JP4495919B2 - プラナリゼーション装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に半導体試験装置に関するものであり、より具体的には、半導体自動試験装置のウエハプローブにおけるプローブカードとウエハとの間の平行度(「プラナリティ(planarity)」とも呼ぶ)を取得するプラナリゼーション装置および、プローブカードのプラナリティを得る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
自動試験装置構成
ウエハ試験(ウエハプローブ又はウエハソートとも呼ばれる)は、半導体業界における製造に必要不可欠な工程である。ウエハソートでは、パッケージングの前にウエハ上の個々のダイに電気的機能性試験が実施される。図1は、ウエハソートにおいて使用される自動試験装置(ATE)(ATEテストセル、又はテストセルとも呼ばれる)の一構成例を示す「高位置」すなわち「非試験位置」の側面図である。以下、この構成を「直接ドッキングシステム」と呼ぶものとする。ウエハに対する試験を制御して実施する装置は、テスタ101と呼ばれる。このテスタ101は、試験中にウエハ105上に配置される可動式のテストヘッド103を含んでいる。プローバー107は、各ウエハ105をプローバーステージ109上に搭載したり、そこから降ろしたりするものである。プローバーステージ109(プローブチャックとも呼ばれる)は、各ウエハ105を操作して試験位置に配置するものであり、x方向、y方向及びz方向への移動が可能である。矢印121は、システムのz軸方向を示している。x軸及びy軸は、ウエハ105の平面内にある。このATEテストセルの構成においては、テストヘッド103はドッキング支持体111上にあり、高さ調節が可能である。他のテストセル構成においては、テストヘッド103は、ドッキング支持体111以外の適当な手段によりプローバー107の上に吊りさげられる種類のものであっても良い。
【0003】
テストヘッド103は、複数の機構(真空取付機構、機械的ラッチ、或いは電気機械式コネクタを使った支持機構を含むがこれらに限られない)によりテスタインターフェース120に取り付けることが出来るプローブカード113を介してウエハ105と接触する。図2に示したもののような他のテストセル構成においては、プローブカード113はプローバー107のプローブヘッドプレート114に直接取り付けられている。以下、図2の構成を従来のドッキング装置と呼ぶものとする。プローブカード113は、ウエハ105上の接触パッドと整合するように作られたプローブアレイ115を含む。ウエハ105上の全ての接触パッドへ同時に接触するようにプローブアレイ115の全てが同じ平面中に並び、ウエハ表面に平行であるようにし、これによりプローバーステージ109に必要なz方向の移動を小さくすることが理想である。図1に示すように、プローブ深度116は、テスタインターフェース120からプローブ115の先端までのz方向の距離である。各プローブカード113は、試験対象となるウエハ105の特定の回路用に特別に作ったものであり、テストヘッド103上のテスタ別インターフェースに電気的・機械的に整合するインターフェースを持っている。通常、プローバー107は、z方向の距離を光学的に計測することが出来る上向きカメラ117を含むプローバー視覚システムを含む。
【0004】
通常、プローバーステージ109のx−y方向移動の中心にある固定点は、半導体自動試験装置のプロービング中心である。テストセルはシステム基準平面119(図1参照)を持っているが、これは通常、テストセルの機械的部分の平坦面である。システム基準平面119は、これを基準としてテストセルにおける他の平面を計測する為の面である。図1に示した「直接ドッキングシステム」においては、システム基準平面119は更にテスタインターフェース120でもある。従来型ドッキングシステム等の他のテストセル構成においては、システム基準平面119としてプローブヘッドプレート114又は他の平坦面等、他の面を使用することも出来る。各プローブカード113は、使用するプローブ技術やその他アプリケーションに特定の要因に応じた製造平坦度許容範囲を持っているが、これはテストを正確に実施することが出来なくなるまでの、プローブカード113上のプローブ115の最低及び最高垂下位置間に許容される最高距離を特定するものである。テスタ101、プローバー107及びプローブカード113を含むテストセルの構成部品は通常、異なる業者から供給及びサポートがされている。例えば、テスタ101がある業者から提供され、プローバー107が他の業者から提供され、そしてプローブカード113が更に他の業者から提供されるようなことはごく一般的である。
【0005】
プローブカードのプラナリゼーション(planarization、平坦化)
ウエハソート以前に、プローブ115の先端が単一の平面内にある状態となるように、プローブカード113を平らにあるいは同一水準にあるようにしなければならない。プローブカードのプラナリゼーションと呼ばれるこの処理は、確実に全てのプローブ115が同時にウエハ105上の対応するパッドと接触するように保証するものである。図3は、テストヘッド103及びプローブカード113がわずかに傾いている為に(明確に示す為に図においては傾きを強調した)ウエハ105に対して平行ではない状態となっているATEテストセル(直接ドッキングシステム)を示す側面図である。テストヘッド103が下げられてドッキング支持体111に置かれると、第一のプローブ115Aは他のプローブ115よりも早くにウエハ105と接触する。第一のプローブ115A及び/又はウエハ回路を損傷することなくテストヘッド103をこれ以上低く配置することが不可能であるにもかかわらず、残りのプローブ115は未だにウエハ105と接触していない状態となる。ウエハ105を適正に試験する為には、ドッキング支持体111の高さを調節することにより、各ATEテストセルの許容範囲に入る程度において、テストヘッド103及びプローブカード113を平坦に、そしてウエハ105に対して実質的に平行にしなくてはならない。従来のドッキングシステムにおけるプローブカード113もまた、ウエハソートを実施する以前にプラナリゼーション処理を必要としている。従来のドッキングシステムにおいては、プローブヘッドプレート114の調節を行うことによりプローブカード113のプラナリゼーションが実施される。
【0006】
プローブカード113のプラナリゼーションを行うには様々な方法がある。直接ドッキングシステムに利用される1つの方法では、特注のレベリング装置の利用が必要である。このレベリング装置は、プローバー107のドッキング支持体111上に取り付けられるものであり、その本体中にプローバーステージ109よりも上に配置される3つの穴を含んでいる。機械的深度計が各穴へと挿入され、レベリング装置(平坦な基準面)とプローバーステージ109との間の距離が測定される。測定された距離が等しくなり、ドッキング支持体111自体が平らになったことが示されるまで各ドッキング支持体111の高さが調整される。ドッキング支持体111が平らであれば、テストヘッド103がドッキング支持体111上に置かれた場合にテストヘッド103及びそのプローブカード113もまた平らとなることが予想される。
【0007】
残念ながら、上述したレベリング装置は、ウエハソートにおけるATEテストセルの物理的設定を完全に再現するものではない為、問題がある。水平装置が除去され、テストヘッド103がドッキング支持体111上へと下げられると、テストヘッド103の重さ(一部のシステムでは1000ポンドを超える)がドッキング支持体111の高さを変えてしまい、これによりテストヘッド103のプラナリゼーションは失われてしまう。更に、レベリング装置は上向きカメラ117の測定能力を利用することが出来ず、これを従来のドッキングシステムにおいて使用することも出来ない。
【0008】
他のプローブカードプラナリゼーション法が、Bialobrodski等による米国特許第5,861,759号に記載されている(特許文献1参照)。米国特許第5,861,759号は、プローバーの上向きカメラを採用してプローブカード上の選択された3つのプローブ間の距離を測定するものである。テストヘッドは1つの固定支持体と、2つの可調節モーター式支持体上に設けられる。カメラは、プローブ点群をウエハ面に対して平坦化する為のテストヘッドへのチルト調節に必要な調節について、中央マイクロプロセッサと通信を行う。中央プロセッサはこれに応えてモーター式の支持体の高さを適宜調節する。残念なことに、この方法及び装置には、更なる設定ステップとモーター式支持体の制御に高価な動作制御システムとが必要である。
【0009】
プラナリティ確認方法
プローブカードのプラナリティを確実に得るには、ウエハ105及び/又はプローブカード113へのあらゆるインターフェース部品もまたプラナリティを持ち、そしてこれらと他の部品との組み合わせが半導体自動試験装置の製造プラナリティ許容範囲に入っていなければならない。プローバーステージ109、プローブカード113及びプローブ115、そしてシステム基準平面119は、最終的な組立体において全て平坦で、相互に対しても平行でなければならない。業者はその部品のプラナリティを、既知の平らな基準面と、複数ポイントにある測定対象面との間の距離を測定することにより確認する。その距離が等しい場合、その面はプラナリティを持ち、基準平面に対して平行であることが確認される。残念なことに、各業者はプラナリティの確認にまったく異なる方法及びツールを使用している。この結果、異なる検証方法が相互に相関するとは限らないのである。即ち、1つの方法によりプラナリティを立証された面が、他の方法を用いた場合にプラナリティが確認されるとは限らないのである。
【0010】
プローバーステージ109のプラナリティを確認する為に、あるプローバー業者はダミーのプローブカード上の3つの異なる位置に十字線ターゲットの画像を設ける。ダミープローブカードはシステム基準平面119としての役割を持ち、そしてこれは、プローバー107を用いた半導体自動試験装置中のテスタインターフェース120に機能的に対応するテスタインターフェースエミュレータ中に設けられている。また、各十字線とプローバーステージ109との間の距離を測定する為に上向きカメラ117が使用される。3つの距離が等しい場合、プローバーステージ109は平坦性を持ち、ダミープローブカードと平行であることが確認される。
【0011】
他の業者は3つの穴のあいたダミープローブカードをシステム基準平面119として利用する。ダミープローブカードはテスタインターフェースエミュレータ中に設けられる。テスタインターフェースエミュレータは、ダミープローブカードのテスタ側にある穴を露出するに充分な大きさの中心開口を持っている。穴は測定を実施する為に機械式深度計のプランジャーを通すのに充分な幅を持っている。これにより、機械式深度計を使ってダミープローブカードのシステム基準平面119とプローバーステージ109の表面との間の距離を測定することが出来る。3つの距離が等しければ、プローバーステージ109がプラナリティを持ち、ダミープローブカードと平行であることが確認される。
【0012】
各プローブカード業者はプローブカード113のプローブ点のプラナリティ検証にまったく異なる方法を用いている。プローブアレイの115複雑性により、プローブカード113がそのプローブ115を作動させる上でプラナリティを持つことを確認する為に、度量衡ツールとして知られる特殊な機器が使用される。更に他の業者が提供する度量衡ツールは、それ自体のプラナリティも確認しなければならない。度量衡ツールの確認は、穴のあいたダミープローブカードを用いた上述の方法を含む様々な方法で実施することが出来る。
【0013】
【特許文献1】
米国特許第5,861,759号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上述した例の全てにおいて、業者は独自の測定機器、ツール、テスタインターフェース120のエミュレーション法、及び/又はシステム基準平面119のエミュレーション法により、プローブカードの製造、測定及び使用における様々な段階におけるプラナリティの検証を行っている。残念ながら、プラナリティの判定にそれぞれの業者が異なる方法を採用していては、そしてこれらの方法の内、測定トレーサビリティを提供するものがほんの一部しか(もしくは全く)なければ、本質的に異なるツール及び方法は、相互に関連しない場合が多いのである。この相関の欠如により、製造中のプローブカードのプラナリゼーション処理は困難なものとなり、ひいては、そうでなければウエハソートに消費することが出来た時間を、プローブカード113のプラナリゼーション処理に費やさなければならないことになる。
【0015】
更には、相関性の無い検証法により、ウエハソート中に良品であるプローブカードを誤ってはじいてしまう可能性がある。例えば、プローブカード113のプローブ先端は、対象ATEテストセルのシステム基準平面119に対して平行な平面内になければならない。プローブ先端のプラナリティは、プローブカード業者によって検証されている。しかしながら、そのATEテストセルのプラナリティ検証方式がプローブカード業者の方法と相関していない場合、そのATEテストセルにおいてプローブカード113のプラナリゼーションを実施することが不可能な場合もある。このような場合の多くは、プローブカードは欠陥品であるとみなされ(プローブカード業者が既にプローブ先端のプラナリゼーションを別途検証しているにもかかわらず)、プローブカード業者へと返却されてしまうことになる。このような種類の誤りは、不良率やプローブカードの在庫条件、及びATEテストセル用の平均設定時間を増大させることになる。
【0016】
異なる業者の検証方法間における誤相関だけが問題ではない。業者独自の内部製造・検証法間においても相関性が無い場合がある。例えば、プローブカード業者は、保有する先端平坦化ツール(サンダーや先端エッチング装置等)を用い、製造工程においてプローブカードのプローブ先端を一平面内に収める為のやすりがけやエッチング、或いはアライメントを実施する。その後度量衡ツールを用いてプローブ先端のプラナリゼーションを検証する。しかし、先端平坦化ツールと度量衡ツールとの間に誤相関があることがある。このような内部ツールに誤相関がある場合、プローブカード製造環境における歩留まり低下という困った原因となる。
【0017】
より優れたプラナリゼーションツールと相関性の必要
従って、ウエハソートの間にATEテストセルの物理的設定を正確に再現することが出来、更に上向きカメラ117と一緒に使用することが出来る改良されたプラナリゼーションツールの必要性が存在する。更には、業者が使用する各種プラナリゼーション検証方法間に、より良好な相関性を持たせると共に、製造装置とプラナリゼーション検証ツールとの間にもより良好な相関性を持たせる必要がある。これらの必要性は、ウエハ(及びこれらを試験するプローブカード)のアレイサイズがより大型になり、製造プラナリゼーション許容範囲がより厳しくなっていることから、早急に満たさなければならない。このソリューションは、直接ドッキングシステム及び従来型ドッキングシステムに互換性を持っていなければならないと同時に、半導体自動試験装置の各部品のプラナリゼーションを適合させ、確認する為に業者が採用する異なる方法及びプラットフォーム間にも互換性がなければならない。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した必要性を満たすものである。半導体自動試験装置に使用するプラナリゼーション装置は、少なくとも1つの深度計アクセス穴を含み、プローブカードと機械的に相互に置き換えることができ、半導体自動試験装置と機能的機械的に互換性を持つ構造体と、半導体自動試験装置のシステム基準平面として機能する、前記構造体上の後部平坦面と、前記後部平坦面と平行でその反対側を向き、半導体自動試験装置のシステム基準平面として機能する前部平坦面と、該前部平坦面上にある少なくとも1つの光学ターゲットとを含む。
半導体自動試験装置においてプローブカードのプラナリティを得る方法は、プローブカードと相互に置き換えることができ、機能的・機械的に半導体自動試験装置との互換性を持つプラナリゼーションゲージであって、少なくとも1つの深度計アクセス穴を含み、更に後部平坦面と該後部平坦面に平行な前部平坦面とを有し、前記前部平坦面が前記後部平坦面の反対側を向いており、少なくとも1つの光学ターゲットをその表面に有するプラナリゼーションゲージを設けるステップと、前記プラナリゼーションゲージを用いて前記半導体自動試験装置の少なくとも1つの部品のプラナリティを確認するステップとを含む。
また、半導体自動試験装置においてプローブカードのプラナリティを得る方法は、プローブカードと相互に置き換えることができ、機能的・機械的に半導体自動試験装置との互換性を持つプラナリゼーションゲージであって、少なくとも1つの深度計アクセス穴を含み、更に後部平坦面と該後部平端面に平行な前部平坦面とを有し、前記前部平坦面が前記後部平坦面の反対側を向いており、少なくとも1つの光学ターゲットをその表面に有するプラナリゼーションゲージを設けるステップと、前記プラナリゼーションゲージを用いて前記プローブカードの製造工程及びプラナリティ検査工程で使用する機器及び工具をそうごに関連づけるステップとを含む。
【0019】
図示した本発明の一実施例によれば、プラナリゼーションゲージがプローブカード113と同じ機械的レイアウトを持っており、プローブカード113と機械的に相互交換することが出来るものである。プラナリゼーションゲージはテスタ101中又はテスタインターフェースエミュレータ中にプローブカード113と同じ方法で設置される。プラナリゼーションゲージは機能的・機械的にこれを用いる半導体自動試験装置と互換性を持ち、そして半導体自動試験装置の製造プラナリゼーション許容範囲に入るように作られている。プラナリゼーションゲージは前部平坦面と後部平坦面とを含み、これらは実質的に相互に平行である。半導体自動試験装置の個々の部品のプラナリゼーションの検証をする場合に、その一方の面又は両方の面がシステム基準平面119として利用されるものである。ATEテストセルにおけるプローブカードプラナリゼーション処理の間、後部平坦面は通常、テストヘッド103により遮断されるが、前部平坦面はシステム基準平面119として使用可能なまま残されている。プラナリゼーションゲージは深度計を用いた測定用に深度計穴を持つ単一のツールであり、測定用の光学ターゲットは上向きカメラ117を用いたものである。以下、光学ターゲットを、上向きカメラ117が認識することが出来る何らかの画像または物体とし、距離測定のエンドポイントとして取り扱うものとする。
【0020】
プラナリゼーションゲージは機械的にプローブカード113との相互交換が可能である為、プラナリゼーションゲージを、例えば直接ドッキングシステム或いは従来型ドッキングシステムといった、いずれのATE構成においても使用することが出来る。直接ドッキングシステムにおいては、プラナリゼーションゲージをテストヘッド103に固定した状態で使用することが出来る。プラナリゼーション処理中、テストヘッド103はドッキング支持体111上に設置することが出来、これによりウエハソート中の半導体自動試験装置の物理設定を複製することが出来る。更に、プラナリゼーションゲージはその相互交換可能特性から各業者がATEテストセル部品を構築し検証する間に使用する異なる方法及びプラットフォームは勿論、従来のドッキングシステムとも互換性を持つ。上述したプローバー業者もダミープローブカードの代わりにこれを使用することが出来る。プローブカード業者及び度量衡ツール業者は、これを使用して度量衡ツールを検証することが出来る。各業者は更に、その独自のツールを同じプラナリゼーションゲージを使って認証することにより、内部製造・プラナリゼーションプロセスの校正を実施することも出来る。全ATE業者がプラナリゼーションゲージを使用した場合、全ATE部品を構築・検証する為の統一化された標準を提供するものであり、各種プラナリゼーション検証法間の相関が保証される。更に、プラナリゼーションゲージは米国国立標準技術研究所(NIST)等の標準へのトレーサビリティが提供されるように製造及び検査をすることが出来る。またこれは、プローブカードのプラナリゼーションに問題がある場合にどの部品が不良であるかを判定する上で優秀なデバッグツールでもある。
【0021】
プラナリゼーションゲージの一実施例は、後部プレートに固定された前部プレートを含む。後部プレートの1つの面がプラナリゼーションゲージの後部平坦面であり、前部プレートの1つの面がプラナリゼーションゲージの前部平坦面である。後部プレートはプローブカード113と同じ方式でテストヘッド103へと取り付けられるように適合している。ガラス製の前部プレートは、前部平坦面上にエッチングにより形成された3つの光学ターゲットを含んでいる。3つの光学ターゲットに加え、3つの深度計アクセス穴が後部及び前部プレート中を通っており、これらは機械的深度計のプランジャーを収容するに充分な大きさを持っている。
【0022】
機械式深度計を使ってプラナリゼーションを測定する業者は、後部平坦面をシステム基準平面119として利用しつつプランジャーを深度計アクセス穴へと通す。上向きカメラ117を使用する業者は、前部平坦面をシステム基準平面119として利用することにより、光学ターゲットへの距離を光学的に測定する。いずれの方法におけるプラナリゼーション検証も有効であり、後部及び前部平坦面が厳しい許容範囲において平行かつ平坦である為に他の方法と相関するものである。プラナリゼーションゲージと共に使用する深度計も、機械式深度計とは限らない。対象ATEが必要とする精度でz方向の測定を行えるものであれば、他のいずれの装置を使用しても良い。そのような他の装置の一例としては、レーザー測定装置が挙げられる。
【0023】
本実施例における光学ターゲットは、例えばプローバーの上向きカメラ117を利用するプローバー視覚システムにより認識可能な個々のドットである。更にガラス上にエッチングされた指示線が前部プレートの中心から各光学ターゲットへの2つの経路をトレースしている。第一の経路は前部プレートの中心から、各ターゲットへの直接経路である。第二の経路は、x及びyベクトルに分割されている。本実施例における指示線は、ATE操作者が特に上向きカメラ117を通じて前部平坦面を拡大して見る場合に、小さい光学ターゲットの位置を容易に特定することが出来るようにするものである。光学ターゲットへの指示線を更に増やすことも出来る。代わりに、プラナリゼーションゲージのドットの位置特定及び焦点合わせを自動化し、プローバー107により起動するようにしても良い。
【0024】
以下、プロービング中心から光学ターゲットへの距離を光学ターゲット半径と称し、直接ドッキングシステムにおけるプロービング中心からドッキング支持体111への距離をドッキング支持体半径と称するものとする。各ドッキング支持体111には対応する光学ターゲットがある。光学ターゲットは、ドッキング支持体111のプローバー107上の位置を比例尺度でより小さく換算した位置に配置することが出来る。光学ターゲットはドッキング支持体111の半径軸中に置かれ、各光学ターゲット半径と対応するドッキング支持体半径との比が等しくなるように配置される。
【0025】
光学ターゲット半径がドッキング支持体半径に比例している場合、テストヘッド103をプローバーステージ109に合わせて水平にする処理は簡単な処理となる。第一に、プラナリゼーションゲージがテストヘッド103上に固定される。その後プローバーステージ109と3つの光学ターゲットの各々との間の距離が測定される。3つの測定間の差は、ドッキング支持体111に実施しなければならない高さ調節に比例する。この光学ターゲット配置法は、オプションであり、従来のドッキングシステムに必ずしも必要なものではない。
【0026】
他の実施例においては、プラナリゼーションゲージは平行な前部及び後部平坦面を持つ単一のプレートである。前部平坦面には3つの光学ターゲットがある。これらの光学ターゲットは、プローブ115、プローブ様突起、暗い背景に対して明るい色を使用したドット、或いは上向きカメラ117で認識可能な他のいずれの画像又は物体であっても良い。この単一プレートは更に、深度計のアクセスを許容する3つの穴を含むものであっても良い。単一プレートは、プローブカード113と同じ方式でテストヘッド103へと取り付けられることが出来るようになっている。
【0027】
本発明の更なる特徴及び利点は、本発明の実施例の構造及び動作と共に添付図を参照しつつ以下に詳細にわたって説明する。図中、同様の符号は同一又は機能的に同様の要素に使用されている。
【0028】
【発明の実施の形態】
図4はプラナリゼーションゲージ301を設けたATEテストセルの「高位置」すなわち「非試験位置」の側面図である。プラナリゼーションゲージ301は後部平坦面303及び前部平坦面305を持っているが、これらはいずれも実質的に平坦であり、実質的に相互に平行である。後部平坦面303及び前部平坦面305の一方或いは両方を、ATEテストセルの個々の部品のプラナリゼーションを確認する為のシステム基準平面119として使用することが出来る。これがプローブカードのプラナリゼーション確認においてテストヘッド103に取り付けられた場合、通常は後部平坦面303がテストヘッド103により遮断されることになるが、前部平坦面305はシステム基準平面119として使用出来るように残されている。プラナリゼーションゲージ301にはその構造を通じて深度計用のアクセス穴が設けられており、前部平坦面305上には上向きカメラ117を利用して測定する場合に使用する光学ターゲットがある。以下、光学ターゲットは上向きカメラ117による認識が可能な何らかの画像、又は物体であり、距離測定におけるエンドポイントとして使用されるものとして説明する。図4はプラナリゼーションゲージ301の側面図を示しているため、深度計アクセス穴や光学ターゲットが現れない。
【0029】
プラナリゼーションゲージ301はプローブカード113との機械的互換性を持っており、従ってテストヘッド103へと固定して使用することが出来る。例えば、直接ドッキングシステムのプローブカード113のプラナリゼーション処理において、テストヘッド103をドッキング支持体111上に直接配置することによりウエハソートにおけるATEテストセルの物理設定を再現することが出来る。プラナリゼーションゲージ301はプローブカード113との互換性がある為、これは従来型ドッキングシステムにも適合する。更に、テストセル中の個々の部品の構築及びそれらのプラナリゼーション確認において業者が使用する異なる方法及びプラットフォームとの互換性もある。
【0030】
図5は、本発明の教示内容に基づいて作られたプラナリゼーションゲージ301の一実施例を描いた側面図である。前部プレート401は後部プレート403上で芯合わせされ、スクリュー、接着剤、ラッチ、又は他のいずれかの周知の取り付け手段により固定される。プラナリゼーションゲージ301をATEテストセル中に設置した場合、後部平坦面303はテストヘッド103に向き合い、前部平坦面305はプローバー107の表面に向き合う。
【0031】
図6は、ATEテストセルのプローバー側から見た後部プレート403の底面図である。後部プレート403は、プローブカード113と同じ方式でテストヘッド103へ取り付けることが出来る。図6に示した実施例においては、テストヘッド103と嵌合するフレーム(図示せず)に固定する為の外周穴405が設けられている。後部プレート403をテストヘッド103へと適合させる為には他の方法も可能である。後部プレート403は3つの深度計アクセス穴407を持っているが、これらの穴は機械的深度計のプランジャーを嵌め込むに充分な大きさを持っている。深度計アクセス穴407は通常、プラナリゼーションゲージ301が実際のテストヘッド103へ留められている場合はブロックされているが、プラナリゼーションゲージ301がテスタインターフェースエミュレータに留められている場合はアクセスすることが可能である。殆どのテスタインターフェースエミュレータは中心開口を持ち、これにより深度計アクセス穴407へと通じることが出来る。しかしながら、中心開口は大きさが限られている為、プラナリゼーションゲージ301をテスタインターフェースエミュレータへと設置する場合、深度計アクセス穴407はその中心開口内に入るように配置されていなければならない。中心開口の大きさは、テスタインターフェースエミュレータによって異なる。ここでは説明上の目的から、実際の動作環境における深度計アクセス穴407の直径は6.5mm、そして後部プレート403の中心から半径約16センチメートル(6.3インチ)の範囲に配置されているものとする。
【0032】
点線で描いた円409は前部プレート401が後部プレート403へと固定された場合の前部プレート401の位置を表している。前部プレート401は、後部プレート403に開けられたスクリュー穴411へとスクリューを回し入れることにより後部プレート403に取り付けることが出来る。後部プレート403の後部平坦面303は、良好なシステム基準平面119を提供するように非常に平坦でなければならない。後部平坦面303のプラナリティは、それを使用するATEテストセルの製造プラナリティ許容範囲に適合していなければならない。ここでは説明上の理由から、実際の動作環境において、後部プレート403は直径355.6mm、厚さ6.35mmであり、その後部平坦面303は5μm未満のプラナリティを持つものとする。後部プレート403はステンレス鋼、アルミニウム、或いはチタンのような硬質材料から作ることが出来るが、プラナリゼーションゲージ301を手でも容易に持ち運ぶことが出来るように軽量の材料が推奨される。
【0033】
図7は、ATEテストセルのプローバー側から見た前部プレート401の前部平坦面305を示す底面図である。前部プレート401は、後部プレート403のスクリュー穴411と一致する外周端に沿った位置に貫通穴413があけられており、前部プレート401をスクリューにより後部プレート403へと取り付けることが出来る。前部プレート401の深度計アクセス穴407は、後部プレート403の深度計アクセス穴407と位置合わせされており、機械式深度計のプランジャーを嵌め込むことが出来る大きさを持っている。3つの光学ターゲット417は前部プレート401の表面に描かれており、プローバー107に向いている。光学ターゲット417は上向きカメラ117が単一の点として検出することが出来れば、いずれの形式又は形状をしていても良い。一般に、上向きカメラ117は暗い背景に対して明るい色の小さい領域を検出するように作られているが、これはプローブ先端の特性である。本実施例においては、前部プレート401の表面は暗い色をしており、光学ターゲット417は比較的に小さく、視覚的に目立つドットである。更なる光学ターゲット418が前部平坦面305の中心にある。中心光学ターゲット418はATEテストセルのプロービング中心と理想的に一線上に並んでいる。これは通常、プローバー107の初期化の際に上向きカメラ117が使用するものである。
【0034】
前部プレート401上に描かれた指示線419は、前部プレート401の中心から各光学ターゲット417への2つ経路をトレースしている。第一の経路419Aは前部プレート401から各光学ターゲット417への直接経路である。第二の経路419Bはx及びyベクトルに分割されている。指示線419はオプションであるが、特にATE操作者がプローバー視覚システム117のビューファインダーを通じて拡大して見ている場合に、小さい光学ターゲット417をごく容易に見つけることが出来るようにするものである。指示線419を使用するにあたっては、ATE操作者はプローバー視覚システム117をプロービング中心に合わせ、その後光学ターゲット417に至るまで前部プレート401上の示線419に沿ってトレースすれば良い。
【0035】
前部プレート401は、フォトマスク作成プロセスを用いて前部プレート401上に光学ターゲット417、418及び指示線419をきれいかつ正確にエッチングすることが出来るように、ガラス製であることが望ましい。光学ターゲット417、418をより小さく、よりシャープにするほど測定も正確となる。勿論、光学ターゲット417、418を上向きカメラ117が検出不可能な程に小さくすることは出来ない。前部プレート401はまた、金属、プラスチック、そして更には紙で製作してもよい。実際の動作環境において、前部プレート401は、暗い背景に光学ターゲット417、418を示す明るい小ドットを描いた紙シートで形成される。しかしながら、このような材料の使用は光学ターゲットの精度を劣化させ、光学ターゲット417、418を認識する上向きカメラ117の能力にも影響を与える。また、これらの他の材料は、常に同じ様式で繰り返し製造することが困難でもある。使用が許容される材料は、ATEテストセルとその製造プラナリティ許容範囲によっても異なる。良好な基準平面を作る為には、前部平坦面305は非常に平坦でなければならない。前部平坦面305のプラナリティは、それを用いるATEテストセルの製造プラナリティ許容範囲内に収まっていなければならない。説明上の目的に限り、実際の動作環境において、前部プレート401は直径177.8mm、厚さ3.81mmであり、前部平坦面305は誤差5μm未満のプラナリティを持ち、後部平坦面303との平行性誤差は5μm未満であるものとする。プラナリゼーションゲージ301全体の厚さ(前部プレート401と後部プレート403の厚さを合わせたもの)は、プローブカード113の最大プローブ深度116を超えてはならない。
【0036】
光学ターゲット417及びその周囲の指示線をより近くで見たものを図8に示すが、これは図7において点線で描かれた円D’で囲まれた領域の拡大図である。指示線の長さ方向に沿った矢印423は光学ターゲット417を指し示している。ATE操作者自身がどの光学ターゲット417を見ているのかを知ることが出来るように光学ターゲット417の隣に識別ラベル420を設けることが出来る。更なる指示線421を光学ターゲット417の隣に配置してその位置のピンポイント表示を助けても良い。説明の便宜上、一動作環境例において、光学ターゲット417は直径25μmであり、指示線の厚さは200μmであるものとする。
【0037】
光学ターゲット417の位置は、直接ドッキングシステムにおけるプローバー107上のドッキング支持体111の位置を比例尺度でより小さく換算した配置にある。プラナリゼーションゲージ301がテストヘッド103へと固定されると、光学ターゲット417は、各光学ターゲット半径の、対応するドッキング支持体半径に対する比が同じ状態でドッキング支持体111の半径軸内に配置されることになる。光学ターゲット417のこの配置法はオプションであり、特にプラナリゼーションゲージ301が従来のドッキングシステムで使用される場合、この方式に従う必要はない。しかしながら、この方式に従えば、直接ドッキングシステムにおけるプローブカードのプラナリゼーション処理時にドッキング支持体111に必要とされる高さ調節を計算することがより単純かつ簡単となるのである。深度計アクセス穴407もまた、この方式に従って配置することが出来る。
【0038】
プラナリゼーションゲージ301の構築後、測定トレーサビリティを得る為にこれをNIST等の規格に準じて校正することが出来る。実際の動作環境において、前部平坦面305及び後部平坦面303は各々にNIST標準に準じて校正され、誤差5μm以内であることが確認される。更に、前部平坦面305が後部平坦面303に対して5μm未満の誤差で平行であることが確認される。
【0039】
図9は、プラナリゼーションゲージ301の他の実施例を示す底面図である。図10は、図9に示したプラナリゼーションゲージ301の側面図である。この実施例における光学ターゲットは、単一プレート503の前部平坦面305上の3つの異なる位置に取り付けられた3つのプローブ501、或いはプローブ様の突起である。プローブ501の各点は同じ平面中にあり、上向きカメラ117による認識が可能である。この実施例においては、プローブ501以外の構造を使用することも出来る。例えば、終端部を上向きカメラ117により認識することができる、単一プレート503から出た突起を更に利用することが出来る。深度計のプランジャーを嵌め込むに充分な幅を各々が持つ3つの深度計アクセス穴407も設けられている。単一プレート503は、プローブカード113と同じ方式でテストヘッド103に取り付けることが可能な固定具に適合している。図9及び図10に図示した実施例には描かれていないが、指示線419及び中心光学ターゲットを更に含んでいても良い。プローブ501もまた、対応するドッキング支持体半径に対応する各光学ターゲット半径の比が全てのプローブ501について同じとなるように配置することが出来る。
【0040】
図11はプラナリゼーションゲージ301の他の実施例を示す底面図である。単一プレート601は、テストヘッド103上に装着された固定具に取り付けることが出来る。単一プレート601は、プローバー107側に向いたその前部平坦面305上にx字型の3つの光学ターゲット603を含む。x字型光学ターゲット603の各々は、中心に明るい色のドットを持つ暗色の十字型イメージである。暗色の十字は、図7に示した指示線419と同様の機能を持つもので、上向きカメラ117の操作者が拡大ファインダーを介して小さい明色ドットを探す場合に役に立つ。3つの深度計アクセス穴407も設けられている。図11の実施例においては図示していないが、指示線419及び中心光学ターゲットを設けることも出来る。更にx字型光学ターゲット603は、対応するドッキング支持体半径に対する各光学ターゲット半径の比が全てのx字型光学ターゲット603について等しくなるように配置することが出来る。
【0041】
これらの図示した実施例のいずれに対しても更なる特徴を容易に追加することが出来る。例えば、光学ターゲットにz方向の相対的な高さ(z高さ)のラベルをつけることが出来る。この情報により、ATE操作者は実際のプローブカード113を搭載する場合に直接ドッキングシステム中のドッキング支持体111を最終高度付近に事前に設定することが出来、これにより設定時間を短縮することが出来る。各光学ターゲットのz高さの情報は、複数のATEテストセルで同じプローブカード113を使用する場合に全てのプローバー107を通じて共通のz高さとすることが出来る為に特に便利である。プラナリゼーションゲージ301が搭載された場合に中心光学ターゲットが半導体自動試験装置のプロービング中心からずれている距離を中心光学ターゲットにラベルすることも可能である。この情報は、プローバー107を初期化する場合に役立つ。
【0042】
本発明の詳細を特定の実施例に基づいて説明してきたが、請求の範囲及び精神から離れることなく様々な変更及び強化策を施すことが可能であることは本発明の属する分野における当業者に明らかである。例えば、プレートは円形の形状をしているが、これらはテストヘッド103に取り付けられるようになっている限りにおいては、どのような形状をしていても良い。更に、図においては深度計アクセス穴407及び光学ターゲット417が3個セットで示されている。しかしながら、プラナリゼーションゲージ301に設ける深度計アクセス穴407又は光学ターゲット417の数の組み合わせはいくつであっても良い。深度計アクセス穴407の数が3個に満たない場合、プラナリゼーションゲージ301はテストヘッド103を回転させることにより、存在する深度計アクセス穴407を使って最低3つの異なる測定値が得られるようになっていなければならない。同様に、光学ターゲット417の数が3個に満たない場合は、プラナリゼーションゲージ301をテストヘッド103中で回転させることにより、存在する光学ターゲット417を使って最低3つの異なる測定値が得られるようになっていなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウエハソートで用いられる一般的な自動試験装置(ATE)を示す「高位置」の側面図である。
【図2】ウエハソートで用いられる半導体自動試験装置の他の構成を示す「高位置」の側面図である。
【図3】テストヘッド及びプローブカードがウエハ表面に対して平坦化されていない状態のシステムを示す側面図である。
【図4】プラナリゼーションゲージを設置した半導体自動試験装置の「高位置」の側面図である。
【図5】本発明に基づいて作られたプラナリゼーションゲージの一実施例の側面図である。
【図6】図5のプラナリゼーションゲージの後部プレートの底面図である。
【図7】図5のプラナリゼーションゲージの前部プレートの底面図である。
【図8】図7において点線の円D’で囲まれた領域の拡大図である。
【図9】プラナリゼーションゲージの他の実施例を示す底面図である。
【図10】図9のプラナリゼーションゲージの側面図である。
【図11】プラナリゼーションゲージの他の実施例を示す底面図である。
【符号の説明】
113 プローブカード
117 上向きカメラ
119 システム基準平面
301 プラナリゼーションゲージ(構造体)
303 後部平坦面
305 前部平坦面
401 前部プレート
403 後部プレート
407 深度計アクセス穴
417、603 光学ターゲット
419、421 指示線
501 プローブ(光学ターゲット)
503、601 単一プレート

Claims (10)

  1. 半導体自動試験装置に使用するプラナリゼーション装置であって、
    少なくとも1つの深度計アクセス穴を含む構造体であって、該構造体がプローブカードと機械的に相互に置き換えることができるものである、構造体と、
    半導体自動試験装置のシステム基準平面として機能する、前記構造体上の後部平坦面と、
    前記後部平坦面と平行でその反対側を向き、半導体自動試験装置のシステム基準平面として機能する前部平坦面と、
    該前部平坦面上にある少なくとも1つの光学ターゲットと
    を含むプラナリゼーション装置。
  2. 前記構造体が3つの深度計アクセス穴を持つ、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  3. 前記前部平坦面の表面が、前記光学ターゲットの背景として暗い色をしており、前記光学ターゲットが、前記暗い色の背景上に配置された明るい色ドットである、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  4. 前記光学ターゲットがプローブ群であり、該プローブ群の先端が単一平面中にある、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  5. 前記光学ターゲットが、上向きカメラで認識可能な終端部を有する突起である、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  6. 前記前部平坦面の中心に中心光学ターゲットを有する、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  7. 前記半導体自動試験装置における試験対象の半導体が配置される載置台の中心が、半導体自動試験装置のプロービング中心として定義されており、前記中心光学ターゲットには、前記半導体自動試験装置のプロービング中心と前記中心光学ターゲットとの間のずれた距離が表示されているラベルがつけられている、請求項6に記載のプラナリゼーション装置。
  8. 前記半導体試験装置は、試験対象の半導体が配置される載置台の周囲に設けられた複数のドッキング支持体を備えており、該ドッキング支持体は、前記試験対象の半導体と前記構造体との間の距離を調節するように上下方向の高さが調節できるように構成されており、前記載置台の中心が、半導体自動試験装置のプロービング中心として定義されており、前記半導体自動試験装置上の各ドッキング支持体が、対応する光学ターゲットを有し、前記プロービング中心から前記光学ターゲットまでの距離が光学ターゲット半径であり、前記プロービング中心から前記ドッキング支持体までの距離がドッキング支持体半径であり、各光学ターゲットは、各光学ターゲット半径とそれに対応するドッキング支持体半径との比が等しくなるように配置されている、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  9. 前記前部平坦面上には、指示線が描かれており、該指示線は、前記前部平坦面の中心を各光学ターゲットへと結ぶものである、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
  10. 前記光学ターゲットが、前記前部平坦面に対して垂直方向の高さを有し、前記光学ターゲットの各々には、前記垂直方向の高さが表示されているラベルがつけられている、請求項1に記載のプラナリゼーション装置。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1604218A2 (en) * 2003-03-14 2005-12-14 Applied Precision, LLC Method of mitigating effects of component deflection in a probe card analyzer
US7595629B2 (en) * 2004-07-09 2009-09-29 Formfactor, Inc. Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Okiセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
US7598725B2 (en) * 2005-12-30 2009-10-06 Teradyne, Inc. Alignment receptacle of a sensor adapted to interact with a pin to generate position data along at least two transverse axes for docking a test head
US7750657B2 (en) * 2007-03-15 2010-07-06 Applied Materials Inc. Polishing head testing with movable pedestal
JP5343278B2 (ja) * 2007-05-15 2013-11-13 日本電子材料株式会社 半導体試験装置
CA2592901C (en) * 2007-07-13 2012-03-27 Martin Blouin Semi-generic in-circuit test fixture
US7791361B2 (en) * 2007-12-10 2010-09-07 Touchdown Technologies, Inc. Planarizing probe card
JP5222038B2 (ja) * 2008-06-20 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9702906B2 (en) * 2015-06-26 2017-07-11 International Business Machines Corporation Non-permanent termination structure for microprobe measurements
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
CN106558511A (zh) * 2015-10-22 2017-04-05 安徽超元半导体有限公司 一种设定晶圆针测针压的自动设定系统
US10725138B2 (en) 2015-12-11 2020-07-28 Infineon Technologies Ag Scattering parameter calibration to a semiconductor layer
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
JP6832654B2 (ja) * 2016-09-09 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 検査システムの調整方法およびそれに用いる補助エレメント
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10761128B2 (en) * 2017-03-23 2020-09-01 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for inline parts average testing and latent reliability defect detection
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
KR102014334B1 (ko) * 2017-09-28 2019-08-26 한국생산기술연구원 기판 검사 카트리지 및 이의 제조 방법
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11022628B2 (en) 2019-09-13 2021-06-01 Reid-Ashman Manufacturing, Inc. Probe card support apparatus for automatic test equipment
TWI771805B (zh) * 2020-11-18 2022-07-21 致茂電子股份有限公司 探針頭連接方法
US11668745B1 (en) * 2022-03-09 2023-06-06 Nanya Technology Corporation Probe apparatus having a track and wafer inspection method using the same
US11747394B1 (en) * 2022-03-09 2023-09-05 Nanya Technology Corporation Probe apparatus with a track
CN117438331B (zh) * 2023-12-20 2024-04-12 武汉芯极客软件技术有限公司 一种半导体cp测试程序的混版本兼容方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315711A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Sony Corp 半導体測定装置
JP2002033359A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Ando Electric Co Ltd Icテスタ、そのテストヘッド用基準位置設定器具、及びその接続機構の接続位置制御方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125033A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 平行度調整装置
JPH07142542A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プローブ装置
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5642056A (en) * 1993-12-22 1997-06-24 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for correcting the probe card posture before testing
EP0675366B1 (en) * 1994-03-31 2005-01-12 Tokyo Electron Limited Probe system and probe method
US5528158A (en) * 1994-04-11 1996-06-18 Xandex, Inc. Probe card changer system and method
US5851759A (en) * 1996-04-19 1998-12-22 Chiron Corporation Heteroduplex tracking assay (HTA) for genotyping HCV
JP3364401B2 (ja) * 1996-12-27 2003-01-08 東京エレクトロン株式会社 プローブカードクランプ機構及びプローブ装置
US5861759A (en) * 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
US6040700A (en) * 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
US6043668A (en) * 1997-12-12 2000-03-28 Sony Corporation Planarity verification system for integrated circuit test probes
US6509751B1 (en) * 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
US6441629B1 (en) * 2000-05-31 2002-08-27 Advantest Corp Probe contact system having planarity adjustment mechanism

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315711A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Sony Corp 半導体測定装置
JP2002033359A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Ando Electric Co Ltd Icテスタ、そのテストヘッド用基準位置設定器具、及びその接続機構の接続位置制御方法

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