JP2632136B2 - 高温測定用プローブカード - Google Patents

高温測定用プローブカード

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JP2632136B2 JP6278447A JP27844794A JP2632136B2 JP 2632136 B2 JP2632136 B2 JP 2632136B2 JP 6278447 A JP6278447 A JP 6278447A JP 27844794 A JP27844794 A JP 27844794A JP 2632136 B2 JP2632136 B2 JP 2632136B2
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浩 岩田
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    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、測定対象物であるＬＳ
Ｉチップ等を加熱した状態で行われる電気的諸特性の測
定に用いられる高温測定用プローブカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高温測定用プローブカードについ
て図１３を参照しつつ説明する。ＬＳＩチップの高温測
定は、ヒータ７１０が内蔵されたウエハ載置台７００の
上にウエハ６００を載置し、当該ウエハ６００を約８０
℃〜１６０℃程度に加熱した状態で高温測定用プローブ
カードを用いて行われる。
【０００３】高温測定に用いられる従来の高温測定用プ
ローブカードは、配線パターン３１０が形成されたプリ
ント基板３００と、このプリント基板３００に取り付け
られるプローブ１００とを有している。プリント基板３
００は、ガラスエポキシ系樹脂等から構成されたものが
多く、多数本のプローブ１００に対応するために多層構
造となっているものが多い。
【０００４】また、プリント基板３００の例えば上面側
には、配線パターン３１０と接続されたコネクタ端子３
２０が設けられている。さらに、このプリント基板３０
０には、プローブ１００の後端部と配線パターン３１０
とを接続するためのスルーホール２１０が開設されてい
る。
【０００５】プローブ１００は、セラミックからなる保
持部材２４０を用いてプリント基板３００に取り付けら
れている。保持部材２４０は、プリント基板３００の裏
面側、すなわちＬＳＩチップ６１０が形成されたウエハ
６００に対向する面に取り付けられている。かかる保持
部材２４０には、傾斜面２４１が形成されており、当該
傾斜面２４１にエポキシ系樹脂２７０等を用いてプロー
ブ１００の中腹部が取り付けられるようになっている。
なお、上述したようにプローブ１００の後端部はスルー
ホール２１０を用いて配線パターン３１０、ひいてはコ
ネクタ端子３２０と接続されている。
【０００６】プローブ１００の先端部である接触部１１
０は、下向きに折曲形成されており、ＬＳＩチップ６１
０のパッド６１１に対応するように精密に位置決めがな
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の高温測定用プローブカードには、以下のような
問題点がある。すなわち、ウエハ６００が載置されたウ
エハ載置台７００からの輻射熱がプリント基板３００に
伝わり、プリント基板３００が熱膨張で変形し、その結
果プローブ１００の接触部１１０の位置がずれるのであ
る。かかる接触部１１０の位置ずれは、ＬＳＩチップの
正確な電気的諸特性の測定を困難にする。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、高温測定でもプローブの先端部である接触部の位置
ずれが発生せず、常に正確な電気的諸特性の測定を可能
にする高温測定用プローブカードを提供することを目的
としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高温測定用
プローブカードは、測定対象物を加熱した状態で行う電
気的諸特性の測定に用いられる高温測定用プローブカー
ドであって、測定対象物のパッドに接触するプローブ
と、このプローブが取り付けられるセラミック基板と、
配線パターンが形成された配線基板と、この配線基板と
前記セラミック基板との間に所定の間隔を設けて配線基
板を支持する支持具と、前記配線パターンと前記プロー
ブとを接続する接続機構とを有している。
【００１０】また、請求項２に係る高温測定用プローブ
カードでは、セラミック基板は、測定対象物と膨張係数
がほぼ等しい材質からなる。
【００１１】また、請求項３に係る高温測定用プローブ
カードでは、接続機構としてプローブの後端部と配線パ
ターンの始端とを接続する配線を使用した。
【００１２】また、請求項４に係る高温測定用プローブ
カードでは、接続機構として異方性導電フィルムを使用
した。
【００１３】また、請求項５に係る高温測定用プローブ
カードでは、接続機構としてスプリングピンを使用し
た。
【００１４】また、請求項６に係る高温測定用プローブ
カードでは、セラミック基板には、プローブの中腹部を
保持する保持部材が取り付けられており、当該保持部材
は高温測定の際の雰囲気温度にも耐えられるものでセラ
ミック基板に取り付けられている。
【００１５】また、請求項７に係る高温測定用プローブ
カードでは、セラミック基板は、セラミック基板本体部
と、このセラミック基板本体部を支持するセラミック基
板支持部とから構成されている。
【００１６】また、請求項８に係る高温測定用プローブ
カードでは、セラミック基板本体部は、プローブと配線
パターンとを接続する部分まである。
【００１７】さらに、前記高温測定の際の雰囲気温度に
も耐えられるものは、耐熱性樹或いは低温封着用フリッ
トガラスである。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例に係る高温測定
用プローブカードの構成を示す概略的断面図、図２は本
発明の第１の実施例に係る高温測定用プローブカードの
要部を示す概略的断面図、図３は本発明の第１の実施例
に係る高温測定用プローブカードの概略的一部破断斜視
図である。
【００１９】また、図４は本発明の第２の実施例に係る
高温測定用プローブカードの構成を示す概略的断面図、
図５は本発明の第２の実施例に係る高温測定用プローブ
カードに使用される異方性導電フィルムの概略的断面
図、図６は本発明の第２の実施例に係る高温測定用プロ
ーブカードの概略的一部破断斜視図である。
【００２０】さらに、図７は第３の実施例に係る高温測
定用プローブカードの概略的断面図、図８は第３の実施
例に係る高温測定用プローブカードの概略的一部破断斜
視図である。
【００２１】図９は異方性導電フィルムを接続機構とし
て使用した第３の実施例に係る高温測定用プローブカー
ドの概略的分解斜視図、図１０は接続機構の他の例であ
るスプリングピンの概略的断面図、図１１はスプリング
ピンを接続機構として使用した第３の実施例に係る高温
測定用プローブカードの概略的分解斜視図、図１２はよ
り高密度のプローブの配置を示す概略的断面図である。
なお、従来のものと略同一の部品等には同一の符号を付
して説明を行う。
【００２２】第１の実施例に係る高温測定用プローブカ
ードは、測定対象物であるＬＳＩチップ６１０を加熱し
た状態で行う電気的諸特性の測定に用いられる高温測定
用プローブカードであって、ＬＳＩチップ６１０のパッ
ド６１１に接触するプローブ１００と、このプローブ１
００が取り付けられるセラミック基板２００と、配線パ
ターン３１０が形成された配線基板３００と、この配線
基板３００と前記セラミック基板２００との間に所定の
間隔を設けて配線基板３００を支持する支持具４００
と、前記配線パターン３１０と前記プローブ１００とを
接続する接続機構とを有している。
【００２３】前記プローブ１００は、先端部がＬＳＩチ
ップ６１０のパッド６１１に接触する接触部１１０とし
て下方に向かって折曲形成されており、後端部は後述す
るセラミック基板２００のスルーホール２１０に挿入さ
れる部分となっている。
【００２４】前記セラミック基板２００は、ＬＳＩチッ
プ６１０が形成されたウエハ６００と大略等しい熱膨張
係数を有する例えばコージュライトジルコニア等のセラ
ミックスから形成されている。
【００２５】このセラミック基板２００には、少なくと
もプローブ１００と同数のスルーホール２１０が開設さ
れている。このスルーホール２１０の内周面には、図２
に示すように、導電性を有するメッキ層２１１が形成さ
れている。従って、プローブ１００の後端部がスルーホ
ール２１０に半田付けされることによってプローブ１０
０とメッキ層２１１とが導通する。
【００２６】また、当該セラミック基板２００の中央部
には、電気的諸特性を測定しているＬＳＩチップ６１０
を視覚的に確認するための開口２２０が設けられてい
る。ただし、この開口２２０は必ずしも必要ではない。
さらに、当該セラミック基板２００の周縁部近傍には、
セラミック基板２００を図外のフレーム又はプローバ等
に取り付けるための取付孔２３０が開設されている。
【００２７】かかるセラミック基板２００の裏面側、す
なわちＬＳＩチップ６１０が形成されたウエハ６００と
対向する面には、セラミックスからなる保持部材２４０
が取り付けられている。この保持部材２４０には傾斜面
２４１が設けられており、当該傾斜面２４１でもってプ
ローブ１００の中腹部が保持部材２４０に取り付けられ
て、プローブ１００を保持する。なお、この保持部材２
４０へのプローブ１００の取り付けは、耐熱性樹脂或い
は低温封着用フリットガラス２５０等で行われる。
【００２８】また、かかる保持部材２４０のセラミック
基板２００への取り付けは、プローブ１００の取り付け
と同様に耐熱性樹脂或いは低温封着用フリットガラス２
６０等が用いられる。
【００２９】一方、配線基板３００は、例えばガラスエ
ポキシ系樹脂からなる多層構造のものであり、各層に電
源或いは信号回路を構成する配線パターン３１０が形成
されている。また、当該配線基板３００には、配線パタ
ーン３１０と接続されたコネクタ端子３２０が設けられ
ている。
【００３０】また、この配線基板３００の裏面、すなわ
ちセラミック基板２００と対向する面には、配線パター
ン３１０の始端３１１が露出している。この配線パター
ン３１０の始端３１１は、後述する接続機構でもって、
前記プローブ１００と電気的に接続される部分であるか
ら、セラミック基板２００に配線基板３００を取り付け
た場合に、セラミック基板２００のスルーホール２１０
の真上に位置するように設定されている。
【００３１】さらに、当該配線基板３００の中心部に
は、電気的諸特性を測定しているＬＳＩチップ６１０を
視覚的に確認するための開口３３０が設けられている。
ただし、この開口３３０は必ずしも必要ではなく、セラ
ミック基板２００に開口２２０が設けられていない場合
には不必要である。
【００３２】かかる配線基板３００は、約２〜３ミリ程
度離れた状態でセラミック基板２００に取り付けられ
る。この配線基板３００のセラミック基板２００への取
り付けは、支持具４００によって行われる。かかる支持
具４００は、配線基板３００の外周縁部を支持するもの
である。
【００３３】前記プローブ１００と配線パターン３１０
とを電気的に接続する接続機構として配線５１０を用い
る。すなわち、図２に示すように、この配線５１０の一
端をスルーホール２１０のメッキ層２１１に、他端を配
線パターン３１０の始端３１１にそれぞれ接続すること
によって両者を接続するのである。
【００３４】次に、上述のように構成された高温測定用
プローブカードの作用について説明する。ＬＳＩチップ
６１０の高温測定を行うと、ウエハ載置台７００からの
輻射熱が高温測定用プローブカードに向かって放射され
る。この熱はセラミック基板２００に伝えられる。ま
た、配線基板３００にも伝えられる。
【００３５】セラミック基板２００は熱膨張係数が小さ
いので、高温測定の雰囲気温度（約８０℃〜１６０℃程
度）ではほとんど変形しない。一方、配線基板３００は
変形する。しかし、プローブ１００は、配線基板３００
ではなくセラミック基板２００（詳しくはセラミック基
板２００に取り付けられた保持部材２４０）に取り付け
られているため、配線基板３００の変形はプローブ１０
０の接触部１１０の位置には無関係である。従って、こ
の高温測定用プローブカードによる場合には、プローブ
１００の接触部１１０の位置がずれるおそれはほとんど
ない。
【００３６】なお、上述した第１の実施例においては、
スルーホール２１０の内周面にメッキ層２１１を形成
し、当該メッキ層２１１でもってプローブ１００と配線
５１０との接続していたが、本発明がこれに限定される
わけでなはい。例えば、スルーホール２１０にメッキ層
２１１を形成することなく、プローブ１００の後端部を
スルーホール２１０から突出するように挿入し、当該後
端部に配線５１０を直接半田付けしてもよい。
【００３７】次に、第２の実施例に係る高温測定用プロ
ーブカードを図４〜図６を参照しつつ説明する。第２の
実施例に係る高温測定用プローブカードが、第１の実施
例に係る高温測定用プローブカードと異なる点は、プロ
ーブ１００と配線パターン３１０とを接続する接続機構
と、配線基板３００をセラミック基板２００に取り付け
る支持具４１０とである。
【００３８】まず、この第２の実施例に係る高温測定用
プローブカードにおける接続機構には、異方性導電フィ
ルム５２０が使用される。この異方性導電フィルム５２
０は、図５に示すように、ポリイミド等のある程度の弾
力性を有する耐熱性絶縁物からなる基材５２１に、アル
ミニウム等の導電性素材５２２を均等に貫通させたもの
である。なお、導電性素材５２２が基材５２１から突出
している部分に金メッキを施したものはより導電性に優
れているので好適である。
【００３９】この異方性導電フィルム５２０をセラミッ
ク基板２００のスルーホール２１０の上に載置し、上か
ら配線基板３００を押し当てる。すると、導電性素材５
２２によってプローブ１００の後端部と配線パターン３
１０の始端３１１とが導通する。
【００４０】この異方性導電フィルム５２０を接続機構
として用いる場合には、単にこの異方性導電フィルム５
２０をセラミック基板２００と配線基板３００とで挟み
込むだけでよく、個々の接続のための配線作業が不要と
なるので製造上非常に好適である。また、高温測定中に
配線基板３００が変形したとしても、異方性導電フィル
ム５２０の基材５２１中に貫通された導電性素材５２２
は、スルーホール２１０等に比べて微細であり、高密度
に設けられているので、プローブ１００と配線パターン
３１０との間の導通性が阻害されるおそれはない。
【００４１】また、この異方性導電フィルム５２０を接
続機構として用いる場合の支持具４１０は、異方性導電
フィルム５２０をセラミック基板２００と配線基板３０
０とである程度の圧力で挟み込む必要があるため、図４
及び図６に示すようなボルト４１１及びナット４１２と
から構成することが望ましい。ただし、この場合には、
ボルト４１１の締め過ぎによりセラミック基板２００と
配線基板３００との間の間隔が所定値以下にならないよ
うに注意する必要がある。
【００４２】次に、上述のように構成された高温測定用
プローブカードの作用について説明する。ＬＳＩチップ
６１０の高温測定を行うと、ウエハ載置台７００からの
輻射熱が高温測定用プローブカードに向かって放射され
る。この熱はセラミック基板２００に伝えられる。ま
た、配線基板３００にも伝えられる。
【００４３】セラミック基板２００は熱膨張係数が小さ
いので、高温測定の雰囲気温度（約８０℃〜１６０℃程
度）ではほとんど変形しない。一方、配線基板３００は
変形する。しかし、プローブ１００は、配線基板３００
ではなくセラミック基板２００（詳しくはセラミック基
板２００に取り付けられた保持部材２４０）に取り付け
られているため、配線基板３００の変形はプローブ１０
０の接触部１１０の位置には無関係である。従って、こ
の高温測定用プローブカードによる場合には、プローブ
１００の接触部１１０の位置がずれるおそれはほとんど
ない。
【００４４】次に、第３の実施例に係る高温測定用プロ
ーブカードについて図７〜図９を参照しつつ説明する。
第３の実施例に係る高温測定用プローブカードが、上述
した第１及び第２の実施例に係る高温測定用プローブカ
ードと大きく異なる点は、セラミック基板２００であ
る。
【００４５】第３の実施例に係る高温測定用プローブカ
ードにおけるセラミック基板２００は、セラミック基板
本体部２００Ａと、このセラミック基板本体部２００Ａ
を支持するセラミック基板支持部２００Ｂとから構成さ
れており、前記セラミック基板本体部２００Ａは、プロ
ーブ１００と配線パターン３１０とを接続する部分まで
ある。
【００４６】前記セラミック基板本体部２００Ａは、Ｌ
ＳＩチップ６１０が形成されたウエハ６００と大略等し
い熱膨張係数を有する例えばコージュライトジルコニア
等のセラミックスから形成されている。
【００４７】このセラミック基板本体部２００Ａの中央
部には、開口２２０Ａが設けられている。また、当該セ
ラミック基板本体２００Ａの周縁部の内側近傍には、内
周面に導電性のメッキ層（ただし、図７にはあらわれて
いない）が形成されたスルーホール２１０Ａが設けられ
ている。また、開口２２０Ａの周囲には、耐熱性樹脂或
いは低温封着用フリットガラス２６０（ただし、図７〜
図９にはあらわれていない）等で取り付けられた保持部
材２４０が設けられている。この保持部材２４０は、プ
ローブ１００の中腹部が耐熱性樹脂或いは低温封着用フ
リットガラス２５０等で取り付けられる部分である。
【００４８】一方、このセラミック基板本体部２００Ａ
を支持するセラミック基板支持部２００Ｂは、金属或い
は合成樹脂等から略リング状に構成されている。かかる
セラミック基板支持部２００Ｂの内周側は、セラミック
基板本体部２００Ａの外周縁部が嵌まり込む凹部２９０
Ｂが形成されている。さらに、当該セラミック基板支持
部２００Ｂの外周縁部近傍には、セラミック基板２００
を取り付ける図外のフレーム又はプローバ等に取り付け
るための取付孔２３０Ｂが開設されている。なお、この
セラミック基板支持部２００Ｂは、図７にのみ示されて
いる。
【００４９】上述したように、セラミック基板２００を
セラミック基板本体部２００Ａと、このセラミック基板
本体部２００Ａを支持するセラミック基板支持部２００
Ｂとから構成すると、セラミックの使用量が第１及び第
２の実施例にかかる高温測定用プローブカードより減少
するが、その効果、すなわちプローブ１００の接触部１
１０の位置ずれ防止は同様である。
【００５０】なお、この第３の実施例に係る高温測定用
プローブカードでは、接続機構として異方性導電フィル
ム５２０を使用し、それにともなってセラミック基板２
００と配線基板３００とはボルト４１１及びナット４１
２からなる支持具４１０で連結されている。
【００５１】なお、上述した第１〜第３の実施例では、
接続機構として、配線５１０又は異方性導電フィルム５
２０を使用したが、例えば図１０に示すようなスプリン
グピン５３０を用いてもよい。このスプリングピン５３
０は、円筒形状の鞘部５３１と、この鞘部５３１の両端
部に出入り可能になった一対の接触ピン５３２と、この
一対の接触ピン５３２の間に介在されたスプリング５３
３とを有している。なお、このスプリングピン５３０を
構成する各部品は導電性を有する素材から形成されてい
る。
【００５２】第３の実施例に係る高温測定用プローブカ
ードにこのスプリングピン５３０を接続機構として使用
した場合について図１１を参照しつつ説明する。
【００５３】このスプリングピン５３０の一方の接触ピ
ン５３２は、配線パターン３１０の始端３１１（但し、
図１１にはあらわれていない）に半田付けで接続されて
いる。そして、配線基板３００を支持具４００や４１０
等でセラミック基板２００に取り付ける。すると、スプ
リングピン５３０の他方の接触ピン５３２は、セラミッ
ク基板本体２００Ａのスルーホール２１０Ａに挿入され
てメッキ層２１１に接触する。また、スルーホール２１
０にプローブ１００の後端部が挿入されているタイプで
は、後端部に接触する。
【００５４】また、上述した第１〜第３の実施例では、
プローブ１００は単層で保持部材２４０に取り付けられ
ていたが、本発明がこれに限定されるわけでなく、２
層、３層以上の多層に積層されていてもよい。例えば、
図１２に示すように、保持部材２４０の傾斜面２４１に
第１層目のプローブ１００Ａを耐熱性樹或いは低温封着
用フリットガラス２５０で取り付け、その上に積層部材
２４２を積層し、第２層目のプローブ１００Ｂを耐熱性
樹或いは低温封着用フリットガラス２５０で取り付ける
ようにしてもよい。なお、この場合第１層目のプローブ
１００Ａの接触部１１０Ａと、第２層目のプローブ１０
０Ｂの接触部１１０Ｂとは同一平面上にあり、それぞれ
の突出量は等しく設定されている。
【００５５】これにより、より高密度にパッド６１１が
形成されたＬＳＩチップ６１０にも対応することができ
る。また、第１層目のプローブ１００Ａと第２層目のプ
ローブ１００Ｂとの突出量が等しく設定されているの
で、両プローブ１００Ａ、１００Ｂのパッド６１１に対
する接触圧は等しくなり、接触圧の相違に基づく測定誤
差は生じない。
【００５６】
【発明の効果】請求項１に係る高温測定用プローブカー
ドは、測定対象物を加熱した状態で行う電気的諸特性の
測定に用いられる高温測定用プローブカードであって、
測定対象物のパッドに接触するプローブと、このプロー
ブが取り付けられるセラミック基板と、配線パターンが
形成された配線基板と、この配線基板と前記セラミック
基板との間に所定の間隔を設けて配線基板を支持する支
持具と、前記配線パターンと前記プローブとを接続する
接続機構とを有している。従って、高温測定時に発生す
る熱によって配線基板は変形させられるが、プローブが
直接取り付けられたセラミック基板はほとんど変形させ
られない。このため、高温測定において、基板の変形に
起因するプローブの位置ずれが発生せず、正確な電気的
諸特性の測定が可能となる。
【００５７】また、セラミック基板と配線基板との間に
所定の間隔が設けられているので、この間隔に冷却風を
通過させることにより、配線基板の変形の度合いを少な
くすることができるので、より正確な測定が可能とな
る。
【００５８】また、請求項２に係る高温測定用プローブ
カードでは、前記セラミック基板は、測定対象物と膨張
係数がほぼ等しい材質から構成されているので、測定対
象物側の変形、熱膨張にも対応でき、プローブは熱に測
定対象物のパッドに正確に接触する。
【００５９】また、請求項３に係る高温測定用プローブ
カードは、前記接続機構としてプローブの後端部と配線
パターンの始端とを接続する配線を使用した。このた
め、プローブと配線パターンの接続が確実になり、正確
な電気的諸特性の測定が可能となる。
【００６０】また、請求項４に係る高温測定用プローブ
カードは、前記接続機構として異方性導電フィルムを使
用した。このため、単にこの異方性導電フィルム５２０
をセラミック基板と配線基板とで挟み込むだけでよく、
個々の接続のための配線作業が不要となるので製造上非
常に好適である。また、高温測定中に配線基板が変形し
たとしても、異方性導電フィルムの基材中に貫通された
導電性素材は、スルーホール等に比べて微細であり、高
密度に設けられているので、プローブと配線パターンと
の間の導通性が阻害されるおそれはない。
【００６１】また、請求項５に係る高温測定用プローブ
カードは、前記接続機構としてスプリングピンを使用し
た。このため、スプリングピンの一方の接触ピンのみを
配線基板又はセラミック基板に半田付けするだけでよ
く、配線のように両側を半田付けする必要がないので、
配線の場合よりも製造が容易である。
【００６２】また、請求項６に係る高温測定用プローブ
カードは、前記セラミック基板には、プローブの中腹部
を保持する保持部材が取り付けられており、当該保持部
材は高温測定の際の雰囲気温度にも耐えられるものでセ
ラミック基板に取り付けられているので、保持部材の変
形或いは位置ずれが生じないので、プローブの位置ずれ
が生じない。このため、正確な測定が可能となる。
【００６３】また、請求項７に係る高温測定用プローブ
カードは、セラミック基板本体部と、このセラミック基
板本体部を支持するセラミック基板支持部とから構成さ
れたセラミック基板を用いているので、単価の高いセラ
ミックの使用量が減少する。このため、大幅なコストダ
ウンを可能とする。
【００６４】また、請求項８に係る高温測定用プローブ
カードでは、前記セラミック基板本体部は、プローブと
配線パターンとを接続する部分まであるので、プローブ
の位置ずれが生じず、正確な測定が可能になる。
【００６５】さらに、耐熱性樹脂或いは低温封着用フリ
ットガラスで保持部材をセラミック基板に取り付けてい
るため、高温測定時にも保持部材はセラミック基板に対
して強固に取り付けられている。すなわち、高温測定時
にも保持部材は位置ずれしないようになっている。この
ため、高温測定時において保持部材に保持されたプロー
ブの接触部の位置ずれも発生しないので、より正確な測
定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードの構成を示す概略的断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードの要部を示す概略的断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードの概略的一部破断斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードの構成を示す概略的断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードに使用される異方性導電フィルムの概略的断面
図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る高温測定用プロー
ブカードの概略的一部破断斜視図である。
【図７】第３の実施例に係る高温測定用プローブカード
の概略的断面図である。
【図８】第３の実施例に係る高温測定用プローブカード
の概略的一部破断斜視図である。
【図９】異方性導電フィルムを接続機構として使用した
第３の実施例に係る高温測定用プローブカードの概略的
分解斜視図である。
【図１０】接続機構の他の例であるスプリングピンの概
略的断面図である。
【図１１】スプリングピンを接続機構として使用した第
３の実施例に係る高温測定用プローブカードの概略的分
解斜視図である。
【図１２】より高密度のプローブの配置を示す概略的断
面図である。
【図１３】従来のこの種の高温測定用プローブカードの
概略的断面図である。
【符号の説明】
１００ プローブ ２００ セラミック基板 ３００ 配線基板 ３１０ 配線パターン ４００ 支持具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 浩 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日本電子材料株式会社内 (72)発明者 大久保 和正 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日本電子材料株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−221144（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−268035（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−204304（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−170876（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−36565（ＪＰ，Ｕ)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 測定対象物を加熱した状態で行う電気的
    諸特性の測定に用いられる高温測定用プローブカードで
    あって、測定対象物のパッドに接触するプローブと、こ
    のプローブが取り付けられるセラミック基板と、配線パ
    ターンが形成された配線基板と、この配線基板と前記セ
    ラミック基板との間に所定の間隔を設けて配線基板を支
    持する支持具と、前記配線パターンと前記プローブとを
    接続する接続機構とを具備したことを特徴とする高温測
    定用プローブカード。
  2. 【請求項２】 前記セラミック基板は、測定対象物と膨
    張係数がほぼ等しい材質からなることを特徴とする請求
    項１記載の高温測定用プローブカード。
  3. 【請求項３】 前記接続機構としてプローブの後端部と
    配線パターンの始端とを接続する配線を使用したことを
    特徴とする請求項１又は２記載の高温測定用プローブカ
    ード。
  4. 【請求項４】 前記接続機構として異方性導電フィルム
    を使用したことを特徴とする請求項１又は２記載の高温
    測定用プローブカード。
  5. 【請求項５】 前記接続機構としてスプリングピンを使
    用したことを特徴とする請求項１又は２記載の高温測定
    用プローブカード。
  6. 【請求項６】 前記セラミック基板には、プローブの中
    腹部を保持する保持部材が取り付けられており、当該保
    持部材は高温測定の際の雰囲気温度にも耐えられるもの
    でセラミック基板に取り付けられていることを特徴とす
    る請求項１、２、３、４又は５記載の高温測定用プロー
    ブカード。
  7. 【請求項７】 前記セラミック基板は、セラミック基板
    本体部と、このセラミック基板本体部を支持するセラミ
    ック基板支持部とから構成されていることを特徴とする
    請求項１、２、３、４、５又は６記載の高温測定用プロ
    ーブカード。
  8. 【請求項８】 前記セラミック基板本体部は、プローブ
    と配線パターンとを接続する部分まであることを特徴と
    する請求項７記載の高温測定用プローブカード。
  9. 【請求項９】 前記高温測定の際の雰囲気温度にも耐え
    られるものは、耐熱性樹脂或いは低温封着用フリットガ
    ラスであることを特徴とする請求項６記載の高温測定用
    プローブカード。
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