TWI464817B - An alignment method, a needle position detecting device, and a probe device - Google Patents

An alignment method, a needle position detecting device, and a probe device Download PDF

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TWI464817B
TWI464817B TW098110907A TW98110907A TWI464817B TW I464817 B TWI464817 B TW I464817B TW 098110907 A TW098110907 A TW 098110907A TW 98110907 A TW98110907 A TW 98110907A TW I464817 B TWI464817 B TW I464817B
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Masaru Suzuki
Tetsuji Watanabe
Takeshi Kawaji
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Tokyo Electron Ltd
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    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
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    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
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Description

對準方法、針頭位置檢測裝置及探針裝置
本發明係關於執行半導體晶圓等之被檢查體之電特性檢查之時所使用之對準方法、針頭位置檢測裝置及探針裝置，更詳細而言係關於可以高精度執行被檢查體和多數探針之對準而提高檢查之信賴性之對準方法、針頭位置檢測裝置及探針位置。
於使用多數探針執行半導體晶圓等之被檢查體之電性特性之時，例如藉由攝影機攝影被設置在探針卡之多數探針之針頭，檢測出探針之針頭位置，使被檢查體之電極墊和探針接觸而執行檢查。為了使用攝影機檢測出探針之針頭位置，將攝影機之焦點對準探針之針頭，需花費時間，其結果因對被檢查體和探針卡之對準不得不騰出較多時間，故通常不對所有探針執行，選擇例如代表性數根探針執行對準。
但是，於電極墊微細化之時，因產生所有探針無法精確接觸於各個的電極墊之可能性，故以儘可能可以檢測出所有探針之針頭位置為佳。況且，探針卡在製造上具有偏差，即使相同規格之探針卡也難以避免製造上之偏差，因此要求更高精度之針頭檢測。
再者，因從多數探針卡廠商開發有各種種類之探針卡，故每次必須開發以三次元對多數探針進行畫像辨識之 專用的演算法。對應於此因必須花費巨大費用，故若能在二次元之薄片上轉印多數探針，則可以容易開發演算法。
例如，專利文獻1中係針對執行探針和晶圓之對準的探測方法予以記載。在該方法中，將探針之針跡轉印至平台上之被對準的晶圓或附設於平台之薄片，比較晶圓之方位和多數探針之方位，修正平台之方位之後，使晶圓之基準片之XY座標和多數探針之XY座標一致。
再者，在專利文獻2針對使用轉印片檢測出探針針頭之狀態的方法予以記載。在該方法中，將針跡印在熱膨脹後之探針壓接於被配置在載置台邊之支撐台的轉印薄片，並檢測出轉印薄片之針跡之後，定位熱膨脹後之探針和晶圓。
再者，專利文獻3係針對定位方法予以記載。在該方法中，將探針之針跡印在虛擬晶圓上而予以檢測出，依此認識探針之方向和設定位置。
但是，在引用文獻1針對對準之重要因子即是檢測出探針之針頭的點卻無記載。再者，於專利文獻2之技術時，根據被形成在轉印薄片之多數探針之針跡，雖然取得多數探針之XY座標資料，但是於檢測出針頭之高度之時，必須檢測出針跡之深度，難以高精度求出針頭高度。再者，於專利文獻3之技術時，因根據虛擬晶圓之針跡， 求出多數探針之針頭，故與專利文獻2之技術相同可以取得針頭之XY座標資料，但針頭之Z座標資料不得不依賴攝影機。
於是，本申請人提出在專利文獻4中可以高精度檢測出探針之針頭位置之探針前端之檢測方法。針對該方法一面參照第10圖(a)~(g)一面予以概略說明。在該方法中，首先如第10圖(a)所示般，將附設於對準機構之對準橋(無圖示)之上CCD攝影機1之焦點，和附設於載置台2之下CCD攝影機3之焦點對準附設於載置台2之標靶4，求出載置台2之基準位置。接著，如同圖(b)所示般，在載置台2移動之期間，以上攝影機1探索用以檢測出探針卡5之多數探針5A之針頭的針頭位置檢測裝置6，以上攝影機1檢測出針頭位置檢測裝置6之上面之位置，自此時之載置台2之位置求出針頭位置檢測裝置6之上面位置(x、y、z)。之後，如同圖(c)所示般，以下CCD攝影機3檢測出附設於對準橋之虛擬銷7之前端位置。接著，如同圖(d)所示般，使虛擬銷7接觸於檢測出上面位置之針頭位置檢測裝置6，確認針頭位置檢測裝置6是否動作，於確認動作之後，如同圖(e)所示般，檢測出針頭位置檢測裝置6之上面位置。如此一來，於檢測出針頭位置檢測裝置6之上面位置之後，如同圖(f)所示般，使探針卡5之多數探針5A接觸於針頭位置檢測裝置6之上面，自此時之載置台4之位置求出探針5A之針頭位置(x、y、z)。然後，以藉由針頭位置檢測裝置6所檢測出之探針5A之針頭位置(x、y、 z)為目標，使載置台4移動而藉由CCD攝影機2迅速且高精度檢測出多數探針5A之針頭。此時，因知道探針5A之針頭位置，故可以簡單將下CCD之攝影機2之焦點對準於探針5A之針頭。
但是，在專利文獻4之技術中，可以高精度檢測出多數探針5A之針頭位置之另一面，因到檢測出多數探針5A需執行同圖(a)~(f)所示般之多工程，故多數探針5A之針頭位置之檢測不得不騰出較多時間。
[專利文獻1]日本特公平05-067059號公報
[專利文獻2]日本特開2005-079253號公報
[專利文獻3]日本特開平02-224260號公報
[專利文獻4]日本特開2007-324340號公報
本發明係為了解決上述課題而所研究出者，其目的為提供可以簡化檢測多數探針高度之工程而在短時間高精度執行被檢查體之檢查用之電極和多數探針之對準，並且可以提高檢查信賴性之對準方法、針頭位置檢測裝置以及探針裝置。
本發明申請專利範圍第1項所記載之對準方法，係於使能夠移動之載置台上之被檢查體和多數探針電性接觸而進行上述被檢查體之電性特性檢查時，使用能夠移動地被配置在上述載置台之上方並且攝影上述被檢查體之第1攝影手段、被附設在上述載置台並且攝影上述探針之第2攝 影手段，以及被附設在上述載置台並且檢測出上述多數探針之針頭的針頭位置檢測裝置，對準上述被檢查體和上述多數探針，其特徵為：具備有使用上述針頭位置檢測裝置，檢測出上述多數探針之針頭位置的A工程；使用上述第2攝影手段，檢測出在上述針頭位置檢測裝置所檢測出之上述多數探針之針頭位置的B工程；使被安裝於上述針頭位置檢測裝置之軟質構件和上述多數探針接觸而將上述多數探針之針跡轉印至上述軟質構件之C工程；使用上述第1攝影手段，檢測出被形成在上述軟質構件之上述多數探針之針跡的D工程；和使用上述第1攝影手段，檢測出對應於上述多數探針之上述被檢查體之檢查用之電極的E工程。
再者，本發明之申請專利範圍第2項所記載之對準方法係在申請專利範圍第1項所記載之發明中，上述針頭位置檢測裝置具備有檢測出上述多數探針的針頭之感測器部，和屬於該感測器部之能夠升降的接觸體，上述第A工程具有上述針頭位置檢測裝置透過上述載置台移動而使上述接觸體與上述多數探針之針頭接觸的第1工程；藉由上述載置台更進一步移動，上述多數探針不彎曲，使上述接觸體移動至上述感測器部側的第2工程；和將上述接觸體開始移動之位置當作上述多數探針之針頭位置而予以檢測出的第3工程。
再者，本發明之申請專利範圍第3項所記載之對準方法係在申請專利範圍第2項所記載之發明中，在上述第2 工程中，上述多數探針不會損害上述軟質構件。
再者，本發明之申請專利範圍第4項所記載之對準方法係在申請專利範圍第2或3項所記載之發明中，在上述第2工程中，藉由位移感測器檢測出上述接觸體之現在位置。
再者，本發明之申請專利範圍第5項所記載之對準方法係在申請專利範圍第4項所記載之發明中，在上述第3工程中，根據上述位移感測器之檢測結果檢測出上述多數探針之針頭位置。
再者，本發明之申請專利範圍第6項所記載之針頭位置檢測裝置，於使被檢查體和多數探針電性接觸進行上述被檢查體之電性特性檢查時，用於檢測出上述多數探針之針頭位置，其特徵為：上述針頭位置檢測裝置具備檢測上述多數探針之針頭的感測器部，而且上述感測器部具有感測器部本體；能升降地被設置在上述感測器部本體之接觸體；和對上述接觸體賦予特定壓力，使上述接觸體自上述感測器部本體僅間隔開特定距離之壓力賦予手段，並且，上述感測器部本體具有利用依據上述壓力賦予手段所賦予之上述特定壓力彈力性支撐上述接觸體的彈力支撐機構，在上述接觸體上安裝有軟質構件，上述壓力賦予手段被構成在第1壓力和較上述第1壓力高的第2壓力之間切換上述特定壓力，上述接觸體被構成在以上述第1壓力被保持之狀態下藉由與上述多數探針接觸，下降至上述感測器部本體側而檢測出上述多數探針之針頭位置，在以上述第2 壓力被保持之狀態下不會下降，上述多數探針之針跡被轉印在上述軟質構件。
再者，本發明之申請專利範圍第7項所記載之針頭位置檢測裝置係在申請專利範圍第6項所記載之發明中，在上述感測器部具有檢測出上述接觸體之現在位置的移位感測器。
再者，本發明之申請專利範圍第8項所記載之探針裝置，具備有載置被檢查體之能夠移動的載置台、被配置在該載置台之上方的多數探針，和以檢測出該些探針之針頭位置之方式被設置在上述載置台的針頭位置檢測裝置，其特徵為：上述針頭位置檢測裝置具備檢測上述多數探針之針頭的感測器部，而且上述感測器部具有感測器部本體；能升降地被設置在上述感測器部本體之接觸體；和對上述接觸體賦予特定壓力，使上述接觸體自上述感測器部本體僅間隔開特定距離之壓力賦予手段，並且，上述感測器部本體具有利用依據上述壓力賦予手段所賦予之上述特定壓力彈力性支撐上述接觸體的彈力支撐機構，在上述接觸體上安裝有軟質構件，上述壓力賦予手段被構成在第1壓力和較上述第1壓力高的第2壓力之間切換上述特定壓力，上述接觸體被構成在以上述第1壓力被保持之狀態下藉由與上述多數探針接觸，下降至上述感測器部本體側而檢測出上述多數探針之針頭位置，在以上述第2壓力被保持之狀態下不會下降，上述多數探針之針跡被轉印在上述軟質構件。
再者，本發明之申請專利範圍第9項所記載之探針裝置係在申請專利範圍第8項所記載之發明中，在上述感測器部具有檢測出上述接觸體之現在位置的移位感測器。
再者，本發明之申請專利範圍第10項所記載之探針裝置係在申請專利範圍第8項所記載之發明中，上述軟質構件拆裝自如。
再者，本發明之申請專利範圍第11項係在申請專利範圍第8項所記載之發明中，具備能夠升降支撐上述接觸體的升降驅動機構。
若藉由本發明，則可以提供可以簡化檢測多數探針高度之工程而在短時間高精度執行被檢查體之檢查用之電極和多數探針之對準，並且可以提高檢查信賴性之對準方法、針頭位置檢測裝置以及探針裝置。
以下，根據第1至9圖所示之實施型態說明本發明。並且，在各圖中，第1圖為表示本發明之探針裝置之一實施型態的構成圖，第2圖為表示第1圖之探針裝置所使用之針頭位置檢測裝置之側面圖，第3圖(a)~(c)各表示於本發明之對準方法之前所執行之檢測針頭位置檢測裝置之上面之高度的工程之工程說明圖，第4圖(a)~(c)各表示本發明之對準方法之一實施型態之重要部位之工程的斜視 圖，第5圖(a)~(d)各以工程順序表示接續於第4圖所示之工程而所執行之對準方法的工程說明圖，第6圖(a)、(b)各為取出第5圖(b)、(c)所示之工程而予以表示之圖示，(a)為表示形成第5圖(b)所示之針跡之工程的剖面圖，(b)為表示檢測出第4圖(c)所示之針跡之XY座標之工程的剖面圖，第7圖為表示第5圖(a)~(d)所示之對準工程之最後工程的說明圖，第8圖為表示本發明之探針裝置之其他實施型態之重樣部位的斜視圖，第9圖(a)、(b)為表示第1圖所示之探針裝置所使用之其他針頭位置檢測裝置之說明圖，(a)為表示接觸體上升之狀態之方塊圖，(b)為表示接觸體朝感測器下降之狀態的剖面圖。
[第1實施型態]
首先，針對本實施型態之探針裝置一面參照第1圖一面予以說明。本實施型態之探針裝置10係如第1圖所示般，被構成具備載置屬於被檢查體之半導體晶圓W之可移動之晶圓夾頭11、被配置在該晶圓夾頭11之上方的探針卡12、執行該探針卡12之多數探針12A和晶圓夾頭11上之半導體晶圓W之對準的對準機構13，和控制晶圓夾頭11及對準機構13等之控制裝置14，在控制裝置14之控制下對準機構13驅動，執行晶圓夾頭11上之半導體晶圓W之電極墊和探針卡12之多數探針12A之對準之後，使所有之探針12A和對應於該些之電極墊電性接觸而執行半導體晶圓W之電性特性檢查。
晶圓夾頭11係構成在控制裝置14之控制下經驅動的驅動機構15移動至X、Y、Z及θ方向。在晶圓夾頭11之側方配置有本實施型態之針頭位置檢測裝置16。該針頭位置檢測裝置16檢測出多數探針12A之針頭位置，如後述般使用於本發明之針頭位置之檢測方法及對準方法。
探針卡12係經卡支撐器17被安裝於探針室之頂板18，在多數探針12A與對應於該些之半導體晶圓W之電極墊電性接觸之狀態下，根據測試機(無圖示)側之訊號，執行半導體晶圓W之電性特性檢查。
再者，對準機構13係如第1圖所示般，具備有從其上方攝影半導體晶圓W之第1攝影手段(上CCD攝影機)13A，和被配設在晶圓夾頭11之側方並且從其下方攝影探針卡12之探針12A之第2攝影手段(下CCD攝影機)13B，和支撐上CCD攝影機13A能夠在一方向移動之對準橋13C，上CCD攝影機13A係在控制裝置14之控制下經對準橋13C從待機位置移動至探針卡12之中心之正下方(以下，稱為「探針中心」)，在其位置停止。位於探針中心之上CCD攝影機13A於對準時在晶圓夾頭11移動至X、Y之期間，從上方攝影晶圓夾頭11上之半導體晶圓W之電極墊，以其畫像處理部14C執行畫像處理，在顯示畫面(無圖示)顯示攝影畫像。下攝影機13B於對準時在晶圓夾頭11移動至X、Y方向之期間，從其正下方攝影探針卡12之特定探針12A，在畫像處理部14C執行畫像處理，在顯示畫面(無圖式)顯示攝影畫像。再者，上 CCD攝影機13A如後述般，攝影附設在晶圓夾頭11之針頭位置檢測裝置16，執行畫像處理而顯示於顯示畫面。
再者，控制裝置14如第1圖所示般，具備有運算處理部14A、記憶部14B及上述畫像處理部14C，藉由儲存於記憶部14B之各種程式控制探針裝置10。因此，實行本發明之對準方法之程式被儲存於記憶部14B。該對準方法係依照自記憶部14B所讀出之程式而實行，其結果所取得之各種資料被記憶在記憶部14B。
而且，本實施型態之針頭位置檢測裝置16係如第1圖、第2圖所示般，具備有經汽缸等之升降驅動機構161，和經升降驅動機構161而升降之感測器機構162。然後，於檢測出多數探針12A之針頭位置之時，升降驅動機構161使感測器機構162從待機位置上升至與晶圓夾頭11上之半導體晶圓W之上面大略相同高度。
感測器機構162係例如第2圖所示般，具有內藏汽缸機構，並且當作位移感測器而發揮功能之感測器部162A，和被安裝在構成感測器部162A之汽缸機構之活塞桿162B之上端，且在自感測器部162A浮起之位置被保持之接觸體162C，和拆裝自如被安裝於接觸體162C之上面的薄片狀之軟質構件162D，和對構成感測器部162A之汽缸內供給壓縮空氣，並經汽缸內之活塞(無圖式)對接觸體162C賦予特定壓力之壓縮空氣供給源等之壓力賦予手段(無圖式)。
再者，如第2圖所示般，在接觸體162C內藏有例如 加熱器162E。該加熱器162E係加熱軟質構件162D使軟質構件162D軟化，如後述般使被轉印至軟質構件162D之多數探針12A之針跡消失。依此，可以重複使用軟質構件162D。
再者，在活塞桿162B之下端安裝卡止板(無圖式)，並在接觸體162C經卡止板經常自感測器部162A僅間隔特定距離而浮起之位置，彈力性地被保持在感測器部162A。被形成在接觸體162C和感測器部162A之間的間隙成為接觸體162C之升降範圍。該間隙之距離藉由感測器部162A被檢測出，藉由該檢測部162A經常監視接觸體162C之位置。
壓力賦予手段係切換成第1壓力和第2壓力以作為特定壓力。第1壓力為檢測多數探針12A之針頭位置之時被設定之壓力，設定成較第2壓力低之壓力。第2壓力為於對準時將多數探針12A針跡轉印至軟質構件162D之上面之時所設定之壓力。
在感測器162A設置有將特定壓力保持一定之定壓閥等之壓力調整手段(無圖式)，藉由該壓力調整手段使接觸體162C朝向感測器部162A下降時，漸漸排出壓縮空氣而將第1壓力保持於一定。
在接觸體162C以第1壓力被保持之狀態下，即使針頭位置檢測裝置16經晶圓夾頭11上升，依此在其接觸體162C經軟質構件162D而與多數探針12A接觸，多數探針12A也不會彎曲而在保持初期之針頭位置之狀態下，接觸 體162C直接朝感測器部162A下降。接觸體162C以第1壓力被保持之狀態下，例如每一根探針12A以例如0.5gf之力從多數探針12A作用於軟質構件162D。軟質構件162D係藉由具有即使於以第1壓力接觸時自多數探針12A作用針壓，多數探針12A也不會因突刺等而造成傷痕之硬度的材料所形成。作為如此之軟質構件162D之材料，以例如PO、PVC等之樹脂為佳。
接觸體162C以第2壓力被保持之狀態下，軟質構件162D即使自多數探針12A接受針壓，接觸體162C也不會下降至感測器部162A側，保持初期位置，藉由多數探針12A，針跡被轉印至軟質構件162D之上面。
接著，針對本發明之對準方法之一實施型態，一面參照第3圖以及第7圖，一面予以說明。
本實施型態之對準方法係如第3圖(a)~(c)所示般於半導體晶圓W之電性特性檢查之前被實施。在該對準方法中，首先使用針頭位置檢測裝置16執行當作對準方法之一工程的探針之針頭位置檢測。於使用針頭位置檢測裝置16，檢測出探針12A之針頭位置之時，感測器機構162被設定成第1壓力。
首先，在晶圓夾頭11上接取半導體晶圓W之後，使用對準機構13及針頭位置檢測裝置16，檢測出探針卡12之多數探針12A之針頭位置。而且，對準機構13之上CCD攝影機13A經對準橋13C而移動至探針中心即是探針卡12之中心正下方。接著，晶圓夾頭11在對準橋13C 之下方移動之期間，針頭位置檢測裝置16經升降驅動機構161使感測器機構162從第3圖(a)所示之待機狀態如同圖(b)箭號所示般上升，設定成接觸體162C上之軟質構件162D上面與晶圓夾頭11上之半導體晶圓W之上面大略相同位準。
然後，晶圓夾頭11朝X、Y方向移動，當如第3圖(c)所示般接觸體162C到達上CCD攝影機13A正下方時，上CCD攝影機13A檢測出軟質構件162D之上面高度。於檢測出軟質構件162D之上面之高度之後，確認感測器機構162之動作，即是針頭位置之檢測所需之接觸體162C之下降，軟質構件162D之硬度等。於確認感測器機構162正常動作之後，執行多數探針12A之針頭位置的檢測。
為了檢測出多數探針12A之針頭位置，如第4圖(a)所示般對準橋13C暫時退避到待機位置之後，晶圓夾頭11從Z方向之基準位置上升時，針頭位置檢測裝置16之軟質構件162D接近於多數探針12A，如同圖4(b)所示般軟質構件162D與多數探針12A接觸。
當晶圓夾頭11更上升時，接觸體162C經軟質構件162D藉由多數探針12A被推壓而下降至感測器本體162A側。此時，因接觸體162C因被第1壓力彈力性保持，故即使在多數探針12A和軟質構件162D之間針壓作用，多數探針12A不會彎曲，再者多數探針12A不會損傷軟質構件162D(多數之探針12A之針頭不會轉印至軟質構件 162D)，隨著晶圓夾頭11之上升，僅其上升部份，接觸體162C被第1壓力保持之狀態下，直接朝感測器部162A下降，縮短兩者162A、162C間之距離使間隙變窄。
此時，監視感測器部162A與接觸體162C之距離，當由於接觸體162C之下降使得間隙產生變化之時，則感測器部162A檢測出間隙之距離，將其檢測訊號發送至控制裝置14。依此，控制位置14比較在運算處理部14A中事先所設定之間隙之初期值，和藉由感測部162A之檢測值，根據檢測值成為初期值以下之瞬間從晶圓夾頭11之基準位置上升的上升距離，算出軟質構件162D之上面高度，換言之多數探針12A之針頭位置之高度。如此一來多數探針12A不會彎曲，再者也不會損傷軟質構件162D，因接觸體162C開始下降，故可以將開始下降之位置當作多數探針12A之針頭高度而予以高精度檢測出。如此一來，被檢測出之多數探針12A平均針頭高度以Z座標資料被儲存於控制裝置14之記憶部14B。
軟質構件162D雖然僅可能形成均勻厚度，但是該軟質構件162D因如上述般藉由合成樹脂被形成，故其厚度具有偏差，形成均勻厚度則受限，再者消去探針12A之針跡之後的平滑性惡化。況且，最近之探針卡12隨著半導體晶圓W之超微細構造，具有極微細之配列構造，故具有容易損傷之傾向。因此，探針12A之針頭位置的些許誤差也關係到探針卡12之損傷。
於是，如第4圖(a)、(b)所示般，藉由針頭位置裝置 16，檢測出探針12A之針頭高度之後，並且藉由附設於晶圓夾頭11之下CCD攝影機13B而檢測出探針12A之針頭高度。此時，探針12A之針頭高度因藉由針頭位置檢測裝置16而被檢測出，故藉由將下CCD攝影機13B之焦點以藉由針頭位置檢測裝置16被檢測出之高度為目標探索探針12A，可以容易檢測出探針12A。
即是，如第4圖(a)所示般，於檢測出針頭位置檢測裝置16之接觸體162C上之軟質構件162D之上面高度之後，使針頭檢測裝置16經晶圓夾頭11移動至探針卡12之正下面之後，如同圖(b)所示般，使晶圓夾頭11上升，藉由軟質構件162D檢測出多數探針12A之針頭位置。接著，暫時使晶圓夾頭11下降而移動至水平方向，以下CCD攝影機13B找出探針12A。此時，因檢測出探針12A之針頭位置(X、Y、Z)，故藉由先將下CCD攝影機13B之焦點對準於其針頭位置，則可以在短時間檢測出探針12A。然後，如同圖(c)所示般，藉由下CCD攝影機13B檢測出事先登記之多數(例如4根)之探針12A之針頭位置，依此可以高精度檢測出多數探針12A之針頭高度。
之後，晶圓夾頭11暫時返回至Z方向之基準位置之後，將賦予至接觸體162C之壓力從第1壓力切換至第2壓力，再次晶圓夾頭11如第5圖(a)箭號所示般上升而接近於多數探針12A之後，如同圖(b)所示般，軟質構件162D與多數探針12A接觸，而超速傳動。晶圓夾頭11即使超速傳動，因接觸體162C藉由第2壓力被保持，不會 下降至感測器部162A側，而保持初期位置，故如第6圖(a)所示般多數探針12A陷入軟質構件162D，如同圖(b所示般針跡162F則被轉印至軟質構件162D之上面。
並且，就以在軟質構件162D之上面形成針跡162F之方法而言，除上述方法外，也可以在保持檢測出多數探針12A之針頭高度的狀態下，藉由從第1壓力切換至第2壓力，將接觸體162C返回至出其位置，依此在軟質構件162D形成針跡162F。
如上述般，將針跡162F轉印至軟質構件162D之後，當晶圓夾頭11下降至基準位置時，上CCD攝影機13A經對準橋13C進出至探針中心之後，晶圓夾頭11自基準位置上升，如第5圖(c)及第6圖(b)所示般，上CCD攝影機13A各檢測出軟質構件162D之多數針跡162F。依此，可以檢測出多數探針12A之多數處的XY位置或因應所需檢測出所有XY位置，將各個XY座標資料儲存於記憶部14B。藉由該些一連串操作取得多數探針12A之針頭位置，即是XYZ座標資料，以供半導體晶圓W和多數探針12A之對準。
於執行對準之時，晶圓夾頭11移動至X、Y方向，上CCD攝影機13A如第5圖(d)所示般，在半導體晶圓W之多數處檢測出對應於多數探針12A之電極墊，並將各電極墊之XY座標資料儲存於記憶部14B。該些藉由一連串之操作，結束多數探針12A和半導體晶圓W之電極墊之對準。於結束對準之後，晶圓夾頭11移動至檢查開始位 置，在其位置上升，如第7圖所示般，使最初晶片之多數電極墊和對應於該些之多數探針12A接觸，執行電性特性檢查。以下，藉由晶圓夾頭11將半導體晶圓W予以刻度進給，針對半導體晶圓W之所有晶片執行電特性檢查。
如上述說明般，若藉由本實施型態，因於使用被附設於晶圓夾頭11之針頭位置檢測裝置16檢測出多數探針12A之針頭位置之時，針頭位置檢測裝置16具備檢測多數探針12A之針頭的感測器機構162，和能夠在該感測器機構162升降之接觸體162C，經晶圓夾頭11針頭位置檢測裝置16從Z方向之基準位置上升，接觸體162C上之軟質構件162D與多數探針12A之針頭接觸，並且藉由晶圓夾頭11上升，多數探針12A不會彎曲，接觸體162C下降至感測器部162A，將接觸體162C開始下降之位置當作多數探針12A之針頭位置而予以檢測出，故可以在多數探針12A之針頭保持初期位置之狀態下高精度檢測出針頭高度。再者，即使為任何型態之探針12A，亦可以確實檢測出針頭高度。
而且，因於使用針頭位置檢測裝置16檢測出多數探針12A之針頭位置之後，並且藉由下攝影機13B檢測出該些探針12A之針頭位置，執行該些探針12A和對應於該些之多數電極墊之對準，故可以高精度對準多數探針12A和對應於該些之電極墊，於檢查時可以使電極墊高精度接觸於多數探針12A之針頭高度，以特定超速傳動確實執行檢查。因此，即使於探針卡12跟隨著半導體晶圓W之超 微細構造具有極微細之配列構造之時，也不會損傷探針卡12，可以執行信賴性高之檢查。
即使接觸體162C經軟質構件162D與多數探針12A接觸，之後接觸體162C下降至感測器162A之時，因多數探針12A也不會損傷軟質構件162D，故於檢測出針頭高度之時，複數探針12A之針頭高度不會從初期位置變化，可以高精度檢測出。此時，因藉由感測器部162A檢測出接觸體162C之下降動作，故可以更高精度檢測出針頭高度。
再者，於對準時，因以較針頭檢測時之壓力更高之壓力保持接觸體162C之初期位置，故藉由使多數探針12A接觸於軟質構件162D，則可以將所有探針12A之針跡162F確實轉印至軟質構件162D上面。因此，因可以將多數探針12A之所有針跡162F轉印至軟質構件162D，故根據多處或因應所需的所有探針12A之針跡162F，取得該些探針12A之XY座標資料，可以正確對準所對應之電極墊之XY座標資料，並可以正確使多處或因應所需之所有探針12A和對應於該些之電極墊而執行信賴性高之檢查。再者，因於對準時將多數探針12A之針頭轉印至軟質構件162D，故無須複雜之演算法，可以降低軟體開發成本。
[第2實施型態]
再者，第1實施型態之探針裝置10中，針頭位置檢測裝置16之軟質構件162D係藉由半透明之合成樹脂所形成。再者，如上述般軟質構件162D之厚度具有偏差，形 成均勻厚度也受限，再者消去針跡後之平滑性惡化，並且於探針12A之針頭檢測時，則也有探針12A之針頭突刺軟質構件162D之虞。因此，探針12A之針頭位置之檢測精度下降。
在此，在本實施型態之探針裝置中，如第8圖所示般，分割成用以檢測出探針12A之針頭高度之汽缸機構，和轉印探針12A之針跡的軟質構件(以下，在本實施型態中稱為「轉印薄片」)之汽缸機構之點具有特徵。如此一來，藉由分成針頭檢測部和針跡轉印部，可以更高精度檢測出探針12A之針頭位置。
本實施型態之探針裝置係如第8圖所示般，具備有檢測出探針卡12之多數探針12A之針頭位置的針頭位置檢測裝置16A，和與針頭檢測裝置16A鄰接並且轉印多數探針12A之針跡的針跡轉印裝置16B。其他依據第1實施型態被構成。
針頭位置檢測裝置16A具備汽缸等之升降驅動機構161、經升降驅動機構161而升降之感測器機構162，除以下之點，具有與第1實施型態相同之機構，構成經常以一定壓力彈力性與多數探針12A接觸。即是，在本實施型態中，接觸體162C上面無軟質構件，呈露出多數探針12A不會突刺之硬素材。再者，在本實施型態中，針頭位置檢測裝置16A並不係如第1實施型態般切換第1壓力和第2壓力之構造，可以藉由壓力賦予手段僅設定成相當於第1壓力的壓力。再者，接觸體162C不具備有加熱手段。
因此，在接觸體162C以特定壓力被保持之狀態下，經晶圓夾頭11針頭檢測裝置16A與晶圓夾頭11一起上升，依此其接觸體162C即使與多數探針12A接觸也不會彎曲，在保持多數探針12A之初期針頭位置之狀態下，接觸體162C直接朝感測器部(無圖式)下降，接觸體162C開始下降之晶圓夾頭11之位置成為探針12A之針頭高度。
再者，針跡轉印裝置16B係如第8圖所示般，具備有汽缸機構161'，和藉由該汽缸機構161'之桿體升降並且具有軟質構件162D'之接觸體162C'，接觸體162C'係被構成經汽缸機構161'在比晶圓夾頭11之上面略微低之待機位置和與晶圓夾頭11之上面大略相同高度之間升降。接觸體162C'位於與晶圓夾頭11之上面大略相同高度之時，則將探針卡12之多數探針12A之針跡轉印至軟質構件162D，之上面。並且，接觸體162C'內藏有加熱手段(無圖式)。
因此，若藉由本實施型態，因藉由針頭位置檢測裝置16A檢測出多數探針12A之針頭高度，藉由針跡轉印裝置16B轉印多數探針12A之針跡，故可以藉由上CCD攝影機13A確實並且高精度在針頭位置檢測裝置16A之不透明接觸體162C之上面檢測出多數探針12A之高度，並且多數探針12A不會沉入接觸體162C(突刺)，再者不會受到軟質構件之厚度之偏差或上面之凹凸影響，可以高精度檢測出多數探針12A之針頭高度。
[第3實施型態]
本實施型態之探針裝置所使用之針頭位置檢測裝置26係如第9圖(a)所示般，以檢測出多數探針12A之針頭的感測器部27構成主體。感測器部27具有感測器部本體271；能升降地被設置在感測器部本體271之接觸體272；和對接觸體272賦予特定壓力，使接觸體272自感測器部本體271僅間隔開特定距離之壓力賦予手段(電氣動調整器)273。該接觸體272係被構成藉由在特定壓力中與多數探針12A接觸移動至感測器部本體271側，依此檢測出多數探針12A之針頭位置。再者，感測器部本體271係當作藉由特定壓力彈力性支撐接觸體272之彈力支撐機構(汽缸機構)被構成，構成藉由電氣動調整器273將汽缸機構之彈力設定成一定值。以下，感測器部本體271以汽缸機構271予以說明。
在此，針對汽缸機構271及電氣動調整器273予以詳細說明。如第9圖(a)所示般，藉由汽缸機構271和電氣動調整器273係藉由第1配管273A連接。在該電氣動調整器273經第1配管273A連接有第1空氣源273B，自第1空氣源273B經電氣動調整器273將壓縮空氣供給至汽缸機構271。因此，電氣動調整器273自第1空氣源273B供給至汽缸機構271之汽缸274內，將汽缸274內之空氣壓設定成特定壓力。汽缸機構271係利用藉由電氣動調整器273所設定之壓力彈力性支撐接觸體272。汽缸機構271即使於晶圓夾頭11上升之時，與多數探針12A接 觸，維持特定壓力之狀態的接觸體272經活塞桿275在汽缸274內下降，汽缸274內之壓縮空氣亦從電氣動調整器273之排氣孔排氣，汽缸274內之壓力被保持至初期之設定壓力。
再者，汽缸機構271係如上述般，具備汽缸274、在汽缸274內於軸方向在特定範圍中來回移動之活塞桿275而構成。汽缸274具有收納被形成在下部之活塞桿275之活塞收納部274A，和被形成在上部之桿體收納部274B，活塞收納部274A和桿體收納部274B係藉由分隔壁274C保持氣密狀態而被區隔。在分隔壁274C之中心部形成貫通孔，活塞桿275之縮徑部貫穿該貫通孔。該活塞桿25具有活塞部275A，和桿體部275B，藉由縮徑部而連結。
活塞收納部274A被形成活塞部275A可以在軸方向於特定範圍內移動之大小。桿體部275B被收納於桿體收納部274B內，在桿體收納部274B內實質上空氣不滲漏，於軸方向滑動。活塞桿275之縮徑部係如上述般，以在形成於分隔壁274C之中心部的貫通孔空氣不滲漏地滑動之方式，貫穿貫通孔。
桿體部275B被形成於活塞部275A接觸於活塞收納部274A之底面時，至少上端面與汽缸274之上端面一致之長度，如第9圖(a)所示般，當活塞部275A接觸於其收納部274A之上面時，桿體部275B自汽缸274之上端面突出，使接觸體272自汽缸274間隔開。在桿體收納部274B之桿體部275B之底面和分隔壁274C之間，形成有 用以供給驅動活塞桿275之壓縮空氣的驅動用空間。在汽缸274之側面，於徑方向形成自外部到達至驅動用空間之第1貫通孔274D，該第1貫通孔274D經第1配管273A連接有電氣動調整器273。
再者，在汽缸274之第1貫通孔274D之略微下方，於徑方向形成有在活塞收納部274A開口之第2貫通孔274E，該第2貫通孔274E連接有用以檢測出活塞桿275之現在位置的位置檢測機構。位置檢測機構係被構成具備流量計276、第2配管276A及第2空氣源276B，流量計276經第2配管276A與第2貫通孔274E連結，自第2貫通孔274E經噴嘴(測定件)將壓縮空氣噴射至活塞收納部274A內之活塞部275A之上面。流量計276係被構成根據對活塞部275A上面噴射之壓縮空氣之流量，檢測出活塞部275A上面和測定件間之距離L。即是，自測定件被供給之壓縮空氣之流量因關係到與測定件和活塞部275A之距離L成比例增減，故若藉由流量計276測定壓縮空氣之流量時，則可以根據其流量高精度求出距離L。即是，本實施型態中之位置檢測機構係當作空氣測微計而被構成。位置檢測機構被構成監視汽缸機構271之活塞桿275之現在位置。
例如，晶圓夾頭11上升，接觸體272與多數探針12A接觸，朝向汽缸機構271下降時，活塞桿275之活塞部275A之上面自第9圖(a)所示之狀態，如同圖(b)所示般開始間隔開自測定件遠離而壓縮空氣之流量增加。以流量 計276測定此時之壓縮空氣之流量，將該測定訊號自流量計276輸出至控制裝置14。控制裝置14事先登記有壓縮空氣之流量和距離L之關係。當來自流量計276之測定訊號被輸入至控制裝置14時，控制裝置14在運算處理部14A根據測定訊號求出距離L。再者，控制裝置14當距離L變化時，則將變化開始之位置當作多數探針12A之針頭位置而予以檢測出。
如上述說明般，即使在本實施型態中，亦與第1實施型態相同可以藉由針頭位置檢測裝置16確實檢測出。再者，即使在本實施型態中，因接觸體272之上面為硬，故可以確實且高精度檢測出多數探針12A之針頭位置。
並且，本發明並不限定於上述各實施型態，可以因應所須適當變更各構成要素。例如，在上述實施形態中，檢測接觸體之移位的感測器部可以使用例如電容感測器或雷射測長器等之測長器。
[產業上之利用可行性]
本發明可以適合利用於半導體晶圓等之被檢查體之電特性檢查的探針裝置。
10‧‧‧探針裝置
11‧‧‧晶圓夾頭
12‧‧‧探針卡
12A‧‧‧探針
13A‧‧‧上CCD攝影機(第1攝影手段)
13B‧‧‧下CCD攝影機(第2攝影手段)
16、16A、26‧‧‧針頭位置檢測裝置
16B‧‧‧針跡轉印裝置
161'‧‧‧升降驅動機構
162‧‧‧感測器部
162A、271‧‧‧感測器部本體
162C、162C'、272‧‧‧接觸體
162D、162D'‧‧‧軟質構件
271‧‧‧汽缸機構(彈力支撐機構)
273‧‧‧電氣動調整器(壓力賦予手段)
W‧‧‧半導體晶圓
第1圖為本發明之探針裝置之一實施型態的構成圖。
第2圖為表示第1圖之探針裝置所使用之針頭位置檢測裝置之側面圖。
第3圖(a)~(c)各為於本發明之對準方法之前所執行的檢測針頭位置檢測裝置上面之高度之工程的工程說明圖。
第4圖(a)至(c)各為表示本發明之對準方法之一實施型態之重要部分之工程的斜視圖。
第5圖(a)至(d)各為依照順序表示接續第4圖所示之工程而所執行之對準方法之工程的工程說明圖。
第6圖(a)、(b)各為取出第5圖(b)、(c)所示之工程而予以表示之圖式，(a)為表示第5圖(b)所示之形成針跡之工程的剖面圖，(b)為第4圖(c)所示之檢測出針跡之XY座標之工程的剖面圖。
第7圖為表示第5圖(a)至(d)所示之對準工程之最後工程之工程說明圖。
第8圖為表示本發明之探針裝置之其他實施型態之重要部分的斜視圖。
第9圖(a)、(b)為表示使用於第1圖所示之探針裝置之其他針頭位置檢測裝置之說明圖，(a)為表示接觸體上升之狀態之方塊圖，(b)為表示接觸體朝向感測器部而下降之狀態的剖面圖。
第10圖(a)至(g)各為用以工程順序說明以往之對準方法之說明圖。
11‧‧‧晶圓夾頭
12‧‧‧探針卡
12A‧‧‧探針
13B‧‧‧下CCD攝影機
16‧‧‧針頭位置檢測裝置
162D‧‧‧軟質構件
W‧‧‧晶圓

Claims (11)

  1. 一種對準方法，於使能夠移動之載置台上之被檢查體和多數探針電性接觸而進行上述被檢查體之電性特性檢查時，使用能夠移動地被配置在上述載置台之上方並且攝影上述被檢查體之第1攝影手段、被附設在上述載置台並且攝影上述探針之第2攝影手段，以及被附設在上述載置台並且檢測出上述多數探針之針頭的針頭位置檢測裝置，對準上述被檢查體和上述多數探針，其特徵為：具備有使用上述針頭位置檢測裝置，檢測出上述多數探針之針頭位置的A工程；使用上述第2攝影手段，檢測出在上述針頭位置檢測裝置所檢測出之上述多數探針之針頭位置的B工程；使被安裝於上述針頭位置檢測裝置之軟質構件和上述多數探針接觸而將上述多數探針之針跡轉印至上述軟質構件之C工程；使用上述第1攝影手段，檢測出被形成在上述軟質構件之上述多數探針之針跡的D工程；和使用上述第1攝影手段，檢測出對應於上述多數探針之上述被檢查體之檢查用之電極的E工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之對準方法，其中，上述針頭位置檢測裝置具備有檢測出上述多數探針的針頭之感測器部，和屬於該感測器部之能夠升降的接觸體，上述第A工程具有 上述針頭位置檢測裝置透過上述載置台移動而使上述接觸體與上述多數探針之針頭接觸的第1工程；藉由上述載置台更進一步移動，上述多數探針不彎曲，使上述接觸體移動至上述感測器部側的第2工程；和將上述接觸體開始移動之位置當作上述多數探針之針頭位置而予以檢測出的第3工程。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之對準方法，其中，在上述第2工程中，上述多數探針不會損害上述軟質構件。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所記載之對準方法，其中，在上述第2工程中，藉由位移感測器檢測出上述接觸體之現在位置。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之對準方法，其中，在上述第3工程中，根據上述位移感測器之檢測結果，檢測出上述多數探針之針頭位置。
  6. 一種針頭位置檢測裝置，於使被檢查體和多數探針電性接觸進行上述被檢查體之電性特性檢查時，用於檢測出上述多數探針之針頭位置，其特徵為：上述針頭位置檢測裝置具備檢測上述多數探針之針頭的感測器部，而且上述感測器部具有感測器部本體；能升降地被設置在上述感測器部本體之接觸體；和對上述接觸體賦予特定壓力，使上述接觸體自上述感測器部本體僅間隔開特定距離 之壓力賦予手段，並且，上述感測器部本體具有利用依據上述壓力賦予手段所賦予之上述特定壓力彈力性支撐上述接觸體的彈力支撐機構，在上述接觸體上安裝有軟質構件，上述壓力賦予手段被構成在第1壓力和較上述第1壓力高的第2壓力之間切換上述特定壓力，上述接觸體被構成在以上述第1壓力被保持之狀態下藉由與上述多數探針接觸，下降至上述感測器部本體側而檢測出上述多數探針之針頭位置，在以上述第2壓力被保持之狀態下不會下降，上述多數探針之針跡被轉印在上述軟質構件。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之針頭位置檢測裝置，其中，上述感測器部具有檢測出上述接觸體之現在位置的位移感測器。
  8. 一種探針裝置，具備有載置被檢查體之能夠移動的載置台、被配置在該載置台之上方的多數探針，和以檢測出該些探針之針頭位置之方式被設置在上述載置台的針頭位置檢測裝置，其特徵為：上述針頭位置檢測裝置具備檢測上述多數探針之針頭的感測器部，而且上述感測器部具有感測器部本體；能升降地被設置在上述感測器部本體之接觸體；和對上述接觸體賦予特定壓 力，使上述接觸體自上述感測器部本體僅間隔開特定距離之壓力賦予手段，並且，上述感測器部本體具有利用依據上述壓力賦予手段所賦予之上述特定壓力彈力性支撐上述接觸體的彈力支撐機構，在上述接觸體上安裝有軟質構件，上述壓力賦予手段被構成在第1壓力和較上述第1壓力高的第2壓力之間切換上述特定壓力，上述接觸體被構成在以上述第1壓力被保持之狀態下藉由與上述多數探針接觸，下降至上述感測器部本體側而檢測出上述多數探針之針頭位置，在以上述第2壓力被保持之狀態下不會下降，上述多數探針之針跡被轉印在上述軟質構件。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之探針裝置，其中，上述感測器部具有檢測出上述接觸體之現在位置的位移感測器。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之探針裝置，其中，上述軟質構件拆裝自如。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之探針裝置，其中，具備能夠升降支撐上述接觸體的升降驅動機構。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7724007B2 (en) * 2007-09-28 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Probe apparatus and probing method
JP5088167B2 (ja) * 2008-02-22 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
JP5250279B2 (ja) * 2008-02-23 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP5295588B2 (ja) * 2008-02-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プローブカードの傾き調整方法、プローブカードの傾き検出方法及びプローブカードの傾き検出方法を記録したプログラム記録媒体
JP2012204695A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd プローブカード検出装置、ウエハの位置合わせ装置及びウエハの位置合わせ方法
JP5260703B2 (ja) * 2011-06-10 2013-08-14 パナソニック株式会社 ３次元測定方法
CN103513069B (zh) * 2012-06-21 2016-05-25 深圳麦逊电子有限公司 测试探针装置
US9772183B2 (en) * 2012-06-29 2017-09-26 Rudolph Technologies Inc. Flying sensor head
CN103809100B (zh) * 2014-03-07 2016-03-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆自动测试系统
US11159784B2 (en) * 2014-10-23 2021-10-26 Cognex Corporation System and method for calibrating a vision system with respect to a touch probe
CN104502874A (zh) * 2014-11-26 2015-04-08 上海华力微电子有限公司 一种有效控制探针卡内探针的针径的方法
CN104459230A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种探针保护装置
TWI528041B (zh) * 2015-04-30 2016-04-01 The method of adjusting the displacement distance of the probe according to the horizontal position of the plurality of points to be measured
JP6418118B2 (ja) * 2015-09-24 2018-11-07 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置及び評価方法
JP6478891B2 (ja) 2015-10-07 2019-03-06 三菱電機株式会社 プローブ位置検査装置
JP6406221B2 (ja) * 2015-11-17 2018-10-17 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置及び評価方法
JP6515819B2 (ja) * 2016-01-08 2019-05-22 三菱電機株式会社 評価装置、プローブ位置の検査方法
CN105632960B (zh) * 2016-01-15 2018-04-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 优化探针台测试针压参数的方法
JP5971638B1 (ja) * 2016-05-12 2016-08-17 株式会社三重木型製作所 接触検出装置
JP6737002B2 (ja) * 2016-06-17 2020-08-05 オムロン株式会社 プローブピン
US10371718B2 (en) 2016-11-14 2019-08-06 International Business Machines Corporation Method for identification of proper probe placement on printed circuit board
US10509071B2 (en) * 2016-11-18 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for aligning probe card in semiconductor device testing
JP6869123B2 (ja) * 2017-06-23 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及び針跡転写方法
TWI652483B (zh) * 2017-12-12 2019-03-01 穩懋半導體股份有限公司 用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法
CN110376502B (zh) * 2018-04-13 2022-01-04 致伸科技股份有限公司 电路检测系统及其方法
CN113454467A (zh) * 2019-02-21 2021-09-28 维耶尔公司 用于微装置检验的探针结构
CN109884501B (zh) * 2019-03-06 2022-04-19 惠科股份有限公司 一种检测机台、断线短路检测机及校正方法
CN110927549B (zh) * 2019-11-21 2021-11-16 广西天微电子有限公司 晶圆重定位方法及其系统
CN110986774A (zh) * 2019-12-17 2020-04-10 上海嘉奥信息科技发展有限公司 基于光学定位仪的工具尖端位置的静态标定系统、方法、介质及设备
CN111174729B (zh) * 2020-03-05 2021-09-24 山东省科学院激光研究所 单点渐进成形加工用测量板材路径成形系统
CN111766416B (zh) * 2020-08-14 2020-12-08 强一半导体（苏州）有限公司 一种导引板mems探针结构与转接层的对接方法
CN113917202B (zh) * 2021-09-23 2023-09-12 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 探针安装高度校准设备、方法、控制器及计算机存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079253A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置
JP2007324340A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd プローブ先端の検出方法、アライメント方法及びこれらの方法を記録した記憶媒体、並びにプローブ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02224260A (ja) 1988-11-02 1990-09-06 Tokyo Electron Ltd 位置合わせ方法
JPH0567059A (ja) 1991-09-09 1993-03-19 Toshiba Corp ネツトワーク計算機システム
JPH06163651A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Hitachi Ltd 半導体ウェハ検査装置
US5657394A (en) * 1993-06-04 1997-08-12 Integrated Technology Corporation Integrated circuit probe card inspection system
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US7009415B2 (en) * 1999-10-06 2006-03-07 Tokyo Electron Limited Probing method and probing apparatus
JP2001189353A (ja) * 2000-01-04 2001-07-10 Toshiba Corp プローブ検査装置及びプローブ検査方法
JP4950719B2 (ja) * 2007-03-23 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブの針先位置の検出方法、アライメント方法、針先位置検出装置及びプローブ装置
JP5250279B2 (ja) * 2008-02-23 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079253A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置
JP2007324340A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd プローブ先端の検出方法、アライメント方法及びこれらの方法を記録した記憶媒体、並びにプローブ装置

Also Published As

Publication number Publication date
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