JP2022096153A - 電子デバイスの検査装置及び検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる電子デバイスの検査装置及び検査方法を提供する。【解決手段】一実施形態に係る検査装置は、基板と基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査装置である。検査装置は、電子デバイスを支持するための支持体と、記電極の表面に接触可能なプローブと、電極の表面の温度とプローブの温度とが互いに異なるように、電極の表面の温度及びプローブの温度のうち少なくとも１つを調整するための温度調整装置と、電極の表面の温度を測定するための温度測定装置とを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、電子デバイスの検査装置及び検査方法に関する。
特許文献１は、プローブを電極の表面に接触させる前の画像とプローブを電極の表面に接触させた後の画像とを比較することによって、接触痕を検出する方法を開示する。プローブと電極の表面との接触箇所はカメラにより観察される。
特開２００７－１０３８６０号公報
上記方法では、プローブと電極の表面との接触箇所の観察が難しい場合がある。例えば、多数のプローブが多数の電極の表面に接触する場合、１つの撮影角度で全ての接触箇所を観察することは難しい。また、カメラの画像から接触状態の良否を判定することが難しいことも多い。そのため、本発明者は、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる新たな方法及び装置を検討した。
本開示は、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる電子デバイスの検査装置及び検査方法を提供する。
本開示の一側面に係る検査装置は、基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査装置であって、前記電子デバイスを支持するための支持体と、前記電極の表面に接触可能なプローブと、前記電極の表面の温度と前記プローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整するための温度調整装置と、前記電極の前記表面の温度を測定するための温度測定装置と、を備える。
本開示の他の一側面に係る検査方法は、基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査方法であって、前記電極の表面の温度とプローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整する工程と、前記プローブを前記電極の前記表面に接触させる工程と、前記調整する工程及び前記接触させる工程の後、前記電極の前記表面の温度を測定する工程と、前記電極の前記表面の温度の測定結果に基づいて、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態の良否を判定する工程と、を含む。
本開示によれば、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる電子デバイスの検査装置及び検査方法が提供される。
図１は、一実施形態に係る電子デバイスの検査装置を模式的に示す図である。 図２は、一実施形態に係る電子デバイスの検査装置により検査される電子デバイス及びプローブを模式的に示す平面図である。 図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４は、一実施形態に係る電子デバイスの検査方法を示すフローチャートである。 図５は、プローブの温度が調整される時の一実施形態に係る電子デバイスの検査装置を模式的に示す図である。 図６は、電極の表面の温度と時間との関係の例を示すグラフである。
［本開示の実施形態の説明］
一実施形態に係る検査装置は、基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査装置であって、前記電子デバイスを支持するための支持体と、前記電極の表面に接触可能なプローブと、前記電極の表面の温度と前記プローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整するための温度調整装置と、前記電極の前記表面の温度を測定するための温度測定装置と、を備える。
上記検査装置によれば、プローブと電極の表面との接触状態が良好であれば、伝熱により電極の表面の温度がプローブの温度に近づく。一方、プローブと電極の表面との接触状態が不良であれば、電極の表面の温度はプローブの温度に近づかない。よって、電極の表面の温度を測定することにより、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる。
前記温度測定装置は、サーモグラフィカメラを備えてもよい。この場合、電極の表面の温度を非接触で測定できる。また、複数の電極の各表面の温度を同時に測定できる。
上記検査装置は、前記温度測定装置により得られる測定結果に基づいて、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態の良否を判定するように構成された判定装置を更に備えてもよい。この場合、判定装置により、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる。
一実施形態に係る検査方法は、基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査方法であって、前記電極の表面の温度とプローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整する工程と、前記プローブを前記電極の前記表面に接触させる工程と、前記調整する工程及び前記接触させる工程の後、前記電極の前記表面の温度を測定する工程と、前記電極の前記表面の温度の測定結果に基づいて、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態の良否を判定する工程と、を含む。
上記検査方法によれば、プローブと電極の表面との接触状態が良好であれば、伝熱により電極の表面の温度がプローブの温度に近づく。一方、プローブと電極の表面との接触状態が不良であれば、電極の表面の温度はプローブの温度に近づかない。よって、電極の表面の温度を測定することにより、プローブと電極の表面との接触状態の良否を判定できる。
前記調整する工程の後、前記接触させる工程を行ってもよい。この場合、接触後、プローブと電極の表面との接触状態の良否を短時間で判定できる。
上記検査方法は、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態が良好であると判定された場合に、前記電子デバイスの電気的特性を検査する工程を更に含んでもよい。この場合、プローブと電極の表面との接触状態が良好である状態で電子デバイスの電気的特性を検査することができる。
［本開示の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照しながら本開示の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示される。
図１は、一実施形態に係る電子デバイスの検査装置を模式的に示す図である。図２は、一実施形態に係る電子デバイスの検査装置により検査される電子デバイス及びプローブを模式的に示す平面図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図１に示される電子デバイスＷの検査装置１００は、例えば半導体試験装置である。検査装置１００は、電子デバイスＷの電気的特性を検査することができる。
図２に示されるように、電子デバイスＷは、基板４０と、基板４０上に設けられた電極４２とを有する。電子デバイスＷは、半導体デバイスであってもよいし、プリント配線板であってもよい。基板４０は、例えばシリコン基板等の半導体基板であってもよいし、絶縁基板であってもよい。電子デバイスＷは、複数の電極４２を備えてもよい。電極４２の数は１００以上であってもよい。電極４２は例えば電極パッドである。電極４２は、例えばアルミニウム又は金等の金属を含む。電極４２の表面４２ａは、矩形形状を有してもよいし、円形形状を有してもよいし、多角形形状を有してもよい。電極４２の表面４２ａの寸法は、１０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。電極４２の表面４２ａが矩形形状を有する場合、電極４２の表面４２ａの寸法は矩形の一辺である。電極４２の表面４２ａが円形形状を有する場合、電極４２の表面４２ａの寸法は円の直径である。電極４２の表面４２ａが多角形形状を有する場合、電極４２の表面４２ａの寸法は多角形の外接円の直径である。隣り合う電極４２間のピッチは１０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。ピッチは、隣り合う電極４２の表面４２ａの中心間距離である。
検査装置１００はプローバ１０を備える。プローバ１０は、支持体１２と、プローブ１４と、温度調整装置１６と、温度測定装置１８とを備える。検査装置１００は、判定装置２０を備えてもよい。
支持体１２は電子デバイスＷを支持する。支持体１２は例えば静電チャックである。支持体１２とプローブ１４とは、互いに相対的に移動可能であってもよい。例えば、支持体１２は、プローブ１４に対して移動可能である。支持体１２は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能であってもよいし、Ｚ軸方向の周りに回転可能であってもよい。支持体１２を移動させることにより、プローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させることができる。支持体１２の移動は、コントローラ５０によって制御されてもよい。
プローブ１４は、電極４２の表面４２ａに接触可能である。プローブ１４はプローブカード１５に取り付けられてもよい。本実施形態では、複数のプローブ１４がプローブカード１５に取り付けられる。プローブ１４の数は２本以上であってもよいし、１００本以上であってもよいし、１０００本以下であってもよい。プローブ１４の先端の寸法は、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であってもよい。プローブ１４は、熱伝導率の高い材料を含んでもよい。当該材料の例は、タングステン、レニウム、パラジウム、白金、金、銀、銅又はこれらの合金を含む。プローブカード１５は例えば配線基板である。プローブカード１５は、配線２４を介してテスタ２２に接続されてもよい。テスタ２２は、電子デバイスＷの電気的特性を検査する。テスタ２２は、配線２４を介して、入力電圧をプローブ１４に供給し、プローブ１４からの出力信号を受領する。テスタ２２は、電源に加えて、信号増幅のためのアンプ及び信号同期のためのパルスジェネレータを備えてもよい。
温度調整装置１６は、電極４２の表面４２ａの温度とプローブ１４の温度とが互いに異なるように、電極４２の表面４２ａの温度及びプローブ１４の温度のうち少なくとも１つを調整する。本実施形態において、温度調整装置１６はプローブ１４の温度を調整する。温度調整装置１６は、支持体１２に接続されてもよい。これにより、一体化された支持体１２及び温度調整装置１６をプローブ１４に対して移動させることができる。温度調整装置１６は、温度調整部１６ａと、温度調整部１６ａに接続されたヒートブロック１６ｂとを備えてもよい。温度調整部１６ａは、例えばヒータ等の加熱素子又は例えばペルチェ素子等の冷却素子を含む。温度調整装置１６の温度は、電子デバイスＷの温度と異なっている。電子デバイスＷと温度調整装置１６の温度との差の絶対値は２０度以上であってもよい。温度調整装置１６が加熱装置である場合、温度調整装置１６の温度は、４０℃以上１００℃未満であってもよい。温度調整装置１６の温度が１００℃未満であると、電子デバイスＷに与えられる熱的ダメージが低減される。温度調整装置１６が冷却装置である場合、温度調整装置１６の温度は、－４０℃以上０℃以下であってもよい。
温度測定装置１８は、電極４２の表面４２ａの温度を測定する。温度測定装置１８は、サーモグラフィカメラを備えてもよい。サーモグラフィカメラの空間分解能は、１μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
判定装置２０は、温度測定装置１８により得られる測定結果に基づいて、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定するように構成される。判定装置２０は、温度測定装置１８から受領した測定データに関連する値と閾値とを比較し、比較結果に基づいて、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定する。測定データに関連する値は、電極４２の表面４２ａの温度であってもよいし、電極４２の表面４２ａの温度の変化率であってもよい。プローブ１４が電極４２の表面４２ａを加熱する場合、予め決められた時間の経過後における電極４２の表面４２ａの温度が閾値以上であれば接触状態が良好であると判定してもよい。あるいは、電極４２の表面４２ａの温度の上昇率（時間に対する温度変化量）が閾値以上であれば接触状態が良好であると判定してもよい。プローブ１４が電極４２の表面４２ａを冷却する場合、予め決められた時間の経過後における電極４２の表面４２ａの温度が閾値以下であれば接触状態が良好であると判定してもよい。あるいは、電極４２の表面４２ａの温度の低下率（時間に対する温度変化量）が閾値以下であれば接触状態が良好であると判定してもよい。判定装置２０は、温度測定装置１８に接続されたコンピュータであってもよい。
検査装置１００は、第１カメラ３０ａ、第２カメラ３０ｂ及び第３カメラ３０ｃを備えてもよい。第１カメラ３０ａは、プローブ１４の上方に配置される。第２カメラ３０ｂは、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触箇所を横方向（Ｘ軸方向）から撮影することができる。第３カメラ３０ｃは、プローブ１４の下方に配置される。第３カメラ３０ｃとプローブ１４との間の領域から支持体１２を退避させるように支持体１２を移動すると、第３カメラ３０ｃによりプローブ１４の先端を撮影することができる。
本実施形態の検査装置１００によれば、プローブ１４の温度と電極４２の表面４２ａの温度とが互いに異なっている状態で、プローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させることができる。プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が良好であれば、伝熱により電極４２の表面４２ａの温度がプローブ１４の温度に近づく。例えば、表面４２ａのうち図２及び図３に示される表面４２ａｇでは、プローブ１４との電極４２の表面４２ａｇとの接触状態が良好であるので、電極４２の表面４２ａｇの温度がプローブ１４の温度に近づく。一方、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が不良であれば、電極４２の表面４２ａの温度はプローブ１４の温度に近づかない。例えば表面４２ａのうち図２及び図３に示される表面４２ａｎでは、プローブ１４と電極４２の表面４２ａｎとの接触状態が不良であるので、電極４２の表面４２ａｎの温度は変化しない。よって、電極４２の表面４２ａの温度を測定することにより、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定できる。
温度測定装置１８がサーモグラフィカメラを備える場合、電極４２の表面４２ａの温度を非接触で測定できる。また、広範囲に配置された複数の電極４２の各表面４２ａの温度を同時に測定できる。
図４は、一実施形態に係る電子デバイスの検査方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る電子デバイスの検査方法は、上述の検査装置１００を用いて以下のように行われてもよい。
まず、プローブ１４の温度を調整する（工程Ｓ１）。図５は、プローブの温度が調整される時の一実施形態に係る電子デバイスの検査装置を模式的に示す図である。例えば、図５に示されるように、プローブ１４を温度調整装置１６のヒートブロック１６ｂに接触させることによって、プローブ１４の温度を調整する。
工程Ｓ１の後、プローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させる（工程Ｓ２）。図１に示されるように、支持体１２及び温度調整装置１６をプローブ１４に対して移動させて、プローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させる。
工程Ｓ２後、温度調整されたプローブ１４が電極４２の表面４２ａに接触した状態で、電極４２の表面４２ａの温度を測定する（工程Ｓ３）。測定は、温度測定装置１８により行われる。
工程Ｓ３の後、電極４２の表面４２ａの温度の測定結果に基づいて、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定する（工程Ｓ４）。良否判定は、判定装置２０により行われる。
工程Ｓ４の後、工程Ｓ４においてプローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が良好であると判定された場合に、電子デバイスＷの電気的特性を検査する（工程Ｓ５）。工程Ｓ４において接触状態が不良であると判定された場合、工程Ｓ５は実施されない。
上記検査方法によれば、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が良好であれば、伝熱により電極４２の表面４２ａの温度がプローブの温度に近づく。一方、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が不良であれば、電極４２の表面４２ａの温度はプローブ１４の温度に近づかない。よって、電極４２の表面４２ａの温度を測定することにより、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定できる。
上記実施形態では、工程Ｓ１の後に工程Ｓ２を行われるので、プローブ１４の温度と電極４２の表面４２ａの温度とが互いに異なる状態で接触が行われる。そのため、接触後、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を短時間で判定できる。また、プローブ１４の温度を調整する場合、プローブ１４が温度変化により変形することがある。工程Ｓ１の後に工程Ｓ２を行うと、接触後のプローブ１４の変形を抑制できる。
工程Ｓ５を実施すると、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態が良好である状態で電子デバイスＷの電気的特性を検査することができる。
以下、図１、図４、図５及び図６を参照しながら、電子デバイスの検査方法の一例について説明する。図６は、電極の表面の温度と時間との関係の例を示すグラフである。縦軸は電極４２の表面４２ａの温度を示す。横軸は時間を示す。
工程Ｓ１の前に、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとが接触するように、支持体１２の位置合わせが行われる。プローブ１４と電極４２の表面４２ａとが接触した場合の支持体１２の位置は、接触位置（図１に示される位置）としてコントローラ５０の記憶部に記憶される。
次に、コントローラ５０により支持体１２をＺ軸方向及びＸ軸方向に移動させて、プローブ１４を温度調整装置１６に対向させる。次に、コントローラ５０により支持体１２をＺ軸方向に移動させて、プローブ１４を温度調整装置１６に押し当てることにより、工程Ｓ１が実施される（図５参照）。
図６に示されるように、工程Ｓ２の前に、時刻ｔ０において、温度測定装置１８により電極４２の表面４２ａの初期温度Ｔ０を測定する。初期温度Ｔ０と環境温度（電子デバイスＷの周囲の温度）との差の絶対値が２度以内である場合、工程Ｓ２が実施される。初期温度Ｔ０と環境温度との差の絶対値が２度を超える場合、工程Ｓ２は実施されない。
時刻ｔ０の後、時刻ｔ１において工程Ｓ２が開始される。時刻ｔ１では、支持体１２が、コントローラ５０に記憶された接触位置に戻される（図１参照）。これにより、加熱されたプローブ１４が電極４２の表面４２ａに接触する。接触位置がコントローラ５０に記憶されていると、支持体１２の位置合わせを再び行う必要がない。よって、温度調整装置１６から離れたプローブ１４を短時間で電極４２の表面４２ａに接触させることができる。そのため、加熱されたプローブ１４の温度が低下する前にプローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させることができる。
時刻ｔ１の後、時刻ｔ２において工程Ｓ３が開始される。時刻ｔ２では、温度測定装置１８により電極４２の表面４２ａの温度Ｔ２が測定される。温度Ｔ２は、プローブ１４の温度Ｔ３と電極４２の表面４２ａの初期温度Ｔ０との間の温度である。
工程Ｓ３の後、工程Ｓ４が開始される。工程Ｓ４では、電極４２の表面４２ａの温度の上昇率ＲＴが以下の式により算出される。
ＲＴ＝（Ｔ２－Ｔ０）／（ｔ２－ｔ１）
上昇率ＲＴが閾値以上の場合は接触状態が良好であると判定される。上昇率ＲＴが閾値未満の場合は接触状態が不良であると判定される。図６のグラフにおいて、破線Ｒは閾値を示し、実線Ｅ１は接触状態が不良である温度プロファイルを示し、実線Ｅ２は接触状態が良好である温度プロファイルを示す。
以上、本開示の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本開示は上記実施形態に限定されない。
例えば、温度調整装置１６と同様の構成を備える温度調整装置により電極４２の表面４２ａの温度が調整されてもよい。例えば、支持体１２の温度を調整する温度調整装置を用いると、電子デバイスＷの温度を調整できる。その結果、電極４２の表面４２ａの温度も調整される。あるいは、温度調整装置により環境温度（電子デバイスＷの周囲の温度）を調整してもよい。その結果、電極４２の表面４２ａの温度も調整される。
温度測定装置１８は、例えば温度計であってもよい。温度計を電極４２の表面４２ａに接触させることにより、電極４２の表面４２ａの温度を測定できる。複数の温度計を用いて複数の電極４２の表面４２ａの温度をそれぞれ測定してもよい。温度計は、レンズを含む顕微鏡と組み合わされてもよい。この場合、適切な空間分解能が得られる。
温度調整装置１６は、支持体１２に代えてプローブ１４に接続されてもよい。この場合、プローブ１４が電極４２の表面４２ａに接触した状態でプローブ１４の温度を調整できる。
検査装置１００は判定装置２０を備えなくてもよい。この場合、オペレータが、測定結果に基づいて、プローブ１４と電極４２の表面４２ａとの接触状態の良否を判定してもよい。
上記検査方法の工程Ｓ２は、工程Ｓ１と同時に実施されてもよいし、工程Ｓ１の前に実施されてもよい。工程Ｓ２が工程Ｓ１の前に実施される場合、プローブ１４を電極４２の表面４２ａに接触させた後、プローブ１４の温度を調整する。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１０…プローバ
１２…支持体
１４…プローブ
１５…プローブカード
１６…温度調整装置
１６ａ…温度調整部
１６ｂ…ヒートブロック
１８…温度測定装置
２０…判定装置
２２…テスタ
２４…配線
３０ａ…第１カメラ
３０ｂ…第２カメラ
３０ｃ…第３カメラ
４０…基板
４２…電極
４２ａ…表面
４２ａｇ…表面
４２ａｎ…表面
５０…コントローラ
１００…検査装置
Ｗ…電子デバイス

Claims (6)

  1. 基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査装置であって、
    前記電子デバイスを支持するための支持体と、
    前記電極の表面に接触可能なプローブと、
    前記電極の表面の温度と前記プローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整するための温度調整装置と、
    前記電極の前記表面の温度を測定するための温度測定装置と、
    を備える、検査装置。
  2. 前記温度測定装置は、サーモグラフィカメラを備える、請求項１に記載の検査装置。
  3. 前記温度測定装置により得られる測定結果に基づいて、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態の良否を判定するように構成された判定装置を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の検査装置。
  4. 基板と前記基板上に設けられた電極とを有する電子デバイスの検査方法であって、
    前記電極の表面の温度とプローブの温度とが互いに異なるように、前記電極の前記表面の温度及び前記プローブの温度のうち少なくとも１つを調整する工程と、
    前記プローブを前記電極の前記表面に接触させる工程と、
    前記調整する工程及び前記接触させる工程の後、前記電極の前記表面の温度を測定する工程と、
    前記電極の前記表面の温度の測定結果に基づいて、前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態の良否を判定する工程と、
    を含む、検査方法。
  5. 前記調整する工程の後、前記接触させる工程を行う、請求項４に記載の検査方法。
  6. 前記プローブと前記電極の前記表面との接触状態が良好であると判定された場合に、前記電子デバイスの電気的特性を検査する工程を更に含む、請求項４又は請求項５に記載の検査方法。

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4357813B2 (ja) * 2002-08-23 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びプローブ方法
KR100678480B1 (ko) * 2005-07-25 2007-02-02 삼성전자주식회사 프로브 카드, 이 프로브 카드를 갖는 테스트 장치 및, 이테스트 장치를 이용한 테스트 방법
JP2008128838A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Shinko Electric Ind Co Ltd プローブ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022120134A (ja) * 2019-12-16 2022-08-17 株式会社三洋物産 遊技機

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