JPS59144142A - プロ−ブカ−ド - Google Patents
プロ−ブカ−ドInfo
- Publication number
- JPS59144142A JPS59144142A JP58019204A JP1920483A JPS59144142A JP S59144142 A JPS59144142 A JP S59144142A JP 58019204 A JP58019204 A JP 58019204A JP 1920483 A JP1920483 A JP 1920483A JP S59144142 A JPS59144142 A JP S59144142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe card
- electrode
- probe
- card
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の電気特性の測定に使用されるプロ
ーブカードに関する。
ーブカードに関する。
半導体集積回路装置（ＩＣ）の製造工程において、ウェ
ハ上に形成された半導体素子の電、気性性□を測定する
検査装置（以下プローバーと記す）に。
ハ上に形成された半導体素子の電、気性性□を測定する
検査装置（以下プローバーと記す）に。
半導体素子の電極パターンに対応した探針を絶縁基板に
固定したプローブカードを用いたものが、一般に使われ
ている。
固定したプローブカードを用いたものが、一般に使われ
ている。
この絶縁基板としては、ガラス繊維をエポキシ樹脂で固
めたガラス・エポキシ板が主に用いられている。
めたガラス・エポキシ板が主に用いられている。
第１図は従来のグローブカードの断面図でおる。
第１図において、グローブカード１は孔２を有するガラ
ス・エポキシ板３と、孔２の周辺部から放射状にのび固
定リング４にエポキシ樹脂５により固定された複数の探
針６より構成されている。
ス・エポキシ板３と、孔２の周辺部から放射状にのび固
定リング４にエポキシ樹脂５により固定された複数の探
針６より構成されている。
探針６の一端はウェハ７上の半導体素子の電極８に対応
しておシ、他端はガラス・エポキシ板３上に形成された
配線に接続している。なお９はウニ・・７を搭載するス
テージである。この様に構成されたプローブカード１に
よシ普通の半導体素子の電気特性測定は常温で行なわれ
るうしかしながらメモリーを有するメモリー素子等の保
持試験の場合には、強制試験のために５０°Ｃ以上の高
温に加熱した状態で測定を行う必要がある。この場合、
プローバーのグローブカードも熱にさらされるため、グ
ローブカードのガラス・エポキシ板３がそったり、探針
４を固定しているエポキシ樹脂５が熱でやわらかくなる
ため、探針６の位置ずれや高さずれが生じ正確に半導体
素子の特性を測定できなくなる欠点がある。
しておシ、他端はガラス・エポキシ板３上に形成された
配線に接続している。なお９はウニ・・７を搭載するス
テージである。この様に構成されたプローブカード１に
よシ普通の半導体素子の電気特性測定は常温で行なわれ
るうしかしながらメモリーを有するメモリー素子等の保
持試験の場合には、強制試験のために５０°Ｃ以上の高
温に加熱した状態で測定を行う必要がある。この場合、
プローバーのグローブカードも熱にさらされるため、グ
ローブカードのガラス・エポキシ板３がそったり、探針
４を固定しているエポキシ樹脂５が熱でやわらかくなる
ため、探針６の位置ずれや高さずれが生じ正確に半導体
素子の特性を測定できなくなる欠点がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、高温に加熱された
半導体素子でも測定可能なグローブカードを提供するこ
とにある。
半導体素子でも測定可能なグローブカードを提供するこ
とにある。
本発明のグローブカードは、一端がウェハ上に形成され
た半導体素子の電極パターンに対応し、他端がセラミッ
ク基板に固定された電極を有して構成されておシ、前記
電極がタングステン（Ｗ）の探針、アルミニウム（Ａｔ
）または金（Ａ ｕ ）の端子、または導電性有機物の
端子から形成されている。
た半導体素子の電極パターンに対応し、他端がセラミッ
ク基板に固定された電極を有して構成されておシ、前記
電極がタングステン（Ｗ）の探針、アルミニウム（Ａｔ
）または金（Ａ ｕ ）の端子、または導電性有機物の
端子から形成されている。
本発明によれば、プローブカードの絶縁基板がセラミッ
クで作られているため、高温での測定に耐えると共に％
特に電極がＡｔ％Ａｕまたは導電性有機物の端子で作ら
れた場合は電極のずれがなくなる。
クで作られているため、高温での測定に耐えると共に％
特に電極がＡｔ％Ａｕまたは導電性有機物の端子で作ら
れた場合は電極のずれがなくなる。
次に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第２図において、グローブカード１ｏは孔２とプリント
配、Ｗ１７を有するセラミック基板１３と、セラミック
で作られた固定リング１４に例えばシリコン樹脂等の耐
熱性樹脂１５で固定された複数のＷの探針１６よシ構成
されておシ、セラミック基板１３の端縁のプリント配線
１７はコネクタ１８に接続している。この様に構成され
たグローブカード１０は、全て耐熱性材料で作られてい
るため高温での半導体素子の測定が可能である。
配、Ｗ１７を有するセラミック基板１３と、セラミック
で作られた固定リング１４に例えばシリコン樹脂等の耐
熱性樹脂１５で固定された複数のＷの探針１６よシ構成
されておシ、セラミック基板１３の端縁のプリント配線
１７はコネクタ１８に接続している。この様に構成され
たグローブカード１０は、全て耐熱性材料で作られてい
るため高温での半導体素子の測定が可能である。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
同図において、グローブカード２ｏは両面にスルーホー
ル配線２２を有するセラミック基板１３と、スルーホー
ル配線２２に接続したＡｔまたはＡｕで形成された端子
２１ と、スルーホール配線２２に接続し、セラミック
基板１３の端線に固定された接続用ビン２３ とから構
成されている。
ル配線２２を有するセラミック基板１３と、スルーホー
ル配線２２に接続したＡｔまたはＡｕで形成された端子
２１ と、スルーホール配線２２に接続し、セラミック
基板１３の端線に固定された接続用ビン２３ とから構
成されている。
電極がＷの探針である場合は探針の先端を同一平面内に
精度よくそろえることは困難であるが、４０〜５０μｍ
のばらつきであればＷの探針の弾性がこれをカバーする
ため半導体素子の電極への接触は十分可能であシ問題は
ない。
精度よくそろえることは困難であるが、４０〜５０μｍ
のばらつきであればＷの探針の弾性がこれをカバーする
ため半導体素子の電極への接触は十分可能であシ問題は
ない。
一方、電極をＡｔ又はＡｕの端子で構成する場合、Ａｔ
又はＡｕの端子は弾性には乏しいが、セラミック基板上
に形成する金属配線と同様に蒸着法或いはプリント法等
によって半導体素子の電極に対応した位置に、数μｍ以
内の高′さの誤差で精度良く形成できるため半導体素子
の電極への接触は十分可能である。例えば、Ａｔ又はＡ
ｕの端子の形状として断面が５０μｍの正方形で形成す
る場合、その高さは５０〜２００μｍが適当である。す
なわち、５０μｍよシ低い場合は高さのばらつきが相対
的に大きくなり半導体素子の電極への接触もれが生じ、
また２００μｍ以上の高さでは端子が曲る等の不都合を
生ずる。
又はＡｕの端子は弾性には乏しいが、セラミック基板上
に形成する金属配線と同様に蒸着法或いはプリント法等
によって半導体素子の電極に対応した位置に、数μｍ以
内の高′さの誤差で精度良く形成できるため半導体素子
の電極への接触は十分可能である。例えば、Ａｔ又はＡ
ｕの端子の形状として断面が５０μｍの正方形で形成す
る場合、その高さは５０〜２００μｍが適当である。す
なわち、５０μｍよシ低い場合は高さのばらつきが相対
的に大きくなり半導体素子の電極への接触もれが生じ、
また２００μｍ以上の高さでは端子が曲る等の不都合を
生ずる。
第４図は本発明の第３の実施例の断面図である。
第４図において、プローブカード３０けスルーホール配
線２２に接続した導電性有機物からガる端子３１とから
構成されている。導電性有機物の端子は、例えばエポキ
シ樹脂、シリコン樹脂又はゴムにＡｇ、カーボン又はグ
ラファイト等の導電性物質を混入したものをプリントし
たのち硬化させだシ導電性ゴムの薄膜を貼着し、レーザ
によシミ極部をカットする方法等によυ形成することが
できる。３２はセラミック基板１３内に形成した抵抗、
コンデンサ等の回路素子であシ、端子と測定回路間の距
離を短くし配線によるノイズを少くするために設けた回
路を構成している。
線２２に接続した導電性有機物からガる端子３１とから
構成されている。導電性有機物の端子は、例えばエポキ
シ樹脂、シリコン樹脂又はゴムにＡｇ、カーボン又はグ
ラファイト等の導電性物質を混入したものをプリントし
たのち硬化させだシ導電性ゴムの薄膜を貼着し、レーザ
によシミ極部をカットする方法等によυ形成することが
できる。３２はセラミック基板１３内に形成した抵抗、
コンデンサ等の回路素子であシ、端子と測定回路間の距
離を短くし配線によるノイズを少くするために設けた回
路を構成している。
一般に、半導体素子上に形成される電極は、半導体素子
の周辺部に形成されるが、これは主にプローブカードの
探針を半導体素子の電極に当てた場合Ｍ−４針圧を得る
ためである。すなわち、探針の長さをそろえる必要から
半導体素子の中心部に電極を形成することが困難であっ
た。
の周辺部に形成されるが、これは主にプローブカードの
探針を半導体素子の電極に当てた場合Ｍ−４針圧を得る
ためである。すなわち、探針の長さをそろえる必要から
半導体素子の中心部に電極を形成することが困難であっ
た。
第３図及び第４図に示す実施例においては、電極２１及
び３１の位置及び高さを精度良く作ることができるので
、探針の針圧を特に考慮する必要がなく、従って半導体
素子の電極は素子の一定範囲に限定されることはなくな
りそれだけ設計が容易となる。
び３１の位置及び高さを精度良く作ることができるので
、探針の針圧を特に考慮する必要がなく、従って半導体
素子の電極は素子の一定範囲に限定されることはなくな
りそれだけ設計が容易となる。
第３図及び第４図に示す実施例では第２図に示した孔２
を設けてない場合について説明したが、孔２を設けても
よい。孔２は半導体素子の観察及び不良素子選別のため
のマーキングに用いられるが、素子の観察は別の位置に
おける孔から可能でありまた、不良素子の選別は特にマ
ーキングせず、ウェハ上における不良素子の位置を記憶
させ半導体素子のマウント時に自動的に除去する等の方
法を採用することにより行うことができる。
を設けてない場合について説明したが、孔２を設けても
よい。孔２は半導体素子の観察及び不良素子選別のため
のマーキングに用いられるが、素子の観察は別の位置に
おける孔から可能でありまた、不良素子の選別は特にマ
ーキングせず、ウェハ上における不良素子の位置を記憶
させ半導体素子のマウント時に自動的に除去する等の方
法を採用することにより行うことができる。
この様に構成されたグローブカードは耐熱性にすぐれて
いるため、低温から高温まで幅広い測定範囲が得られる
。更に、ガス放出が少いため真空中での測定にまで応用
でき′、例えはジョセフソン素子を用いた回路の特性測
定を行うことも可能である。
いるため、低温から高温まで幅広い測定範囲が得られる
。更に、ガス放出が少いため真空中での測定にまで応用
でき′、例えはジョセフソン素子を用いた回路の特性測
定を行うことも可能である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、測定温度
範囲の広いプローブカードが得られるのでその効果は大
きい。
範囲の広いプローブカードが得られるのでその効果は大
きい。
第１図は従来のプローブカードの断面図、第２図は本発
明の第１の実施例の断面図、第３図は本発明の第２の□
実施例の断面図、第４図は本発明の第３の実施例の断面
図である。 １、ｔｏ、２０．３０・・・・・・プローブカード、２
・・・孔、３・・・・・・ガラス、エポキシ板、４．１
４ ・・・・・・固定リング、５゛°°゛エポキシ樹脂
、６．１６・・・・・・探針、７・・・・・ウェハ、８
パ゛電極、９ ゛”゛ステージ、１３・・・セラミック
基板、１５・・・・・・耐熱性樹脂、１７・°・・・・
プリント配転、１８・・・・・コネクタ、２１・・・・
・・Ａ４又１ｄＡｕ の端子、２２・・・・・・スルー
ホール配着１，２３・・・・・・ ピン、３１・・・・
・・導電性有機物の端子、３２・・・・・・回路素子。
明の第１の実施例の断面図、第３図は本発明の第２の□
実施例の断面図、第４図は本発明の第３の実施例の断面
図である。 １、ｔｏ、２０．３０・・・・・・プローブカード、２
・・・孔、３・・・・・・ガラス、エポキシ板、４．１
４ ・・・・・・固定リング、５゛°°゛エポキシ樹脂
、６．１６・・・・・・探針、７・・・・・ウェハ、８
パ゛電極、９ ゛”゛ステージ、１３・・・セラミック
基板、１５・・・・・・耐熱性樹脂、１７・°・・・・
プリント配転、１８・・・・・コネクタ、２１・・・・
・・Ａ４又１ｄＡｕ の端子、２２・・・・・・スルー
ホール配着１，２３・・・・・・ ピン、３１・・・・
・・導電性有機物の端子、３２・・・・・・回路素子。
Claims (4)
- （１）一端がウェハ上に形成された半導体素子の電極ハ
ターンに対応し、他端がセラミック基板に固定された電
極を有することを特徴とするプローブカード。゛ - （２） 前記電極がタングステンの探針である特許請
求の範囲第（１）項記載のプローブカード。 - （３）前記電極がアルミニウムまたは金で作られた端子
である特許請求の範囲第（１／）項記載のプローブカー
ド。 - （４）前記電極が導電性有機物で作られた端子である特
許請求の範囲第（１）項記載のプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019204A JPS59144142A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019204A JPS59144142A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | プロ−ブカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144142A true JPS59144142A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11992825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019204A Pending JPS59144142A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144142A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154044A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | プロ−バ−のプロ−ブカ−ド |
| JPS6369247A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-29 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | プローブ装置 |
| JPS6370083U (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-11 | ||
| US4961052A (en) * | 1989-01-07 | 1990-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probing plate for wafer testing |
| JPH072975U (ja) * | 1992-12-08 | 1995-01-17 | 日本電子材料株式会社 | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード |
| JPH11160356A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019204A patent/JPS59144142A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154044A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | プロ−バ−のプロ−ブカ−ド |
| JPH0515068B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1993-02-26 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | |
| JPS6369247A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-29 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | プローブ装置 |
| JPS6370083U (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-11 | ||
| US4961052A (en) * | 1989-01-07 | 1990-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probing plate for wafer testing |
| JPH072975U (ja) * | 1992-12-08 | 1995-01-17 | 日本電子材料株式会社 | 加熱又は冷却テストに適したプローブカード |
| JPH11160356A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
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