KR100754543B1

KR100754543B1 - 프로브 장치

Info

Publication number: KR100754543B1
Application number: KR1020030057633A
Authority: KR
Inventors: 요시오까하루히코
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2002-08-23
Filing date: 2003-08-20
Publication date: 2007-09-04
Also published as: KR20040018165A; TW200403440A; US20050253611A1; JP4357813B2; US20040036861A1; TWI284737B; US6927587B2; JP2004085259A

Abstract

본 발명의 프로브 장치는 피검사체를 탑재하며 피검사체의 온도 조절이 가능한 탑재대와, 탑재대의 맞은편에 배치된 프로브 카드와, 탑재대와 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치와, 센서와 프로브 카드 사이의 거리를 측정하는 레이저 변위 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레이저 변위 센서에 의해 변형후의 프로브 카드의 높이를 검출하고, 탑재대의 상승 거리를 보정함으로써, 웨이퍼의 전극 패드와 프로브 핀을 항상 안정된 침압에 의해 전기적으로 접촉시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있으며 검사의 스루풋을 높일 수 있다.

Description

프로브 장치{PROBE APPARATUS}

도 1은 본 발명의 프로브 장치의 일 실시형태의 주요부의 단면을 도시한 개념도,

도 2는 도 1에 도시한 레이저 변위 센서를 이용하여 검출한 프로브 카드의 높이를 나타내는 그래프,

도 3은 본 발명의 프로브 장치의 다른 실시형태의 주요부의 단면을 도시한 개념도,

도 4는 본 발명의 프로브 장치의 또 다른 실시형태의 주요부의 단면을 도시한 개념도,

도 5a는 종래의 프로브 장치의 프로버실의 정면을 절단하여 도시한 단면도,

도 5b는 도 5a의 종래의 프로브 장치의 내부를 도시한 평면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 프로브 장치 12 : 메인 척(탑재대)

13 : XY 테이블(구동 장치) 14 : 프로브 카드

14A : 프로브 핀 16 : 레이저 변위 센서(센서)

W : 웨이퍼(피검사체)

본 발명은 프로브 장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 검사의 신뢰성을 높일 수 있는 프로브 장치에 관한 것이다.

반도체 장치의 제조 공정에서 웨이퍼에 형성된 디바이스의 전기적 특성 검사를 실행하는 경우에는 예컨대 도 5A, 5B에 도시한 프로브 장치가 이용된다. 프로브 장치는, 예컨대 도 5A, 5B에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하는 로더실(1)과, 로더실(1)로부터 인도된 웨이퍼(W)의 전기적 특성 검사를 실행하는 프로버실(2)을 구비하고 있다. 로더실(1)은 카세트 수납부(3)와, 웨이퍼(W)를 프로버실(2)로 반송하는 웨이퍼 반송 기구(4)와, 웨이퍼 반송 기구(4)에 의해 웨이퍼(W)를 반송하는 과정에서 그 오리엔테이션 플랫 또는 노치를 기준으로 하여 사전 정렬하는 서브 척(5)을 구비하고 있다.

또한, 프로버실(2)은 웨이퍼 반송 기구(4)로부터 사전 정렬후의 웨이퍼(W)를 탑재하고 또한 온도 조정 가능한 메인 척(6)와, 메인 척(6)을 X 및 Y 방향으로 이동시키는 XY 테이블(7)과, 메인 척(6)의 상방에 배치된 프로브 카드(8)와, 프로브 카드(8)의 복수의 프로브 핀(8a)과 메인 척(6)상의 웨이퍼(W)의 복수의 전극 패드(도시되지 않음)를 정확하게 위치 정렬하는 위치 정렬 기구(9)를 구비하고 있다. 정렬 기구(9)는 정렬 브릿지(9a)에 부착되고 또한 웨이퍼(W)를 촬상하는 상부 카메라(9b)와, 메인 척(6)에 부설(附設)되고 또한 프로브 핀(8a)을 촬상하는 하부 카메 라(9c)를 구비하고, 정렬 브릿지(9a)가 한 쌍의 가이드 레일(9d)을 따라서 프로버실(2)의 가장 끝 부분으로부터 중앙의 프로브 센터까지 진출하여, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(8a)의 정렬을 실행한다.

또한, 도 5A에 도시하는 바와 같이 프로버실(2)의 헤드 플레이트(2a)에는 테스터의 테스트 헤드(T)가 선회 가능하게 배치되고, 테스트 헤드(T)와 프로브 카드(8)는 퍼포먼스 보드(도시하지 않음)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 메인 척(6)상의 웨이퍼(W)를 예컨대 -20℃ 내지 +150℃의 범위에서 온도를 설정하고, 테스터로부터 검사용 신호를 테스트 헤드(T) 및 퍼포먼스 보드를 거쳐서 프로브 핀(8a)에 송신하고, 프로브 핀(8a)으로부터 웨이퍼(W)의 전극 패드에 검사용 신호를 인가하여 웨이퍼(W)에 형성된 복수의 반도체 소자(디바이스)의 전기적 특성 검사를 실행한다.

웨이퍼의 검사에는 고온 검사와 저온 검사가 있다. 고온 검사를 실행하는 경우에는 메인 척(6)에 내장된 온도 조절 기구에 의해 웨이퍼를 소정의 온도(100℃ 이상)까지 가열하여 웨이퍼의 검사를 실행하고, 저온 검사를 실행하는 경우에는 온도 조절 기구에 의해 웨이퍼를 소정의 온도(O℃ 이하의 마이너스 온도 영역)까지 냉각하여 웨이퍼의 검사를 실행한다.

그런데, 예컨대 고온 검사를 실행하는 경우에는, 100℃ 이상의 고온하에서 웨이퍼의 검사를 실행하기 때문에, 메인 척(6)으로부터의 방열에 의해 프로브 카드(8)가 가열되어 열 변형에 의해 휘고, 프로브 핀(8a)과 웨이퍼(W)의 전극 패드 사이의 Z 방향의 위치(Z 위치)가 예컨대 100㎛ 정도 변화되어 프로브 핀(8a)과 웨 이퍼(W)의 전극 패드의 접촉 불량이 발생하여, 검사의 신뢰성이 저하된다. 그러므로, 검사전에 메인 척(6)을 가열하고, 메인 척(6)과 프로브 카드(8)를 접근시켜 프로브 카드(8)를 예열한 후, 프로브 카드(8)의 열 변형을 예상한 의사 접촉 상태를 만든 후, 본래의 검사를 실시함으로써 프로브 핀(8a)과 전극 패드의 접촉 불량을 경감시킨다.

그러나, 예컨대 고온 검사시에는 검사전에 프로브 카드(8)를 예열하여 의사 접촉 상태를 만들어 프로브 카드(8)의 열 변형에 의한 Z 방향의 변위량을 예상했다고 하더라도, 검사중의 가열에 의한 열 변형에 의한 Z 방향의 변위량까지 예측할 수 없고, 더구나 검사시의 접촉 하중에 의한 프로브 카드(8)의 Z 방향의 변위까지도 예측할 수가 없기 때문에, 프로브 핀(8a)과 웨이퍼(W)의 전극 패드의 접촉 하중에 과부족이 발생하여, 검사의 신뢰성이 저하될 우려가 있었다. 더구나, 프로브 카드(8)가 열적으로 안정될 때까지 많은 시간(예컨대 1∼2시간)을 소비하여, 스루풋이 저하된다고 하는 과제도 있었다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 검사시의 프로브 카드의 Z 방향의 변위량을 파악하여 프로브 핀과 피검사체의 접촉 하중을 안정시켜 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있고, 더구나 스루풋을 높일 수 있는 프로브 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 피검사체를 탑재하며 피검사체의 온도 조절이 가능한 탑재대와, 탑재대의 맞은편에 배치된 프로브 카드와, 탑재대와 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치와, 센서와 프로브 카드 사이의 거리를 측정하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치를 제공한다.

이하, 도 1 내지 도 4에 도시한 실시형태에 근거하여 본 발명을 설명한다. 또한, 도 1 내지 도 4에서는 동일 부분 또한 상당 부분에는 동일 부호를 붙여서 본 발명을 설명한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 장치(10)는 도 5A, 5B에 도시된 종래의 프로브 장치와 마찬가지로, 프로버실(11)내에 배치되고 또한 Z 방향으로 상하 이동시키는 승강 기구를 내장하는 메인 척(12)과, 이 메인 척(12)을 X 및 Y 방향으로 이동시키는 XY 테이블(13)과, 메인 척(12)의 상방에 배치된 프로브 카드(14)와, 이 프로브 카드(14)와 메인 척(12)상의 웨이퍼(W)를 위치 정렬시키는 정렬 기구(도시하지 않음)와, 이들의 구동 기구를 제어하는 제어 장치(15)를 구비하고 있다. 또한, 프로브 카드(14)는 프로버실(11)의 헤드 플레이트(11a)의 개구부(11b)에 고정되어 있다.

웨이퍼(W)의 검사시에는 정렬 기구와 XY 테이블(13)이 협동하여 메인 척(12)상의 웨이퍼(W)와 프로브 카드(14)의 프로브 핀(14a)을 정렬시킨다. 그 후, XY 테이블(13)에 의해 웨이퍼(W)를 인덱스 이송한 후, 메인 척(12)이 Z 방향으로 상승하고, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a)이 전기적으로 접촉하여, 웨이퍼의 전 기적 특성 검사를 실행한다.

그리고, XY 테이블(13)상에는 레이저 변위 센서(16)가 설치되고, 이 레이저 변위 센서(16)로부터 프로브 카드(14)에 레이저광을 조사하여 그 높이(즉, 레이저 변위 센서(16)와 프로브 카드(14) 사이의 거리)를 검출한다. 레이저 변위 센서(16)는 XY 테이블(13)이 이동할 때마다 프로브 카드(14)의 높이를 검출하고, 나아가서는 프로브 카드(14) 전체면의 높이를 검출할 수 있다. 이 레이저 변위 센서(16)는 제어 장치(15)에 접속되고, 제어 장치(15)의 제어하에서 작동하여, 검출 높이를 제어 장치(15)에 저장한다.

그러므로, 프로브 카드(14)가 열 변형하지 않는 상온(常溫)하에서, 웨이퍼(W)를 검사하는 범위에서 XY 테이블(13)에 의해 메인 척(12)의 인덱스 이송을 실행하고, 인덱스 이송할 때마다 레이저 변위 센서(16)를 이용하여 프로브 카드(14) 높이를 Z 좌표로서 검출한다. 그리고, 이 때의 Z 좌표와, 이 Z 좌표에 대응하는 레이저 변위 센서(16)의 X, Y 좌표를 제어 장치(15)에 참조용 높이로서 기억시킨다. 또한, 상온에서의 XY 좌표와 Z 좌표의 관계를 도 2에 일점 쇄선"B"로 나타내는 그래프를 참조용으로서 작성한다. 그리고, 이 참조용 높이를 기준으로 하여 고온 검사시의 프로브 카드(14)의 열 변형에 의한 높이의 변위량을 제어 장치(15)에서 구한다.

예컨대 100℃의 고온하에서 웨이퍼(W)의 검사를 실시하는 경우에는, 메인 척(12)상의 웨이퍼(W)를 100℃로 가열한 상태로 XY 테이블(13)에 의해 웨이퍼(W)의 인덱스 이송을 실행하면서 레이저 변위 센서(16)를 이용하여 프로브 카드(14)의 높 이를 검출하고, 이것과 동일 XY 좌표 위치에서의 참조용 높이를 비교하여, 양자가 일치하면 프로브 카드(14)가 열적으로 변형하지 않는 것으로 된다.

그러나, 고온 검사시에는 프로브 카드(14)는 예컨대 도 1에 일점 쇄선으로 도시하는 바와 같이 열 팽창하여 변형하기 때문에, 이 시점에서의 높이와 참조용 높이는 일치하지 않는다. 제어 장치(15)에서는 참조용 높이에 대한 검사시의 검출 높이의 비를 구하고, 이 비에 근거하여 메인 척(12)의 상승 거리를 보정하며, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a)을 일정한 침압(針壓)에 의해 전기적으로 접촉시켜 안정적으로 하여, 신뢰성이 높은 전기적 특성 검사를 실행할 수 있다.

다음에, 프로브 장치(10)의 동작에 대하여 상세히 설명한다. 제어장치(15)의 제어하에서 메인척(12)을 가열하면서 반송기구(도시하지 않음)를 통해 로더실로부터 프로버실(11)내의 메인척(12)으로 웨이퍼(W)를 반송한다. 그 후, 제어 장치(15)의 제어하에서 정렬 기구와 XY 테이블(13)이 협동하여 메인 척(12)상의 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 카드(14)의 프로브 핀(14a)과의 정렬을 실행한다.

이어서, 메인 척(12)이 검사시의 초기 위치에 도달하고, 이 위치에서 레이저 변위 센서(16)에 의해 가열되어 있는 상태의 프로브 카드(14)의 높이를 검출한다. 이 때, 프로브 카드(14)는 열적으로 안정하고 있을 필요는 없다. 이렇게 레이저 변위 센서(16)의 위치에서 측정된 가열된 프로브 카드(14)의 높이를 참조 부호 "b"라 하고, 동일 위치에서 측정된 상온의 프로브 카드(14)의 높이를 참조 부호 "a"라 할 때, 프로브 핀(14a)이 장착된 프로브 카드(14)의 중심부는 "b/a"의 비율로 변화하고 있다고 추정한다. 따라서 상온에서의 프로브 카드(14) 중심의 참조용 높이를 참조 부호 "H"라 할 때, 변형된 프로브 카드(14)의 중심의 높이는 "H x (b/a)"로 추정된다. 메인 척(12)을 보정후의 거리만큼 상승한 후, 오버 드라이브하면, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a)이 미리 설정한 침압에 의해 전기적으로 접촉하여 디바이스의 전기적 특성 검사를 실행한다.

검사후, 메인 척(12)이 하강하고, XY 테이블(13)에 의해 다음 디바이스 위치까지 웨이퍼(W)의 인덱스 이송을 실행한다. 그 후, 전술한 경우와 동일한 요령으로 레이저 변위 센서(16)의 검출 높이에 근거하여 메인 척(12)의 상승 거리를 보정함으로써 항상 안정된 침압에 의해 웨이퍼(W)의 전기적 특성 검사를 반복하여 실행할 수 있다. 따라서, 전극 패드의 하측에 예컨대 유기계열의 절연막이 있더라도 절연막을 손상하지 않고서, 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다. 또한, 검사시 프로브 카드(14)의 높이를 제어 장치(15)에서 순차적으로 기억하여, 이들의 높이의 변화를 도 2의 실선"A"로 나타내었다.

이와는 달리, 레이저 변위 센서(16) 바로 상방의 프로브 카드(14)의 위치에서 구해진 참조용 높이 "a"와 검출 높이 "b"에 기초하여 프로브 핀(14a)의 변위를 간접적으로 구하는 대신에, 디바이스의 전기적 특성을 검사할 때마다 프로브 핀(14a)이 위치된 영역(이하에서 "프로브 영역"이라고 함)의 변위가, 메인 척(12)의 상승 거리를 조절하기 직전에 레이저 변위 센서(16)를 프로브 영역의 바로 하부로 이동시켜 그곳에서의 높이 "h"를 측정하는 것에 의해, 직접 측정될 수 있다. 이 경우에는, 프로브 핀(14a)이 위치하고 실제의 측정이 수행되는 프로브 카드(14)의 중심 지점에서만 변위 측정이 이루어지므로 도 2에 도시된 바와 같은 전체 XY 평면에 대한 참조용 높이 데이타는 필요하지 않다.

이상 설명한 바와 같이 제 1 실시예에 따르면, XY 테이블(13)상에 레이저 변위 센서(16)를 설치하고, 이 레이저 변위 센서(16)에 의해서 프로브 카드(14)의 높이를 검출하도록 하였기 때문에, 웨이퍼(W)의 고온 검사를 실행할 때에 메인 척(12)으로부터의 방열 및 검사시의 발열에 의해 프로브 카드(14)가 열 팽창하여 도 1의 일점 쇄선으로 도시하는 바와 같이 변형하더라도, 레이저 변위 센서(16)에 의해 변형후의 프로브 카드(14)의 높이를 검출하고, 메인 척(12)의 상승 거리를 보정함으로써, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a)을 항상 안정된 침압에 의해 전기적으로 접촉시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다. 더구나, 프로브 카드(14)가 열적으로 안정될 때까지 검사를 기다릴 필요가 없기 때문에, 검사의 스루풋을 높일 수 있다.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 장치(20)의 다른 실시형태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 3에서는 제어 장치를 생략하여 도시한다. 본 실시형태의 프로브 장치(20)는, 레이저 변위 센서(16)를 메인 척(12)에 부착하는 것 이외에는, 제 1 실시예와 마찬가지로 구성되어 있다. 본 실시형태에서는 레이저 변위 센서(16)를 메인 척(12)에 부착하였기 때문에, 웨이퍼(W)의 가장자리의 디바이스의 검사를 실행할 때에, 메인 척(12)에 대한 접촉 하중의 작용에 의해 메인 척(12)이 약간 가라앉거나 경사가 지더라도, 프로브 카드(14)의 열 변형에 의한 변위량과 함께 레이저 변위 센서(16)에 의해서 프로브 카드(14)의 변위량으로서 검출할 수 있기 때문에, 이들의 변위량에 근거하여 상승 거리를 보정함으로써 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a) 사이의 침압을 보다 안정화하여 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다.

도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 장치(30)의 또 다른 실시형태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 4에서도 제어 장치를 생략하여 도시한다. 본 실시형태의 프로브 장치(30)는, 레이저 변위 센서(16a, 16b)를 헤드 플레이트(11a)에 부착한 것 이외에는, 제 1 실시예 및 제 2 실시예의 실시형태와 마찬가지로 구성되어 있다. 본 실시형태에서는 레이저 변위 센서(16)를 헤드 플레이트(11a)에 부착하였기 때문에, 프로브 카드(14)의 상면으로부터 그 Z 방향의 변위량을 검출할 수 있고, 웨이퍼(W)의 전극 패드와 프로브 핀(14a) 사이의 침압을 안정화하여 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다.

본 실시예에서, 레이저 빔이 프로브 카드(14)의 상부 표면에 대해 비스듬한 각도로 투사되어 있기 때문에 레이저 변위 센서(16)는 두 개의 멤버(16a, 16b)로 구성되어 있다. 당업자에 의해 쉽게 이해될 수 있듯이, 두 개의 센서(16a, 16b) 중 하나는 레이저 발생 장치이고, 다른 하나는 프로브 카드(14)의 상부 표면에 의해 반사된 레이저 빔을 수용하는 광센서이다. 제 1 실시예 및 제 2 실시예에서는, 레이저 빔이 프로브 카드(14)의 하부 표면상에 대체로 수직으로 발사되므로 두 개의 멤버는 하나의 레이저 변위 센서(16)로 합체되어 있다. 또한, 제 3 실시예에서는, 프로브 핀(14a)이 위치한 영역의 뒷면의 Z 방향 변위를 측정하여 실질적으로 실시간의 프로브 카드(14)의 수직 변위가 직접 측정될 수 있다. 그러므로 더욱 높은 신뢰성으로 디바이스 검사가 수행된다. 또한, 이 경우에는, 프로브 핀(14a)이 위치하고 실제의 측정이 수행되는 프로브 카드(14)의 중심 지점에서만 변위 측정이 이루어지므로 도 2에 도시된 바와 같은 전체 XY 평면에 대한 참조용 높이 데이타는 필요하지 않다.

상기 각 실시형태에서 프로브 카드(14)는 메인 척(12)의 상방에 배치된 경우를 예로 들어 설명했지만, 메인 척(12)이 상방, 프로브 카드(14)가 하방에 배치된 경우도 가능하며, 또한 이들의 위치 관계는 서로 좌우에 배치된 경우도 포함한다.

또한, 상기 각 실시형태에서 XY 테이블(13) 및 메인 척(12)에 내장된 상승 기구에 의해 메인 척(12)이 X, Y 및 Z 방향으로 이동함으로써 프로브 카드(14)와의 상대적 위치 관계가 정하여진다. 그러나, 이와는 달리, 메인 척(12)과 프로브 카드(14)의 상대적 위치 관계는 메인 척(12)이 고정되고 프로브 카드(14)가 X, Y 및 Z 방향으로 이동함에 의해 정하여질 수도 있으며, 또는, 예를 들어, 메인 척(12)은 X 및 Y 방향으로 이동하며 프로브 카드(14)는 Z 방향으로 이동하도록 할 수도 있으며 그 반대도 가능하다.

또한, 상기 각 실시형태에서는 센서로서 레이저 변위 센서를 예로 들어 설명했지만, 그 밖의 변위 센서, 예컨대 정전 용량 센서 등 종래 공지의 센서를 이용할 수도 있다.

이상 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.

본 발명에 따른 프로브 장치에 의하면, 검사시의 프로브 카드의 Z 방향의 변위량을 파악하여 프로브 핀과 피검사체와의 접촉 하중을 안정시켜, 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다.

Claims

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프로브 장치에 있어서,

피검사체를 탑재하며 피검사체의 온도 조절이 가능한 탑재대와,

상기 탑재대의 맞은편에 배치된 프로브 카드와,

상기 탑재대와 상기 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치와,

상기 프로브 카드의 고정부에 설치되며, 상기 프로브 카드의 중심에서의 변위를 측정하는 센서 수단을 포함하는

프로브 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 센서 수단으로서 레이저 변위 센서 또는 정전 용량 센서를 설치한 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 구동 장치는 상기 탑재대를 X, Y 및 Z 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
삭제
삭제
삭제
프로브 장치에 있어서,

피검사체를 탑재하는 탑재대와,

다수의 프로브 핀을 구비한 프로브 카드와,

상기 탑재대와 상기 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치와,

상기 프로브 카드의 고정부에 설치되며, 상기 프로브 핀이 위치한 프로브 카드 영역의 변위를 측정하는 센서 유닛을 포함하는

프로브 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 프로브 카드는 프로브 핀이 제공되는 주면과 상기 주면의 반대쪽의 뒷면을 포함하며, 상기 센서 유닛은 상기 뒷면의 측정점으로부터 변위를 측정하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 14 항에 있어서,

상기 측정점은 상기 프로브 카드의 중심에 대응하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 센서 유닛은 상기 고정부에 고정부착되며 상기 프로브 카드를 사이에 두고 서로 맞은 편에 제공되는 레이저빔 발생 장치와 광센서를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 프로브 장치의 상부에 위치하는 고정된 상단 플레이트를 더 포함하며, 상기 프로브 카드와 상기 센서 유닛은 상기 상단 플레이트에 고정부착되는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 17 항에 있어서,

상기 구동 장치는 상기 탑재대를 X, Y 및 Z 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 17 항에 있어서,

상기 프로브 카드와 상기 센서 유닛은 상기 상단 플레이트의 아랫면과 윗면에 각각 위치하며, 상기 탑재대는 상기 프로브 카드의 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
피검사체를 탑재하는 탑재대와, 다수의 프로브 핀을 구비한 프로브 카드와, 상기 탑재대와 상기 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치를 포함하는 프로브 장치를 이용한 프로브 방법에 있어서,

상기 프로브 카드의 고정부의 위치에 대한 상기 프로브 핀이 위치한 프로브 카드 영역의 변위를 측정하는 단계를 포함하는

프로브 방법.
제 20 항에 있어서,

상기 측정 단계는 상기 프로브 핀이 제공되는 주면의 반대쪽에 위치하는 상기 프로브 카드의 뒷면의 측정점으로부터 변위를 탐지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 21 항에 있어서,

상기 측정점은 상기 프로브 카드의 중심에 대응하는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
제 21 항에 있어서,

상기 탐지 단계는 상기 측정점을 향해 레이저빔을 전송하는 단계 및 상기 측정점에서 반사된 레이저빔을 수용하는 단계를 포함하며, 상기 전송 및 수용 단계는 상기 프로브 카드의 양편에 대응하는 별개의 위치에서 수행되는 것을 특징으로 하는

프로브 방법.
프로브 장치에 있어서,

피검사체를 탑재하는 탑재대와,

다수의 프로브 핀을 구비한 프로브 카드와,

상기 탑재대와 상기 프로브 카드의 상대적 위치 관계를 바꾸는 구동 장치와,

상기 프로브 카드의 고정부의 위치에 대한 상기 프로브 핀이 위치한 프로브 카드 영역의 변위를 측정하는 측정 수단을 포함하는

프로브 장치.
제 24 항에 있어서,

상기 프로브 카드는 프로브 핀이 제공되는 주면과 상기 주면의 반대쪽의 뒷면을 포함하며, 상기 측정 수단은 상기 뒷면의 측정점으로부터 변위를 측정하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.
제 25 항에 있어서,

상기 측정점은 상기 프로브 카드의 중심에 대응하는 것을 특징으로 하는

프로브 장치.