TWI803103B

TWI803103B - 測試方法

Info

Publication number: TWI803103B
Application number: TW110147189A
Authority: TW
Inventors: 余挺瑋
Original assignee: 南亞科技股份有限公司
Priority date: 2021-12-16
Filing date: 2021-12-16
Publication date: 2023-05-21
Also published as: TW202326160A

Abstract

一種測試方法包括裝載具有晶粒的晶圓至探測機中，其中晶粒具有第一類型晶粒及不同於第一類型晶粒的第二類型晶粒。測試方法還包括使晶圓與探測機的探測卡對位於第一位置、在晶圓與探測卡對位於第一位置之後使探測卡的探針接觸在第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、在第一位置根據第一條件量測第一類型晶粒並同時探針保持接觸第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、以及在第一位置根據第二條件量測第二類型晶粒並同時探針保持接觸在第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊。

Description

測試方法

本揭示案是關於測試方法，尤其是關於晶圓的測試方法。

在半導體製程中，半導體晶粒形成在晶圓上。在半導體製程的各個階段中，可藉由探測機對晶圓上的晶粒進行各種測試(例如，合格晶粒(known good die,KGD)測試)，以確認晶粒在各個階段的品質。並且，根據不同的製程階段、製程參數或是產品設計而對應地調整測試條件，藉此準確地收集晶粒資訊。

測試機的探測卡連接待測的晶粒，其中探測卡的數個探針會接觸半導體晶粒上的測試墊以輸入測試電訊號給晶粒並輸出結果，由此評估晶粒表現。

根據本揭示案的一些實施例，一種測試方法包括裝載具有晶粒的晶圓至探測機中，其中晶粒具有第一類型晶粒及不同於第一類型晶粒的第二類型晶粒。測試方法還包括使晶圓與探測機的探測卡對位於第一位置、在晶圓與探測卡對位於第一位置之後使探測卡的探針接觸在第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、在第一位置根據第一條件量測第一類型晶粒並同時探針保持接觸第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、以及在第一位置根據第二條件量測第二類型晶粒並同時探針保持接觸在第一位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊。

在一些實施例中，根據第一條件量測第一類型晶粒時，第二類型晶粒未被量測。

在一些實施例中，根據第二條件量測第二類型晶粒時，第一類型晶粒未被量測。

在一些實施例中，測試方法進一步包括使晶圓與探測卡對位於不同於第一位置的第二位置、在晶圓與探測卡對位於第二位置之後使探測卡的探針接觸在第二位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、在第二位置根據第一條件量測第一類型晶粒並同時探針保持接觸在第二位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊、以及在第二位置根據第二條件量測第二類型晶粒並同時探針保持接觸在第二位置內的第一類型晶粒的測試墊和第二類型晶粒的測試墊。

在一些實施例中，晶粒中的所述測試墊與探針接觸次數為一次。

在一些實施例中，第一條件不同於第二條件。

根據本揭示案的一些實施例，一種測試方法包括裝載晶圓至探測機中、提供第一位置的訊息給探測機以使探測機的探測卡與晶圓對位於第一位置、在探測卡與晶圓對位於第一位置之後使探測卡的探針接觸第一晶粒組、提供第一條件的訊息給探測機以使探針根據第一條件量測第一晶粒組的第一部分、以及比較第二位置是否相同於第一位置。當第二位置相同於第一位置時，探測卡與晶圓保持對位於第一位置並且探針保持接觸第一晶粒組。當第二位置不同於第一位置時，提供第二位置的訊息給探測機以使探測卡與晶圓對位於第二位置。

在一些實施例中，當第二位置相同於第一位置時，提供第二條件的訊息給探測機以使探針根據第二條件量測第一晶粒組的第二部分。

在一些實施例中，第二條件不同於第一條件。

在一些實施例中，當第二位置不同於第一位置時，在探測卡與晶圓對位於第二位置之後，使探測卡的探針接觸第二晶粒組以及提供第二條件的訊息給探測機以使探針根據第二條件量測第二晶粒組的第一部分。

在一些實施例中，藉由測試設備來比較第二位置是否相同於第一位置。

本揭示案是關於測試方法，藉由在探針保持接觸晶粒的情況下，於晶圓的同一位置內對晶粒進行不同的測試條件，以減少同一位置內的晶粒被探針接觸(例如，直接接觸)的次數，從而降低探針對晶粒的損傷的可能性，藉此確保晶粒的完整性及測試結果的準確性。再者，由於探針保持原處量測而減少了探針移動及探針與晶圓對位的時間，因此測試效率可有所提升。

100:測試系統

110:測試設備

112:測試機

114:介面

120:探測機

122:載台

124:探測卡

126:探針

200:方法

202T、204T、206T、208T、210T、212T、214T、216T:步驟

202S、204S、206S、208S、214S、216S:步驟

300:待測裝置/晶圓

310:晶粒

311:第一類型晶粒

312:第二類型晶粒

320:測試墊

400:方法

402、404、406、408、410、412:步驟

510:第一晶粒組

520:第二晶粒組

D1:第一方向

D2:第二方向

D3:第三方向

D4:第四方向

D5:第五方向

閱讀以下實施例時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。應注意的是，根據業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，各種特徵的尺寸可能任意地放大或縮小。

第1圖根據本揭示案的一些實施例繪示測試系統的方塊圖。

第2圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中測試系統內的通信流程圖。

第3A圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第3B圖根據本揭示案的一些實施例繪示第3A圖的局部放大圖。

第3C圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第3D圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第3E圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第3F圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第3G圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法中的其中一個階段的示意圖。

第4圖根據本揭示案的一些實施例繪示在同一位置的測試方法的流程圖。

第5圖根據本揭示案的一些實施例繪示在同一位置的測試方法的示意圖。

當一個元件被稱為「在…上」時，它可泛指該元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在於兩者之中。相反地，當一個元件被稱為「直接在」另一元件，它是不能有其他元件存在於兩者之中間。如本文所用，詞彙「及/或」包含了列出的關聯項目中的一個或多個的任何組合。

在本揭示案中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層與/或區塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層與/或區塊不應該被這些術語所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層與/或區塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層與/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層與/或區塊，而不脫離本揭示案的本意。

除非有額外說明，當以下實施例繪示或描述成一系列的操作或事件時，這些操作或事件的描述順序不應受到限制。例如，部分操作或事件可採取與本揭示案不同的順序、部分操作或事件可同時發生、部分操作或事件可以不須採用、及/或部分操作或事件可重複進行。並且，實際的製程可能須在各操作或事件之前、過程中、或之後進行額外的操作。因此，本揭示案可能將簡短地說明其中一些額外的操作。

在半導體製程的研發階段中會執行各種不同的製程參數以找到最適條件。為了降低成本，各種不同的製程參數將執行在同一晶圓(wafer)上以有效利用晶圓面積，因此不同製程參數製成的晶粒(die)將同時存在於同一晶圓上。晶粒的測試條件會根據不同的製程參數對應地調整以收集到準確的晶粒資訊。然而，在同一晶圓上進行不同的測試條件可能使探針反覆地接觸(例如，反覆地物理接觸)晶粒的測試墊(pad)，可能導致探針在測試墊上造成如針痕(probe mark)的損傷而影響探針和測試墊之間的電性量測結果，進而影響測試精準度。因此，本揭示案提供一種測試方法，當測試設備評估到相同的晶粒時，探針保持接觸(即，不離針也不再次接觸)晶粒的測試墊，並在探針保持接觸的狀態下進行對應的測試條件。

請參照第1圖，第1圖根據本揭示案的一些實施例繪示繪示測試系統100的方塊圖。測試系統100可包括測試設備110和探測機(prober)120，測試設備110與探測機120彼此連接。測試設備110控制探測機120的一或多個元件。

測試設備110可包括測試機(tester)112、介面114、及/或其他適合的元件。測試機112可包括運算系統、記憶體等，以提供傳送指令、分析測試結果、儲存資料、編寫測試程序或類似的作用。測試機112與探測機120之間的連接與通信是透過介面114，其可包括電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers,IEEE)制定之通用介面匯流排(general purpose interface bus,GPIB)。

探測機120可包括載台122和探測卡(probe card)124。載台122可用來承載待測裝置(例如待測裝置300)。探測卡124可用來量測待測裝置300。舉例來說，探測卡124上的探針藉由接觸待測裝置300以提供電訊號給待測裝置300並傳輸待測裝置輸出的結果。

待測裝置(device under test,DUT)300移入測試系統100進行測試。在本揭示案的實施例中，待測裝置300可為半導體製程中的晶圓300，於下文中將使用晶圓300作為範例說明。詳細而言，藉由機械手臂(未繪出)將晶圓300裝載至探測機120內。請先參照第3A圖，晶圓300包括數個晶粒310形成在晶圓300上。晶圓300裝載至探測機120內並且被放置於載台122上。晶圓300的晶粒310可面向探測卡124以利探測卡124上的數個探針(probe tip)126量測晶粒310，例如探針126輸入電訊號給晶粒310並輸出結果。所述輸出結果可傳回至測試機112，以分析晶粒310的表現。

請參照第2圖，第2圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法200中測試設備110及探測機120之間的通信流程圖。請參照第3A圖至第3G圖，第3A圖至第3G圖根據本揭示案的一些實施例繪示在測試方法200中的各個階段的示意圖，其中第3B圖根據本揭示案的一些實施例繪示第3A圖的局部放大圖。

首先，請參照第3A圖，將晶圓300裝載至探測機120(見第1圖)中並放置於載台122上。在一些實施例中，晶圓300的晶粒310面對探測卡124以利探測卡124上的各個探針126對晶粒310進行量測。

如第3B圖的局部放大圖所示，單個晶粒310可具有數個測試墊320。在後續步驟中，探針126可接觸晶粒310的測試墊320。在一些實施例中，探針126物理接觸測試墊320。

接著，請參照第2圖及第3C圖，測試設備110進行設定探測機120的步驟202T。詳細而言，在步驟202T中，測試設備110可傳送第一位置的訊息給探測機120。在探測機120接收到第一位置的訊息後，探測機120進行探測卡124與晶圓300在第一位置處對位的步驟202S。在步驟202S中，舉例來說，載台122可水平移動(例如第一方向D1)至指定位置(例如第一位置)以調整探測卡124與晶圓300之間的相對位置。在探測卡124與晶圓300對位在第一位置之後，探測機120可回報第一位置設定完成的訊息給測試設備110。

接著，請參照第2圖及第3D圖，測試設備110進行準備量測的步驟204T。詳細而言，在步驟204T中，測試設備110可傳送準備量測的訊息給探測機120。在探測機120接收準備量測的訊息後，探測機120進行探測卡124的探針126與晶圓300在第一位置處彼此接觸的步驟204S。在步驟204S中，舉例來說，載台122可垂直並朝向探測卡124移動(例如第二方向D2)以使探針126接觸到晶粒310。在探針126在第一位置接觸到晶粒310之後，探測機120可回報準備完成的訊息給測試設備110。

應注意的是，儘管第3C圖及第3D圖分別繪示載台122沿第一方向D1及第二方向D2移動並靠近探測卡124，但本揭示案不以此為限。任何可使載台122和探測卡124移動的方式皆可適用。

接著，請繼續參照第2圖及第3D圖，測試設備110進行量測的步驟206T。詳細而言，在步驟206T中，測試設備110可傳送第一條件的訊息給探測機120。在探測機120接收到第一條件的訊息後，進行探針126量測晶粒310的步驟206S。詳細而言，在步驟206S中，載台122保持不動使得探針126保持接觸晶粒310(例如保持接觸第3B圖的測試墊320)，同時探針126量測晶粒310。在探針126根據第一條件量測晶粒310之後，探測機120可回報量測結果給測試設備110。

如前所述，不同製程參數製成的晶粒310可同時存在於同一晶圓300中，並且不同製程參數製成的晶粒310採用不同的量測條件。探針126在第一位置內接觸到的晶粒310可能具有不同類型。因此，在採用第一條件的實施例中，探針126僅對適用第一條件的晶粒310進行量測。換句話說，探針126在第一位置接觸的晶粒310的數量為數值A，其中可被第一條件量測的晶粒310的數量為數值a1，則數值a1可能小於或等於數值A。當數值a1小於數值A，則表示探針126在第一位置內接觸到的晶粒310僅部分適用第一條件來測量。當數值a1等於數值A，則表示探針126在第一位置內接觸到的晶粒310皆可適用第一條件來量測。

接著，請繼續參照第2圖及第3D圖，測試設備110進行確認量測結果的步驟208T。詳細而言，在步驟208T中，測試設備110可分析自探測機120傳來量測結果、判定量測條件的終點、並傳送結束量測的訊息給探測機120。在探測機120接收結束量測的訊息後，探測機120進行結束量測的步驟208S。在探測機120結束量測後，探測機120可回報結束量測的訊息給測試設備110。在一些實施例中，在結束量測之後，探針126與晶圓300可在第一位置處保持彼此接觸。

接著，請繼續參照第2圖及第3D圖，測試設備110進行設定探測機120的步驟210T。在測試設備110傳送第二位置的訊息給探測機120之前，測試設備110先進行步驟212T：比較第二位置是否相同於第一位置。在測試設備110進行步驟210T或212T的時候，探針126與晶圓300保持在第一位置處保持彼此接觸，如第3D圖所示。

測試設備110進行比較第二位置是否相同於第一位置的步驟212T，其中當第二位置相同於第一位置時，接下來，測試設備110進行量測的步驟214T。詳細而言，在步驟214T中，測試設備110可傳送第二條件的訊息給探測機120。在一些實施例中，第二條件與第一條件彼此不同。在探測機120接收到第二條件的訊息後，進行探針126量測晶粒310的步驟214S。詳細而言，在步驟214S中，探測卡124與晶圓300保持對位在第一位置，因此探針126保持接觸晶粒310並根據第二條件量測晶粒310。在探針126根據第二條件量測晶粒310之後，探測機120可回報量測結果給測試設備110。

同樣地，由於探針126在第一位置內接觸到的晶粒310可能具有不同類型。因此，在採用第二條件的實施例中，探針126僅對適用第二條件的晶粒310進行量測。換句話說，探針126在第一位置接觸的晶粒310的數量為數值A，其中可被第二條件量測的晶粒310的數量為數值a2，則數值a2可能小於或等於數值A。當數值a2小於數值A，則表示探針126在第一位置內接觸到的晶粒310僅部分適用第二條件來測量。當數值a2等於數值A，則表示探針126在第一位置內接觸到的晶粒310皆可適用第二條件來量測。

在第二位置相同於第一位置的實施例中，接著，請繼續參照第2圖及第3D圖，測試設備110進行確認量測結果的步驟216T。詳細而言，在步驟216T中，測試設備110可分析自探測機120傳來量測結果、判定量測條件的終點、並傳送結束量測的訊息給探測機120。在探測機120接收結束量測的訊息後，探測機120進行結束量測的步驟216S。在探測機120結束量測後，探測機120可回報結束量測的訊息給測試設備110。在一些實施例中，在結束量測之後，探針126與晶圓300可在第一位置處保持彼此接觸。

當第二位置相同於第一位置，探測機120除了量測操作之外無其他動作，以使探針126與晶圓300可維持在原處(例如，第一位置)並保持原本接觸的狀態。因此，探針126可對第一位置內接觸到的晶粒310進行多次量測例如探針126對適用第一條件的晶粒310進行量測以及對適用第二條件的晶粒310再次進行量測，其中第一條件及第二條件彼此不同。在使用不同量測條件時，探針126皆保持原本接觸的狀態，以減少探針126離開並重新接觸晶粒310的反覆操作次數，藉此降低探針126對晶粒310損害的可能性。再者，可使目前量測位置(例如，第一位置)內的晶粒310皆量測完畢之後，再前往下一個量測位置(例如，第二位置)，藉此減少載台122及/或探測卡124的移動次數而提高測試製程效率。

在一些實施例中，在第二位置相同於第一位置的情況下，可藉由測試設備110的程式設計使探測機120除了量測操作之外無其他動作。舉例來說，測試設備110的測試程式通常是傳送訊息之後收到回報才會進行下一個動作。因此，在測試設備110判讀到的第二位置相同於第一位置之後，測試設備110可自行產生第二位置設定完成及/或準備完成的訊息，可在內部回傳給自身。如此一來，測試設備110收到回報之後可繼續下一動作，例如，傳送量測的訊息給探測機120的步驟214T。前述自行產生的回報訊息類似於探測機於步驟202S及/或步驟204S回報給測試設備110的訊息。

在另一方面，回到測試設備110進行比較第二位置是否相同於第一位置的步驟212T，其中當第二位置不同於第一位置時，測試設備110接下來進行相似於步驟202T、步驟204T、步驟206T、步驟208T及步驟210T的操作，而探測機120則進行相似於步驟202S、步驟204S、步驟206S及步驟208S的操作，其中差異在於第一位置變更為第二位置。

請參照第2圖、第3E圖及第3F圖，在測試設備110確認第二位置不同於第一位置(即，步驟212T)之後，測試設備110進行設定探測機120的步驟202T。詳細而言，在步驟202T中，測試設備110可傳送第二位置的訊息給探測機120。在探測機120接收到第二位置的訊息後，探測機120進行探測卡124與晶圓300在第二位置處對位的步驟202S。詳細而言，在步驟202S中，探測機120先進行離針的操作。例如，載台122可垂直並遠離探測卡124移動(例如第三方向D3)以使探針126不接觸到晶粒310，如第3E圖所示。接著，在探針126未接觸晶粒310的狀態下，載台122可水平移動(例如第四方向D4)至指定位置(例如，第二位置)以調整探測卡124與晶圓300之間的相對位置。在探測卡124與晶圓300對位在第二位置之後，探測機120可回報第二位置設定完成的訊息給測試設備110。

接著，請參照第2圖及第3G圖，測試設備110進行準備量測的步驟204T。詳細而言，在步驟204T中，測試設備110可傳送準備量測的訊息給探測機120。在探測機120接收準備量測的訊息後，探測機120進行探測卡124的探針126與晶圓300在第二位置處彼此接觸的步驟204S。在步驟204S中，舉例來說，載台122可垂直並朝向探測卡124移動(例如第五方向D5)以使探針126接觸到晶粒310。在探針126在第二位置接觸到晶粒310之後，探測機120可回報準備完成的訊息給測試設備110。

應注意的是，儘管第3E圖、第3F圖及第3G圖分別繪示載台122沿第三方向D3、第四方向D4及第五方向D5移動以調整與探測卡124之間的位置，但本揭示案不以此為限。任何可使載台122和探測卡124移動的方式皆可適用。

接著，請繼續參照第2圖及第3G圖，測試設備 110進行量測的步驟206T。詳細而言，在步驟206T中，測試設備110可傳送第三條件的訊息給探測機120。在探測機120接收到第三條件的訊息後，進行探針126量測晶粒310的步驟206S。詳細而言，在步驟206S中，載台122保持不動使得探針126保持在第二位置處接觸晶粒310，同時探針126量測晶粒310。在探針126根據第三條件在第二位置處量測晶粒310之後，探測機120可回報量測結果給測試設備110。在一些實施例中，第三條件相同於第一條件。在另一些實施例中，第三條件不同於第一條件。

接著，請繼續參照第2圖及第3G圖，測試設備110進行確認量測結果的步驟208T。詳細而言，在步驟208T中，測試設備110可分析自探測機120傳來量測結果、判定量測條件的終點、並傳送結束量測的訊息給探測機120。在探測機120接收結束量測的訊息後，探測機120進行結束量測的步驟208S。在探測機120結束量測後，探測機120可回報結束量測的訊息給測試設備110。在一些實施例中，在結束量測之後，探針126與晶圓300可在第二位置處保持彼此接觸。

當整片晶圓300在測試系統100(見第1圖)內測試完畢之後，可進行離針的操作使探針126不再接觸晶圓300，接著再將晶圓300移出探測機120接續其他製程。

由此可得知，測試設備110在前往下一位置前可先比較位置的異同，其中當第二位置與第一位置相等時，探測機120不會執行動作，探針126可於原位保持接觸晶粒310的測試墊320的狀態下，繼續不同的量測條件。在一些實施例中，當單一位置上不同量測條件的結果收集完成之後，探測卡124才前往下一位置並且探針126才會接觸到其他晶粒310的測試墊320。因此，晶粒310的測試墊320與探針126的接觸次數可有效減少，藉此降低探針126對測試墊320的損傷(例如，針痕)的可能性。在一些實施例中，晶粒310的各個測試墊320與探針126的接觸次數至多為一次。舉例來說，一部份的測試墊320與探針126的接觸次數可為一次。另一例中，一部分的測試墊320與探針126的接觸次數可為零次。再者，因在探針126可在原位保持接觸晶粒310的測試墊320的狀態下繼續不同的量測條件，因此可減少探測卡124移動及與晶圓對位的時間，使測試效率可有所提升。

請參閱第4圖與第5圖，第4圖根據本揭示案的一些實施例繪示在同一位置的測試方法400的流程圖，第5圖根據本揭示案的一些實施例繪示在同一位置的測試方法400的示意圖。應留意的是，同一位置的測試方法400使用時機在測試方法200的步驟212T之後，並且在步驟212T中測試設備110判斷出下一個量測位置(例如第二位置)與原本的量測位置(例如第一位置)是相同的。

首先，在步驟402中，使晶圓300與探測卡124對位於第一位置。在晶圓300與探測卡124對位於第一位置之後，使探測卡124的探針126接觸在第一位置內的晶粒310，例如第一晶粒組510(點狀網底呈現)。

如前所述，不同製程參數製成的晶粒310可同時存在於同一晶圓300中，使得晶圓300上具有不同類型的晶粒310。如第5圖所示的例子，晶圓300可具有第一類型晶粒311以及第二類型晶粒312，其中第二類型晶粒312不同於第一類型晶粒311。因此，探針126所接觸的第一晶粒組510內可能同時存在部分第一類型晶粒311和部分第二類型晶粒312。

隨後，在步驟404中，在第一位置根據第一條件量測第一晶粒組510內的對應第一條件的晶粒310，並且在量測的同時，探針126保持接觸第一晶粒組510。例如，第一類型晶粒311可採用於第一條件來量測，因此，在步驟404中，在第一位置根據第一條件量測第一晶粒組510內的第一類型晶粒311，並且在量測的同時，探針126保持接觸第一晶粒組510中的第一類型晶粒311和第一晶粒組510中的第二類型晶粒312。

儘管探針126同時接觸第一類型晶粒311和第二類型晶粒312，但並非所有被探針126接觸到的晶粒310都會被量測。在量測的時候，可藉由分別地啟動或關閉每一個探針126，以使一部分晶粒310被量測、另一部分不被量測。在一些實施例中，當根據第一條件量測第一類型晶粒311時，第二類型晶粒312未被量測，儘管探針126亦接觸第二類型晶粒312。

接著，在步驟406中，在第一位置根據第二條件量測第一晶粒組510內的對應第二條件的晶粒310，並且在量測的同時，探針126保持接觸第一晶粒組510。例如，第二類型晶粒312可採用於第二條件來量測，因此，在步驟406中，在第一位置根據第二條件量測第一晶粒組510內的第二類型晶粒312，並且在量測的同時，探針126保持接觸第一晶粒組510中的第一類型晶粒311和第一晶粒組510中的第二類型晶粒312。在一些實施例中，當根據第二條件量測第二類型晶粒312時，第一類型晶粒311未被量測，儘管探針126亦接觸第一類型晶粒311。在一些實施例中，第一條件與第二條件是相異的。

當探針126完成對第一晶粒組510的全部量測之後(例如完成第一條件和第二條件)，可移動探測卡124和晶圓300至第二位置，以使探針126繼續對另一晶粒組進行對應的量測。

接著，在步驟408中，使晶圓300與探測卡124對位於第二位置。在晶圓300與探測卡124對位於第二位置之後，使探測卡124的探針126接觸在第二位置內的晶粒310，例如第二晶粒組520(波浪狀網底呈現)。

接著，在步驟410中，在第二位置根據第一條件量測第二晶粒組520內的對應第一條件的晶粒310，並且在量測的同時，探針126保持接觸第二晶粒組520。例如，第一類型晶粒311可採用於第一條件來量測，因此，在步驟410中，在第二位置根據第一條件量測第二晶粒組520 內的第一類型晶粒311，並且在量測的同時，探針126保持接觸第二晶粒組520中的第一類型晶粒311和第二晶粒組520中的第二類型晶粒312。在一些實施例中，當根據第一條件量測第一類型晶粒311時，第二類型晶粒312未被量測，儘管探針126亦接觸第二類型晶粒312。

接著，在步驟412中，在第二位置根據第二條件量測第二晶粒組520內的對應第二條件的晶粒310，並且在量測的同時，探針126保持接觸第二晶粒組520。例如，第二類型晶粒312可採用於第二條件來量測，因此，在步驟412中，在第二位置根據第二條件量測第二晶粒組520內的第二類型晶粒312，並且在量測的同時，探針126保持接觸第二晶粒組520中的第一類型晶粒311和第二晶粒組520中的第二類型晶粒312。在一些實施例中，當根據第二條件量測第二類型晶粒312時，第一類型晶粒311未被量測，儘管探針126亦接觸第一類型晶粒311。

為了簡化說明，探針126在量測第一晶粒組510及第二晶粒組520時，皆採用第一條件和第二條件，但本揭示案不以此為限，探針126可採用與第一條件或第二條件相同或是相異的量測條件來量測第二晶粒組520。

綜合以上所述，本揭示案的實施方式提供一種晶圓的測試方法。在探針保持接觸晶粒的情況下，於晶圓的同一位置內對晶粒進行不同的測試，以減少同一位置內的晶粒被探針物理接觸的次數，從而降低探針對晶粒的損傷的可能性，藉此確保晶粒的完整性及測試結果的準確性。再者，由於探針保持原處量測而減少了探針移動及探針與晶圓對位的時間，因此測試效率可有所提升。

以上概略說明了本揭示案數個實施例的特徵，使所屬技術領域內具有通常知識者對於本揭示案可更為容易理解。任何所屬技術領域內具有通常知識者應瞭解到本說明書可輕易作為其他結構或製程的變更或設計基礎，以進行相同於本揭示案實施例的目的及/或獲得相同的優點。任何所屬技術領域內具有通常知識者亦可理解與上述等同的結構並未脫離本揭示案之精神及保護範圍內，且可在不脫離本揭示案之精神及範圍內，可作更動、替代與修改。

400:方法

402、404、406、408、410、412:步驟

Claims

一種測試方法，包括：裝載晶圓至探測機中，其中所述晶圓具有晶粒，其中所述晶粒具有第一類型晶粒及不同於所述第一類型晶粒的第二類型晶粒；使所述晶圓與所述探測機的探測卡對位於第一位置；在所述晶圓與所述探測卡對位於所述第一位置之後，使所述探測卡的探針接觸在所述第一位置內的所述第一類型晶粒的測試墊和所述第二類型晶粒的測試墊；在所述第一位置根據第一條件量測所述第一類型晶粒，並且同時所述探針保持接觸在所述第一位置內的所述第一類型晶粒的所述測試墊和所述第二類型晶粒的所述測試墊；在所述第一位置根據第二條件量測所述第二類型晶粒，並且同時所述探針保持接觸在所述第一位置內的所述第一類型晶粒的所述測試墊和所述第二類型晶粒的所述測試墊；以及在測試設備傳送第二位置的訊息給所述探測機之前，藉由所述測試設備來比較所述第二位置是否相同於所述第一位置，其中當所述第二位置相同於所述第一位置時，所述探測卡與所述晶圓保持對位於所述第一位置並且所述探針保持接觸所述第一類型晶粒和所述第二類型晶粒。
如請求項1所述之測試方法，其中根據所述第一條件量測所述第一類型晶粒時，所述第二類型晶粒未被量測。
如請求項1所述之測試方法，其中根據所述第二條件量測所述第二類型晶粒時，所述第一類型晶粒未被量測。
如請求項1所述之測試方法，進一步包括：使所述晶圓與所述探測卡對位於第二位置，其中所述第二位置不同於所述第一位置；在所述晶圓與所述探測卡對位於所述第二位置之後，使所述探測卡的所述探針接觸在所述第二位置內的所述第一類型晶粒的測試墊和所述第二類型晶粒的測試墊；在所述第二位置根據所述第一條件量測所述第一類型晶粒，並且同時所述探針保持接觸在所述第二位置內的所述第一類型晶粒的所述測試墊和所述第二類型晶粒的所述測試墊；以及在所述第二位置根據所述第二條件量測所述第二類型晶粒，並且同時所述探針保持接觸在所述第二位置內的所述第一類型晶粒的所述測試墊和所述第二類型晶粒的所述測試墊。
如請求項1所述之測試方法，其中所述晶粒中的所述測試墊與所述探針接觸次數為一次。
如請求項1所述之測試方法，其中所述第一條件不同於所述第二條件。
一種測試方法，包括：裝載晶圓至探測機中；提供第一位置的訊息給所述探測機以使所述探測機的探測卡與所述晶圓對位於所述第一位置；在所述探測卡與所述晶圓對位於所述第一位置之後，使所述探測卡的探針接觸第一晶粒組；提供第一條件的訊息給所述探測機以使所述探針根據所述第一條件量測所述第一晶粒組的第一部分；以及比較第二位置是否相同於所述第一位置，其中當所述第二位置相同於所述第一位置時，所述探測卡與所述晶圓保持對位於所述第一位置並且所述探針保持接觸所述第一晶粒組。
如請求項7所述之測試方法，其中當所述第二位置相同於所述第一位置時，提供第二條件的訊息給所述探測機以使所述探針根據所述第二條件量測所述第一晶粒組的第二部分。
如請求項8所述之測試方法，其中所述第二條件不同於所述第一條件。
如請求項7所述之測試方法，其中藉由測試設備來比較所述第二位置是否相同於所述第一位置。