JPH088455Y2 - 加熱又は冷却テストに適したプローブカード - Google Patents
加熱又は冷却テストに適したプローブカードInfo
- Publication number
- JPH088455Y2 JPH088455Y2 JP1992090341U JP9034192U JPH088455Y2 JP H088455 Y2 JPH088455 Y2 JP H088455Y2 JP 1992090341 U JP1992090341 U JP 1992090341U JP 9034192 U JP9034192 U JP 9034192U JP H088455 Y2 JPH088455 Y2 JP H088455Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- heating
- probe card
- cooling test
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 112
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 28
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、プローブカード、特に
加熱又は冷却テストに適したプローブカードに関する。
加熱又は冷却テストに適したプローブカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のテストの１つに加熱又は冷
却雰囲気下において行うものがある。かかるテストは、
パッケージ工程が完了した製品としての半導体装置に対
して行われる。複数の集積回路チップが形成されたウエ
ハの状態でテストできれればよいのであるが、従来のプ
ローブカードのプローブ基板は主として熱に弱いガラス
エポキシ系樹脂によって形成されているので、加熱又は
冷却雰囲気下でのテストには適さなかった。
却雰囲気下において行うものがある。かかるテストは、
パッケージ工程が完了した製品としての半導体装置に対
して行われる。複数の集積回路チップが形成されたウエ
ハの状態でテストできれればよいのであるが、従来のプ
ローブカードのプローブ基板は主として熱に弱いガラス
エポキシ系樹脂によって形成されているので、加熱又は
冷却雰囲気下でのテストには適さなかった。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、このテ
ストには以下のような問題点がある。すなわち、製品と
して完成してから不良品が発見されるのでは、それまで
に要した時間、材料等を無駄にすることになる。特に、
１６メガのメモリのテストには数分間、６４メガのメモ
リのテストには数時間を要するので、複数の半導体装置
を同時にテストすることができるような装置が提案、実
施されているが、これとて製品として完成した半導体装
置のなかから不良品を発見する点ではなんら変わる点が
ない。
ストには以下のような問題点がある。すなわち、製品と
して完成してから不良品が発見されるのでは、それまで
に要した時間、材料等を無駄にすることになる。特に、
１６メガのメモリのテストには数分間、６４メガのメモ
リのテストには数時間を要するので、複数の半導体装置
を同時にテストすることができるような装置が提案、実
施されているが、これとて製品として完成した半導体装
置のなかから不良品を発見する点ではなんら変わる点が
ない。
【０００４】本考案は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、複数の集積回路チップが形成されたウエハ、すなわ
ちダイシング前の集積回路チップに対して加熱又は冷却
テストを行うことにより、パッケージ工程前に不良品の
集積回路チップを取り除くことができる加熱又は冷却テ
ストに適したプローブカードを提供することを目的とし
ている。
で、複数の集積回路チップが形成されたウエハ、すなわ
ちダイシング前の集積回路チップに対して加熱又は冷却
テストを行うことにより、パッケージ工程前に不良品の
集積回路チップを取り除くことができる加熱又は冷却テ
ストに適したプローブカードを提供することを目的とし
ている。
【０００５】請求項１に係る加熱又は冷却テストに適し
たプローブカードは、検査対象物たる集積回路チップが
形成されたウエハと同一の材料を用いて形成されたプロ
ーブ基板と、このプローブ基板に取り付けられる先端が
接触部として折曲形成された針状のプローブとを備えて
おり、前記プローブ基板には測定すべき１又は２以上の
集積回路チップのパッドに対応した位置に貫通孔が設け
られており、プローブ基板の表面側に取り付けられたプ
ローブは、接触部のみが前記貫通孔に挿入されている。
たプローブカードは、検査対象物たる集積回路チップが
形成されたウエハと同一の材料を用いて形成されたプロ
ーブ基板と、このプローブ基板に取り付けられる先端が
接触部として折曲形成された針状のプローブとを備えて
おり、前記プローブ基板には測定すべき１又は２以上の
集積回路チップのパッドに対応した位置に貫通孔が設け
られており、プローブ基板の表面側に取り付けられたプ
ローブは、接触部のみが前記貫通孔に挿入されている。
【０００６】
【実施例】図１は本考案の第１の実施例に係る加熱又は
冷却テストに適したプローブカードに用いられるプロー
ブ基板の概略的平面図、図２はこの加熱又は冷却テスト
に適したプローブカードの要部を示す概略的断面図、図
３はこの加熱又は冷却テストに適したプローブカードで
の測定作業中におけるプローブの撓みを示す概略的断面
図、図４はこの加熱又は冷却テストに適したプローブカ
ードによる測定作業の説明図、図５は他の形状のプロー
ブを示す側面図、図６は本考案の第２の実施例に係る加
熱又は冷却テストに適したプローブカードの要部の概略
的断面図、図７はこの加熱又は冷却テストに適したプロ
ーブカードよる測定作業の説明図である。なお、各図面
における各部品間の寸法関係は作図の都合上変更してい
る。
冷却テストに適したプローブカードに用いられるプロー
ブ基板の概略的平面図、図２はこの加熱又は冷却テスト
に適したプローブカードの要部を示す概略的断面図、図
３はこの加熱又は冷却テストに適したプローブカードで
の測定作業中におけるプローブの撓みを示す概略的断面
図、図４はこの加熱又は冷却テストに適したプローブカ
ードによる測定作業の説明図、図５は他の形状のプロー
ブを示す側面図、図６は本考案の第２の実施例に係る加
熱又は冷却テストに適したプローブカードの要部の概略
的断面図、図７はこの加熱又は冷却テストに適したプロ
ーブカードよる測定作業の説明図である。なお、各図面
における各部品間の寸法関係は作図の都合上変更してい
る。
【０００７】第１の実施例に係る加熱又は冷却テストに
適したプローブカード100 は、検査対象物たる集積回路
チップが形成されたウエハ900 と同一の材料を用いて形
成されたプローブ基板200 を有している。一般にウエハ
はシリコンで形成されているので、本実施例に係るプロ
ーブカード100 のプローブ基板200 もシリコンで形成さ
れているものとするが、これに限定されるものでないこ
とは勿論である。
適したプローブカード100 は、検査対象物たる集積回路
チップが形成されたウエハ900 と同一の材料を用いて形
成されたプローブ基板200 を有している。一般にウエハ
はシリコンで形成されているので、本実施例に係るプロ
ーブカード100 のプローブ基板200 もシリコンで形成さ
れているものとするが、これに限定されるものでないこ
とは勿論である。
【０００８】前記プローブ基板200 には、集積回路チッ
プに形成されたパッド910 に対応した合計２０個の貫通
孔210 が開設されるとともに、貫通孔210 に関連した配
線パターン220 が表面に形成されている。この配線パタ
ーン220 は、後述するプローブ300 の接続部310 と電気
的に接続されるものであって、貫通孔210 の周囲からプ
ローブ基板200 の縁部にまで形成されている。なお、配
線パターン220 は、図1 には示されず、図２及び図３に
おいて示されている。
プに形成されたパッド910 に対応した合計２０個の貫通
孔210 が開設されるとともに、貫通孔210 に関連した配
線パターン220 が表面に形成されている。この配線パタ
ーン220 は、後述するプローブ300 の接続部310 と電気
的に接続されるものであって、貫通孔210 の周囲からプ
ローブ基板200 の縁部にまで形成されている。なお、配
線パターン220 は、図1 には示されず、図２及び図３に
おいて示されている。
【０００９】前記プローブ３００は、Ｗ、Ｐｄ、ＢｅＣ
ｕ等から形成されており、先端の１００〜２００ミクロ
ンメートル程度が接触部３１０として略直角に折曲形成
された針状のものである。なお、当該プローブ３００の
径は、貫通孔２１０のそれより小さく設定されている。
ｕ等から形成されており、先端の１００〜２００ミクロ
ンメートル程度が接触部３１０として略直角に折曲形成
された針状のものである。なお、当該プローブ３００の
径は、貫通孔２１０のそれより小さく設定されている。
【００１０】かかるプローブ300 は、図２に示すよう
に、接触部310 を貫通孔210 に対してプローブ基板200
の表面側から挿入し、その後端である接続部320 におい
て前記配線パターン220 と半田付け等で接続されてい
る。従って、プローブ300 は、接続部320 においてプロ
ーブ基板200 に構造的にも接続されていることになる。
に、接触部310 を貫通孔210 に対してプローブ基板200
の表面側から挿入し、その後端である接続部320 におい
て前記配線パターン220 と半田付け等で接続されてい
る。従って、プローブ300 は、接続部320 においてプロ
ーブ基板200 に構造的にも接続されていることになる。
【００１１】このように構成されたプローブカード100
は、図４に示すように、中間基板150 を介してマザーボ
ード160 に取り付けられる。中間基板150 には、前記配
線パターン220 に対応した配線パターン (図示省略) が
形成されている。前記マザーボード160 には、中間基板
150 の配線パターンに対応したスルーホール (図示省
略) と、このスルーホールに接続された配線パターン
(図示省略) とが設けられており、スルーホール及び配
線パターンを介して図外の測定機器に接続されている。
は、図４に示すように、中間基板150 を介してマザーボ
ード160 に取り付けられる。中間基板150 には、前記配
線パターン220 に対応した配線パターン (図示省略) が
形成されている。前記マザーボード160 には、中間基板
150 の配線パターンに対応したスルーホール (図示省
略) と、このスルーホールに接続された配線パターン
(図示省略) とが設けられており、スルーホール及び配
線パターンを介して図外の測定機器に接続されている。
【００１２】このように構成されたプローブカード100
は以下のようにして使用される。複数の集積回路チップ
が形成されたウエハ900 が、図示しないヒータ等の熱源
が内蔵された載置台950 の上の所定位置に載置され (図
４参照) 、約１８０℃にまで加熱される。この加熱によ
って周囲雰囲気も高温状態になっている。その状態で、
プローブカード100 を上方から押し下げて、プローブ30
0 の接触部310 をパッド910 に接触させる。接触部310
がパッド910 に接触してからも、両者の間に所定の接触
圧を与えるためオーバードライブを加える。なお、オー
バードライブを加えた状態では、プローブ300 は図３に
示すように上方に撓む。
は以下のようにして使用される。複数の集積回路チップ
が形成されたウエハ900 が、図示しないヒータ等の熱源
が内蔵された載置台950 の上の所定位置に載置され (図
４参照) 、約１８０℃にまで加熱される。この加熱によ
って周囲雰囲気も高温状態になっている。その状態で、
プローブカード100 を上方から押し下げて、プローブ30
0 の接触部310 をパッド910 に接触させる。接触部310
がパッド910 に接触してからも、両者の間に所定の接触
圧を与えるためオーバードライブを加える。なお、オー
バードライブを加えた状態では、プローブ300 は図３に
示すように上方に撓む。
【００１３】オーバードライブを加えた状態で測定を行
うのであるが、ウエハ900 は加熱されているので膨張し
ている。しかし、プローブ基板200 はウエハ900 と同一
の材料、すなわちシリコンで形成されているのでその膨
張率は等しく、プローブ300とパッド910 との相対的位
置関係がずれることはない。
うのであるが、ウエハ900 は加熱されているので膨張し
ている。しかし、プローブ基板200 はウエハ900 と同一
の材料、すなわちシリコンで形成されているのでその膨
張率は等しく、プローブ300とパッド910 との相対的位
置関係がずれることはない。
【００１４】ただし、プローブ３００はシリコンで形成
されていないので、プローブ基板２００やウエハ９００
等との膨張率は異なるが、プローブ基板２００に比して
小さいものであるから、その膨張が測定に与える影響は
小さい。また、プローブ３００の大部分、すなわち先端
の接触部３１０以外の部分はプローブ基板２００の表面
側にある。このプローブ基板２００は、プローブ３００
にとっては遮熱板の役目を果たすため、プローブ３００
に伝わる熱は少なくなる。このため、プローブ２００
は、直接ウエハ９００に対向しているものより小さな膨
張しかしないので、測定に与える影響は無視できる程度
である。なお、図５に示すように、プローブ３００の中
間部分に略Ｕ字形状の緩衝部３３０を設けておけば、プ
ローブ３００が膨張したとしても、緩衝部３３０で吸収
されるので、実質的には膨張しないと考えることができ
る。
されていないので、プローブ基板２００やウエハ９００
等との膨張率は異なるが、プローブ基板２００に比して
小さいものであるから、その膨張が測定に与える影響は
小さい。また、プローブ３００の大部分、すなわち先端
の接触部３１０以外の部分はプローブ基板２００の表面
側にある。このプローブ基板２００は、プローブ３００
にとっては遮熱板の役目を果たすため、プローブ３００
に伝わる熱は少なくなる。このため、プローブ２００
は、直接ウエハ９００に対向しているものより小さな膨
張しかしないので、測定に与える影響は無視できる程度
である。なお、図５に示すように、プローブ３００の中
間部分に略Ｕ字形状の緩衝部３３０を設けておけば、プ
ローブ３００が膨張したとしても、緩衝部３３０で吸収
されるので、実質的には膨張しないと考えることができ
る。
【００１５】なお、上述した実施例では、ウエハ900 を
加熱した状態での測定について説明したが、冷却した状
態での測定も同様に行われる。従って、冷却した状態で
の測定であっても、ウエハ900 との膨張率は等しいの
で、プローブ300 とパッド910との相対的位置関係がず
れることはない。
加熱した状態での測定について説明したが、冷却した状
態での測定も同様に行われる。従って、冷却した状態で
の測定であっても、ウエハ900 との膨張率は等しいの
で、プローブ300 とパッド910との相対的位置関係がず
れることはない。
【００１６】次に、第２の実施例に係る加熱又は冷却テ
ストに適したプローブカードについて図６を参照しつつ
説明する。第２の実施例に係るプローブカード500 は、
上述したプローブカード100 とはプローブ700 が異な
る。すなわち、このプローブカード500 には、略ピン状
のプローブ700 が使用されている。かかるプローブ700
は、プローブ基板600 の貫通孔610 より若干小さめの径
を有する接触部710 と、前記貫通孔610 より大きい径を
有する接続部720 とが一体に形成されたものである。
ストに適したプローブカードについて図６を参照しつつ
説明する。第２の実施例に係るプローブカード500 は、
上述したプローブカード100 とはプローブ700 が異な
る。すなわち、このプローブカード500 には、略ピン状
のプローブ700 が使用されている。かかるプローブ700
は、プローブ基板600 の貫通孔610 より若干小さめの径
を有する接触部710 と、前記貫通孔610 より大きい径を
有する接続部720 とが一体に形成されたものである。
【００１７】また、前記接触部７１０は、貫通孔６１０
より１００〜２００ミクロンメートル程度突出するよう
に設定されている。これは、集積回路チップのパッド９
１０には高さ寸法の誤差があるため、３０ミクロンメー
トル程度の突出量ではオーバードライブを加えても接触
できないパッド９１０が存在する可能性があるためであ
る。
より１００〜２００ミクロンメートル程度突出するよう
に設定されている。これは、集積回路チップのパッド９
１０には高さ寸法の誤差があるため、３０ミクロンメー
トル程度の突出量ではオーバードライブを加えても接触
できないパッド９１０が存在する可能性があるためであ
る。
【００１８】一方、プローブ基板600 は、ウエハ900 と
同一の材料、すなわちシリコンで形成されており、集積
回路チップのパッド910 に対応した位置に貫通孔610 が
形成されている。さらに、このプローブ基板600 の表面
には配線パターン620 が形成されている。しかも、当該
配線パターン620 は、貫通孔610 の周囲にランド状に形
成され、かつプローブ基板600 の縁部にまで形成されて
いる。このように形成されたプローブ基板600 の貫通孔
610 にプローブ700 の接触部710 を挿入し、接続部720
の裏面で配線パターン620 に接続する。
同一の材料、すなわちシリコンで形成されており、集積
回路チップのパッド910 に対応した位置に貫通孔610 が
形成されている。さらに、このプローブ基板600 の表面
には配線パターン620 が形成されている。しかも、当該
配線パターン620 は、貫通孔610 の周囲にランド状に形
成され、かつプローブ基板600 の縁部にまで形成されて
いる。このように形成されたプローブ基板600 の貫通孔
610 にプローブ700 の接触部710 を挿入し、接続部720
の裏面で配線パターン620 に接続する。
【００１９】このプローブ基板600 が第１の実施例に係
るプローブカード100 と大幅に異なる点はその厚さ寸法
にある。すなわち、第１の実施例に係るプローブカード
100のプローブ基板200 よりその厚さ寸法が薄く設定さ
れているのである。なぜならば、オーバードライブを加
えた時に所定の接触圧を確保するために、第１の実施例
に係るプローブカード100 ではプローブ300 自身が撓ん
だが、この第２の実施例に係るプローブカード500 では
プローブ700 が撓むことができないため、プローブ基板
600 を撓ませるようにするためである。
るプローブカード100 と大幅に異なる点はその厚さ寸法
にある。すなわち、第１の実施例に係るプローブカード
100のプローブ基板200 よりその厚さ寸法が薄く設定さ
れているのである。なぜならば、オーバードライブを加
えた時に所定の接触圧を確保するために、第１の実施例
に係るプローブカード100 ではプローブ300 自身が撓ん
だが、この第２の実施例に係るプローブカード500 では
プローブ700 が撓むことができないため、プローブ基板
600 を撓ませるようにするためである。
【００２０】また、このプローブカード500 では、プロ
ーブ基板600 の上にシリコンゴム等の絶縁性を有する柔
軟材料800 が積層されている。さらに、当該柔軟材料80
0 の上には保持部材810 が取り付けられている。他の
点、すなわち中間基板150 を介してマザーボード160 に
取り付けられる等の点については、第１の実施例に係る
プローブカード100 と同様である。
ーブ基板600 の上にシリコンゴム等の絶縁性を有する柔
軟材料800 が積層されている。さらに、当該柔軟材料80
0 の上には保持部材810 が取り付けられている。他の
点、すなわち中間基板150 を介してマザーボード160 に
取り付けられる等の点については、第１の実施例に係る
プローブカード100 と同様である。
【００２１】なお、上述した２つの実施例では、１つの
集積回路チップしか測定することができないとしたが、
本考案はこれに限定されるものではなく、同時に２以上
の集積回路チップを測定することができるようにするこ
とが可能なのは勿論である。
集積回路チップしか測定することができないとしたが、
本考案はこれに限定されるものではなく、同時に２以上
の集積回路チップを測定することができるようにするこ
とが可能なのは勿論である。
【００２２】本考案に係る加熱又は冷却テストに適した
プローブカードは、検査対象物たる集積回路チップが形
成されたウエハと同一の材料を用いて形成されたプロー
ブ基板と、このプローブ基板に取り付けられる先端が接
触部として折曲形成された針状のプローブとを備えてお
り、前記プローブ基板には測定すべき１又は２以上の集
積回路チップのパッドに対応した位置に貫通孔が設けら
れており、プローブ基板の表面側に取り付けられたプロ
ーブは、接触部のみが前記貫通孔に挿入されている。プ
ローブ基板とウエハとは、加熱又は冷却テストにおける
膨張率が等しいので、プローブ基板の膨張に起因するプ
ローブとパッドとの相対的位置関係のずれは発生しな
い。特に、プローブは先端の接触部のみがプローブ基板
の貫通孔に挿入され、他の大部分はプローブ基板の表面
側に位置しているため、プローブ基板がいわば遮熱板の
役目を果たす。従って、プローブに伝わる熱は、プロー
ブがウエハに対して対向する従来のものより少なくなる
ので、プローブの膨張は従来のものより格段に少なくな
る。このため、従来、製品として完成した半導体装置に
対して行っていた加熱又は冷却テストをウエハの状態で
行うことができるので、パッケージ工程前に不良品の集
積回路チップを取り除くことが可能となり、その結果、
製造にかかる時間や材料の無駄を省くことができ、ひい
ては半導体装置のコストダウンにも貢献することができ
る。 また、前記プローブの中間部分に略Ｕ字形状の緩衝
部が設けておけば、プローブが膨張したとしても、緩衝
部で吸収されるので、実質的には膨張しないと考えるこ
とができる。従って、より正確にプローブの接触部をパ
ッドに接触させることができる。
プローブカードは、検査対象物たる集積回路チップが形
成されたウエハと同一の材料を用いて形成されたプロー
ブ基板と、このプローブ基板に取り付けられる先端が接
触部として折曲形成された針状のプローブとを備えてお
り、前記プローブ基板には測定すべき１又は２以上の集
積回路チップのパッドに対応した位置に貫通孔が設けら
れており、プローブ基板の表面側に取り付けられたプロ
ーブは、接触部のみが前記貫通孔に挿入されている。プ
ローブ基板とウエハとは、加熱又は冷却テストにおける
膨張率が等しいので、プローブ基板の膨張に起因するプ
ローブとパッドとの相対的位置関係のずれは発生しな
い。特に、プローブは先端の接触部のみがプローブ基板
の貫通孔に挿入され、他の大部分はプローブ基板の表面
側に位置しているため、プローブ基板がいわば遮熱板の
役目を果たす。従って、プローブに伝わる熱は、プロー
ブがウエハに対して対向する従来のものより少なくなる
ので、プローブの膨張は従来のものより格段に少なくな
る。このため、従来、製品として完成した半導体装置に
対して行っていた加熱又は冷却テストをウエハの状態で
行うことができるので、パッケージ工程前に不良品の集
積回路チップを取り除くことが可能となり、その結果、
製造にかかる時間や材料の無駄を省くことができ、ひい
ては半導体装置のコストダウンにも貢献することができ
る。 また、前記プローブの中間部分に略Ｕ字形状の緩衝
部が設けておけば、プローブが膨張したとしても、緩衝
部で吸収されるので、実質的には膨張しないと考えるこ
とができる。従って、より正確にプローブの接触部をパ
ッドに接触させることができる。
【図１】本考案の第１の実施例に係る加熱又は冷却テス
トに適したプローブカードに用いられるプローブ基板の
概略的平面図である。
トに適したプローブカードに用いられるプローブ基板の
概略的平面図である。
【図２】この加熱又は冷却テストに適したプローブカー
ドの要部を示す概略的断面図である。
ドの要部を示す概略的断面図である。
【図３】この加熱又は冷却テストに適したプローブカー
ドでの測定作業中におけるプローブの撓みを示す概略的
断面図である。
ドでの測定作業中におけるプローブの撓みを示す概略的
断面図である。
【図４】この加熱又は冷却テストに適したプローブカー
ドによる測定作業の説明図である。
ドによる測定作業の説明図である。
【図５】他の形状のプローブを示す側面図である。
【図６】本考案の第２の実施例に係る加熱又は冷却テス
トに適したプローブカードの要部の概略的断面図であ
る。
トに適したプローブカードの要部の概略的断面図であ
る。
【図７】この加熱又は冷却テストに適したプローブカー
ドよる測定作業の説明図である。
ドよる測定作業の説明図である。
100 (第１の実施例に係る) 加熱又は冷却テストに適し
たプローブカード 200 プローブ基板 210 貫通孔 300 プローブ 310 接触部 500 (第２の実施例に係る) 加熱又は冷却テストに適し
たプローブカード 600 プローブ基板 700 プローブ 900 ウエハ 910 パッド
たプローブカード 200 プローブ基板 210 貫通孔 300 プローブ 310 接触部 500 (第２の実施例に係る) 加熱又は冷却テストに適し
たプローブカード 600 プローブ基板 700 プローブ 900 ウエハ 910 パッド
Claims (2)
- 【請求項１】 検査対象物たる集積回路チップが形成さ
れたウエハと同一の材料を用いて形成されたプローブ基
板と、このプローブ基板に取り付けられる先端が接触部
として折曲形成された針状のプローブとを具備してお
り、前記プローブ基板には測定すべき１又は２以上の集
積回路チップのパッドに対応した位置に貫通孔が設けら
れており、プローブ基板の表面側に取り付けられたプロ
ーブは、接触部のみが前記貫通孔に挿入されていること
を特徴とする加熱又は冷却テストに適したプローブカー
ド。 - 【請求項２】 前記プローブには、中間部分に略Ｕ字形
状の緩衝部が設けられていることを特徴とする請求項１
記載の加熱又は冷却テストに適したプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992090341U JPH088455Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992090341U JPH088455Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH072975U JPH072975U (ja) | 1995-01-17 |
| JPH088455Y2 true JPH088455Y2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=13995826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992090341U Expired - Fee Related JPH088455Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088455Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3164542B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2001-05-08 | 日本電子材料株式会社 | プローブ及びそれを用いたプローブカード |
| KR101369407B1 (ko) * | 2007-01-15 | 2014-03-06 | (주) 미코에스앤피 | 프로브 카드 및 그 제조 방법 |
| EP2159580B1 (en) * | 2008-08-26 | 2015-10-07 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Probe tip |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144142A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-18 | Nec Corp | プロ−ブカ−ド |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP1992090341U patent/JPH088455Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH072975U (ja) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5670889A (en) | Probe card for maintaining the position of a probe in high temperature application | |
| US5210485A (en) | Probe for wafer burn-in test system | |
| TW200416929A (en) | Probe sheet, probe card, semiconductor inspection device, and manufacturing method for semiconductor device | |
| KR19980032057A (ko) | 프로브 카드 및 그것을 이용한 시험장치 | |
| JP4183859B2 (ja) | 半導体基板試験装置 | |
| JPH088455Y2 (ja) | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード | |
| JP2716663B2 (ja) | 半導体ダイの試験装置 | |
| JP5100217B2 (ja) | プローブカード及び電子部品試験装置 | |
| KR101088346B1 (ko) | 프로브 카드 | |
| JP2000346875A (ja) | プローブカードおよびこれを用いたｉｃ試験装置 | |
| JP2877011B2 (ja) | ベアチップテストキャリア | |
| JPH11295342A (ja) | プローブカード及びその製造方法 | |
| JP2000028641A (ja) | プローブカード | |
| JP2737774B2 (ja) | ウェハテスタ | |
| JP2768310B2 (ja) | 半導体ウェハ測定治具 | |
| JPH0789126B2 (ja) | 混成集積回路板の電気的特性検査を行う方法 | |
| JP2000241455A (ja) | プローブカード及びプローブカード製造方法 | |
| JP2500131B2 (ja) | ウエハの試験方法 | |
| JPH0823013A (ja) | ウエハー用プローバ | |
| JP2585801B2 (ja) | プロ―ブカ―ド | |
| JP3737886B2 (ja) | プローブ装置 | |
| JPS6124822B2 (ja) | ||
| JPH10239351A (ja) | コンタクトプローブおよびその製造方法 | |
| JPH07294555A (ja) | 高温測定用プローブカード及びそれに用いられるマザーボード | |
| JPH07318587A (ja) | プローブカード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |