KR100881237B1

KR100881237B1 - 프로브 선단 위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장매체 및 프로브 장치

Info

Publication number: KR100881237B1
Application number: KR1020070030961A
Authority: KR
Inventors: 마사히토 고바야시; 다카노리 햐쿠도미
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2006-03-30
Filing date: 2007-03-29
Publication date: 2009-02-03
Also published as: US20070229098A1; JP4996119B2; TW200746337A; JP2007273631A; TWI431703B; KR20070098670A; US7397257B2

Abstract

본 발명의 프로브의 선단위치의 검출방법은, 웨이퍼와 동일배열의 전극(P)을 복수개 가지는 검출용 기판(W)에 투명필름(F)을 붙이는 공정과, 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)을, 제 1 CCD 카메라(13A)를 이용하여 투명필름(F)을 통하여 검출는 공정과, 스위치프로브(19)를 이용하여 투명필름(F)의 표면높이를 검출하는 공정과, 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)과 복수의 프로브(12A)의 위치 정렬을 하는 공정과, 투명필름(F)의 표면높이에 근거하여 탑재대(11)를 상승시켜 복수의 프로브(12A)와 투명필름(F)을 접촉시켜 투명필름(F)에 침흔(M)을 남기는 공정과, 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)과 투명필름(F)의 침흔(M)에 근거하여 복수의 프로브(12A)의 선단의 위치를 검출하는 공정을 구비하고 있다.

Description

프로브 선단 위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장 매체 및 프로브 장치{DETECTION METHOD OF PROBE'S TIP LOCATION, STORAGE MEDIUM STORING THE METHOD, AND PROBE DEVICE }

도 1은 본 발명의 프로브 장치의 1 실시형태를 나타내는 개념도이다.

도 2는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법의 일실시형태의 요부를 나타내는 단면도이다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법의 일실시형태의 전단을 나타내는 공정도이다.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법의 일실시형태의 후단을 나타내는 공정도이다.

도 5는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법의 일실시형태의 최후를 나타내는 공정도이다.

도 6a 및 도 6b는 각각 투명필름 너머로 검출용 기판을 검출할 때의 설명도로, (a)는 검출용 기판의 실제의 높이를 도시한 도면, (b)는 검출용 기판의 외관상의 높이를 도시하는 도면이다.

도 7a 및 도 7b는 각각 CCD 카메라를 사용하여 검출용 기판의 실제의 표면높 이와 외관상의의 표면높이를 검출하는 사시도이다.

도 8은 (a), (b)는 각각 스위치프로브를 사용하여 투명필름의 두께를 측정하는 사시도이다.

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피검사체의 전기적 특성검사를 할 때에 사용하는 프로브의 선단위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장 매체 및 프로브 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 프로브 카드의 복수의 프로브 각각의 선단위치를 고정밀도로 검출할 수 있고, 나아가서는 검사의 신뢰성을 높일 수 있는 프로브의 선단위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장 매체 및 프로브 장치에 관한 것이다.

프로브 카드를 이용하여 반도체 웨이퍼 등의 피검사체의 전기적 특성검사를 하는 경우에는, 예컨대 카메라에 의하여 프로브 카드에 마련된 복수의 프로브의 선단을 촬상하여, 프로브의 선단위치를 검출하고, 피검사체의 전극과 프로브를 접촉시켜 검사를 한다. 카메라를 이용한 프로브의 선단위치의 검출에는, 프로브의 선단에 카메라의 초점을 맞추는 데 시간이 걸려, 그 결과 피검사체와 프로브 카드의 정렬에 많은 시간을 내지 않을 수 없기 때문에, 통상, 모든 프로브에 대하여 실행하지 않고, 예컨대 대표적인 몇 개의 프로브를 선택하여 행하고 있다. 그러나, 전극 이 미세화한 경우, 모든 프로브가 각각의 전극에 잘 맞지 않을 가능성이 나오기 때문에, 가능한 한 모든 프로브의 선단의 위치를 검출할 수 있는 쪽이, 프로브와 웨이퍼의 정렬를 하는 경우에 바람직하다.

또한, 복수의 프로브 카드 제조사로부터 여러가지 종류의 프로브 카드가 개발되기 때문에, 그때마다 복수의 프로브를 삼차원으로 화상 인식할 수 있는 전용 알고리즘을 개발할 필요가 생긴다. 이때 막대한 비용이 들기 때문에, 이차원의 필름 상에 복수의 프로브를 전사하는 것이 가능하다면, 알고리즘의 개발을 용이하게 할 수 있다.

따라서, 특허문헌 1에는 프로브의 검출 시간을 단축한 프로브검사 방법 및 프로브검사 장치에 대하여 기재되어 있다. 이 기술에서는, 검사 전에 프로브 카드의 복수의 프로브의 선단흔적을 변형체에 전사하고, 이 침흔개구의 크기에 근거하여 프로브의 전극에의 삽입 깊이를 산출하여, 더욱 프로브의 위치 정렬을 단축하고 있다. 또한, 프로브의 선단흔적 및 프로브의 삽입 깊이를 측정하는 수단으로서 정전 용량을 이용한 위치센서가 기재되어 있다. 또한, 이 문헌 1에는 매트릭스형상으로 배열된 전극을 가지는 위치센서를 이용하여 복수의 프로브의 X, Y좌표위치를 검출하는 것에 대하여 기재되어 있다.

또한, 특허문헌 2에는 엘라스토머조성물로 이루어지는 프로브위치조정용필름에 대하여 기재되어 있다. 이 프로브위치조정용필름에 프로브를 접촉시켜 상흔을 남기고, 이 상흔과 집적 회로의 전극부의 위치관계를 확인하여, 필요에 따라 상흔과 전극부의 관계로부터 프로브의 위치를 조정한다.

또한, 특허문헌 3에는 위치 정렬 방법에 대하여 기재되어 있다. 이 방법에서는, 프로브의 침흔을 더미 웨이퍼 상에 남겨 카메라로 검출하는 것에 의해 탐침의 방향과 설정위치를 인식한다.

특허문헌 4에는 검사 방법에 대하여 기재되어 있다. 이 방법에서는, 탑재대 옆의 지지대에 배치된 전사시트에 열팽창한 프로브를 압접하여 전사시트에 침흔을 남기고, 전사시트의 침흔을 검출한 후, 열팽창 후의 프로브와 웨이퍼를 위치 정렬하도록 하고 있다.

또한, 특허문헌 5에는 반도체검사 방법에 대하여 기재되어 있다. 이 방법에서는, 탑재대 상에 투명 수지부재로 이루어지는 플레이트를 공급하고, 플레이트에 침흔을 남겨, 이 침흔의 화상 정보에 근거하여 구동부가 구동하여 탑재대 상의 반도체 소자와 검사침의 위치 정렬을 한다.

또한, 특허문헌 6에는 프로브검사 방법에 대하여 기재되어 있다. 이 방법에서는, 탑재대의 옆에 배치된 소편의 중앙에 형성된 X, Y 방향의 기준점이 되는 십자 마크를 타겟으로 하여 탑재대의 X, Y, θ방향의 위치를 인식한다. 또한, Z방향의 위치에 대해서는 타겟의 주변에 형성된 도전성박막과 정전 용량센서로 인식한다. 그리고, 검사를 할 때는, 최초의 칩의 전극 패드에 발생한 침흔을 CCD 카메라로 검출하고, 이 침흔에 근거하여 그 후의 검사를 실행할지 실행하지 않을지를 판단하고 있다.

[특허문헌 1]일본 특허공개 2001-189353

[특허문헌 2]일본 특허공개 2005-308549

[특허문헌 3]일본 특허공개 평성 제02-224260

[특허문헌 4]일본 특허공개 2005-079253

[특허문헌 5]일본 특허공개 평성 제04-330750

[특허문헌 6]일본 특허공개 평성 제07-147304

특허문헌 1의 기술의 경우에는, 변형체에 형성된 프로브흔적에 의해 프로브의 선단위치나 프로브의 삽입 깊이를 알 수 있지만, 변형체로는 프로브와 피검사체의 위치관계를 알 수 없다. 또한, 특허문헌 2의 기술의 경우에는, 프로브에 의해서 프로브위치조정용필름에 상흔을 남김으로써, 상흔과 집적 회로의 전극부의 위치관계를 확인할 수 있다고 기재되어 있지만, 상흔과 전극부의 위치관계를 확인하는 수법에 대하여 구체적으로는 전혀 언급되어 있지 않다.

또한, 특허문헌 3, 4의 기술에서는, 모두 더미 웨이퍼나 전사시트에 복수의 프로브의 침흔을 남기고, 웨이퍼의 탑재대를 이동시켜, 이들 침흔을 하나씩 촬상 수단으로 검출하기 때문에, 탑재대의 이동횟수가 많아질수록 이동량의 오차가 누적되어, 나중에 검출되는 침흔일수록 검출정밀도가 나빠진다.

또한, 특허문헌 5의 기술도 플레이트에 탑재대 상의 일부에 플레이트를 공급하고, 이 플레이트에 복수의 검사침의 침흔을 남겨 프로브의 위치를 검출하는 점에서는 특허문헌 3, 4의 기술과 공통된다. 또한, 특허문헌 6에 기술은 검사 시에 최초의 칩의 전극 패드에 직접 침흔을 남겨, 그 후의 검사를 실행하는 2회째 이후의 검사를 실행할지 판단하기 때문에, 사전에 복수의 프로브와 웨이퍼 전면의 전극 패 드의 위치관계를 확인하는 것은 불가능하다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 고온에서도 복수의 프로브와 피검사체의 검사용 전극의 위치관계를 고속으로 또한 고정밀도로 검출할 수 있고, 그에 의해 전기적 특성검사의 신뢰성을 높일 수 있는 프로브의 선단위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장 매체 및 프로브 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명의 일 양태에 의하면, 피검사체에 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성검사를 행하는 데 있어서, 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 방법으로서, 상기 피검사체와 동일배열의 전극을 복수개 가지는 기판에 투명필름을 붙이는 제 1 공정과, 촬상 수단을 이용하여 상기 투명필름을 통해 상기 기판의 복수의 전극을 검출하는 제 2 공정과, 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 제 3 공정과, 제 2 공정에서 검출된 상기 기판의 전극과 상기 복수의 프로브의 위치 정렬을 하는 제 4 공정과, 상기 표면높이에 근거하여 상기 복수의 프로브와 상기 투명필름을 접촉시켜 상기 투명필름에 침흔을 남기는 제 5 공정과, 상기 복수의 전극과 상기 투명필름의 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 제 6 공정을 포함하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

바람직하게는 상기 제 3 공정에서, 접촉센서를 상기 투명필름의 표면에 접촉 시켜, 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제 3 공정에서는, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이를 측정하고, 이 높이차와 상기 투명필름의 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제 4 공정에 앞서, 상기 투명필름의 표면높이에 근거하여 상기 기판의 오버드라이브량을 결정하는 것을 특징으로 하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제 3 공정에 앞서, 접촉센서를 이용하여 상기 기판의 투명필름의 두께를 측정하고, 또한, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 상기 기판의 높이의 보정값으로서 구하고, 상기 투명필름의 두께와 상기 보정값에 근거하여 상기 투명필름의 굴절률을 구하고, 상기 제 3 공정에서 상기 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 미리, 접촉센서를 이용하여 두께가 다른 상기 투명필름의 두께를 측정하고, 또한, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 각 투명필름에 대하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 보정값으로서 구하고, 상기 각 투명필름의 두께와 상기 각 투명필름의 보정값의 상관관계에 근거하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차로부터 상기 투명필름의 표 면높이를 구하는 것을 특징으로 하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 투명필름을 박리하는 제 7 공정을 더 포함하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제 7 공정에 앞서, 상기 투명필름에 자외선을 조사하는 프로브 선단위치의 검출 방법을 가진다.

발명의 다른 일 양태에 따르면, 컴퓨터를 구동시켜, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항 기재된 상기 프로브의 선단위치의 검출 방법을 실행시키는 것을 특징으로 하는 저장 매체를 가진다.

발명의 다른 일 양태에 따르면, 제어 장치의 제어하에서, 피검사체에 복수의 프로브를 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성검사를 행함에 있어서, 상기 피검사체와 동일배열의 전극을 복수개 가지는 기판에 붙여진 투명필름에 상기 복수의 프로브의 침흔을 남겨서 이들 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단을 검출하는 프로브 장치에 있어서, 상기 기판을 촬상하는 촬상 수단과, 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 수단과, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 투명필름을 통해 상기 기판을 촬상하여 상기 복수의 전극과 상기 복수의 프로브의 위치 정렬을 행하는 수단과, 상기 표면높이에 근거하여 상기 복수의 프로브와 상기 투명필름을 접촉시켜 상기 투명필름에 침흔을 남기는 수단과, 상기 복수의 전극과 상기 투명필름의 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 수단을 포함하는 프로브 장치를 가진다.

바람직하게는 상기 투명필름의 표면에 접촉하여, 상기 투명필름의 표면높이를 검출하는 접촉센서를 더 포함하는 프로브 장치를 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제어 장치는, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 높이차와 상기 투명필름의 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 산출하는 수단을 포함하는 프로브 장치를 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제어 장치는, 상기 투명필름의 표면높이에 근거하여 상기 기판의 오버드라이브량을 구하는 수단을 더 포함하는 프로브 장치를 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제어 장치는, 상기 접촉센서의 검출값에 근거하여 상기 기판의 투명필름의 두께를 산출하는 수단과, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 상기 기판의 높이의 보정값으로서 구하는 수단과, 상기 투명필름의 두께와 상기 보정값에 근거하여 상기 투명필름의 굴절률을 구하는 수단을 더 포함하는 프로브 장치를 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 제어 장치는, 상기 접촉센서를 이용하여 측정된 복수의 투명필름의 두께를 각각 저장하는 수단과, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 각 투명필름에 대하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 보정값으로서 저장하는 수단과, 상기 각 투명필름의 두께와 상기 각 투명필름의 보정값의 상관관계에 근거하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차로부터 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 수단을 더 포함하는 프로브 장치를 가진다.

또한, 바람직하게는 상기 투명필름에 자외선을 조사하는 수단을 더 포함하는 프로브 장치를 가진다.

이하, 도 1∼도 8에 나타내는 실시형태에 근거하여 본 발명을 설명한다.

(제 1 실시형태)

우선, 본 발명의 프로브 장치에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 프로브 장치(10)는, 예컨대 도 1에 도시하는 바와 같이, 피검사체인 웨이퍼를 탑재하는 이동 가능한 탑재대(11)와, 이 탑재대(11)의 위쪽에 배치된 프로브 카드(12)와, 이 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)와 탑재대(11) 상의 웨이퍼의 정렬을 행하는 정렬기구(13)와, 탑재대(11) 및 정렬기구(13) 등을 제어하는 제어 장치(14)를 구비하고, 제어 장치(14)의 제어하에서 정렬기구(13)가 구동하여, 탑재대(11) 상의 웨이퍼와 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)의 정렬을 행한 후, 복수의 프로브(12A)와 웨이퍼를 전기적으로 접촉시켜 웨이퍼의 전기적 특성검사를 하도록 구성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 프로브(12A)의 침흔을 검출하는 경우에는, 동 도면에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 대신에 투명필름(F)이 붙여진 기판(검출용 기판)(W)을 탑재대(11)에 탑재한다.

탑재대(11)는, 제어 장치(14)의 제어하에서 구동하는 구동 장치(15)를 거쳐서 X, Y, Z 및 θ방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 탑재대(11)의 측방에는 하중센서(로드 셀)(16)가 배치되어, 예컨대 프로브(12A)와의 접촉에 의해, 프로브(12A) 선단의 높이를 검출하도록 하고 있다. 프로브 카드(12)는, 카드홀더(17)를 통해 프로버실의 헤드 플레이트(18)에 부착되고, 자동 레벨링기구(22)를 통해 수평면을 만들도록 되어 있다.

또한, 정렬기구(13)는, 탑재대(11)에 로드 셀(16)로부터 둘레반대방향으로 배치된 제 2 촬상 수단(CCD 카메라)(13C)과, 정렬브리지(13B)에 고정된 제 1 촬상 수단(CCD 카메라)(13A)를 구비하여 구성되어 있다. 제 1 CCD 카메라(13A)는, 정렬브리지(13B)를 거쳐서 프로버실의 가장 안쪽 부분으로부터 프로브센터까지 진출하여 프로브 카드(12)와 탑재대(11)의 사이에 위치하고, 여기서 탑재대(11)가 X, Y방향으로 이동하는 사이에, 웨이퍼의 검사용 전극을 위쪽으로부터 검출하여 촬상하고, 그 화상 처리부(13D)에서 화상 처리하여 제어 장치(14)로 화상 신호를 송신한다. 제 2 CCD 카메라(13C)는, 프로브 카드의 아래쪽에서 탑재대(11)가 X, Y방향으로 이동하는 사이에, 프로브 카드(12)의 아래쪽으로부터 복수의 프로브(12A)를 순차적으로 검출하여 촬상하고, 그 화상 처리부(13E)에서 화상 처리하여 제어 장치(14)로 화상 신호를 송신한다.

또한, 정렬브리지(13B)에는 접촉센서(스위치프로브)(19)가 부착되어, 스위치프로브(19)에 의해서 탑재대(11) 상의 검출용 기판(W) 등의 표면높이를 검출하도록 되어 있다. 또한, 정렬브리지(13B)에는 레이저 측정기(20) 및 자외선조사 장치(21)가 부착되어 있다. 레이저 측정기(19)는, 예컨대 로드 셀(16)의 표면높이를 측정하고, 자외선조사 장치(21)는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법에서 사용되는 투명필름의 점착제를 열화시켜 투명필름을 검출용 기판(W)에서 벗기기 쉽게 한 다.

또한, 제어 장치(14)는, 중앙 연산 처리 장치 및 저장 장치를 구비하여, 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법을 실행할 때에, 중앙 연산 처리 장치에 있어서 프로브 장치(10)의 각 구성기기와의 사이에서 여러가지의 정보 신호를 송수신하고, 여러가지의 연산 처리를 하고, 그 연산 처리 결과 등 각종의 정보를 저장 장치에 저장한다. 저장 장치는 주 저장 장치 및 보조 저장 장치로 이루어진다. 보조 저장 장치에는 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법을 실행하기 위한 저장 매체가 포함되어 있다.

다음으로, 본 발명의 프로브의 선단위치의 검출 방법의 실시형태에 대하여 도 2∼도 8을 참조하면서 설명한다.

본 실시형태의 프로브의 선단위치의 검출 방법은, 웨이퍼의 전기적 특성검사에 앞서 실시된다. 이 검출 방법에서는, 실제의 검사 대상이 되는 웨이퍼와 동일하게 배열된 전극을 가지는 기판을 프로브의 선단위치의 검출용 기판으로서 이용한다. 그래서, 이하에서는 검사용 기판을 부호(W)를 사용하여 설명한다.

본 실시형태의 방법에서는, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이 검출용 기판(W)의 전극이 있는 측면에 투명필름을 붙이고, 이 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)과 이들에 대응하는 프로브(12A)의 정렬을 행한 후, 복수의 프로브(12A)로 투명필름(F)에 프로브(12A)의 침흔(M)을 남긴다. 그리고, 제 1 CCD 카메라(13A)(도 1 참조)를 이용하여, 검출용 기판(W)을 인덱스 이송하면서 침흔(M) 및 투명필름(F) 통하여 검출용 기판(W)의 전극(P)을 동시에 검출한다. 이와 같이 실제의 웨이퍼와 동일배열의 전극(P)을 가지는 검출용 기판(W)을 이용하여 전극(P)과 침흔(M)을 동시에 관찰하기 때문에, 침흔(M)과 검출용 기판(W)의 전극(P)을 관련지으면서 고밀도로 또한 동시에 검출할 수 있다. 따라서, 전사시트 등에 남은 복수의 침흔에 맞춰서 탑재대를 이동시켜 하나씩 침흔을 검출하는 종래의 방법과 비교하면, 탑재대의 이송에 의한 누적 오차가 없다.

여기서, 본 실시형태의 프로브의 선단위치의 검출 방법을 도 3∼도 8도 참조하면서 더욱 상세하게 설명한다.

우선, 도 2에 도시하는 바와 같이 검출용 기판(W)의 표면에 투명필름(F)을 붙인다. 투명필름(F)은, 소성 변형하고, 그 형태를 유지할 수 있는 소재에 의해 형성되어 있다. 이러한 소재로서, 예컨대 에틸렌비닐아세테이트(EVA)나 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 합성 수지가 바람직하게 이용된다. EVA는 예컨대 -40∼+70℃ 전후에서 사용되고, PET는 예컨대 70℃ 이상에서 사용된다.

그리고, 검출용 기판(W)을 프로브 장치(10)의 탑재대(11)에 탑재한다. 그리고, 검출용 기판(W)과 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)의 정렬을 하기 전에, 도 3의 (a)∼(e)에 도시하는 바와 같이 프로브 카드(12)의 수평도를 체크한다.

그러기 위해서는 우선, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 프로브 카드(12)의 아래쪽으로 탑재대(11)를 이동시켜, 탑재대(11)에 고정된 제 2 CCD 카메라(13C)를 이용하여 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)의 X, Y위치를 검출한다. 그 후, 동 도면의 (b)에 도시하는 바와 같이, 정렬브리지(13B)가 프로브센터까지 진출한 후, 탑재대(11)의 로드 셀(16)이 정렬브리지(13B)의 레이저 측정기(19)의 바로 아래가 되도록 탑재대(11)가 이동하고, 레이저 측정기(19)에서 레이저광(L)을 로드 셀(16)을 향해서 조사하여, 기준위치에 있는 로드 셀(16)의 표면높이를 거리 측정한 후, 정렬브리지(13B)가 프로브센터로부터 퇴피한다. 이들 측정 결과를 제어 장치(14)의 보조 저장 장치에 저장한다.

그 후, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 제어 장치(14)의 제어하에서 로드 셀(16)이 네 구석의 프로브(12A)에 한 개씩 접촉하도록 탑재대(11)가 순차적으로 이동하여, 이들 프로브(12A)를 로드 셀(16)로 순차적으로 검출한다. 제어 장치(14)에서는 중앙 연산 처리 장치에서 로드 셀(16)의 그 기준위치와의 관계로부터 프로브(12A)의 선단위치를 구한다. 네 구석의 프로브(12A)의 선단위치의 사이에 높이차가 있으면, 제어 장치(14)의 제어하에서 이들 높이차에 근거하여 동 도면의 (d)에 도시하는 바와 같이 자동 레벨링기구(22)가 구동하여, 프로브 카드(12)가 수평이 되도록 조정한다. 계속해서, 동 도면의 (e)에 도시하는 바와 같이 제 2 CCD 카메라(13C)로 네 구석의 프로브(12A)의 선단위치를 검출하여, 이들 프로브(12A)가 동일높이가 된 것을 확인한다. 그리고, 이 높이를 제어 장치(14)의 보조 저장 장치에 저장한다. 이들 일련의 동작으로 프로브 카드(12)의 수평을 만든 후, 도 4의 (a)∼(d)에 도시하는 바와 같이 검출용 기판(W)의 전극(P)과 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)의 정렬을 한다.

그러기 위해서는 우선, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 정렬브리지(13B)가 프로브센터로 진출한 후, 검출용 기판(W)이 제 1 CCD 카메라(13A)의 바로 아래가 되도록 탑재대(11)가 이동한다. 그리고, 제어 장치(14)의 제어하에서 탑재 대(11)가 검출용 기판(W)의 인덱스 이송을 하여, 제 1 CCD 카메라(13A)로 검출용 기판(W)의 복수의 전극을 투명필름(F) 너머로 각각 검출한다. 이에 의해, 검출용 기판(W)과 복수의 프로브(12A)의 정렬을 종료한다. 그 후, 제어 장치(14)의 제어하에서 탑재대(11)가 상승하고, 투명필름(F)과 복수의 프로브(12A)가 접촉하여, 투명필름(F)의 표면에 침흔(M)을 남긴다. 투명필름(F)에 침흔(M)을 남기기 위해서는, 탑재대(11) 상에 있어서의 투명필름(F)의 표면높이를 구하여, 제어 장치(14)에 부여하여야 한다.

그래서, 본 실시형태에서는, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이 정렬브리지(13B)에 부착된 스위치프로브(19)를 사용하여 투명필름(F)의 표면높이를 검출한다. 그러기 위해서는 탑재대(11)에 고정된 제 2 CCD 카메라(13C)를 이용하여 스위치프로브(19)의 선단높이를 검출한다. 이어서, 탑재대(11)가 스위치프로브(19)의 바로 아래까지 이동한 후, 탑재대(11)가 상승하여 투명필름(F)과 스위치프로브(19)가 접촉시켜 투명필름(F)의 표면을 검출한다. 제어 장치(14)에서는, 중앙 연산 처리 장치에 있어서 제 2 CCD 카메라(13C)로 스위치프로브(19)를 검출했을 때의 탑재대(11)의 높이와, 투명필름(F)의 표면을 검출했을 때의 탑재대(11)의 높이에 근거하여 투명필름(F)의 표면높이를 산출하여, 그 표면높이를 보조 저장 장치에 저장한다.

그리고, 제어 장치(14)의 중앙 연산 처리 장치에 있어서 프로브(12A)의 높이와 투명필름(F)의 표면높이의 차를 구하여, 이 차분만큼 제어 장치(14)에 의해 탑재대(11)를 상승시키는 것에 의해, 동 도면의 (c)에 도시하는 바와 같이 검출용 기 판(W)과 프로브(12A)가 접촉하고, 또한 제어 장치(14)의 제어하에서 미리 설정된 오버드라이브량만큼 탑재대(11)가 상승하면, 도 2에 도시하는 바와 같이 투명필름(F)의 표면에 침흔(M)을 남길 수 있다.

계속해서, 동 도면의 (d)에 도시하는 바와 같이 제어 장치(14)의 제어하에서, 정렬브리지(13B)가 프로브센터로 진출하고, 제 1 CCD 카메라(13A)의 아래쪽에서 탑재대(11)가 고속으로 인덱스 이송되면, 제어 장치(14)에서는 제 1 CCD 카메라(13A)를 이용하여 검출용 기판(W)의 전극(P)과 투명필름(F)의 침흔(M)을 동시에 고속으로 인식할 수 있다. 이 결과에 근거하여, 검출용 기판(W)의 전극(P)과 침적(M)의 위치 어긋남 등의 위치관계를 정확하게 알 수 있다. 그리고, 투명필름(F)으로부터 검출된 프로브(12)의 선단위치의 위치 데이터를 제어 장치(14)의 보조 저장 장치에 기록해 두는 것에 의해, 웨이퍼의 전극 패드와 프로브(12A)를 정확하게 정렬할 수 있어, 검사의 신뢰성을 높일 수 있다.

상술한 바와 같이 하여 투명필름(F)을 사용하여 프로브(12A)의 침흔(M)과 검출용 기판(W)의 전극(P)의 관계로부터 프로브(12A)의 선단위치를 검출한 후, 얼라이먼트브리지(13B)가 프로브센터로 진출한다. 그리고, 탑재대(11)가 이동하여 정렬브리지(13B)의 자외선조사 장치(21)의 바로 아래에 검출용 기판(W)의 중심부에 배치된다. 그리고, 도 5의 (a)에 화살표로 도시하는 바와 같이 자외선조사 장치(21)에서 투명필름(F)에 자외선을 조사하여 투명필름(F)의 점착제를 열화 시킨다. 이에 의해 동 도면의 (b)에 도시하는 바와 같이 투명필름(F)이 검출용 기판(W)으로부터 간단히 벗길 수 있는 상태가 된다. 그 후, 탑재대(11)로부터 검출용 기판(W)을 꺼 내, 검사용 기판(W)을 손상하는 일 없이 검사용 기판(W)으로부터 투명필름(F)을 간단히 박리할 수 있어, 검출용 기판(W)을 되풀이하여 사용할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 웨이퍼의 검사를 하기 전에 실행하는 프로브의 선단위치를 검출하는 방법으로서, 웨이퍼와 동일배열의 전극(P)을 복수개 가지는 검출용 기판(W)에 투명필름(F)을 붙이는 제 1 공정과, 이 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)을, 제 1 CCD 카메라(13A)를 이용하여 투명필름(F)을 통해 검출하는 제 2 공정과, 스위치프로브(19)를 이용하여 투명필름(F)의 표면높이를 검출하는 제 3 공정과, 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)과 복수의 프로브(12A)의 위치 정렬을 하는 제 4 공정과, 투명필름(F)의 표면높이에 근거하여 탑재대(11)를 상승시켜 복수의 프로브(12A)와 투명필름(F)을 접촉시켜 투명필름(F)에 침흔(M)을 남기는 제 5 공정과, 검출용 기판(W)의 복수의 전극(P)과 투명필름(F)의 침흔(M)에 근거하여 복수의 프로브(12A)의 선단의 위치를 검출하는 제 6 공정을 구비하고 있기 때문에, 고온에서도, 검출용 기판(W)에 고정밀도로 형성된 전극(P)을 이용하여, 탑재대(11)를 고속으로 인덱스 이송함으로써, 제 1 CCD 카메라(13A)에 의해서 모든 프로브(12A)의 선단위치를 고속 및 고정밀도로 검출할 수 있고, 그 후의 웨이퍼의 검사공정에서는 웨이퍼의 복수의 전극 패드와, 이들 전극 패드에 대응하는 복수의 프로브(12A)를 위치가 어긋남 없이 정확하게 전기적으로 접촉시킬 수 있고, 나아가서는 신뢰성이 높은 검사를 할 수 있다. 또한, 자외선조사 장치(21)에서 투명필름(F)을 통하여 검사용 기판(W)에 자외선을 조사하는 것에 의해, 투명필름(F)을 검출용 기판(W)으로부터 간단하게 박리할 수 있어, 검출용 기판(W)을 반복하여 사용 할 수 있다.

(제 2 실시형태)

상기 실시형태에서는 제 3 공정에서 스위치프로브(19)를 사용하여 투명필름(F)의 표면높이를 직접 측정하는 경우에 대하여 설명했지만, 본 실시형태에서는 제 3 공정에서는 투명필름(F)의 굴절률을 이용하여 투명필름(F)의 표면높이를 구한 뒤 프로브의 위치를 검출하는 점에 특징이 있다. 투명필름(F)의 굴절률을 이용하여 투명필름(F)의 표면높이를 구하는 것 외에는 제 1 실시형태와 동일하기 때문에, 본 실시형태의 다른 특징에 대하여만 설명한다.

제 1 CCD 카메라(13A)로 투명필름(F)을 통해 검출용 기판(W)의 전극(P)을 검출하면, 도 2, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이 투명필름(F)에서 빛이 굴절하여, 검출용 기판(W)의 실제의 표면높이를 검출할 수 없고, 제어 장치(14)에서는 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이 검출용 기판(W)의 외관상의 표면높이를 검출한다. 더구나, 제 1 CCD 카메라(13A)는 투명필름(F)의 표면을 검출할 수가 없기 때문에, 실제의 투명필름(F)의 표면높이를 모른다. 그래서, 투명필름(F)의 굴절률을 이용함으로써, 검출용 기판(W)의 외관상의 표면높이에 보정을 가하여 실제의 표면높이를 구할 수 있다. 또한, 도 6의 (a), (b)에서는 침흔 및 전극은 생략되어 있다.

즉, 제 1 CCD 카메라(13A)의 개구수 N. A. (=sinθ)는 이미 알고 있기 때문에, 이 개구수와 투명필름(F)의 굴절률(n)에 의해서 투명필름(F)의 두께(L1)를 제어 장치(14)의 중앙 연산 처리 장치에서 구할 수 있다. 투명필름(F)의 굴절률을 n 이라고 하면, 도 6의 (b)에 나타내는 관계로부터, 하기의 식 1이 성립한다.

L1*tanø=(L1+L2)*tanθ···식 1

식 1에 있어서, tanø, tanθ은 이미 알고 있으며, L2는 제 1 CCD 카메라(13A)에 의해서 측정할 수 있다. 즉, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이 제 1카메라(13A)에 의해서 투명필름(F)의 외측에서 검출용 기판(W)을 검출하여, 도 6의 (b)의 일점쇄선의 위치에 있는 검사용 기판(W)의 표면높이를 실제로 검출한다. 이 때의 탑재대(11)의 위치를 보조 저장 장치에 저장한다. 이어서, 탑재대(11)를 이동시켜 제 1 CCD 카메라(13A)에 의해서 투명필름(F)을 통해 검출용 기판(W)을 검출하면, 도 6의 (a)에 있는 검출용 기판(W)을 검출할 수 있다. 이때의 탑재대(11)의 위치를 보조 저장 장치에 저장한다. 중앙 연산 처리 장치에 있어서 도 6의 (a)에 나타내는 검출위치로부터 동 도면의 (b)에 나타내는 검출위치를 빼면, L2를 구할 수 있다. 여기서, tanø, tanθ 및 L2가 이미 알고 있는 것이므로, 이들 값을 식 1에 대입함으로써 L1, 즉 투명필름(F)의 두께를 구할 수 있다.

따라서, 투명필름(F)을 통해 검출용 기판(W)을 검출했을 때의 도 6의 (b)에 나타나는 검출용 기판(W)의 외관상의 표면높이에 보정값(L2)으로 표면높이를 보정하는 것에 의해 투명필름(F) 너머의 검출용 기판(W)의 실제의 높이를 구할 수 있다. 또한, 식 1에 의해서 구한 투명필름(F)의 두께(L1)를 가산하는 것에 의해 투명필름(F)의 표면높이를 계산에 의해 구할 수 있다. 이와 같이 검출용 기판(W)의 표면높이와 투명필름(F)의 표면높이로부터, 검사용 기판(W)의 오버드라이브량을 정확하게 설정할 수 있다. 그 다음, 제 1 실시형태와 동일한 순서에 따라서 투명필 름(F)의 표면에 프로브(12A)의 침흔(M)을 남길 수 있다. 즉, 투명필름(F)의 굴절률(n)이 이미 알고 있다면, 제 1 CCD 카메라(13A)를 사용하여 투명필름(F)의 표면높이를 계산에 의해서 구할 수 있고, 검출용 기판(W)의 오버드라이브량도 정확하게 설정할 수 있다. 그 밖에, 제 1 실시형태와 동일한 작용 효과를 가질 수 있다.

또한, 투명필름(F)의 두께(L1)는, 도 8의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이 스위치프로브(19)를 사용하는 것에 의해 구할 수 있다. 즉, 동 도면의 (a)에 도시하는 바와 같이 스위치프로브(19)를 투명필름(F)의 외측에서 검출용 기판(W)에 접촉시켜, 검출용 기판(W)의 표면높이를 검출한다. 이어서, 탑재대(11)를 이동시켜 투명필름(F)의 위쪽에 스위치프로브(19)를 배치하고, 탑재대(11)를 상승시켜 투명필름(F)과 스위치프로브(19)를 접촉시켜, 투명필름(F)의 표면높이를 검출한다. 투명필름(F)의 표면높이로부터 검출용 기판(W)의 표면높이를 뺌으로써 투명필름(F)의 두께(L1)를 구할 수 있다.

따라서, 제 1 CCD 카메라(13A)와 스위치프로브(19)를 사용하는 것에 의해 투명필름(F)의 표면높이를 간단하게 구할 수 있다.

(제 3 실시형태)

본 실시형태는 투명필름(F)의 굴절률(n)이 미지인 경우에, 투명필름(F)의 굴절률(n)을 구하는 점에 특징이 있다. 이 경우에는 투명필름(F)의 굴절률(n)이 미지이기 때문에, 식 1에서 분명하듯 투명필름(F)의 두께(L1) 및 검사용 기판(W)의 높이의 보정값(L2)을 측정에 의해 구하여야 한다.

그러기 위해서는, 제 1 CCD 카메라(13A)를 사용하여 도 7의 (a), (b)에 나타내는 방법으로 검사용 기판(W)의 높이의 보정값(L2)을 구하고, 스위치프로브(19)를 사용하여 도 8의 (a), (b)에 나타내는 방법으로 투명필름(F)의 두께(L1)를 구한다. 제 1 CCD 카메라(13A)의 개구수는 이미 알고 있으므로, 이들 값을 식 1에 대입하는 것에 의해 tanø를 구할 수 있다. 여기서 투명필름(F)의 굴절률은 n=sinθ/sinø으로 표시되고, 이 식과 tanθ로부터 굴절률(n)을 구할 수 있다.

투명필름(F)의 두께(L1) 및 굴절률(n)은, 온도에 의해서 변화하기 때문에, 상기의 각 방법에 의해서, 어떤 두께의 투명필름(F)에 대해 두께와 온도의 상관관계 및 굴절률(n)과 온도의 상관관계를 구해 놓고, 보조 저장 장치에 저장시켜 놓을 수 있다. 그렇게 하면, 임의의 검사온도에 있어서의, 어떤 두께의 투명필름(F)의 두께(L1) 및 굴절률(n)은 각각의 상관관계로부터 간단하게 구할 수 있고, 나아가서는 투명필름(F)의 표면높이를 간단하게 구할 수 있다.

또한, 두께가 다른 복수의 투명필름(F)을 준비하여, 각각의 투명필름(F)에 대하여 스위치프로브(19)를 이용하여 각각의 투명필름(F)의 두께를 측정하고, 또한, 제 1 CCD 카메라(13A)를 이용하여 검사용기판(W) 높이의 보정값을 측정한다. 그리고, 이들 값으로부터 식 1에 근거하여 투명 필름(F)의 굴절률(n)을 산출한다. 그리고, 가로축에 투명필름(F)의 두께(L1)를 잡고, 세로축에 보정값(L2)을 잡아, 이들 양자의 상관관계를 구하여 놓는다. 이에 의해, 각 투명필름의 두께(L1)와 상기 각 투명필름의 보정값(L2)의 상관관계에 근거하여 측정되는 검출용 기판(W)의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차로부터 투명필름의 표면높이를 부여할 수 있다.

또한, 식 l을 이용하여 투명필름(F)의 두께(L1)와 검출용 기판(W)의 보정값(L2)의 상관관계를 구할 수 있다. 이 상관관계에 의해, 임의의 두께에 대한 보정값(L2)을 간단하게 구할 수 있고, 나아가서는 투명필름(F)의 실제의 표면높이를 간단하게 구할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 각 실시형태에 제한되는 것이 아니고, 필요에 따라서 각 구성요소를 적절히 변경할 수 있다.

이러한 본원 발명인 방법 및 장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

본 발명에 의하면, 고온에서도 복수의 프로브와 피검사체의 검사용 전극의 위치관계를 고속 및 고정밀도로 검출할 수 있고, 그에 의해 전기적 특성검사의 신뢰성을 높일 수 있는 프로브의 선단위치의 검출 방법, 이 방법을 기록한 저장 매체 및 프로브 장치를 제공할 수 있다.

Claims

피검사체에 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성검사를 행하는 데 있어서, 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 방법으로서,

상기 피검사체와 동일배열의 전극을 복수개 가지는 기판에 투명필름을 붙이는 제 1 공정과,

촬상 수단을 이용하여 상기 투명필름을 통해 상기 기판의 복수의 전극을 검출하는 제 2 공정과,

상기 투명필름의 표면높이를 구하는 제 3 공정과,

제 2 공정에서 검출된 상기 기판의 전극과 상기 복수의 프로브의 위치 정렬을 하는 제 4 공정과,

상기 표면높이에 근거하여 상기 복수의 프로브와 상기 투명필름을 접촉시켜 상기 투명필름에 침흔을 남기는 제 5 공정과,

상기 복수의 전극과 상기 투명필름의 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 제 6 공정을 포함하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 제 3 공정에서, 접촉센서를 상기 투명필름의 표면에 접촉시켜, 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 제 3 공정에서는, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이를 측정하고, 이 높이차와 상기 투명필름의 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 4 공정에 앞서, 상기 투명필름의 표면높이에 근거하여 상기 기판의 오버드라이브량을 결정하는 것을 특징으로 하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 3 항에 있어서,

상기 제 3 공정에 앞서, 접촉센서를 이용하여 상기 기판의 다른 투명필름의 두께를 측정하고, 또한, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 상기 기판의 높이의 보정값으로서 구하고, 상기 다른 투명필름의 두께와 상기 보정값에 근거하여 상기 투명필름의 굴절률을 구하고,

상기 제 3 공정에서 상기 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 1 항에 있어서,

미리, 접촉센서를 이용하여 두께가 다른 상기 투명필름의 두께를 측정하고, 또한, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 각 투명필름에 대하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 보정값으로서 구하고, 상기 각 투명필름의 두께와 상기 각 투명필름의 보정값의 상관관계에 근거하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차로부터 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 것을 특징으로 하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 기판으로부터 상기 투명필름을 박리하는 제 7 공정을 더 포함하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 제 7 공정에 앞서, 상기 투명필름에 자외선을 조사하는

프로브 선단위치의 검출 방법.
컴퓨터를 구동시켜, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 상기 프로브의 선단위치의 검출 방법을 실행시키는 것을 특징으로 하는 저장 매체.
제어 장치의 제어하에서, 피검사체에 복수의 프로브를 접촉시켜 상기 피검사체의 전기적 특성검사를 행함에 있어서, 상기 피검사체와 동일배열의 전극을 복수개 가지는 기판에 붙여진 투명필름에 상기 복수의 프로브의 침흔을 남겨서 이들 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단을 검출하는 프로브 장치에 있어서,

상기 기판을 촬상하는 촬상 수단과,

상기 투명필름의 표면높이를 구하는 수단과,

상기 촬상 수단을 이용하여 상기 투명필름을 통해 상기 기판을 촬상하여 상기 복수의 전극과 상기 복수의 프로브의 위치 정렬을 행하는 수단과,

상기 표면높이에 근거하여 상기 복수의 프로브와 상기 투명필름을 접촉시켜 상기 투명필름에 침흔을 남기는 수단과,

상기 복수의 전극과 상기 투명필름의 침흔에 근거하여 상기 복수의 프로브의 선단의 위치를 검출하는 수단을 포함하는

프로브 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 투명필름의 표면에 접촉하여, 상기 투명필름의 표면높이를 검출하는 접촉센서를 더 포함하는

프로브 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 제어 장치는, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 높이차와 상기 투명필름의 굴절률에 근거하여 상기 투명필름의 표면높이를 산출하는 수단을 포함하는

프로브 장치.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제어 장치는, 상기 투명필름의 표면높이에 근거하여 상기 기판의 오버드라이브량을 구하는 수단을 더 포함하는

프로브 장치.
제 12 항에 있어서,

상기 제어 장치는, 접촉센서의 검출값에 근거하여 상기 기판의 투명필름의 두께를 산출하는 수단과, 상기 촬상 수단을 이용하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 상기 기판의 높이의 보정값으로서 구하는 수단과, 상기 투명필름의 두께와 상기 보정값에 근거하여 상기 투명필름의 굴절률을 구하는 수단을 더 포함하는

프로브 장치.
제 10 항 또는 제 12항에 있어서,

상기 제어 장치는, 접촉센서를 이용하여 측정된 복수의 투명필름의 두께를 각각 저장하는 수단과, 상기 촬상 수단을 이용하여 상기 각 투명필름에 대하여 측정된 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차를 보정값으로서 저장하는 수단과, 상기 각 투명필름의 두께와 상기 각 투명필름의 보정값의 상관관계에 근거하여 측정되는 상기 기판의 외관상의 높이와 실제의 높이의 차로부터 상기 투명필름의 표면높이를 구하는 수단을 더 포함하는

프로브 장치.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 투명필름에 자외선을 조사하는 수단을 더 포함하는

프로브 장치.