JP2601413B2 - 高温測定用プローブカードリング及びそれを用いたプローブカード - Google Patents

高温測定用プローブカードリング及びそれを用いたプローブカード

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JP2601413B2 JP17170994A JP17170994A JP2601413B2 JP 2601413 B2 JP2601413 B2 JP 2601413B2 JP 17170994 A JP17170994 A JP 17170994A JP 17170994 A JP17170994 A JP 17170994A JP 2601413 B2 JP2601413 B2 JP 2601413B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、測定対象物であるLS
Iチップ等の電気的諸特性を測定するプローブカードに
用いられるプローブカード用リングと、これを用いたプ
ローブカードとに関する。
【0002】
【従来の技術】測定対象物であるLSIチップの電気的
諸特性の測定には、加熱状態(80℃〜120℃)で行
われるもの、すなわち高温測定がある。この高温測定
は、加熱用ヒーターが内蔵されたホットチャックにLS
Iチップを搭載した状態で行われる。
【0003】この高温測定に用いられるプローブカード
には、室温(23℃〜25℃)での測定に用いられるも
のが流用される。この室温用のプローブカードは、測定
対象物であるLSIチップの形状、大きさ等に対応した
開口が開設された基板と、前記開口に取り付けられるリ
ングと、このリングに取り付けられて先端部がLSIチ
ップのパッドに接触する接触部となった複数本のプロー
ブとを有している。
【0004】リングは、通常アルミナ系のセラミックス
から構成されている。そして、エポキシ系樹脂によって
プローブの中腹部をリングに固定しているのである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】高温測定では、ホット
チャックからの輻射熱によってリングが熱膨張する。こ
のリングの熱膨張により、プローブの位置、特に先端の
接触部の位置が変位し、LSIチップのパッドに正確に
接触しなくなる。すなわち、高温測定に用いられるプロ
ーブカードは、室温状態において各部の位置合わせを行
っているので、高温状態では、膨張係数の異なる各構成
部品の膨張によりプローブの接触部の位置ずれが発生す
るのである。この接触部の位置ずれは、正確な測定の阻
害要因となっている。場合によっては、接触部がパッド
にまったく接触しなくなることもある。
【0006】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、高温測定を行ってもプローブの接触部と、LSIチ
ップのパッドとの相対的位置関係がそれほど変化しない
プローブカード用リングと、このプローブカード用リン
グを用いたプローブカードとを提供することを目的とし
ている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高温測定用
プローブカードリングは、プローブを保持すべく基板に
取り付けられる高温測定用プローブカードリングであっ
て、炭素で形成されており、その表面のうち少なくとも
プローブが接触する面に絶縁性コーティングが施されて
いる。
【0008】また、前記絶縁性コーティングは、SiO
2 の薄膜又はSiN2 の薄膜である。
【0009】
【実施例】図1は本発明に係る高温測定用プローブカー
ドリングを用いたプローブカードの概略的断面図であ
る。
【0010】本実施例に係る高温測定用プローブカード
リング100は、炭素で形成されており、その表面のう
ち少なくともプローブ300が接触する面に絶縁性コー
ティング400が施されている。
【0011】この高温測定用プローブカードリング10
0は、略長方形状に形成されている。
【0012】また、この高温測定用プローブカードリン
グ100の裏面側縁部は、テーパ面120として中央側
に向かって下り傾斜に形成されている。このテーパ面1
20こそが、プローブ300の中腹部が保持される部分
である。
【0013】かかる高温測定用プローブカードリング1
00は、上述の通り、炭素から構成さている。炭素の2
0℃〜120℃における線熱膨張係数は、約4.2〜
4.9×10− である。これに対してLSIチップ8
00を構成するシリコンの線熱膨張係数は約4.0×1
0− である。一方、アルミナの線熱膨張係数は約7〜
8×10− である。すなわち、アルミナより炭素の方
がシリコンに近い線熱膨張係数を有しているのである。
【0014】かかる事実は以下の効果をもたらす。すな
わち、LSIチップ800の高温測定の際に、高温測定
用プローブカードリング100が熱膨張するとともに、
LSIチップ800自身も熱膨張するが、両者の線熱膨
張係数が極めて近似した値であるため、相対的に膨張係
数が小さくなったのと同様の効果をもたらすのである。
このため、アルミナで成形された従来のプローブカード
用リングを用いるより、プローブ300の接触部310
の位置の変位を少なくすることが可能になる。
【0015】ここで、問題になるのは炭素の導電性であ
る。高温測定用プローブカードリング100を炭素のみ
で形成すると、高温測定用プローブカードリング100
により各プローブ300が導通してしまい、LSIチッ
プ800の電気的諸特性の測定が不可能になる。
【0016】かかる問題を解消するのが、高温測定用プ
ローブカードリング100の表面に形成された絶縁性コ
ーティング400である。この絶縁性コーティング40
0は、高温測定用プローブカードリング100とプロー
ブ300との間の短絡を防止すればよいのであるが、硬
く、曲げに強く、熱伝導率が良く、付着力が強いという
要求される特性や加工性やコスト的な点を考慮すれば、
例えばSiO2 の薄膜やSiN2 の薄膜等が適してい
る。
【0017】この絶縁性コーティング400は、少なく
とも高温測定用プローブカードリング100のテーパ面
120(プローブ300が接触する面)に施されていれ
ばよいが、絶縁性コーティング400を形成する際の作
業性等を考慮すれば高温測定用プローブカードリング1
00の全面に施す方がよい。また、絶縁性コーティング
400をテーパ面120にのみ施しておき、他の部分は
炭素を剥き出しにしておくことによって、基板200に
形成されたアース用配線に高温測定用プローブカードリ
ング100を接続することも可能である。このように、
高温測定用プローブカードリング100をアースに接続
しておくと、ノイズの低減が図れるので、より高精度の
測定が可能となる。
【0018】この絶縁性コーティング400は、プロー
ブ300を介してLSIチップ800に与える信号が4
0MHz以下である場合、SiO2 であれば約1〜10
μm程度、SiN2 であれば約〜1μm 程度の厚さでも
使用可能である。しかし、この絶縁性コーティング40
0は厚ければ厚いほどよい。
【0019】一方、基板200は、例えばFR4又はポ
リイミド樹脂からなり全体として丸形又は長方形状に形
成されている。かかる基板200の中央部には、リング
100に対応した形状の開口210が開設されている。
【0020】プローブ300は、タングステン等からな
り、先端がLSIチップ800のパッド (図示省略) に
接触する接触部310として折曲形成されている。
【0021】かかるプローブ300は、中腹部をエポキ
シ系樹脂500でプローブカード用リング100のテー
パ面120に取り付けられる。ここで、プローブ300
が高温測定用プローブカードリング100に直接接触し
たとしてもプローブカード用リング100には絶縁性コ
ーティング400が施されているので、各プローブ30
0が短絡することはない。
【0022】ここで、図1にように、プローブ300を
複数段に積層して高温測定用プローブカードリング10
0に取り付けると、より数多くのプローブ300を保持
することができるので、最近の高密度化したLSIチッ
プ800には好適である。
【0023】このように構成されたプローブカードは、
ホルダー600に取り付けられる。このホルダー600
は、プローブカードの縁部を固定するものである。
【0024】高温測定用プローブカードリング100
は、基板200の裏面側、かつ開口210の周囲に取り
付けられる。そして、複数本のプローブ300がプロー
ブカード用リング100に保持される。このプローブ3
00の高温測定用プローブカードリング100への取り
付けは、エポキシ系樹脂500等の接着剤で行われる。
また、プローブ300は、その後端部320が前記ラン
ド部231に半田付けされる。
【0025】このように構成されたプローブカードによ
ってLSIチップ800の高温測定を行う。すると、ホ
ットチャック810に内蔵された加熱用ヒーター811
からの熱によって高温測定用プローブカードリング10
0が加熱され、膨張する。しかしながら、高温測定用プ
ローブカードリング100は、炭素で形成されているの
で、その膨張はLSIチップ800と略等しくなる。こ
のため、プローブ300の接触部310とLSIチップ
800のパッドとの相対的な位置関係は、加熱前と略等
しくなるので、プローブ300の接触部310は正確に
LSIチップ800のパッドに接触し、正確な測定が可
能となる。
【0026】なお、上述した実施例においては、高温測
定用プローブカードリング100は長方形状であるとし
たが、本発明がこれに限定されるわけではない。これ
は、測定すべき測定対象物の形状、サイズ等によって決
定されるべきものであり、例えば円形状、正方形状等の
高温測定用プローブカードリング100がある。この場
合には、基板200に開設される開口210は高温測定
用プローブカードリング100の形状に対応させること
は勿論である。
【0027】
【発明の効果】本発明に係る高温測定用プローブカード
リングは、プローブを保持すべく基板に取り付けられる
プローブカード用リングであって、炭素で形成されてお
り、その表面のうち少なくともプローブが接触する面に
絶縁性コーティングが施されている。上述したように測
定対象物であるLSIチップに用いられるシリコンの線
熱膨張係数は4.0×10-6であり、炭素の線熱膨張係
数は約4.2〜4.9×10-6であるため、高温測定に
おいて高温測定用プローブカードリングが加熱されて
も、その熱膨張はLSIチップの熱膨張と略等しくな
る。そのため、プローブの先端部である接触部と、LS
Iチップのパッドとの相対的位置関係がそれほど変化し
ないので、高温測定に際しても正確な電気的諸特性の測
定が可能となる。
【0028】特に、前記絶縁性コーティングをSiO2
の薄膜又はSiN2 の薄膜で形成すると、硬く、曲げに
強く、熱伝導率が良く、付着力が強いという要求される
特性や加工性やコスト的な面から有利である。
【0029】また、上述したような高温測定用プローブ
カードリングを用いたプローブカードであると、室温で
各部の位置合わせを行って製造したものであっても、最
も大切なプローブの接触部の位置のずれがきわめて少な
いので高温測定に際しても正確な電気的諸特性の測定が
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る高温測定用プローブカードリング
を用いたプローブカードの概略的断面図である。
【符号の説明】
100 高温測定用プローブカードリング 200 基板 300 プローブ 400 絶縁性コーティング

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プローブを保持すべく基板に取り付けら
    れるプローブカード用リングにおいて、炭素で形成され
    ており、その表面のうち少なくともプローブが接触する
    面に絶縁性コーティングが施されていることを特徴とす
    る高温測定用プローブカードリング。
  2. 【請求項2】 前記絶縁性コーティングは、SiO2
    薄膜又はSiN2 の薄膜であることを特徴とする請求項
    1に記載の高温測定用プローブカードリング。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載のプローブカード
    用リングを用いたことを特徴とするプローブカード。
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