CN109545719A - 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法 - Google Patents

探针测试装置以及探针测试装置的工作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109545719A
CN109545719A CN201811443175.4A CN201811443175A CN109545719A CN 109545719 A CN109545719 A CN 109545719A CN 201811443175 A CN201811443175 A CN 201811443175A CN 109545719 A CN109545719 A CN 109545719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
probe
temperature
test pads
adjustment information
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811443175.4A
Other languages
English (en)
Inventor
张鸣帆
叶定文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Original Assignee
Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huaian Imaging Device Manufacturer Corp filed Critical Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Priority to CN201811443175.4A priority Critical patent/CN109545719A/zh
Publication of CN109545719A publication Critical patent/CN109545719A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

一种探针测试装置以及探针测试装置的工作方法，探针测试装置包括：基台，用于放置待测衬底，所述待测衬底表面具有测试衬垫；探针，用于接触所述测试衬垫以进行测试；温度传感器，用于获取进行测试时的所述探针的温度；数据处理单元，用于通过所述探针的温度获取探针调整信息；微调装置，用于根据所述调整信息移动所述探针。所述探针测试装置自动测量探针的温度，调节探针的位置，减小了测量过程中的误差提高了测试的准确性。

Description

探针测试装置以及探针测试装置的工作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及探针测试装置以及探针测试装置的工作方法。
背景技术
在探针测试领域中，探针测试广泛应用于电子元件或印刷电路板(PCB板)的检测，用于实现电学性能的测试。
在半导体制造的过程中，探针测试用于对晶圆上的器件进行特性分析，将探针测试机构中的探针接触晶圆的金属衬垫中，在进行测试的时候，测试机构会给探针一个输入信号，通过探针与晶圆的接触来达到量测的目的，并且将测量的结果反馈给测试机构。
然而，现有技术中探针测试的误差较大。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种探针测试装置以及探针测试装置的工作方法，以提高测试的准确性。
为解决上述技术问题，本发明提供一种探针测试装置，包括：基台，用于放置待测衬底，所述待测衬底表面具有测试衬垫；探针，用于接触所述测试衬垫以进行测试；温度传感器，用于获取进行测试时的所述探针的温度；数据处理单元，用于通过所述探针的温度获取探针调整信息；微调装置，用于根据所述调整信息移动所述探针。
可选的，所述探针的材料为金属材料或者金属合金材料；所述金属材料包括：钨；所述金属合金材料包括：铼钨合金。
可选的，所述数据处理单元包括：信号获取模块，用于获取探针的温度信息；数据处理模块，用于通过所述温度信息获取探针调整信息，
可选的，还包括：移动装置，所述探针通过微调装置与所述移动装置固定连接，所述移动装置带动探针沿平行于所述测试衬垫表面所在平面的方向移动。
可选的，所述探针具有第一端部和第二端部，所述探针的第一端部与测试衬垫接触，所述探针的第二端部与微调装置固定连接。
可选的，所述微调装置根据所述调整信息移动所述探针时，使得探针与初始位置之间具有大于0°的夹角，所述初始位置为探针垂直于测试衬垫、且所述第一端部在测试衬垫上的投影与所述测试衬垫中心重合时的位置。
可选的，所述温度传感器为红外测温传感器。
相应的，本发明还提供上述任意一种探针测试装置的工作方法，包括：提供待测衬底，所述待测衬底包括测试衬垫；将所述待测衬底放置到基台上；将所述探针移动至初始位置，所述探针的初始位置为探针垂直于测试衬垫，且所述探针在测试衬垫上的投影与所述测试衬垫的中心重合时的位置；在所述探针移动至初始位置后，获取所述探针的温度；通过所述探针的温度获取探针的调整信息；通过所述调整信息调整探针的位置；在通过所述调整信息调整探针的位置之后，使所述探针朝向所述基台运动，使得所述探针接触所述测试衬垫。
可选的，通过所述探针的温度获取探针的调整信息的过程包括：获取探针的温度后，将探针的温度与探针的预定温度做比对；当接收到的温度不在预定温度范围内时，通过所述探针的温度获取探针的温度信息，通过所述温度信息获取探针的调整信息。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明提供的探针测试装置中，通过温度传感器获得探针测试温度，数据处理模块根据所述探针测试温度获取探针的调整信息，通过微调装置根据调整信息移动探针，采用自动化操作与智能计算相结合，精准度高，且所能应用的温度范围广，使得在任意温度下，探针接触所述测试衬垫的位置精确，减小了测试异常的风险，从而提高了半导体器件的测试效率，简化了测试程序。
本发明提供的探针测试装置的工作方法中，采用探针测试装置进行测试时，通过温度传感器获得探针测试温度，数据处理模块根据所述探针测试温度获取探针的调整信息，微调装置根据调整信息移动探针，这种方法可以获得任意温度时的探针的调整信息，保证在任意温度下，探针接触所述测试衬垫的位置精确，减小了测试异常的风险，从而提高了半导体器件的测试效率，简化了测试程序。
附图说明
图1和图2是一种探针测试装置的工作方法的示意图；
图3是本发明一实施例的一种探针测试装置的结构示意图；
图4是图3中探针的运动趋势示意图；
图5是本发明实施例的一种探针测试装置的工作方法的流程图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术的半导体器件的性能较差。
一种探针测试装置的工作方法，参考图1和图2，图2为图1中探针接触测试衬垫的位置示意图，包括：提供测试晶圆100，所述测试晶圆110内包括测试衬垫110；提供探针120；使所述探针120向测试晶圆110运动，使得所述探针120接触所述测试衬垫110内。
上述实施例中，探针120的材料为金属材料，金属材料容易热胀冷缩，即在高温或者低温情况下，探针位置因为温度的变化发生偏移。具体请参考图2，图2为不同温度时，探针与测试衬垫接触位置示意图。
所述预定温度T1为探针120形变量处于可接收范围内的温度，处于预定温度T1内时，所述探针120与所述测试衬垫110的接触位置140处于测试衬垫110的中心区域130内。当在预定温度T1的情况下，所述探针120与所述测试衬垫110的接触位置140为预定位置；当在高于预定温度的高温T2的情况下，所述探针120与所述测试衬垫110的接触位置141相对于预定温度T1时的预定位置发生偏移；当在低于预定温度的低温T3的情况下，所述探针120与所述测试衬垫110的接触位置143相对于T1时的预定位置也发生偏移且与高温T2时的偏移方向不一致。
并且所述高温T2和低温T3与预定温度T1的差距越大，所述探针120与所述测试衬垫110的接触位置相对于预定温度T1时的预定位置的偏移越大，有偏移出测试衬垫110区域以外的风险，因此容易导致测试时测试误差较大或者测试异常的风险。
本发明探针测试装置的工作方法中，采用探针测试装置进行测试，通过温度传感器获得测试温度，数据处理模块根据所述温度获取探针的调整信息，这种方法可以获得任意温度时的探针的调整信息，保证在任意温度下，探针接触到测试衬垫的位置精确，减小了测试异常的风险，从而提高了半导体器件的测试效率，简化了测试程序。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
本实施例提供一种探针测试装置，参考图3，包括：
基台250，用于放置待测衬底200，所述待测衬底200包括测试衬垫201；
探针211，用于接触所述测试衬垫201以进行测试；
温度传感器220，用于获取进行测试时的所述探针211的温度；
数据处理单元230，用于通过所述探针211的温度获取探针211调整信息；
微调装置210，用于根据所述调整信息移动所述探针211。
所述数据处理单元230与温度传感器220电连接，且所述数据处理单元230与微调装置210电连接。
所述探针测试装置还包括：移动装置240，所述探针211通过微调装置210与所述移动装置240固定连接，所述移动装置240带动探针211沿平行于所述测试衬垫201表面所在平面的方向移动。
本实施例中，所述移动装置240为悬臂。
所述基台250用于承载待测衬底200。
在一实施例中，所述基台中具有加热装置。
所述待测衬底200为具有特定功能的半导体器件。
所述测试衬垫201用于连接测试机台和待测衬底200的内部电路，将测试机台的测试信号输入到待测衬底200中，同时将待测衬底200内的测试结果反馈给测试机台。
所述测试衬垫201具有中心区域。
所述测试衬垫201的材料包括：金属材料或者金属合金材料。所述金属材料包括：钨；所述金属合金材料包括：铼钨。
所述温度传感器220为红外测温传感器。
本实施例中，所述温度传感器220位于悬臂上。
所述数据处理单元230包括：
信号获取模块231，用于通过探针211的温度，获取探针211的温度信息；
数据处理模块232，用于通过所述温度信息获取探针211的调整信息。
所述数据处理单元230与温度传感器220电连接，获取温度传感器220的温度。
所述数据处理单元230与微调装置210电连接，使得所述微调装置210获得探针211的调整信息。
所述探针211的材料为金属材料或者金属合金材料；所述金属材料包括：钨；所述金属合金材料包括：铼钨合金。
本实施例中，所述探针211的材料为钨。
所述探针211具有第一端部和第二端部，所述探针211的第一端部与测试衬垫201接触，所述探针211的第二端部与微调装置210固定连接。
探针211的材料为金属，金属具有热胀冷缩的特性，环境温度会影响到探针211的形状，进而影响到探针211接触所述测试衬垫201的位置。
参考图4，图4是图3中探针211的运动趋势示意图。
所述探针211具有初始位置，所述探针211的初始位置为探针211垂直于测试衬垫201，且所述探针211的第一端部在测试衬垫201上的投影与测试衬垫201的中心重合的位置。
所述微调装置210根据所述调整信息移动所述探针211时，使得探针211与初始位置之间具有大于0°的夹角。
当探针211的温度为在预定温度内时，所述探针211处于初始位置，所述探针211的第一端部与测试衬垫201的接触位置为点A。
当探针211的温度过高时，所述探针211由于膨胀发生形变，使得探针211的第一端部与测试衬垫201的接触位置为点B。这种情况下，微调装置210通过探针211的第二端部，使得探针211的位置与初始位置之间具有角度，并且使得探针211的第一端部与测试衬垫201的接触位置由B点移动至点A。
当探针211的温度过低时，所述探针211由于冷缩发生形变，使得探针211的第一端部与测试衬垫201的接触位置为点C。这种情况下，微调装置210通过探针211的第二端部，使得探针211的位置与初始位置之间具有角度，并且使得探针211的第一端部与测试衬垫201的接触位置由C点移动至点A。
相应的，本实施例还提供上述一种探针测试装置的工作方法，参考图5，包括：
S11：提供待测衬底200，所述待测衬底200包括测试衬垫201；
S12：将所述待测衬底200放置到基台250上；
S13：将所述探针211移动至初始位置，所述探针211的初始位置为探针211垂直于测试衬垫201，且所述探针211在测试衬垫201上的投影与所述测试衬垫的中心重合时的位置；
S14：在所述探针211移动至初始位置后，获取所述探针211的温度；
S15：通过所述探针211的温度获取探针211的调整信息；
S16：通过所述调整信息调整探针211的位置；
S17：在通过所述调整信息调整探针211的位置之后，使所述探针211朝向所述基台250运动，使所述探针211接触所述测试衬垫201。
所述探针测试装置如图3所示，且如上述实施例所述，在此不做赘述。
请继续参考图3，提供待测衬底200，所述待测衬底200包括测试衬垫201。
所述待测衬底200和测试衬垫201，如上述实施例所述，在此不做赘述。
将所述待测衬底200放置到基台250上，为后续测试做准备。
将所述探针211移动至初始位置，所述探针211的初始位置为探针211垂直于测试衬垫，且所述探针211的第一端部在测试衬垫上的投影与测试衬垫的中心重合时的位置。
通过温度传感器220获取探针211的温度。
本实施例中，通过红外测温传感器获得探针211的温度。
通过所述探针211的温度获取探针211的调整信息。
预定温度为探针211形变量处于可接收范围内的温度，处于预定温度内时，所述探针211与所述测试衬垫201的接触位置处于测试衬垫的中心。
当探针211的温度在预定温度内时，所述探针211位于初始位置。
通过所述探针211的温度获取探针211的调整信息的过程包括：获取探针211的温度后，将探针211的温度与探针211的预定温度做比对，当探针211的温度在预定温度范围内时，所述调整信息为不移动探针211；当探针211的温度不在预定温度范围内时，通过所述探针211的温度的获取探针211的温度信息，通过所述温度信息获取探针211的调整信息。
结合参考图4，当探针211的温度大于预定温度时，所述调整信息为使得探针211的第一端部由点B移动至点A。当探针211的温度小于预定温度时，所述调整信息为使得所述探针211的第一端部由点C移动至点A。
所述温度信息可以为温度，也可以为探针211的温度与预定温度中一个温度的温度差，具体温度信息的选取，与探针211的材料有关。
通过所述调整信息调整探针211的位置。
探针211通过微调装置210调整探针211的位置，使得所述探针211接触到测试衬垫201的中心。
数据处理单元240与微调装置210电连接，将调整信息反馈给微调装置210，所述微调装置210移动所述探针211，使得所述探针211在后续测试过程中接触到测试衬垫201的中芯。
使所述探针211朝向所述基台250运动，使所述探针211接触所述测试衬垫201。
本实施例中，所述移动装置240带动探针211朝向所述基台250运动，使得所述探针211接触所述测试衬垫201。
本实施例中，还包括：在探针211输入测试信号，通过测试衬垫201输入到待测衬底200的内部电路；同时，将待测衬底200内的测试结果通过测试衬垫201输出给探针211。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (9)

1.一种探针测试装置，其特征在于，包括：
基台，用于放置待测衬底，所述待测衬底表面具有测试衬垫；
探针，用于接触所述测试衬垫以进行测试；
温度传感器，用于获取进行测试时的所述探针的温度；
数据处理单元，用于通过所述探针的温度获取探针调整信息；
微调装置，用于根据所述调整信息移动所述探针。
2.根据权利要求1所述的探针测试装置，其特征在于，所述探针的材料为金属材料或者金属合金材料；所述金属材料包括：钨；所述金属合金材料包括：铼钨合金。
3.根据权利要求1所述的探针测试装置，其特征在于，所述数据处理单元包括：
信号获取模块，用于获取探针的温度信息；
数据处理模块，用于通过所述温度信息获取探针调整信息。
4.根据权利要求1所述的探针测试装置，其特征在于，还包括：移动装置，所述探针通过微调装置与所述移动装置固定连接，所述移动装置带动探针沿平行于所述测试衬垫表面所在平面的方向移动。
5.根据权利要求1所述的探针测试装置，其特征在于，所述探针具有第一端部和第二端部，所述探针的第一端部与测试衬垫接触，所述探针的第二端部与微调装置固定连接。
6.根据权利要求5所述的探针测试装置，其特征在于，所述微调装置根据所述调整信息移动所述探针时，使得探针与初始位置之间具有大于0°的夹角，所述初始位置为探针垂直于测试衬垫、且所述第一端部在测试衬垫上的投影与所述测试衬垫中心重合时的位置。
7.根据权利要求1所述的探针测试装置，其特征在于，所述温度传感器为红外测温传感器。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的探针测试装置的工作方法，其特征在于，包括：
提供待测衬底，所述待测衬底包括测试衬垫；
将所述待测衬底放置到基台上；
将所述探针移动至初始位置，所述探针的初始位置为探针垂直于测试衬垫，且所述探针在测试衬垫上的投影与所述测试衬垫的中心重合时的位置；
在所述探针移动至初始位置后，获取所述探针的温度；
通过所述探针的温度获取探针的调整信息；
通过所述调整信息调整探针的位置；
在通过所述调整信息调整探针的位置之后，使所述探针朝向所述基台运动，使得所述探针接触所述测试衬垫。
9.根据权利要求8所述的探针测试装置的工作方法，其特征在于，通过所述探针的温度获取探针的调整信息的过程包括：获取探针的温度后，将探针的温度与探针的预定温度做比对；当接收到的温度不在预定温度范围内时，通过所述探针的温度获取探针的温度信息，通过所述温度信息获取探针的调整信息。
CN201811443175.4A 2018-11-29 2018-11-29 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法 Pending CN109545719A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811443175.4A CN109545719A (zh) 2018-11-29 2018-11-29 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811443175.4A CN109545719A (zh) 2018-11-29 2018-11-29 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109545719A true CN109545719A (zh) 2019-03-29

Family

ID=65850939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811443175.4A Pending CN109545719A (zh) 2018-11-29 2018-11-29 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109545719A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112881886A (zh) * 2021-01-13 2021-06-01 上海华岭集成电路技术股份有限公司 多工位探针卡及晶圆测试的方法
CN116705670A (zh) * 2023-08-07 2023-09-05 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种高温舟的抓取方法和装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152389A (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JP2008096578A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Sii Nanotechnology Inc 原子間力顕微鏡を用いた加工装置及び加工方法
CN104655883A (zh) * 2013-11-26 2015-05-27 北京确安科技股份有限公司 一种晶圆高温测试针痕控制的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152389A (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JP2008096578A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Sii Nanotechnology Inc 原子間力顕微鏡を用いた加工装置及び加工方法
CN104655883A (zh) * 2013-11-26 2015-05-27 北京确安科技股份有限公司 一种晶圆高温测试针痕控制的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112881886A (zh) * 2021-01-13 2021-06-01 上海华岭集成电路技术股份有限公司 多工位探针卡及晶圆测试的方法
CN116705670A (zh) * 2023-08-07 2023-09-05 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种高温舟的抓取方法和装置
CN116705670B (zh) * 2023-08-07 2024-01-02 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种高温舟的抓取方法和装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431288B (zh) 探測機及用於探測機之定位方法、設備及其電腦可讀取媒體
US7183783B2 (en) Method and apparatus for pad aligned multiprobe wafer testing
KR100851419B1 (ko) 프로버 및 탐침 접촉 방법
KR100657105B1 (ko) 프로브 방법 및 장치
US9297849B2 (en) Test system and method for wafer including optical component
KR20130136794A (ko) 반도체 테스트 장비 및 이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법
JP2007273631A (ja) プローブの先端位置の検出方法、この方法を記録した記憶媒体、及びプローブ装置
US6414477B1 (en) Method for optimizing probe card analysis and scrub mark analysis data
TWI771011B (zh) 於溫度改變後補償針尖與待測物之間的距離的方法
CN109545719A (zh) 探针测试装置以及探针测试装置的工作方法
CN112735967A (zh) 晶圆变温测试的测试方法
US20020097062A1 (en) Method and process of applying the analysis of scrub mark morphology and location to the evaluation and correction of semiconductor testing analysis, and manufacture
CN112858735B (zh) 一种多节mems探针关键尺寸测量用探针装载载物台
CN112904176B (zh) 多节mems探针用多参数检测光机电算控一体化方法
CN112858884B (zh) 一种面向超高温工作环境下芯片测试的mems探针结构
CN112904177B (zh) 多节mems探针用多参数检测光机电算控一体化装置
CN112858885B (zh) 一种宽温度范围工作环境下芯片测试方法
CN112858734A (zh) 一种多节mems探针关键尺寸测量用探针装载方法
JP3828299B2 (ja) ウェーハテストシステムでのｚ軸の高さ設定装置及び方法
TWI714457B (zh) 測試系統及其測試載具
TWI803103B (zh) 測試方法
JPH088455Y2 (ja) 加熱又は冷却テストに適したプローブカード
KR100911453B1 (ko) 프로브 카드
TW201838051A (zh) 表面量測方法及表面量測系統
TW202142873A (zh) 相對接觸墊定位探針針尖的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190329

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication