TWI652483B - 用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法 - Google Patents

Abstract

一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中一參考半導體晶粒係形成於一半導體晶圓之上，其中參考半導體晶粒具有一參考焊墊以及一非等向性發射器，其中參考焊墊與非等向性發射器之間具有一參考焊墊-發射器相對位置，其中對位方法包括以下步驟：步驟A：以一輪廓感測器量測一非均質性接收器之一接收器中心位置，其中非均質性接收器係設置於一晶圓針測系統之上；步驟B：以一量測儀量測一探針測試卡上之一參考探針之一參考針尖之一參考針尖位置；步驟C：根據參考焊墊-發射器相對位置、參考針尖位置以及接收器中心位置將非均質性接收器位移一對位位移；以及步驟D：以晶圓針測系統之一探針針尖-焊墊對位機將參考探針之參考針尖與參考焊墊進行對位；藉此達成非均質性接收器與非等向性發射器之精準對位。

Description

用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法

本發明係有關應用一輪廓感測器以量測一非均質性接收器之一接收器中心位置於一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法。

請參閱第8圖，其係為習知技術用於晶圓針測系統之接收器與發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。一晶圓針測系統9包括一接收器902、複數個系統定位部909以及一探針針尖-焊墊對位機900。其中接收器902具有一接收器輸入端903。其中接收器902係為一光積分球。其中探針針尖-焊墊對位機900之上承載一半導體晶圓905。其中複數個半導體晶粒906係形成於半導體晶圓905之上。其中每一個半導體晶粒906具有複數個焊墊908以及一發射器907。其中發射器907係為一雷射二極體。其中一探針測試卡901具有複數個測試卡定位部912、一穿透孔911以及複數根探針904。請同時參閱第9圖，其係為習知技術用於晶圓針測系統之接收器與發射器之對位方法之一具體實施例之一積分球搜尋軌跡之俯視示意 圖。習知技術用於晶圓針測系統9之接收器902與發射器907之對位方法包括以下步驟：將探針測試卡901之複數個測試卡定位部912與晶圓針測系統9之複數個系統定位部909接合，以將探針測試卡901定位於晶圓針測系統9上；以晶圓針測系統9之探針針尖-焊墊對位機900將探針904以及焊墊908進行對位；使探針904與焊墊908電性接觸，並藉由探針904輸出一控制訊號，使發射器907持續發出一電磁波訊號；使接收器902沿著一搜尋軌跡910緩慢位移，並同步記錄由接收器902所接收之一功率訊號；由功率訊號以及搜尋軌跡910推算出接收器902之接收器輸入端903之一接收器中心與發射器907之一發射器中心之一最佳對位點；以及將接收器902位移至接收器902之接收器輸入端903之接收器中心與發射器907之發射器中心之最佳對位點。

習知技術在對位接收器902之接收器輸入端903之接收器中心以及接收器902位移至發射器907之發射器中心之過程中耗時過多。此外，習知技術透過對位接收器902之接收器輸入端903之接收器中心以及接收器902位移至發射器907之發射器中心之過程中，並無法真正找到接收器902之接收器輸入端903之接收器中心。因此，當對位過程完成時，並無法得知真正的接收器902之接收器輸入端903之接收器中心以及對位過程中所推算出之接收器902之接收器輸入端903之接收器中心到底相差多少。因而當完成接收器902之接收器輸入端903之接收器中心以及接收器902位移至發射器907之發射器中心之對位時，無法推算出在這個位置上之接收器902所具有之一接收器量測範圍能涵蓋到哪些半導體晶粒906。此外，每次更換新的探針測試卡901時，都需要重新進行一次接收器902之接收器輸入端903之接收器中心以及接收器902位移至發射器907之發射器中心之對位。

有鑑於此，發明人開發出簡便組裝的設計，能夠避免上述的缺點，安裝方便，又具有成本低廉的優點，以兼顧使用彈性與經濟性等考量，因此遂有本發明之產生。

本發明所欲解決之技術問題在於：如何快速又精確地對位接收器之接收器輸入端之接收器中心以及發射器之發射器中心，以達成接收器與發射器之精準對位，並準確地估算出當對位完成時之接收器所具有之接收器量測範圍能涵蓋到哪些半導體晶粒，藉此減少探針針尖-焊墊對位機進行接收器與發射器對位之次數；並可應用在微波發射器、微波接收器、光發射器以及光接收器上，以同時進行複數個半導體晶粒之針測。

為解決前述問題，以達到所預期之功效，本發明提供一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，包括以下步驟：步驟A：以一輪廓感測器量測一非均質性接收器之一接收器中心位置，其中非均質性接收器係設置於一晶圓針測系統之上；步驟B：以一量測儀量測一探針測試卡上之一參考探針之一參考針尖之一參考針尖位置；步驟C：根據一參考焊墊-發射器相對位置、參考針尖位置以及接收器中心位置將非均質性接收器位移一對位位移，其中一參考半導體晶粒係形成於一半導體晶圓之上，其中參考半導體晶粒具有一參考焊墊以及一非等向性發射器，其中參考焊墊與非等向性發射器之間具有參考焊墊-發射器相對位置；以及步驟D：以晶圓針測系統之一探針針尖-焊墊對位機將參考探針之參考針尖與參考焊墊進行對位；藉此達成非均質性接收器與非等向性發射器之精準對位。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中步驟A包括以下步驟：步驟A10：以輪廓感測器沿著一第一感測方向感測非均質性接收器之一第一接收器輪廓；步驟A20：以輪廓感測器沿著一第二感測方向感測非均質性接收器之一第二接收器輪廓，其中第二感測方向與第一感測方向之間具有一夾角，其中夾角係大於0度且小於180度；以及步驟A30：由第一接收器輪廓以及第二接收器輪廓計算出非均質性接收器之接收器中心位置。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中角度係等於90度。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中輪廓感測器係設置於一感測器承載板之上，其中感測器承載板具有至少一承載板定位部，其中晶圓針測系統具有至少一第一系統定位部，其中至少一承載板定位部係可與至少一第一系統定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中步驟A包括以下步驟：步驟A10：將輪廓感測器設置於感測器承載板之上使輪廓感測器沿著一第一感測方向感測非均質性接收器之一第一接收器輪廓；步驟A20：將輪廓感測器設置於感測器承載板之上使輪廓感測器沿著一第二感測方向感測非均質性接收器之一第二接收器輪廓，其中第二感測方向與第一感測方向之間具有一夾角，其中夾角係大於0度且小於180度；以及步驟A30：由第一接收器輪廓以及第二接收器輪廓計算出非均質性接收器之接收器中心位置。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中角度係等於90度。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中探針測試卡具有至少一第一測試卡定位部，其中至少一第一測試卡定位部係可與至少一第一系統定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中量測儀具有至少一量測儀定位部，其中至少一第一測試卡定位部係可與至少一量測儀定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中探針測試卡具有至少一第二測試卡定位部，其中量測儀具有至少一量測儀定位部，其中至少一第二測試卡定位部係用以與至少一量測儀定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中晶圓針測系統具有至少一第二系統定位部，其中探針測試卡具有至少一第一測試卡定位部，其中至少一第一測試卡定位部係可與至少一第二系統定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中量測儀具有至少一量測儀定位部，其中至少一第一測試卡定位部係可與至少一量測儀定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中探針測試卡具有至少一第二測試 卡定位部，其中量測儀具有至少一量測儀定位部，其中至少一第二測試卡定位部係可與至少一量測儀定位部接合。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中量測儀係設置於晶圓針測系統之上。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中對位方法之步驟執行順序係為(1)依序執行步驟A、步驟B、步驟C以及步驟D、(2)依序執行步驟B、步驟A、步驟C以及步驟D、(3)依序執行步驟A、步驟B、步驟D以及步驟C、或(4)依序執行步驟B、步驟A、步驟D以及步驟C。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中在步驟B中，參考探針係針尖朝上。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中在步驟D中，參考探針係針尖朝下。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中量測儀係包括選自以下群組之一者：一工具顯微鏡以及一尺規。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中輪廓感測器係為一二維雷射輪廓感測器。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中非均質性接收器係包括選自以下 群組之一者：一感光元件以及一集光元件。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中感光元件係包括選自以下群組之一者：感光耦合元件(CCD：charge coupled device)以及互補式金屬氧化物半導體(CMOS：complementary metal-oxide-semiconductor)元件。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中非等向性發射器係包括選自以下群組之一者：一發光二極體以及一雷射二極體。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中非均質性接收器係包括選自以下群組之一者：一光積分球、一濾光片、一透鏡、一號角天線(horn antenna)以及一電磁波導。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中非等向性發射器係包括選自以下群組之一者：一片狀天線(patch antenna)以及一帶狀天線(slot antenna)。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中參考半導體晶粒以及複數個鄰近半導體晶粒係形成於半導體晶圓之上之一待測區域內，其中參考焊墊係位於待測區域之一參考焊墊-待測區域位置；其中在步驟C中，係根據參考焊墊-待測區域位置、參考針尖位置以及接收器中心位置將非均質性接收器位移對位位移，使得當執行完對位方法之步驟A、步驟B、步驟C以及步驟D之後，非均質性接收器所具有之一接收器量測範圍係涵蓋住待測區域內之參 考半導體晶粒之非等向性發射器以及複數個鄰近半導體晶粒之每一者所具有之一鄰近非等向性發射器，藉此大幅減少晶圓針測所耗費的時間。

於一實施例中，前述之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中係可達到同時對待測區域內之參考半導體晶粒之非等向性發射器以及複數個鄰近半導體晶粒之每一者之鄰近非等向性發射器進行量測，以大幅減少晶圓針測所耗費的時間。

為進一步了解本發明，以下舉較佳之實施例，配合圖式、圖號，將本發明之具體構成內容及其所達成的功效詳細說明如下。

1‧‧‧晶圓針測系統

10‧‧‧第一系統定位部

10’‧‧‧第二系統定位部

2‧‧‧量測儀

20‧‧‧量測儀定位部

3‧‧‧探針測試卡

30‧‧‧第一測試卡定位部

30’‧‧‧第二測試卡定位部

31‧‧‧參考探針

32‧‧‧探針

33‧‧‧測試卡參考定位點

34‧‧‧穿透孔

35‧‧‧參考針尖

36‧‧‧探針測試組

37‧‧‧參考探針測試組

4‧‧‧非均質性接收器

40‧‧‧接收器輸入端

5‧‧‧感測器承載板

50‧‧‧承載板定位部

51‧‧‧轉接板

52‧‧‧輪廓感測器

6‧‧‧探針針尖-焊墊對位機

60‧‧‧半導體晶圓

61‧‧‧參考半導體晶粒

62‧‧‧非等向性發射器

63‧‧‧參考焊墊

64‧‧‧焊墊

65‧‧‧非等向性發射器

66‧‧‧半導體晶粒

67‧‧‧鄰近半導體晶粒

68‧‧‧待測區域

69‧‧‧鄰近非等向性發射器

9‧‧‧晶圓針測系統

900‧‧‧探針針尖-焊墊對位機

901‧‧‧探針測試卡

902‧‧‧接收器

903‧‧‧接收器輸入端

904‧‧‧探針

905‧‧‧半導體晶圓

906‧‧‧半導體晶粒

907‧‧‧發射器

908‧‧‧焊墊

909‧‧‧系統定位部

910‧‧‧搜尋軌跡

911‧‧‧穿透孔

912‧‧‧測試卡定位部

X‧‧‧軸

Y‧‧‧軸

第1A圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之立體示意圖。

第1B圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之另一實施步驟之立體示意圖。

第1C圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之經由輪廓感測器所感測之非均質性接收器之輪廓圖。

第2A圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。

第2B圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一探針測試卡(探針針尖朝上) 之俯視示意圖。

第3A圖係為將第2B圖之探針測試卡以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。

第3B圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。

第3C圖係為將第2B圖之探針測試卡以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。

第4A圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。

第4B圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一探針測試卡(探針針尖朝上)之俯視示意圖。

第4C圖係為將第4B圖之探針測試卡以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。

第4D圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。

第4E圖係為將第4B圖之探針測試卡以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。

第5圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之剖面示意圖。

第6A圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之系統定位部之俯視示意圖。

第6B圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之探針測試卡與量測儀定位部之接合之剖面示意圖。

第7圖係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之系統定位部之俯視示意圖。

第8圖係為習知技術用於晶圓針測系統之接收器與發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。

第9圖係為習知技術用於晶圓針測系統之接收器與發射器之對位方法之一具體實施例之一積分球搜尋軌跡之俯視示意圖。

本發明之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，包括以下步驟：步驟A：以一輪廓感測器量測一非均質性接收器之一接收器中心位置，其中非均質性接收器係設置於一晶圓針測系統之上；步驟B：以一量測儀量測一探針測試卡上之一參考探針之一參考針尖之一參考針尖位置；步驟C：根據一參考焊墊-發射器相對位置、參考針尖位置以及接收器中心位置將非均質性接收器位移一對位位移，其中一參考半導體晶粒係形成於一半導體晶圓之上，其中參考半導體晶粒具有一參考焊墊以及一非等向性發射器，其中參考焊墊與非等向性發射器之間具有參考焊墊-發射器相對位置；以及步驟D：以晶圓針測系統之一探針針尖-焊墊對位機將參考探針之參考針尖與參考焊墊進行對位；藉此達成非均質性接收器與非等向性發射器之精準對位。

請參閱第1A圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之立體示意圖。請同時參閱第1B圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之另一實施步驟之立體示意圖。其中第1A圖以及第1B圖係為步驟A之一具體實施例。一晶圓針測系統1具有複數個第一系統定位部10。其中一非均質性接收器4係設置於晶圓針測系統1之上。其中非均質性接收器4具有一接收器輸入端40。一感測器承載板5具有複數個承載板定位部50，其中複數個承載板定位部50位於感測器承載板5之位置係在加工製造感測器承載板5之過程中所決定。其中感測器承載板5係藉由複數個承載板定位部50與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合定位於晶圓針測系統1上。步驟A係以輪廓感測器52量測非均質性接收器4之一接收器中心位置；其中步驟A包括以下步驟：步驟A10：以一輪廓感測器52沿著一第一感測方向(如第1A圖所示)感測非均質性接收器4之一第一接收器輪廓；其中在第1A圖之實施例中，輪廓感測器52係藉由一轉接板51固定於感測器承載板5之上，使得輪廓感測器52係沿著第一感測方向感測輪廓；步驟A20：以輪廓感測器52沿著一第二感測方向(如第1B圖所示)感測非均質性接收器4之一第二接收器輪廓，其中第二感測方向與第一感測方向之間具有一夾角係等於90度；其中在第1B圖之實施例中，輪廓感測器52係藉由轉接板51固定於感測器承載板5之上，使得輪廓感測器52係能沿著第二感測方向感測輪廓；其中輪廓感測器52所感測出之第一接收器輪廓以及第二接收器輪廓與感測器承載板5之間之相對位置係在加工製造輪廓感測器52、感測器承載板5以及轉接板51之過程中所決 定；以及步驟A30：由第一接收器輪廓以及第二接收器輪廓計算出非均質性接收器4之接收器中心位置。由於輪廓感測器52在量測時，感測器承載板5係與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合定位於晶圓針測系統1上，因此由輪廓感測器52所量測計算出之非均質性接收器4之接收器中心位置係為非均質性接收器4位於感測器承載板5之位置，亦是非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之位置。其中步驟A在步驟A10之前更包括以下步驟：步驟A1：接合感測器承載板5之複數個承載板定位部50以及晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10，使感測器承載板5定位於晶圓針測系統1上。其中步驟A在步驟A30之後更包括以下步驟：步驟A40：分離感測器承載板5之複數個承載板定位部50與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10之接合，並將感測器承載板5移開。其中在第1A圖以及第1B圖之實施例中，輪廓感測器52係為一二維雷射輪廓感測器。在一些實施例中，第二感測方向與第一感測方向之間之夾角係大於0度且小於180度。在另一些實施例中，第二感測方向與第一感測方向之間之夾角係大於45度且小於135度。在又一些實施例中，第二感測方向與第一感測方向之間之夾角係大於60度且小於120度。在一些實施例中，非均質性接收器4係包括選自以下群組之一者：一光積分球、一濾光片、一透鏡、一號角天線(horn antenna)以及一電磁波導。在另一些實施例中，非均質性接收器4係包括選自以下群組之一者：一感光元件以及一集光元件；其中感光元件係包括選自以下群組之一者：感光耦合元件(CCD：charge coupled device)以及互補式金屬氧化物半導體(CMOS：complementary metal-oxide-semiconductor)元件。

請參閱第1C圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非 均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之經由輪廓感測器所感測之非均質性接收器之輪廓圖。其中非均質性接收器4係為一光積分球。其中第1C圖之非均質性接收器4之輪廓圖係以輪廓感測器52沿著第一感測方向(如第1A圖所示)感測非均質性接收器4之第一接收器輪廓。其中非均質性接收器4之範圍大約是在橫軸的-10~10之間。其中非均質性接收器4之接收器輸入端40大約是在橫軸的-1.5~1.5之間。再經由以輪廓感測器52沿著第二感測方向(如第1B圖所示)感測非均質性接收器4之第二接收器輪廓，其中第二感測方向與第一感測方向之間具有一夾角係等於90度；以及由第一接收器輪廓以及第二接收器輪廓計算出非均質性接收器4之接收器中心位置。

請參閱第2A圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。請同時參閱第2B圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一探針測試卡(探針針尖朝上)之俯視示意圖。其中第2A圖係為步驟B之一具體實施例。一探針測試卡3包括複數個第一測試卡定位部30、複數根探針32、一參考探針31、一穿透孔34以及一測試卡參考定位點33。其中參考探針31具有一參考針尖35。其中每一根探針32之一針尖以及參考探針31之參考針尖35之間之相對位置是配合待測之半導體晶粒上之焊墊分佈(請稍後參閱第3B圖之實施例)，並經由黏著而固定。其中在探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30以及測試卡參考定位點33之間之相對位置係在加工製造探針測試卡3之過程中所決定。然而複數根探針32以及參考探針31在探針測試卡3 上之位置則需等到將複數根探針32以及參考探針31黏著固定於探針測試卡3上之後，再以一量測儀2來量測之。其中量測儀2具有複數個量測儀定位部20。探針測試卡3係藉由複數個第一測試卡定位部30與量測儀2之複數個量測儀定位部20接合定位於量測儀2上，且使得複數根探針32之每一者之針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向上。其中步驟B係以量測儀2量測探針測試卡3之參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之一參考針尖位置，其中係可藉由量測探針測試卡3上之參考探針31之參考針尖35以及探針測試卡3上之測試卡參考定位點33之間之一相對位置，以計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。其中步驟B在執行量測計算參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之前更包括以下步驟：接合探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30以及量測儀2之複數個量測儀定位部20，使探針測試卡3定位於量測儀2上。其中步驟B在執行量測計算參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之後更包括以下步驟：分離探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30與量測儀2之複數個量測儀定位部20之接合，並將探針測試卡3移開。在此實施例中，量測儀2係包括選自以下群組之一者：一工具顯微鏡以及一尺規。在一些實施例中，測探針測試卡3上並不包括測試卡參考定位點33；其中步驟B係藉由量測探針測試卡3之參考探針31之參考針尖35以及探針測試卡3上之複數個第一測試卡定位部30之其中之一之間之一相對位置，以計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。在另一些實施例中，測探針測試卡3上並不包括測試卡參考定位點33；其中步驟B係藉由量測探針測試卡3之參考探針31之參考針尖35以及量測儀2上之複數 個量測儀定位部20之其中之一之間之一相對位置，以計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。

在一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟A再執行步驟B。在另一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟B再執行步驟A。

本發明之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，係經由步驟A以量測計算出非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之位置。但同一個非均質性接收器4有可能搭配不同之測探針測試卡3來進行針測。然而，本發明之一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，即使更換了不同的測探針測試卡3，也無需再重新進行步驟A，亦即無需再重新量測計算非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之位置。只需要對不同的測探針測試卡3重新進行步驟B，以量測計算參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。

請參閱第3A圖，其係為將第2B圖之探針測試卡以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。在此實施例中，當測探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成測探針測試卡3之複數根探針32之每一者之針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向下時，測探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30係可與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合。請同時參閱第3B圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之實施步驟之剖面示意圖。其中測探針測試卡3係如第3A圖所示，亦即將第2B圖之探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成探針針 尖朝下。其中測探針測試卡3係藉由複數個第一測試卡定位部30與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合定位於晶圓針測系統1上。其中晶圓針測系統1更包括一探針針尖-焊墊對位機6。其中探針針尖-焊墊對位機6之上承載一半導體晶圓60。其中一參考半導體晶粒61以及複數個半導體晶粒66係形成於半導體晶圓60之上。其中每一個半導體晶粒66具有複數個焊墊64以及一非等向性發射器65。其中參考半導體晶粒61具有一參考焊墊63、一非等向性發射器62以及複數個焊墊64。其中參考焊墊63與非等向性發射器62之一發射器中心之間具有一參考焊墊-發射器相對位置。其中測探針測試卡3上之複數根探針32之針尖以及參考探針31之參考針尖35之間之相對位置係相對應於參考半導體晶粒61之複數個焊墊64以及參考焊墊63之間之相對位置，同樣地亦是相對應於半導體晶粒66之複數個焊墊64之間之相對位置。由步驟A係可量測計算出非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置。而由步驟B係可量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。若將探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下，並將探針測試卡3接合定位於晶圓針測系統1上時(如第3B圖所示)，則可計算出此時探針測試卡3之參考探針31之參考針尖35位於晶圓針測系統1之位置。因此，由非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置以及參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置，係可以計算出參考探針31之參考針尖35以及非均質性接收器4之接收器中心位置之間之相對位置。再由參考焊墊63與非等向性發射器62之發射器中心之間之參考焊墊-發射器相對位置，係可計算出當參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63對位時，非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之 接收器中心位置之間之一相對位置。因此，若將非均質性接收器4位移一對位位移，使得當參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63對位時，非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之接收器中心位置之間之相對位置為零，則可藉此達成非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之接收器中心位置之精準對位。因此，步驟C係根據參考焊墊63與非等向性發射器62之發射器中心之間之參考焊墊-發射器相對位置、參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置以及非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置，計算出非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之接收器中心位置之間之相對位置，並將非均質性接收器4位移一對位位移，使得當執行完步驟D以晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6將參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63進行對位後，非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之接收器中心位置之間之相對位置為零，即可達成非等向性發射器62之發射器中心以及非均質性接收器4之接收器中心位置之精準對位；其中對位位移係與參考焊墊-發射器相對位置、參考針尖位置以及接收器中心位置相關。在一些實施例中，非等向性發射器62以及非等向性發射器65係包括選自以下群組之一者：一片狀天線(patch antenna)以及一帶狀天線(slot antenna)。在另一些實施例中，非等向性發射器62以及非等向性發射器65係包括選自以下群組之一者：一發光二極體以及一雷射二極體。

在一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟C再執行步驟D。在另一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器 與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟D再執行步驟C。

請參閱第3C圖，其係為將第2B圖之探針測試卡以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。在此實施例中，當測探針測試卡3以Y軸為轉軸翻轉成測探針測試卡3之複數根探針32之每一者之針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向下時，測探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30係可與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合。由步驟B係可量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。若將探針測試卡3以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下，並將探針測試卡3接合定位於晶圓針測系統1上時，則可計算出此時探針測試卡3上之參考探針31之參考針尖35位於晶圓針測系統1之位置。

請參閱第4A圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。請同時參閱第4B圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一探針測試卡(探針針尖朝上)之俯視示意圖。第4A圖係為步驟B之另一具體實施例。在此實施例中，一探針測試卡3包括複數個第一測試卡定位部30、複數個探針測試組36、一參考探針測試組37以及一測試卡參考定位點33。其中每一個探針測試組36具有一穿透孔34以及複數根探針32。其中參考探針測試組37具有一穿透孔34、一參考探針31以及複數根探針32。其中參考探針測試組37之複數根探針32以及參考探針31之間之相對位置，以及每一個探針測試組36之複數根探針32之間之相對位置，皆是配合待測之半導體晶粒上之焊墊分佈，並經由黏著而固定；此外，參考探針測試組37以及每一個探針測試組 36之間之相對位置則是配合待測之半導體晶粒之分佈(請稍後參閱第4D圖之實施例)，經由黏著而固定。其中在探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30以及測試卡參考定位點33之間之相對位置係在加工製造探針測試卡3之過程中所決定。然而參考探針測試組37之參考探針31以及複數根探針32在探針測試卡3上之位置則需等到將參考探針31以及複數根探針32黏著固定於探針測試卡3上之後，再以一量測儀2來量測之。其中量測儀2具有複數個量測儀定位部20。探針測試卡3係藉由複數個第一測試卡定位部30與量測儀2之複數個量測儀定位部20接合定位於量測儀2上，且使得複數個探針測試組36以及參考探針測試組37之每一個探針32之一針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向上。步驟B係以量測儀2量測探針測試卡3上之參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之一參考針尖位置，其中係可藉由量測探針測試卡3上之參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35以及探針測試卡3上之測試卡參考定位點33之間之一相對位置，以計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。其中步驟B在執行量測計算參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之前更包括以下步驟：接合探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30以及量測儀2之複數個量測儀定位部20，使探針測試卡3定位於量測儀2上。其中步驟B在執行量測計算參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之後更包括以下步驟：分離探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30與量測儀2之複數個量測儀定位部20之接合，並將探針測試卡3移開。在此實施例中，其中量測儀2係包括選自以下群組之一者：一工具顯微鏡以及一尺規。在一些實施 例中，測探針測試卡3上並不包括測試卡參考定位點33；其中步驟B係以量測儀2量測探針測試卡3上之參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35以及探針測試卡3上之複數個第一測試卡定位部30之其中之一之間之一相對位置，以量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。在另一些實施例中，測探針測試卡3上並不包括測試卡參考定位點33；其中步驟B係以量測儀2量測探針測試卡3上之參考探針測試組37之參考探針31之參考針尖35以及量測儀2上之複數個量測儀定位部20之其中之一之間之一相對位置，以量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。請參閱第4C圖，其係為將第4B圖之探針測試卡以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。在此實施例中，當測探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成測探針測試卡3之複數個探針測試組36以及參考探針測試組37之每一個探針32之針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向下時，且測探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30係可與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合。請同時參閱第4D圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之一實施步驟之剖面示意圖。其中測探針測試卡3係如第4C圖所示，亦即將第4B圖之探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下。其中測探針測試卡3係藉由複數個第一測試卡定位部30與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合定位於晶圓針測系統1上。其中晶圓針測系統1更包括一探針針尖-焊墊對位機6。其中探針針尖-焊墊對位機6之上承載一半導體晶圓60。其中一參考半導體晶粒61以及複數個鄰近半導體晶粒67係形成於半導體晶圓60之上之一待測區域68內。其中每一個鄰近半導體晶粒67具有複數 個焊墊64以及一鄰近非等向性發射器69。其中參考半導體晶粒61具有一參考焊墊63、一非等向性發射器62以及複數個焊墊64。其中參考焊墊63係位於待測區域68之一參考焊墊-待測區域位置。其中測探針測試卡3之參考探針測試組37之參考探針31以及複數根探針32之間之相對位置係相對應於參考半導體晶粒61之複數個焊墊64以及參考焊墊63之間之相對位置，亦是相對應於任一個鄰近半導體晶粒67之複數個焊墊64之間之相對位置；同樣地，任一個探針測試組36之複數根探針32之間之相對位置係相對應於任一個鄰近半導體晶粒67之複數個焊墊64之間之相對位置，亦是相對應於參考半導體晶粒61之複數個焊墊64以及參考焊墊63之間之相對位置。由步驟A係可量測計算出非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置。而由步驟B係可量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。若將探針測試卡3以X軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下，並將探針測試卡3接合定位於晶圓針測系統1上時(如第4D圖所示)，則可計算出此時探針測試卡3上之參考探針31之參考針尖35位於晶圓針測系統1之位置。因此，由非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置以及參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置，係可以計算出參考探針31之參考針尖35以及非均質性接收器4之接收器中心位置之間之相對位置。再由參考焊墊63係位於待測區域68之參考焊墊-待測區域位置，係可計算出當參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63對位時，若將非均質性接收器4位移一對位位移，係可使非均質性接收器4之接收器輸入端40所具有之一接收器量測範圍涵蓋住待測區域68內之每一個鄰近半導體晶粒67之鄰近非等向性發射器69以及參考半導體晶粒61之非等向性發射器62。因此，步驟C係根據參 考焊墊63位於待測區域68之參考焊墊-待測區域位置、參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置以及非均質性接收器4位於晶圓針測系統1之接收器中心位置以計算出該對位位移，並將非均質性接收器4位移該對位位移，使得當執行完步驟D以晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6將參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63進行對位後，非均質性接收器4之接收器輸入端40所具有之接收器量測範圍係涵蓋住待測區域68內之每一個鄰近半導體晶粒67之鄰近非等向性發射器69以及參考半導體晶粒61之非等向性發射器62。在一些實施例中，其中非等向性發射器62係包括選自以下群組之一者：一片狀天線、一帶狀天線、一發光二極體以及一雷射二極體；其中非均質性接收器4係包括選自以下群組之一者：一光積分球、一濾光片、一透鏡、一號角天線、一電磁波導、一感光元件以及一集光元件，其中感光元件係包括選自以下群組之一者：感光耦合元件以及互補式金屬氧化物半導體元件；其中藉由晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6將參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63進行一次對位，係可使非均質性接收器4之接收器輸入端40所具有之接收器量測範圍涵蓋住待測區域68內之每一個鄰近半導體晶粒67之鄰近非等向性發射器69以及參考半導體晶粒61之非等向性發射器62，藉此可在同一個位置上依次對每一個鄰近半導體晶粒67以及參考半導體晶粒61進行針測，而無需以晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6逐一對位每一個鄰近半導體晶粒67以及參考半導體晶粒61，如此可大幅減少晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6進行對位的次數，藉此大幅減少晶圓針測耗費在移動以及對位的時間。在另一些實施例中，其中非等向性發射器62係包括選自以下群組之一者：一片狀天線、一帶狀天線、 一發光二極體以及一雷射二極體；其中非均質性接收器4係包括選自以下群組之一者：一光積分球、一濾光片、一透鏡、一號角天線、一電磁波導、一感光元件以及一集光元件，其中感光元件係包括選自以下群組之一者：感光耦合元件以及互補式金屬氧化物半導體元件；藉由晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6將參考探針31之參考針尖35以及參考焊墊63進行一次對位，係可使非均質性接收器4之接收器輸入端40所具有之接收器量測範圍涵蓋住待測區域68內之每一個鄰近半導體晶粒67之鄰近非等向性發射器69以及參考半導體晶粒61之非等向性發射器62，藉此可在同一個位置上同時對每一個鄰近半導體晶粒67以及參考半導體晶粒61進行針測，既無需依次逐一對每一個鄰近半導體晶粒67以及參考半導體晶粒61進行針測，亦無需以晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6逐一對位每一個鄰近半導體晶粒67以及參考半導體晶粒61，如此可大幅減少晶圓針測系統1之探針針尖-焊墊對位機6進行對位的次數，以達到同時對待測區域68內之每一個鄰近半導體晶粒67之鄰近非等向性發射器69以及參考半導體晶粒61之非等向性發射器62進行針測，藉此大幅減少晶圓針測耗費在移動以及對位的時間，更可大幅減少針測所耗費的時間。在一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟A再執行步驟B。在另一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟B再執行步驟A。在一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟C再執行步驟D。在另一些實施例中，本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向 性發射器之對位方法之執行順序係先執行步驟D再執行步驟C。

請參閱第4E圖，其係為將第4B圖之探針測試卡以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下之示意圖。在此實施例中，當測探針測試卡3以Y軸為轉軸翻轉成測探針測試卡3之複數個探針測試組36以及參考探針測試組37之每一個探針32之針尖以及參考探針31之參考針尖35係朝向下時，測探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30係可與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合。由步驟B係可量測計算出參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置。若將探針測試卡3以Y軸為轉軸翻轉成探針針尖朝下，並將探針測試卡3接合定位於晶圓針測系統1上時，則可計算出此時探針測試卡3上之參考探針31之參考針尖35位於晶圓針測系統1之位置。

請參閱第5圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，量測儀2係設置於晶圓針測系統1之上。然而在此實施例中，量測儀2並無複數個量測儀定位部20，因此，其中步驟B在執行量測計算參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之前更包括以下步驟：接合探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30以及晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10，使探針測試卡3定位於晶圓針測系統1上；且其中步驟B在執行量測計算參考探針31之參考針尖35位於測探針測試卡3上之參考針尖位置之後更包括以下步驟：分離探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10之接合，並將探針測試卡3移開。

請參閱第6A圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非 均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之系統定位部之俯視示意圖。請同時參閱第6B圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之探針測試卡與量測儀定位部之接合之剖面示意圖。在第6A圖以及第6B圖之實施例中，探針測試卡3具有複數個第一測試卡定位部30以及複數個第二測試卡定位部30’，其中探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30係用以與晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10接合，使探針測試卡3定位於晶圓針測系統1上(步驟D)；而探針測試卡3之複數個第二測試卡定位部30’係用以與量測儀2之複數個量測儀定位部20接合，使探針測試卡3定位於量測儀2上(步驟B)。

請參閱第7圖，其係為本發明一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法之一具體實施例之系統定位部之俯視示意圖。在此實施例中，晶圓針測系統1具有複數個第一系統定位部10以及複數個第二系統定位部10’，其中晶圓針測系統1之複數個第一系統定位部10係用以與感測器承載板5之複數個承載板定位部50接合，使感測器承載板5定位於晶圓針測系統1上(步驟A)；而晶圓針測系統1之複數個第二系統定位部10’係用以與探針測試卡3之複數個第一測試卡定位部30接合，使探針測試卡3定位於晶圓針測系統1上(步驟D)。

以上所述乃是本發明之具體實施例及所運用之技術手段，根據本文的揭露或教導可衍生推導出許多的變更與修正，仍可視為本發明之構想所作之等效改變，其所產生之作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之實質精神，均應視為在本發明之技術範疇之內，合先陳明。

綜上所述，依上文所揭示之內容，本發明確可達到發明之預期目的，提供一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，極具產業上利用之價植，爰依法提出發明專利申請。

Claims (25)

1. 一種用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中一參考半導體晶粒係形成於一半導體晶圓之上，其中該參考半導體晶粒具有一參考焊墊以及一非等向性發射器，其中該參考焊墊與該非等向性發射器之間具有一參考焊墊-發射器相對位置，其中該對位方法包括以下步驟：步驟A：以一輪廓感測器量測一非均質性接收器之一接收器中心位置，其中該非均質性接收器係設置於一晶圓針測系統之上；步驟B：以一量測儀量測一探針測試卡上之一參考探針之一參考針尖之一參考針尖位置；步驟C：根據該參考焊墊-發射器相對位置、該參考針尖位置以及該接收器中心位置將該非均質性接收器位移一對位位移；以及步驟D：以該晶圓針測系統之一探針針尖-焊墊對位機將該參考探針之該參考針尖與該參考焊墊進行對位。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該步驟A包括以下步驟：步驟A10：以該輪廓感測器沿著一第一感測方向感測該非均質性接收器之一第一接收器輪廓；步驟A20：以該輪廓感測器沿著一第二感測方向感測該非均質性接收器之一第二接收器輪廓，其中該第二感測方向與該第一感測方向之間具有一夾角，其中該夾角係大於0度且小於180度；以及步驟A30：由該第一接收器輪廓以及該第二接收器輪廓計算出該非均質性接收器之該接收器中心位置。
3. 如申請專利範圍第2項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該夾角係等於90度。
4. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該輪廓感測器係設置於一感測器承載板之上，其中該感測器承載板具有至少一承載板定位部，其中該晶圓針測系統具有至少一第一系統定位部，其中該至少一承載板定位部係可與該至少一第一系統定位部接合。
5. 如申請專利範圍第4項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該步驟A包括以下步驟：步驟A10：將該輪廓感測器設置於該感測器承載板之上使該輪廓感測器沿著一第一感測方向感測該非均質性接收器之一第一接收器輪廓；步驟A20：將該輪廓感測器設置於該感測器承載板之上使該輪廓感測器沿著一第二感測方向感測該非均質性接收器之一第二接收器輪廓，其中該第二感測方向與該第一感測方向之間具有一夾角，其中該夾角係大於0度且小於180度；以及步驟A30：由該第一接收器輪廓以及該第二接收器輪廓計算出該非均質性接收器之該接收器中心位置。
6. 如申請專利範圍第5項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該夾角係等於90度。
7. 如申請專利範圍第4項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該探針測試卡具有至少一第一測試卡定位部，其中該至少一第一測試卡定位部係可與該至少一第一系統定位部接合。
8. 如申請專利範圍第7項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該量測儀具有至少一量測儀定位部，其中該至少一第一測試卡定位部係可與該至少一量測儀定位部接合。
9. 如申請專利範圍第7項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該探針測試卡具有至少一第二測試卡定位部，其中該量測儀具有至少一量測儀定位部，其中該至少一第二測試卡定位部係用以與該至少一量測儀定位部接合。
10. 如申請專利範圍第4項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該晶圓針測系統具有至少一第二系統定位部，其中該探針測試卡具有至少一第一測試卡定位部，其中該至少一第一測試卡定位部係可與該至少一第二系統定位部接合。
11. 如申請專利範圍第10項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該量測儀具有至少一量測儀定位部，其中該至少一第一測試卡定位部係可與該至少一量測儀定位部接合。
12. 如申請專利範圍第10項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該探針測試卡具有至少一第二測試卡定位部，其中該量測儀具有至少一量測儀定位部，其中該至少一第二測試卡定位部係可與該至少一量測儀定位部接合。
13. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該量測儀係設置於該晶圓針測系統之上。
14. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該對位方法之步驟執行順序係為(1)依序執行該步驟A、該步驟B、該步驟C以及該步驟D、(2)依序執行該步驟B、該步驟A、該步驟C以及該步驟D、(3)依序執行該步驟A、該步驟B、該步驟D以及該步驟C、或(4)依序執行該步驟B、該步驟A、該步驟D以及該步驟C。
15. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中在該步驟B中，該參考探針係針尖朝上。
16. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中在該步驟D中，該參考探針係針尖朝下。
17. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該量測儀係包括選自以下群組之一者：一工具顯微鏡以及一尺規。
18. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該輪廓感測器係為一二維雷射輪廓感測器。
19. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該非均質性接收器係包括選自以下群組之一者：一感光元件以及一集光元件。
20. 如申請專利範圍第19項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該感光元件係包括選自以下群組之一者：感光耦合元件以及互補式金屬氧化物半導體元件。
21. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該非等向性發射器係包括選自以下群組之一者：一發光二極體以及一雷射二極體。
22. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該非均質性接收器係包括選自以下群組之一者：一光積分球、一濾光片、一透鏡、一號角天線以及一電磁波導。
23. 如申請專利範圍第1項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該非等向性發射器係包括選自以下群組之一者：一片狀天線以及一帶狀天線。
24. 如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中該參考半導體晶粒以及複數個鄰近半導體晶粒係形成於該半導體晶圓之上之一待測區域內，其中該參考焊墊係位於該待測區域之一參考焊墊-待測區域位置；其中在該步驟C中，係根據該參考焊墊-待測區域位置、該參考針尖位置以及該接收器中心位置將該非均質性接收器位移該對位位移，使得當執行完該對位方法之該步驟A、該步驟B、該步驟C以及該步驟D之後，該非均質性接收器所具有之一接收器量測範圍係涵蓋住該待測區域內之該參考半導體晶粒之該非等向性發射器以及該複數個鄰近半導體晶粒之每一者所具有之一鄰近非等向性發射器，藉此大幅減少晶圓針測所耗費的時間。
25. 如申請專利範圍第24項所述之用於晶圓針測系統之非均質性接收器與非等向性發射器之對位方法，其中係可達到同時對該待測區域內之該參考半導體晶粒之該非等向性發射器以及該複數個鄰近半導體晶粒之每一者之該鄰近非等向性發射器進行量測。