JP2007324181A - プローバ及びプロービング方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プローブの接触圧の変化を容易に低コストで検出可能にすると共に接触圧を所定の範囲内に維持できるプローバ及びプロービング方法の実現。
【解決手段】ウエハW上の電子デバイスをテスタで検査をするために、テスタの各端子を前記電子デバイスの電極に接続するプローバであって、電極に接触するプローブ26を有するプローブカード25と、ステージ18と、ステージを移動する移動機構12-17と、移動制御部27と、電極とプローブの相対位置を検出するアライメント機構19,23と、を備えるプローバにおいて、少なくとも1つの移動軸の駆動モータの電流値を測定するモータ電流測定部62,65と、移動位置を維持するように制御した時のモータ電流値から、少なくとも1つの移動軸にかかる荷重を演算する電流−荷重演算部63,66とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体ウエハなどの基板上に形成された半導体チップ(ダイ)、MEMSなどの複数の電子デバイスの電気的な検査を行うために電子デバイスの電極をテスタに接続するプローバ及びプロービング方法に関する。以下、半導体ウエハ上に形成された電子デバイス(半導体チップ)を検査する場合を例として説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板上に形成されたMEMSやガラス基板上に形成された液晶パネル上の電子デバイスなどの電気的な検査を行うプローバ及びプロービング方法にも適用可能である。
半導体製造工程では、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理を施して、電子デバイスをそれぞれ有する複数のチップ(ダイ)を形成する。各チップは電気的特性が検査され、その後ダイサーで切り離なされた後、リードフレームなどに固定されて組み立てられる。上記の電気的特性の検査は、プローバとテスタを利用して行われる。プローバは、ウエハをステージに固定し、各チップの電極パッドにプローブを接触させる。テスタは、プローブに接続される端子から、電源および各種の試験信号を供給し、チップの電極に出力される信号をテスタで解析して正常に動作するかを確認する。
電子デバイスは広い用途に使用されており、広い温度範囲で使用される。そのため、電子デバイスの検査を行う場合、例えば、室温(常温)、200°Cのような高温、及び−55°Cのような低温で、検査する必要があり、プローバにはこのような環境での検査が行えることが要求される。そこで、プローバにおいてウエハを保持するステージのウエハ載置面の下に、例えば、ヒータ機構、チラー機構、ヒートポンプ機構などのステージの表面の温度を変えるウエハ温度調整機構を設けて、ステージの上に保持されたウエハを加熱又は冷却することが行われる。
図1は、ウエハ温度調整機構を有するプローバを備えるウエハテストシステムの概略構成を示す図である。図示のように、プローバ10は、基台11と、その上に設けられた移動ベース12と、Y軸移動部13と、X軸移動部14と、Z軸移動部15と、Z軸移動台16と、θ回転部17と、ステージ18と、プローブの位置を検出する針位置合わせカメラ19と、支柱20及び21と、ヘッドステージ22と、図示していない支柱に設けられたウエハアライメントカメラ23と、ヘッドステージ22に設けられたカードホルダ24と、カードホルダ24に取り付けられるプローブカード25と、ステージ移動制御部27と、を有する。プローブカード25には、カンチレバーやスプリングピンなどのプローブ26が設けられる。移動ベース12と、Y軸移動部13と、X軸移動部14と、Z軸移動部15と、Z軸移動台16と、θ回転部17は、ステージ18を3軸方向及びZ軸の回りに回転する移動・回転機構を構成し、ステージ移動制御部27により制御される。移動・回転機構については広く知られているので、ここでは説明を省略する。プローブカード25は、検査するデバイスの電極配置に応じて配置されたプローブ26を有し、検査するデバイスに応じて交換される。
ステージ18内には、ステージ18の高温又は低温にするためのヒータ・冷却液路28が設けられている。温度制御部29は、ヒータ・冷却液路28のヒータに供給する電力及び冷却液路に循環させる冷却液の温度を制御する。これにより、ステージ18を高温から低温の間の所望の温度にすることができ、それに応じてステージ18に保持されたウエハWを所望の温度にして検査を行うことができる。なお、温度制御部29は、ステージ18の表面の近くに設けられた図示していない温度センサの検出した温度に基づいて制御を行う。
テスタ30は、テスタ本体31と、テスタ本体31に設けられたコンタクトリング32とを有する。プローブカード25には各プローブに接続される端子が設けられており、コンタクトリング32はこの端子に接触するように配置されたスプリングプローブを有する。テスタ本体31は、図示していない支持機構により、プローバ10に対して保持される。
検査を行う場合には、針位置合わせカメラ19がプローブ26の下に位置するように、Z軸移動台16を移動させ、針位置合わせカメラ19でプローブ26の先端位置を検出する。このプローブ26の先端位置の検出は、プローブカードを交換した時にはかならず行う必要があり、プローブカードを交換しない時でも所定個数のチップを測定するごとに適宜行われる。次に、ステージ18に検査するウエハWを保持した状態で、ウエハWがウエハアライメントカメラ23の下に位置するように、Z軸移動台16を移動させ、ウエハW上の半導体チップの電極パッドの位置を検出する。1チップのすべての電極パッドの位置を検出する必要はなく、いくつかの電極パッドの位置を検出すればよい。また、ウエハW上のすべてのチップの電極パッドを検出する必要はなく、いくつかのチップの電極パッドの位置が検出される。
図2は、電極パッドをプローブ26に接触させる動作を説明するための図である。プローブ26の位置及びウエハWの位置を検出した後、チップの電極パッドの配列方向がプローブ26の配列方向に一致するように、θ回転部17によりステージ18を回転する。そして、ウエハWの検査するチップの電極パッドがプローブ26の下に位置するように移動した後、ステージ18を上昇させて、電極パッドをプローブ26に接触させる。
プローブ26は、バネ特性を有し、プローブの先端位置より接触点を上昇させることにより、電極に所定の接触圧で接触する。ウエハWとプローブ26の先端の配列面との傾き及びプローブ26の先端位置のばらつきなどを考慮して、電極パッドとプローブ26が確実に接触するように、プローブ26の先端位置より高い位置まで電極パッド、すなわちウエハWの表面を上昇させている。これをオーバードライブと称し、検出したプローブ26の先端位置からウエハWの表面を更に上昇させる移動量をオーバードライブ量と称する。従って、すべてのプローブが所定の接触圧でウエハの電極に接触していれば、ステージ18全体には、1本のプローブの接触圧にプローブ本数を乗じた接触圧力が印加される。近年は、スループットの向上のため、複数のダイを同時に検査するマルチプロービング処理が行われており、プローブの本数が数千本にもなる場合があり、そのような場合には、プローブカード25及びステージ18には全体として非常に大きな接触圧が印加される。
プローブの先端位置のバラツキは所定の範囲内になるように設定されており、針位置合わせカメラ19で確認され、先端位置が所定の範囲外のプローブが存在する場合にはプローブカードは補修される。このようにプローブの先端位置が所定の範囲内にあるので、上記のように、半導体チップの電極をプローブに接触させる時に、接触位置から更にオーバードライブ量だけウエハを上昇させることで、各プローブの電極との接触圧が所定の範囲内になると考えられてきた。
しかし、半導体デバイスの微細化及び高集積化に応じて、電極部分の膜厚も薄くなる傾向にあり、接触圧の許容範囲も小さくなっている。特に、高温又は低温での検査を行う場合には、各部の温度が変化して移動機構の移動量などに誤差を生じ、オーバードライブしただけではプローブ26を所定の範囲の接触圧で電極に接触できないという問題を生じている。
また、プローブが接触することにより、ステージが微小ではあるが傾斜して接触位置に誤差を生じるという問題もある。この問題はプローブ数が増加すると無視できない誤差を生じる。
そこで、特許文献1は、オーバードライブ量からプローブカードのステージに対する荷重を演算して、荷重によりステージが傾斜する時には移動位置を補正することを記載している。しかし、荷重はオーバードライブ量から演算しており、各種の変動を考慮すると、荷重、すなわちプローブの接触圧を正確に演算するのは難しいという問題がある。
また、特許文献2は、プローブカードの温度及びプローブカードの接触圧の少なくとも一方を検出して、検出した値に基づいてステージの位置を補正することを記載している。圧力の検出は圧力センサを使用して行う。
更に、特許文献3は、ステージに荷重を測定する圧力センサを設け、プローブとウエハとの接触により発生する荷重を測定して、オーバードライブ量を制御すること、言い換えればプローブ全体の電極に対する接触圧を一定にすることを記載している。
更に、特許文献4は、ステージの位置を検出するリニアエンコーダを設けて、オーバードライブ量と実際の変位量の差からプローブのウエハとの接触による沈み量を演算して接触圧を演算することを記載している。
特開平11−30651号公報 特開平11−176893号公報 特開2001−110857 特開2001−228212
特許文献2は、プローブカードに設けた圧力センサによりプローブのウエハとの接触によりプローブカードに生じる圧力を検出しており、圧力センサを設けるためコストが増加するという問題がある。特に、プローブカードに生じる圧力は位置により異なるので複数箇所に圧力センサを設けており、コスト増加が大きい。
特許文献3も圧力センサを使用しており、圧力センサを設けるためコストが増加するという問題がある。特に、ステージはプローブが接触しても傾斜しない剛性が必要であるが、特許文献3では、ステージを支持する部分に圧力センサを設けており、ステージの剛性を維持しながら荷重を測定する圧力センサを設けるのは難しく、圧力センサの設置機構が複雑で高コストになるという問題がある。
特許文献4は、リニアエンコーダにより検出したステージの位置から接触圧を演算しており、接触圧に直接関係する物理量を検出するものではないため、測定移動誤差が増加した場合などには、接触圧が正確に検出できないという問題を生じる。
更に、特許文献2及び3は、ステージのウエハ載置面に垂直な方向、すなわちZ軸方向の圧力のみを問題にしているが、プローブの形状や配置によっては、ステージに対してZ軸方向だけでなく、他の軸方向や回転方向についても力が加えられ、プローブと電極の相対位置の変化を生じる場合がある。このようなZ軸方向以外の方向についても測定できるようにするには、更に多くの圧力センサを設ける必要があり、更なるコスト増加をもたらす。
本発明は、このような問題を解決するもので、プローブのウエハに対する接触圧や相対位置の変化を生じるような圧力変化を容易に低コストで検出可能にすると共に、プローブのウエハに対する接触圧を所定の範囲内に維持できるプローバ及びプロービング方法の実現を目的とする。
上記目的を実現するため、本発明のプローバ及びプロービング方法は、ステージの移動機構で、ステージの移動位置を維持する時のZ、X、Y、θの各軸方向の駆動モータの電流値を検出することにより各軸方向の荷重を検出する。
すなわち、本発明のプローバは、基板上の電子デバイスをテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記電子デバイスの電極に接続するプローバであって、前記電子デバイスの電極に接触して前記電極を前記テスタの端子に接続するプローブを有するプローブカードと、基板を保持するステージと、前記ステージを移動する移動機構と、前記移動機構を制御する移動制御部と、前記プローブカードの前記プローブの位置を検出すると共に、前記ステージに保持された前記基板の前記電子デバイスの電極の位置を検出するアライメント動作を行い、前記電子デバイスの電極と前記プローブの相対位置を検出するアライメント機構と、を備え、前記移動制御部は、前記アライメント機構の検出した前記相対位置に基づいて、検査する前記電子デバイスの電極を前記プローブに接触させるように前記移動機構を制御するプローバにおいて、前記移動機構の少なくとも1つの移動軸の駆動モータの電流値を測定するモータ電流測定部と、前記移動制御部が、前記少なくとも1つの移動軸の移動位置を維持するように制御した時の前記モータ電流測定部の測定した電流値から、前記移動機構の前記少なくとも1つの移動軸にかかる荷重を演算する電流−荷重演算部と、を備えることを特徴とする。
また、本発明のプロービング方法は、基板上の電子デバイスをテスタで検査をするために、プローバのプローブカードに設けられ、前記テスタの各端子に接続されるプローブを、ステージに保持された前記基板上の電子デバイスの電極に接触させるプロービング方法であって、前記プローブカードの前記プローブの位置を検出すると共に、前記ステージに保持された前記基板の前記電子デバイスの電極の位置を検出するアライメント動作を行い、前記電子デバイスの電極と前記プローブの相対位置を検出し、検出した前記相対位置に基づいて、検査する前記電子デバイスの電極を前記プローブに接触させるように移動させるプロービング方法において、前記ステージを移動させる移動機構の少なくとも1つの移動軸の駆動モータを移動位置を維持するように制御した時の前記駆動モータの電流値を測定し、測定した電流値から、前記移動機構の前記少なくとも1つの移動軸にかかる荷重を演算することを特徴とする。
本発明によれば、各移動軸の荷重を、低コストのモータ電流測定部により測定することができる。
移動制御部は、電流−荷重演算部の演算した荷重が所定範囲内になるように、移動機構によるステージの移動を制御する。
本発明では、駆動モータとして、電流値により荷重を測定できるモータを使用する。このようなモータとしては、例えば、リニアモータ、直流サーボモータ又は交流サーボモータなどが使用できる。
プローブと基板の接触による接触圧は、主としてステージの載置面に垂直なZ軸方向に生じるので、ステージの移動機構のZ軸方向の駆動モータの荷重は少なくとも測定するが、他のX軸方向、Y軸方向及びθ回転方向の駆動モータについても必要に応じて測定する。
演算した荷重が所定範囲内になるようにする制御は、電子デバイスの電極がプローブに接触した状態で行うか、電極がプローブから離れた状態で行うかのいずれかである。Z軸方向及びそれ以外の方向について、この2つの方法を行うことができるが、Z軸方向については電極がプローブに接触した状態で、Z軸以外の方向については電極がプローブから離れた状態で行うことが望ましい。
ステージの温度を高温又は低温にするステージ温度調整機構を備えプローバの場合、温度変化量の増大に伴い移動機構の移動誤差も増加するので、本発明を適用すると効果的である。
本発明により、プローブと基板の電極との接触が確実に行えるプローバ及びプロービング方法が、低コストで実現できる。
本発明の実施例のプローバは、図1に示したウエハテストシステムで使用される。
図3は、実施例のプローバのステージ18及びその移動機構に関係する部分の構成を示す図である。図3に示すように、カードホルダ(図示せず)に保持されたプローブカード25にはプローブ26が、ステージ18に保持されたウエハWに対向するように設けられている。図1に示すように、ステージ18にはヒータ・冷却液路28が設けられているが図示は省略している。ステージ18は、θ回転部17に支持され、Z軸の回りに回転可能である。θ回転部17及び針位置合わせカメラ19は、Z軸移動台16に支持され、Z軸移動部15によりZ軸方向(上下方向)に移動可能である。
Z軸移動部15では、X軸移動台47に設けられた摺動ベース42に対してZ軸方向に摺動可能に支持された摺動部材41に取り付けられている。摺動部材41の底板43には、ボールネジのナット部44が取り付けられている。ボールネジ45は、Z軸移動台16の軸受(図示せず)と、X軸移動台47の軸受46に支持され、X軸移動台47に設けられたZ軸モータ48により回転される。ボールネジ45が回転すると、その回転方向に応じてZ軸移動台16がZ軸方向に移動する。
X軸移動部14では、Y移動台58上に、2つの側板50と、摺動ベース51が設けられている。X軸移動台47の下に設けた摺動部材52は、摺動ベース51に対してX軸方向に摺動可能に支持されており、X軸移動台47はX軸方向に移動可能である。2つの側板50の軸受(一方のみ図示)56にはボールネジ55が支持されており、側板50に設けられたX軸モータ57により回転される。X軸移動台47の下には、支持板53が設けられ、支持板53にはボールネジ55のナット部54が取り付けられている。ボールネジ55が回転すると、その回転方向に応じてX軸移動台47がX軸方向に移動する。
更に、Z軸モータ48を駆動するZ軸モータ駆動部61と、X軸モータ57を駆動するX軸モータ駆動部64と、が設けられている。
ここでは、Z軸移動機構とX軸移動機構のみを示したが、Y軸移動部13にも同様の機構が設けられており、θ回転部17にはモータによりZ軸の回りにステージ18を回転する機構が設けられており、それぞれの駆動モータを駆動する駆動部が設けられている。以上の構成は、従来例と同じである。
本実施例では、駆動モータ48及び57は、リニアモータである。リニアモータは、モータの荷重と電流値、すなわちトルクと電流値が対応するため、電流値を測定することにより、モータの荷重が測定できる。このようにトルクと電流値が対応するモータ、例えば直流サーボモータや交流サーボモータをリニアモータの代わりに使用することもできる。従って、トルクと電流値が対応しないステッピングモータは使用できない。
各駆動モータにはエンコーダが設けられ、回転量が制御できるようになっている。更に、X軸、Y軸及びZ軸については、それぞれリニアスケールが設けられ、リニアスケールの値を読み取って位置制御ができるようになっている。なお、θ回転軸についても回転量を検出するスケールを設けて回転量が制御できるようになっている。
本実施例では、Z軸、X軸、Y軸及びθ回転軸のそれぞれの駆動モータの電流を測定し、測定値から荷重を演算する演算部を設けている。図3に示すように、Z軸モータ駆動部61におけるZ軸モータ48の駆動信号の電流を測定するZ軸電流測定部62と、測定した電流から荷重を演算する電流−荷重演算部63と、X軸モータ駆動部64におけるX軸モータ57の駆動信号の電流を測定するX軸電流測定部65と、測定した電流から荷重を演算する電流−荷重演算部66と、が設けられている。電流−荷重演算部63及び66で演算されたZ軸及びX軸の荷重データはステージ移動制御部27に送られる。なお、ここでは、Z軸とX軸の荷重を演算する部分についてのみ図示したが、Y軸及びθ回転軸についても電流測定部と電流−荷重演算部が設けられている。
図4は、実施例のプローバにおいて、ウエハの検査する半導体チップの電極をプローブに接触させ、検査の間接触状態を維持する制御動作を示すフローチャートである。
ステップ101では、プローブ位置検出処理及びアライメント処理の結果に基づいて、X軸、Y軸及びθ回転移動機構を制御して、電極がプローブの下に位置するようにステージを移動する。移動量の制御は、エンコーダ及びリニアスケールなどを利用して行われる。
ステップ102では、X軸、Y軸及びθ回転の駆動モータを保持モードに切り換える。保持モードでは、移動した位置を維持する動作が行われ、リニアスケールなどを監視して、移動した位置、すなわちスケールの値が変化しないように制御が行われる。
ステップ103では、Z軸の駆動モータを制御して、所定のオーバードライブ量になるようにステージを移動する。
ステップ104では、Z軸の駆動モータを保持モードに切り換える。上記のように、所定のオーバードライブ量になるようにステージをZ軸方向に移動しており、プローブが電極に接触して撓んでいるので、接触圧が生じている。
ステップ105では、Z軸の駆動モータの電流値を測定する。
ステップ106では、測定した電流値からZ軸の荷重を演算する。ここで演算されたZ軸の荷重はプローブの電極との接触圧に対応する。
ステップ107では、演算した荷重があらかじめ設定された所定の範囲内であるかを判定する。
もし、範囲外であれば、ステップ108に進む。これ以降、プローブと電極との接触が行われている間は、Z軸方向についてはスケールの値を維持する制御でなく、演算した荷重が所定範囲内になるようにフィードバックする制御に切り換えられる。
ステップ108では、Z軸の駆動モータの荷重が所定範囲内になるようにどちらの方向に移動すべきか決定する。言い換えれば、荷重が小さければステージを上昇させ、荷重が大きければステージを降下させる方向である。
ステップ109では、エンコーダまたはスケールの単位移動量だけZ軸方向に移動し、ステップ105に戻る。
そして、演算したZ軸の荷重が所定範囲内に入るように、以上のステップ105から109を繰り返す。ステップ107で演算したZ軸の荷重が所定範囲内であると判定されると、ステップ110に進む。
ステップ110では、X軸、Y軸及びθ回転の駆動モータの電流値を測定する。
ステップ111では、測定した電流値からX軸、Y軸及びθ回転の荷重を演算する。
ステップ112では、演算した荷重があらかじめ設定された所定の範囲内であるかを判定する。もし、X軸、Y軸及びθ回転の荷重がすべて範囲内であれば、ステップ105に戻る。そして、プローブを接触させた半導体チップに対する検査を開始する。もし、X軸、Y軸及びθ回転の荷重の1つでも範囲外であれば、ステップ113に進む。ステップ113以降は、荷重が範囲外の軸についてのみ行われ、そのような軸が複数ある場合には順番に行われる。
ステップ113では、X軸、Y軸及びθ回転の荷重が所定範囲内になるようにどちらの方向に移動すべきか決定する。
ステップ114では、位置制御するスケールの値を上記の方向に単位量だけ変化させて記憶する(更新する)。
ステップ115では、変化させたスケールの値の値になるように移動する。
ステップ116では、保持モードに切り換え、ステップ110に戻る。
そして、ステップ110から116を繰り返して、X軸、Y軸及びθ回転の荷重が所定範囲内に入るようにする。ステップ112で、X軸、Y軸及びθ回転の荷重が所定範囲内にあると判定された場合には、ステップ105に戻る。そして、プローブを接触させた半導体チップに対する検査を開始し、検査の間ステップ105から116を繰り返す。これにより、検査の間に温度変化などによって、各部が伸縮して位置が変化しても、所望の状態が維持される。
検査が終了して別の半導体チップを検査する場合には、ステージをZ軸方向に降下させてプローブを電極から離した後、ステップ101から同様の動作を行う。
図4のフローチャートでは、ステップ112で、演算したX軸、Y軸及びθ回転の荷重の1つでも所定範囲外であれば、そのままの状態、すなわちプローブが電極に接触した状態でX軸、Y軸及びθ回転の方向の移動が行われる。この移動はスケールの単位量である微小な移動量であり、ほとんどの場合微小量移動するだけでX軸、Y軸及びθ回転の荷重のすべてが所定範囲内になるので、プローブが電極に接触した状態で移動してもほとんど問題は生じない。しかし、プローブが電極に接触した状態で移動すると、プローブが電極面を擦るのでゴミなどが発生する恐れがある。このような問題の発生を防止するようにした制御動作の変形例を図5のフローチャートで説明する。
図5のフローチャートは、ステップ112で、X軸、Y軸及びθ回転の荷重が所定範囲外であると判定された場合に、ステップ121に進む。
ステップ121及び122は、ステップ113及び114と同じである。
ステップ123では、プローブと電極が非接触状態になるように、Z軸方向に移動、すなわちステージを降下させる。
ステップ124では、X軸、Y軸及びθ回転軸について記憶したスケール値に従って移動を行い、ステップ103に戻る。そして、再び電極がプローブに接触するようにステージを上昇させて、ステップ103以下の動作を行う。ここで、ステップ121から124は検査を開始する前に行い、検査を開始した後は、ステップ107でZ軸の荷重が所定範囲内であると判定された時には、ステップ105に戻り、ステップ110以降は、行わないようにすることが望ましい。これにより、検査の途中で、プローブと電極が非接触状態になり検査が中断されるということがなくなる。
以上、本発明の実施例を説明したが、各種の変形例があり得るのはいうまでもない。例えば、ステップ107でZ軸の荷重が所定範囲内であると判定された時には、ステップ105に戻るようにして、Z軸方向の荷重についてのみフィードバック制御を行い、X軸、Y軸及びθ回転軸については、アライメント処理に基づくスケールを利用した位置制御のみを行うようにしてもよい。
本発明は、プローバであればどのようなプローバにも適用可能である。
プローバとテスタでウエハ上のチップを検査するシステムの基本構成を示す図である。 電極パッドをプローブに接触させる動作を説明する図である。 本発明の実施例のプローバのステージ及びその移動機構に関係する部分の構成を示す図である。 実施例のプローバにおいて、半導体チップの電極をプローブに接触させ、検査の間接触状態を維持する制御動作を示すフローチャートである。 図4の制御動作の変形例を示すフローチャートである。
符号の説明
13 Y軸移動部
14 X軸移動部
15 Z軸移動部
16 Z軸移動台
17 θ回転部
18 ステージ
19 針位置合わせカメラ
23 ウエハライメントカメラ
25 プローブカード
26 プローブ
27 ステージ移動制御部
48 Z軸モータ
57 X軸モータ
61 Z軸モータ駆動部
62 Z軸電流測定部
63、66 電流−荷重演算部
64 X軸モータ駆動部
65 X軸電流測定部
W ウエハ

Claims (10)

  1. 基板上の電子デバイスをテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記電子デバイスの電極に接続するプローバであって、
    前記電子デバイスの電極に接触して前記電極を前記テスタの端子に接続するプローブを有するプローブカードと、
    基板を保持するステージと、
    前記ステージを移動する移動機構と、
    前記移動機構を制御する移動制御部と、
    前記プローブカードの前記プローブの位置を検出すると共に、前記ステージに保持された前記基板の前記電子デバイスの電極の位置を検出するアライメント動作を行い、前記電子デバイスの電極と前記プローブの相対位置を検出するアライメント機構と、を備え、
    前記移動制御部は、前記アライメント機構の検出した前記相対位置に基づいて、検査する前記電子デバイスの電極を前記プローブに接触させるように前記移動機構を制御するプローバにおいて、
    前記移動機構の少なくとも1つの移動軸の駆動モータの電流値を測定するモータ電流測定部と、
    前記移動制御部が、前記少なくとも1つの移動軸の移動位置を維持するように制御した時の前記モータ電流測定部の測定した電流値から、前記移動機構の前記少なくとも1つの移動軸にかかる荷重を演算する電流−荷重演算部と、を備えることを特徴とするプローバ。
  2. 前記移動制御部は、前記電流−荷重演算部の演算した荷重が所定範囲内になるように、前記移動機構による前記ステージの移動を制御する請求項1に記載のプローバ。
  3. 前記駆動モータは、リニアモータ、直流サーボモータ又は交流サーボモータのいずれかである請求項2に記載のプローバ。
  4. 前記少なくとも1つの移動軸の方向は、前記ステージの前記基板保持面に垂直なZ軸方向を含む請求項2に記載のプローバ。
  5. 前記少なくとも1つの移動軸の方向は、前記Z軸方向以外の方向を含む請求項4に記載のプローバ。
  6. 前記演算した荷重が所定範囲内になるようにする前記移動制御部による前記駆動モータの制御は、前記電子デバイスの電極が前記プローブに接触した状態で行われる請求項4又は5に記載のプローバ。
  7. 前記Z軸方向の前記演算した荷重が所定範囲内になるようにする移動は、前記電子デバイスの電極が前記プローブに接触した状態で行われ、前記Z軸以外の方向の前記演算した荷重が所定範囲内になるようにする移動は、前記電子デバイスの電極が前記プローブに接触しない状態で行われる請求項5に記載のプローバ。
  8. 前記ステージの温度を所定温度にするステージ温度調整機構を更に備える請求項1から7のいずれか1項に記載のプローバ。
  9. 基板上の電子デバイスをテスタで検査をするために、プローバのプローブカードに設けられ、前記テスタの各端子に接続されるプローブを、ステージに保持された前記基板上の電子デバイスの電極に接触させるプロービング方法であって、
    前記プローブカードの前記プローブの位置を検出すると共に、前記ステージに保持された前記基板の前記電子デバイスの電極の位置を検出するアライメント動作を行い、前記電子デバイスの電極と前記プローブの相対位置を検出し、
    検出した前記相対位置に基づいて、検査する前記電子デバイスの電極を前記プローブに接触させるように移動させるプロービング方法において、
    前記ステージを移動させる移動機構の少なくとも1つの移動軸の駆動モータを移動位置を維持するように制御した時の前記駆動モータの電流値を測定し、
    測定した電流値から、前記移動機構の前記少なくとも1つの移動軸にかかる荷重を演算することを特徴とするプロービング方法。
  10. 演算した荷重が所定範囲内になるように、前記移動機構による前記ステージの移動を制御する請求項9に記載のプロービング方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010132378A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Ueno Seiki Kk 保持手段駆動装置、その制御方法、及び制御プログラム
CN104267299A (zh) * 2014-10-23 2015-01-07 昆山国显光电有限公司 阵列测试装置和方法
JP2015170627A (ja) * 2014-03-05 2015-09-28 株式会社東京精密 コンタクト位置制御方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892968A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Hitachi Ltd 自動プロ−ブヘツド
JP2001110857A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
JP2003066097A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Toshiba Corp 半導体装置の試験装置
JP2004071909A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Tokyo Electron Ltd 載置台の駆動装置及びプローブ装置
JP2005333045A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Nec Electronics Corp プローバ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892968A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Hitachi Ltd 自動プロ−ブヘツド
JP2001110857A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
JP2003066097A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Toshiba Corp 半導体装置の試験装置
JP2004071909A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Tokyo Electron Ltd 載置台の駆動装置及びプローブ装置
JP2005333045A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Nec Electronics Corp プローバ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010132378A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Ueno Seiki Kk 保持手段駆動装置、その制御方法、及び制御プログラム
JP2015170627A (ja) * 2014-03-05 2015-09-28 株式会社東京精密 コンタクト位置制御方法
CN104267299A (zh) * 2014-10-23 2015-01-07 昆山国显光电有限公司 阵列测试装置和方法

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