定装置、プローブ装置及びプローブ方法
JP2003168707A (ja) プローブ装置
US20010013787A1 (en) Needle load measuring method, needle load setting method and needle load detecting mechanism
JP2011203001A (ja) プローブカード検査装置、検査方法及び検査システム
JP3248136B1 (ja) プローブ方法及びプローブ装置
JP2002057196A (ja) プローブ方法及びプローブ装置
JP3328148B2 (ja) プロービング方法およびプローバ
JP2011108695A (ja) 半導体検査装置、半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査プログラム
JPH08327658A (ja) 基板検査装置
JP3193958B2 (ja) プロ−ブ装置およびプロ−ブ方法
JP2000340620A (ja) プローブ装置
JPH0290A (ja) 液晶表示体プローブ装置及び液晶表示体の位置合わせ方法
JP2006318965A (ja) 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイス検査装置
JPH0758167A (ja) プローブ装置
JPH06232224A (ja) プローブ装置