JP3800394B2 - プローブカード解析及びスクラブマーク解析データを最適化するための方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体試験装置に関する。特に、本発明は、半導体プローブカード及びプローブ装置のエラーを判断するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路をテストするために集積回路の製造者を助けるために、種々の装置及び技術が開発されてきたが、半導体ウェハのダイの形態ではまだ開発されていない。（プローバ装置として知られている）電気的テスト装置に対する各ダイの（「ボンディングパッド」としても知られている）金属処理されたコンタクトパッドを迅速且つ選択的に電気的に相互接続するために、細いワイヤ又は他のコンタクト媒体のアレイが提供される。コンタクト媒体は、各半導体ダイと関連づけられた金属処理されたコンタクトパッドに位置決め可能なように、在来のプリント回路ボードに配置される。当業者に周知なように、これらのプリント回路ボードテストカードは、「プローブカード」又は「プローブアレイカード」として知られてきており、コンタクト媒体は「プローブカードピン」又は「プローブピン」又は「プローブワイヤ」として知られてきている。
【０００３】
半導体回路のコンポーネント密度が増大するにつれて、各ダイと関係するコンタクトパッドの数は増大してきた。単一のダイが、各ダイと電気的に接続された６００より多いパッドを有することは今日めずらしいことではない。金属処理されたパッド自身は、５０μｍ乃至１００μｍのオーダーで中心から隔てられたそれらの間で十μｍギャップと同じくらい小さいギャップを有する。その結果、プローブアレイカードの細いプローブワイヤは、より高密度パックになってきた。プローブが、プローバ装置によって集積回路ダイの金属処理されたパッドにプレスダウンされるとき、プローブは、目標となっている間、等しい力で実質的に同時にタッチダウンするように、プローブの自由端又は「チップ（tips）」が共通の水平面に配列され、並びに、面内で互いに関して位置決めするプローバを有することは非常に望ましい。ここで使用されたように、用語「タッチダウン」、「レスト（rest）」及び「ファーストコンタクト（first contact）」は同じ意味を有する。パッドと電気的に接続させるプロセスでは、プローブは、プローブがそれらのレスト位置から「オーバートラベルして（over traveled）」反れる。この運動は、用語「スクラブ（scrub）」であり、プローブのレスト位置とオーバートラベル位置とがプローブカードの仕様内であるかどうかを判断することを考慮しなければならない。
【０００４】
本発明の譲受人は、電気的特性、平面性、及び水平のアライメント、並びに、種々のプローブカードのスクラブ特性をテストするための装置を開発し、かかるプローブカードアレイのテスト・加工ステーションを販売する。これらのステーションの重要なコンポーネントは、「チェックプレート（checkplate）」として知られる平面作動表面である。チェックプレートは、プローブカードによってテストを受ける半導体ダイをシミュレートし、プローブの上述特性をチェックする。譲受人のプローブカードアレイのテスト・加工ステーションで使用するための適当なチェックプレートは、１９９０年４月１７日に発行されたStewart等の米国特許第4,918,379号に詳細に記載されており、ここに参考文献として組み入れる。対象プローブカードが固定された位置で保持される間、チェックプレートは、水平相対位置をテストする際のステップにおいて水平に、各プローブチップのタッチダウンコンタクト及びオーバートラベル位置をテストする際のステップにおいては垂直に移動する。以前、及び、上述の特許に記載したように、各プローブチップの水平位置情報は、チェックプレートの抵抗の不連続な部分を横切るステップにおいて、絶縁されたプローブチップを移動することによって判断される。近年では、この技術は、プローブチップがそこに属することができるように、十分に大きな表面積を備えたチェックプレートの表面コンタクトプレートに透明な光学窓を配置することによって代替されている。チェックプレートが「オーバートラベル」までプローブが上昇したとき、窓を介してプローブチップを見る電子カメラは、プローブの最初のタッチダウンイメージ、及び、「スクラブ」のためにプローブの配置位置をデジタル化する。最初のタッチダウン位置は、その特定のプローブを再編成する際にオペレータを助けるために、予想されたタッチダウン位置と比較される。
【０００５】
水平（例えば、Ｘ−Ｙ）面における相対的なプローブチップ位置を判断するための別の従来技術が、Schwartz等の米国特許第5,657,394号に記載されており、その開示は参考文献としてここに組み入れられる。そこに開示されたシステムは、光学窓を介してプローブ位置を見るための知られた位置にビデオカメラを位置決めするために正確な移動ステージを採用する。ビデオイメージ及びステージ位置情報の解析は、プローブポイントの相対位置を判断するのに使用される。このタイプのシステムでは、「参照（reference）」プローブ位置が、正確なステージからの位置情報と組み合わせて、ビデオカメラからの情報を介して第１に決定される。プローブカードのプローブピッチが十分小さいならば、２つ又はそれ以上のプローブが、ビデオカメラで同時にイメージ化され得る。次いで、この隣接したプローブの位置は、ビデオカメラのみからの情報から「参照」プローブに関して参照される。次いで、カメラは、第２のプローブに隣接する第３のプローブに移動し、このプロセスは、全体のプローブカードの各プローブがイメージ化されるまで繰り返される。
【０００６】
プローブカードの種々のパラメータを測定するための上述のデバイスに加えて、装置は、プローバ装置を備えたプローブカードによって押されたテストウェハのプローブカードによって作られた実際の「スクラブマーク」を測定するために利用可能である。あるかかる装置は、プローブカード及びプローバ装置によって作られたスクラブマークの高品質なイメージを提供するために、米国ニューメキシコ州Las CrucesにあるVisioneering Research Laboratory, Inc.によって製造される。プローブカード解析（以下、「ＰＣＡ」という。）装置によって解析されたスクラブパターンが、スクラブマーク解析（以下「ＳＭＡ」という。）装置によってイメージ化されたテストウェハに作り出されたスクラブマークと適合しない。テストウェハは、半導体ダイでボンディングパッドの表面特性をモデル化する。
【０００７】
上述のように、プローブカードアナライザの測定表面は典型的には、硬化鋼、又は最近では、サファイアのような透明な人工又は天然の結晶から作られる。このＰＣＡテスト表面は、半導体ボンディングパッドのアルミ処理された表面よりも硬い。実際には、半導体ボンディングパッドの典型的にはアニールされたアルミニウム表面は、半導体プローブ装置によって加えられる圧力下で降伏し、かかる圧力は、ピンあたり５グラムのオーダーであってよい。ピンの表面が非常に小さいことを思い出すと、加えられた圧力は、アルミニウムボンディングパッドの表面を破壊するのに十分であり、プローブピンのオーバートラベル中にプローブチップが「突っ込む（dig in）」ことを生じさせる。プローブカードがその下方への移動が続いたとしても、短い距離の範囲内で、プローブピンのチップはアルミニウム表面内の深くまで進み、停止する。この現象は、本発明の譲受人によって「食い付き（stubbing）」として特徴付けられた。逆に、プローブカードアナライザの硬い金属又はサファイア表面は、プローブピンからの圧力下で降伏しない。更に、プローブカードアナライザの金属又はサファイアコンタクト表面は、非常に研磨され、半導体ダイボンディングパッドのアルミニウム処理された表面のものよりもかなり小さい摩擦係数を有する。その結果、プローブピンは、プローブカードアナライザで「食い付く（stub）」ことなく、プローブピンチップは、アルミ処理されたボンディングパッドよりも遠くに移動する。更に、プローブピンが、アルミ処理されたボンディングパッド（又は、スクラブマークアナライザにおいてボンディングパッドをシミュレートするアルミ処理された半導体テストウェハ）と最初にコンタクトし、又は、プローブピンの「タッチダウン」する位置は、アルミニウム表面に作られたスクラブマークにおいて容易には識別することができない。スクラブマークは、かすかな開始位置と、深く、明瞭に記された終点位置とを備えたブラシストロークと似ている。逆に言えば、プローブカードアナライザは、測定表面でプローブピンのタッチダウン位置、並びに、それは食い付くことなしに表面にわたるその十分な移動を正確に捕捉する。それ故、タッチダウン位置と、プローブカードアナライザのプローブピンの移動位置の終点のいずれも、位置が、実際のアルミニウムボンディングパッド、又は、スクラブマークアナライザによってイメージ化された半導体テストウェハのいずれにも対応しない。
【０００８】
当業者に周知なように、解析及びテスト装置の使用を介して、半導体ボンディングパッドのプローブピンの軌道を正確にモデル化することが望ましい。プローブカードアナライザ又はスクラブマークアナライザのいずれもが単独で、金属処理されたボンディングパッドのプローブの正しいタッチダウン位置、及び、アルミ処理されたボンディングパッドのプローブピンの移動位置の正しい終点として正確なデータを提供することができない。
【０００９】
それ故、アルミ処理されたボンディングパッドの半導体プローブカードピンの挙動を正確に予測する測定及び解析技術に関する必要性がある。
【００１０】
プローブカードとプローバ装置との組合せが特定のタスクについての許容差から外れるときを定量的に測定するプローブカードの解析及び測定技術に関する必要性が更にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
それ故、本発明の目的は、半導体ボンディングパッドの半導体プローブカードプローブピンの挙動を正確に予測する方法を提供することである。
【００１２】
本発明の更なる目的は、上記目的を達成するために、タスクを正確に実行する際に、プローブカードとプローバ装置との組合せの適切さに関係するデータを数量的に提供することである。
【００１３】
本発明の更に別の目的は、半導体ボンディングパッドの半導体プローブカードピンの予測された挙動に基づいてプローブカード及び／又はプローバ装置の性能を最適化するためのデータを提供することである。
【００１４】
本発明は、これらの目的、及び、プローブカードアナライザを備えた半導体プローブカードピンのスクラブパターンを測定し、目的とするプローブカードを備えたプローバ装置によって作られた半導体テストウェハのスクラブマークを測定し、金属処理された半導体ダイ表面の複数のプローブカードプローブピンに関する予想可能な正確なタッチダウン及び移動終端のデータを有するデータセットを提供するために結果のデータを組合せることによって、以下の記載から明らかになる目的及び利点を達成する。
【００１５】
本発明の好ましい実施形態では、エラー値は、プローブカードアナライザからのデータセット（プローブカードアナライザのタッチダウン位置及び移動終端位置）、及びスクラブマークアナライザからのデータセット（スクラブマークアナライザの移動終端位置及びタッチダウン位置）における、異なる、対応する測定値に割り当てられる。次いで、そのエラー値は、スクラブマークアナライザ及びプローブカードアナライザからの対応するデータの間の差が比較されるまで、数学的な水平、垂直、及び回転の値（例えば、Ｘ，Ｙ及びΘ）反復的に増分することにより最小化される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
半導体ウェハを図１の参照番号１０で全体的に示す。半導体ウェハは、ウェハの表面にわたって直交した行と列に配置された複数のダイ１２を有する。従来のウェハは、８インチまでの直径を有しており、各ダイに埋め込まれた半導体回路の複雑さにより、ウェハあたりだいたい２００から数千のダイがある。代表的なダイを、図２の参照番号１２で全体的に示す。ダイは、複数のボンディングパッド１４と、ボンディングパッドによって囲まれた複数の半導体回路１６とを有する。典型的には、ボンディングパッドは、アルミニウム処理されたアルミナイズド表面を有する。ボンディングパッドは、集積回路１６の外側と、回路自身との間の電気的中間として役立つ。小さなワイヤ（図示せず）が、ボンディングパッド１４を半導体回路１６と相互接続する。別のセットの小さなワイヤ（図示せず）は、ボンディングパッドを、セラミックの外側ピン（図示せず）と、又は、集積回路をより大きな回路に接続するためのダブルインラインパッケージ（ＤＩＰ）と相互接続する。
【００１７】
図３に示したように、ボンディングパッドはまた、ボンディングパッドを接続するために、半導体プローブカード２０に電気的プローブピン１８の位置を提供する。当業者には周知なように、半導体プローブカード２０は、プローバマシン（図示せず）に受け入れられ、並びに、プローブピン１８がボンディングパッド１４とコンタクトするとき、複数の電気的テストが半導体回路１６で実行されることができるような半導体ウェハ１０である。
【００１８】
また当業者に周知であるように、プローブカードピン１８が使用中にミスアラインとなることも一般的である。いったんミスアライメントが所定の許容度を超えると、プローブカードは、プローブピンのチップ（先端）２２を平面に戻すために、加工し及び／又は再生産しなければならず、同様に、互いに関して、及びプローブカード２０に関して水平方向位置合わせに戻るようにしなければならない。この目的のために、プローブカードアナライザとして知られる種々の装置が構成され、しばしば「チェックプレート」と呼ばれる比較的硬いテスト表面が、半導体ウェハ１０の適所に配置される。チェックプレートは、サファイア若しくは他の人工結晶から作られる非常に硬い透明なウィンドウを備え、又は、それぞれのピンチップ２２の水平位置決めが互いに関して及びプローブカードに関して測定され得るように、種々の電気的不連続を有する工具で硬化させられたスチールから構成されうる。かかるテストの間、プローブピンが垂直（即ち、「Ｚ」）方向に行き過ぎ、チェックプレートの表面に沿って「スクラブ」することも一般的である。図４の参照番号２４で示した点線のように、プローブカード解析スクラブパターンは、良好に構成されたスタート又は「タッチダウン」ポイント２６（プローブカードアナライザのタッチダウン位置）、及び、良好に構成された移動終端ポイント２８（プローブカードアナライザの移動終端位置）を有する。不幸にも、チェックプレート表面の硬さのために、このスクラブパターンは、実際のボンディングパッド又はテストウェハに作られる図４に実線で示した対応するスクラブマーク３０と適合しない。
【００１９】
スクラブマーク３０は、適当なスクラブマークアナライザによって電気的にイメージされうる。プローブピン１８が、比較的小さな力をアルミ化された表面に加えるので、半導体ダイボンディングパッドのようなアルミ処理された表面におけるスクラブマークのスターティング又はタッチダウンポイント３２（スクラブマークアナライザのタッチダウン位置）は、識別するのが困難である。実際に、プローブがプローブカード解析チェックプレートにタッチダウンするとき、アルミ処理された表面のタッチダウンポイントは、タッチダウンポイント２６が示された場所であるべきである。しかしながら、プローブが識別可能なマークをつくり始める前に、プローブはアルミ処理されたボンディングパッドの表面に沿って「滑る」ことになるが、プローブカードアナライザによって測定されたタッチダウンポイント２６と、スクラブマークアナライザによって測定されたタッチダウンポイント３２との間の距離に、出願人は「滑り（スケーティング）距離」３４との用語を与えた。
【００２０】
同様に、アルミ化されたボンディングパッドと、スクラブマークアナライザのテストウェハの表面とのいずれかにおいて、プローブペンチップの移動終端３６（スクラブマークアナライザの移動終端位置）は、プローブカードアナライザによって示されたような移動終端ポイント２８に達しない。これは、タッチダウンポイント３２でのプローブタッチダウンの直後のために、プローブチップは、地面を耕すように、ボンディングパッドのアルミ化された表面に突っ込む。プローブピンチップとボンディングパッドとの間の摩擦係数は急速に上昇する。その結果、摩擦による力が、プローブピン１８を介してプローバ装置によって加えられた前方への力と等しくなるとき、プローブは金属処理された表面に「食い付く（stubs）」。スクラブマークアナライザによって測定された移動終端ポイント３６と、プローブカードアナライザによって測定された移動終端ポイント２８との間の距離は、出願人によって、「食い付き（stubbing）」距離３８と呼ばれる。
【００２１】
半導体ボンディングパッド上のプローブカードピンの挙動を予測する際に、半導体プローバ装置のオペレータにとって重要な点は、スクラブマーク解析（ＳＭＡ）装置の移動終端ポイント３６と、プローブカード解析（ＰＣＡ）装置のタッチダウンポイント２６とである。半導体ダイの柔らかい保護層上のボンディングパッド領域の外側にプローブカードピンタッチダウンを有することは望ましくない（及び、半導体製品の種々のミリタリースタンダード違反でもある）。ピンを曲げたり、パッドを損傷させるような過度の圧力をボンディングパッドにかけるような食い付き距離３８によって表された過度の食い付きによってプローブピン１８を激しく変形させることも望ましくない。更に、図５に示すように、プローブ装置自身のエラーのために、プローブカードとプローバ装置の組合わせにおけるエラーの原因を特定することは非常に望ましい。
【００２２】
図５は、プローブカード／プローバの組合わせによって残されたスクラブマークを有する半導体ダイの一連のボンディングパッドを概略的に図示する。図５（ａ）に示すように、全てのスクラブマークは、所望するように実質的にパッドの中央にある。図５（ｂ）は、プローブピン又はどちらかといえばプローブ装置自身のいずれかが、Ｘ軸の負の方向にピンをオフセットしたことを図示する。図５（ｃ）は、プローブ装置が多分、Ｙ軸の正方向にオフセットした状態を図示する。図５（ｄ）は、プローブカードがＺ軸を中心として時計回りに回転した状態、又は、ピンがその方向に回転された状態を図示する。図５（ｅ）は、Ｘ及びＹ軸の両方で過剰に長いスクラブマークを図示し、プローバは多分、プローブピンに強すぎる力をかけたことを示す。逆に、図５（ｆ）は、細長くない小さなスクラブマークを有し、プローバ装置によってＺ軸方向に不十分な力が加えられたことを示す。図５（ｇ）は、ダイの左側に伸長させられたスクラブマークを示し、ダイの右側には非常に短いスクラブマークを示す。この構成は、Ｙ軸に関するピッチエラーを示す。図５（ｈ）は、ダイの上部においてプローブピンに強すぎる圧力がかけられ、ダイの下部においてピンに小さすぎる圧力がかけられたため、Ｘ軸に関するロールエラーを示す。
【００２３】
スクラブマークアナライザからのスクラブマーク解析データと、プローブカードアナライザからのスクラブパターンデータとを組み合わせることによって、半導体ダイメタライゼーションでのプローブピンの挙動をより正確に予測することができ、並びに、プローブピン位置のエラーの原因がプローブ装置によるものなのか、プローブカード自身に関するプローブピンの位置によるものなのか切り分けることができる。
【００２４】
本発明の第１の好ましい実施形態では、Ｘ，Ｙ及びΘ方向（図６に示したように左右、上下、及び時計回り逆時計回り）における補正ファクタは、図４に示したような食い付き距離３８に対するデータセットにおいて差を最小にするように計算される。図６は、Ｘ及びＹ方向において、半導体ダイ表面１２で直交ボンディングパッド１４の表示セットを図示する。パッドは、スクラブマークアナライザによって解析されるように、スクラブマーク３０を有する。反復の仕方では、Ｘ，Ｙ及びΘ方向における補正因子が、米国ワシントン州レドモンドのマイクロソフトコーポレーションから入手できるExcelデータベースプログラムのような在来のコンピュータプログラムによってコンピュータにストアされた結合されたデータセットに加えられる。次いで、エラー値は、ボンディングパッド１４と関係する各プローブピン１８に関して測定された食い付き距離３９と関係付けられる。Ｘ，Ｙ及びΘ補正因子又は「オフセット値」が増加するにつれて、食い付き距離３８によって表された最小エラー値が見つかる。その最小エラー値、及び、対応するＸ，Ｙ及びΘオフセットは、プローブカードとプローブ装置との組合せが、許容差外である度合いを量的に示す。エラー値は、食い付き距離３８の単純和によって、又は、上述のように、全てのパッドに関する食い付き距離の全ての平均、又は、平均食い付き値の間の差と、プローブカード解析期間とスクラブマークアナライザとの間の移動位置の終点の差との平方和、又は、スクラブマーク解析とプローブマークアナライザとの間の終点位置の際の標準偏差によって計算されうる。当業者の熟練工が使用する特定の数値的方法は、本発明に関してはとるに足らないものである。
【００２５】
変形実施形態において、本発明の第２の好ましい実施形態では、エラー値は、図４に示したようなステーク距離３４と関係する。本発明のこの変形実施形態では、エラー値はそれぞれ、全てのスクラブマーク３０に関する平均ステーク距離３４と、プローブカードアナライザによって測定されたようなタッチダウンポイント２６及び３２とスクラブマークアナライザとの間の差の和との差の合計に割り当てられる。本発明の第１の好ましい実施形態に関して述べたように、平方差の合計、又は、標準偏差技術はまた、エラー値を定義するのに使用されうる。第１の好ましい実施形態に関して述べたように、Ｘ方向，Ｙ方向及びΘ方向におけるこの変形実施形態の補正因子では、エラー値が最小になるまで、ステーク距離と相関するタッチダウンポイントの測定された位置に増加しながら加えられる。従って、Ｘ，Ｙ及びΘの補正因子は、プローブカードとプローブ装置との組合せが許容差外である度合いに関係する。
【００２６】
本発明の第３の実施形態では、スクラブマークの中心は、タッチダウンポイント３２と、スクラブマークアナライザによって測定された移動終端ポイント３６との間の直線、及び、タッチダウンポイント２６と、プローブカードアナライザによって定義され、測定された移動終端ポイント２８との間の数学的直線として、スクラブマークアナライザによって数学的に定義される。このスクラブマーク中心線４０はまた図６に示したように、Ｘ軸においてボンディングパッド１４の左又は右端から、及び、Ｙ軸において低端の頂部又は底部端から、スクラブマークアナライザによって直接測定されうる。次いで、エラー値はまた、それらのそれぞれのボンディングパッドに関して中心線４０の絶対値の合計として、又は、それらの測定の平方和として割り当てられ得る。Ｘ，Ｙ及びΘ方向における補正因子を増大させることにより、その増加解析から得られる最小エラー値は、プローブカードとプローバ装置との組合せが許容差外である度合いを表すＸ，Ｙ及びΘ補正因子を与える。
【００２７】
本発明の第４の実施形態では、スクラブマークの短軸４２は、スクラブマークアナライザとプローブマークアナライザの両方によって測定され、エラー因子は、本発明の第３の実施形態に関して上で説明したように適用される。
【００２８】
更に、プローブカードアナライザからのスクラブパターン、スクラブマークアナライザからのスクラブマーク、及び、図５に示したようなエラーの方位に関して収集されたデータセットを比較することにより、エラーがカードに関するプローブのミスアライメントによるものなのか、プローブ装置に関するカードによるものなのか判断することができる。これらのエラーは特に、テストされているダイが半導体ウェハの周囲に配置されているときに明らかである。
【００２９】
最後に、ホットチャック、又は目的とする集積回路のおおよその作動温度までウェハ及びプローブカード２０を加熱するための他の手段を備えたプローブ装置において、テストウェハ１０をスクラブすることが望ましい。その結果として、スクラブマーク及びそれらの位置は、実際のボンディングパッドのスクラブマーク、すなわちプローブ装置でテストを受けている半導体ダイのものによく似ていることになる。適当なホットチャックは、米国マサチューセッツ州ニュートンにあるTemptronic Corporationから入手可能である、モデル名「Thermochunck TPO 3000」である。ホットチャックはまた、それらの測定の正確さを改善するために、スクラブマークアナライザのイメージ化ステップの間に使用される。
【００３０】
上述の観点で、当業者は、上で詳細に記載しなかった本発明の他の実施形態を想像し得るだろう。それ故、本発明は特許請求の範囲によって範囲を決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 複数のダイを有する半導体ウェハの概略図を示す。
【図２】 図１の円周領域に示された半導体ダイの拡大した概略図を示す。
【図３】 複数のプローブピンｊと、半導体ウェハを有するプローブカードの断面概略図を示す。
【図４】 スクラブマークアナライザによって解析されたスクラブマークと、プローブカードアナライザによって解析されたスクラブパターンとの概略図を示す。
【図５】 （ａ乃至ｈは、）種々のプローブカード及び／又はプローバ装置エラーのためにそこにスクラブマークを有する半導体ダイボンディングパッドの概略図を示す。
【図６】 本発明のデータセットを組み合わせるための方法の概略を示す。

Claims (6)

1. 半導体プローブカードとプローバ装置とを組合せたものにおける、直交する行と列に整列されたプローブピンチップ（先端）の代表的なミスアライメントを定量化するための方法であって、
   プローブカードアナライザのデータのセットを定義する２つの位置であり、前記プローブカード上の複数のプローブピンに関する２つの位置であるプローブカードアナライザのタッチダウン位置及び移動終端位置を取得するための表面である、比較的硬く滑らかな測定表面を備えたプローブカードアナライザにおいて、当該プローブカードアナライザ上のプローブカードピンの複数の伸長させられたスクラブパターンを測定し、
   硬さ及び表面摩擦に関して半導体ボンディングパッドに極めて近い構成とされたピンコンタクト表面を有するテストウェハ上に、プローバ装置によってプローブカードピンを押しつけ、かつ、スクラブマークアナライザのデータセットを定義する２つの位置であるスクラブマークアナライザの移動終端位置及びタッチダウン位置を取得するために、スクラブマークアナライザ装置によってコンタクト表面上に形成された複数の伸長させられたスクラブマークを測定し、
   前記プローブカードアナライザのデータセットからのタッチダウン位置データと、スクラブマークアナライザのデータセットからの移動終端位置データとを有する合成されたデータセットを生成するために、前記プローブカードアナライザのデータセットと前記スクラブマークアナライザのデータセットとを合成し、
   合成されたデータセットにおける、対応するスクラブマークアナライザのデータとプローブカードアナライザのデータとの間の差に対してエラー値を割り当て、
   前記エラー値を最小にするために、前記合成されたデータセットを直交オフセット及び回転オフセットによって数学的に最適化し、それによって、当該直交オフセット及び当該回転オフセットが、プローブカードとプローバ装置を組合せたものにおけるプローブピンの定量的なミスアライメントを表すようにする、
   ステップを有する方法。
2. 前記エラー値が、プローブカードアナライザの移動終端位置とスクラブマークアナライザの移動終端位置の間の差として定義されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記エラー値が、プローブカードアナライザのタッチダウン位置及びスクラブマークアナライザのタッチダウン位置の間の差として定義されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. タッチダウン位置と移動終端位置との間の長軸が、プローブカードのスクラブパターンのパスと、スクラブマークアナライザのスクラブマークのパスとを画定し、
   プローブカードのスクラブパターンのパス及びスクラブマークアナライザのスクラブマークのパスが、前記合成されたデータセットから数学的に決定され、
   前記エラー値が、プローブカードアナライザのスクラブパターンのパスとスクラブマークアナライザのスクラブマークのパスとの間の差として定義される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記テストウェハのピンコンタクト表面が、前記プローブカードのピンの直交する位置とほぼ対応する、直交する行と列に配列された複数のコンタクトパッドを有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
6. 前記テストウェハが、プローブカードの押し下げ中及びスクラブマークの測定中に、目的とする半導体デバイスのおおよその作動温度まで加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。

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