JP2008128838A - プローブ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置に関し、半導体装置の電気的特性を精度よく測定できると共に、小型化を図ることのできるプローブ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】外部接続用パッドを有する半導体装置２０を固定するステージ１７と、ステージ１７に設けられ、所定の温度Ｔ_Ｘとなるように半導体装置２０を加熱する加熱手段１８と、プローブピン４８及びプローブピン４８を支持する支持基板４３を有するプローブカード２４と、を備えたプローブ装置１１であって、支持基板４３に、所定の温度Ｔ_Ｘと略等しくなるようにプローブピン４８の配設位置に対応する部分の前支持基板４３を加熱する抵抗発熱体２７を設けた。
【選択図】図３

Description

本発明は、プローブ装置に関し、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置に関する。

複数のチップ形成領域を有する半導体基板と、半導体基板の複数のチップ形成領域に形成され、外部接続用パッドを有する半導体集積回路とを有する半導体装置の電気的検査は、テスタと、テスタと電気的に接続されたプローブ装置とを備えた検査装置を用いて行われる。

図１は、従来の検査装置の断面図である。図１において、Ｘ１，Ｘ１方向は、ステージ１０７の面方向、Ｙ１，Ｙ１方向はステージ１０７の面方向に対して直交する方向をそれぞれ示している。

図１を参照するに、従来の検査装置１００は、プローブ装置１０１と、テスタ１０２とを有する。プローブ装置１０１は、筐体１０５と、ヘッドプレート１０６と、ステージ１０７と、加熱手段１０８と、プローブカードホルダー１１１と、プローブカード１１２と、コンタクトリング１１３と、テストヘッド１１４とを有する。

筐体１０５は、ステージ１０７を収容するためのものである。筐体１０５の上端部は、開放端とされている。ヘッドプレート１０６は、コンタクトリング１１３を保持するためのものである。また、ヘッドプレート１０６は、筐体１０５の上端部を塞ぐことで筐体１０５内の空間を密閉している。

ステージ１０７は、半導体装置１１０を固定するためのものである。ステージ１０７は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。

加熱手段１０８は、ステージ１０７に内蔵されている。加熱手段１０８は、ステージ１０７を介して、半導体装置１１０を所定の温度（電気的検査を行うときの半導体装置１１０の温度）に加熱するためのものである。プローブカードホルダー１１１は、プローブカード１１２を保持するためのものである。

プローブカード１１２は、プローブカードホルダー１１１に保持されている。プローブカード１１２は、コンタクトリング１１３の下方に配置されている。プローブカード１１２は、支持基板１１６と、配線パターン１１７と、プローブピン１１８とを有する。支持基板１１６は、板状とされており、配線パターン１１７の一部を配設するための貫通孔を有する。支持基板１１６は、配線パターン１１７及びプローブピン１１８を配設するための基板である。

配線パターン１１７は、支持基板１１６を貫通すると共に、支持基板１１６の両面１１６Ａ，１１６Ｂに亘るように設けられている。支持基板１１６の上面１１６Ａに設けられた部分の配線パターン１１７は、コンタクトリング１１３と電気的に接続されている。また、支持基板１１６の下面１１６Ｂに設けられた部分の配線パターン１１７は、プローブピン１１８と接続されている。配線パターン１１７は、コンタクトリング１１３とプローブピン１１８とを電気的に接続するためのものである。

プローブピン１１８は、支持基板１１６の下面１１６Ｂに設けられている。プローブピン１１８は、配線パターン１１７と接続されている。半導体装置１１０の電気的検査を行う際、プローブピン１１８は、半導体集積回路に設けられた外部接続用パッド（図示せず）に接触させられる。

コンタクトリング１１３は、ヘッドプレート１０６に保持されている。コンタクトリング１１３は、プローブカード１１２とテストヘッド１１４との間において信号の授受が可能なように、電気的信号の中継を行なうためのものである。

テストヘッド１１４は、コンタクトリング１１３上に配置されている。テストヘッド１１４は、コンタクトリング１１３及びテスタ１０２と電気的に接続されている。

テスタ１０２は、テストヘッド１１４と電気的に接続されている。テスタ１０２は、プローブ装置１０１の制御全般を行う。テスタ１０２は、予めテスタ１０２内に格納されたプログラムに従って、プローブ装置１０１を駆動させる。

上記構成とされた検査装置１００は、温度制御手段１０８により、所定の温度に半導体装置１１０を加熱した状態で、半導体装置１１０（具体的には、半導体装置１１０に設けられた複数の半導体集積回路）の電気的検査を行う。

しかしながら、従来のプローブ装置１０１では、半導体装置１１０を加熱することにより、半導体装置１１０が熱変形して、プローブピン１１８と半導体集積回路の外部接続用パッド（図示せず）との相対的な位置関係が変化して、プローブピン１１８と外部接続用パッド（図示せず）との間で接触不良が発生するため、半導体装置１１０の電気的検査を精度よく行うことができないという問題があった。また、このような問題は、微細化された半導体集積回路を備えた半導体装置の電気的検査を行う場合に発生しやすい。

上記問題を解決することを目的とする従来のプローブ装置として、図２に示すようなプローブ装置１３０がある。

図２は、従来のプローブ装置の主要部断面図である。

図２を参照するに、従来のプローブ装置１３０は、ステージ１３１と、第１のヒータ１３２と、プローブカードホルダー１３５と、プローブカード１３６と、第２のヒータ１３７とを有する。

第１のヒータ１３２は、半導体装置１３３を固定するステージ１３１に内蔵されている。第１のヒータ１３２は、半導体基板１３３を所定の温度（電気的検査を行うときの半導体基板１３３の温度）に加熱するためのヒータである。

プローブカードホルダー１３５は、プローブカード保持部１４１と、ヒータ保持部１４２とを有する。プローブカード保持部１４１は、ステージ１３１の上方に配置されている。プローブカード保持部１４１は、プローブカード１３６を保持するためのものである。ヒータ保持部１４２は、プローブカード保持部１４１上に配置されており、プローブカード保持部１４１と一体的に構成されている。ヒータ保持部１４２は、第２のヒータ１３７を保持するためのものである。

プローブカード１３６は、プローブカード保持部１４１に保持されている。プローブカード１３６は、半導体装置１３３の電気的検査をする際、半導体装置１３３の外部接続用パッド（図示せず）と接触されるプローブピン１４４を有する。

第２のヒータ１３７は、ヒータ保持部１４２に保持されている。第２のヒータ１３７は、プローブピン１４４が配設された面とは反対側のプローブカード１３６の面からプローブカード１３６を加熱する。

このように、プローブカード１３６の上方に位置するプローブカード保持部１４１に第２のヒータ１３７を設け、第２のヒータ１３７によりプローブピン１４４が設けられた面とは反対側のプローブカード１３６の面からプローブカード１３６を加熱することにより、第１のヒータ１３２の熱に起因するプローブカード１３６の反りを低減させることが可能となる。これにより、所定の温度に加熱された半導体装置１３３の電気的特性を精度よく測定することができる（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０００−１３８２６８号公報

しかしながら、従来のプローブ装置１３０は、所定の温度に加熱された半導体装置１３３の電気的特性を精度よく測定することは可能であるが、第２のヒータ１３７を保持するヒータ保持部１４２を設ける必要があるため、プローブ装置１３０が大型化してしまうという問題があった。

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的特性を精度よく測定できると共に、小型化を図ることのできるプローブ装置を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、外部接続用パッドを有する半導体装置を固定するステージと、前記ステージに設けられ、所定の温度となるように前記半導体装置を加熱する加熱手段と、プローブピンと、前記プローブピンを支持する支持基板とを有するプローブカードと、を備え、前記所定の温度に加熱された前記半導体装置の前記外部接続用パッドと前記プローブピンとを接触させて前記半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置であって、前記支持基板に、前記所定の温度と略等しくなるように前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板を加熱する抵抗発熱体を設けたことを特徴とするプローブ装置が提供される。

本発明によれば、所定の温度（電気的検査を行うときの半導体装置の温度）と略等しくなるように、プローブピンの配設位置に対応する部分の支持基板を加熱する抵抗発熱体を支持基板に設けることにより、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的特性を精度よく測定できると共に、プローブ装置を小型化することができる。

本発明によれば、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的特性を精度よく測定できると共に、プローブ装置の小型化を図ることができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図３において、Ｘ，Ｘ方向はステージ１７の面方向、Ｙ，Ｙ方向はステージ１７の面方向に直交する方向をそれぞれ示している。

図１を参照するに、第１の実施の形態の検査装置１０は、プローブ装置１１と、テスタ１２とを有した構成とされている。プローブ装置１１は、筐体１４と、駆動装置１５と、支持体１６と、ステージ１７と、加熱手段１８と、ヘッドプレート２１と、ホルダー支持体２２と、プローブカードホルダー２３と、プローブカード２４、コンタクトリング２５と、テストヘッド２６と、抵抗発熱体２７と、温度検出手段２８と、電力供給装置２９と、電力制御手段３０とを有する。

筐体１４は、駆動装置１５、支持体１６、及びステージ１７を収容するためのものである。筐体１４の上端部は、開放端とされている。

駆動装置１５は、筐体１４の底部１４Ａに設けられている。駆動装置１５は、支持体１６を介して、ステージ１７をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるためのものである。支持体１６は、駆動装置１５上に設けられている。支持体１６は、ステージ１７を移動可能に支持するためのものである。

ステージ１７は、支持体１６の上端部に固定されている。ステージ１７は、半導体装置２０を固定するためのものである。半導体装置２０は、ステージ１７の上面１７Ａに載置される。ステージ１７は、駆動装置１５により支持体１６が移動させられた際、支持体１６と一体的に移動する。

図４は、半導体装置の外部接続用パッドと電気的に接続されたプローブカードの断面図である。図４において、第１の実施の形態の検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。

ここで、図４を参照して、検査装置１０により電気的検査される半導体装置２０の構成について説明する。半導体装置２０は、半導体基板３１と、複数の半導体集積回路３２とを有する。半導体基板３１は、半導体集積回路３２が形成される回路形成領域Ａを複数有する。半導体基板３１としては、例えば、Ｓｉ基板やＧａ−Ａｓ基板等を用いることができる。

半導体集積回路３２は、回路形成領域Ａに対応する部分の半導体基板３１に設けられている。半導体集積回路３２は、拡散層（図示せず）と、絶縁層（図示せず）と、ビア（図示せず）と、配線（図示せず）と、拡散層、ビア、及び配線と電気的に接続された外部接続用パッド３３とを有する。

外部接続用パッド３３は、半導体集積回路３２の最上層に形成されている。外部接続用パッド３３は、半導体装置２０の電気的検査を行う際、プローブカード２４に設けられたプローブピン４８と接触する。

図３を参照するに、加熱手段１８は、ステージ１７に内蔵されている。加熱手段１８は、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔ_Ｘとなるように、ステージ１７を介して、半導体装置２０を加熱するためのものである。所定の温度Ｔ_Ｘとは、半導体装置２０をバーンインテスト（加熱試験）するときの半導体装置２０の温度のことである。所定の温度Ｔ_Ｘは、半導体装置２０に設けられた半導体集積回路３２の種類や検査目的に応じて変わるが、例えば、９０℃〜１５０℃の範囲内で設定することができる。加熱手段１８としては、例えば、ヒータを用いることができる。

ヘッドプレート２１は、ヘッドプレート本体３５と、コンタクトリング装着部３６とを有する。ヘッドプレート本体３５は、筐体１４上に設けられている。ヘッドプレート本体３５は、筐体１４に対して開閉可能な構成とされている。コンタクトリング装着部３６は、ヘッドプレート本体３５の中央付近を貫通するように設けられている。コンタクトリング装着部３６は、コンタクトリング２５をヘッドプレート２１に装着するためのものである。筐体１４内の空間Ｃは、コンタクトリング２５が装着されたヘッドプレート２１が筐体１４の上端部を塞ぐことで密閉される。

ホルダー支持体２２は、ヘッドプレート本体３５の下面３５Ａに設けられている。ホルダー支持体２２は、プローブカードホルダー２３を支持するためのものである。

プローブカードホルダー２３は、ホルダー本体３８と、プローブカード装着部３９とを有する。ホルダー本体３８は、ホルダー支持体２２に支持されている。プローブカード装着部３９は、ホルダー本体３８を貫通するように設けられている。プローブカード装着部３９は、プローブカード２４をプローブカードホルダー２３に装着するためのものである。

図３及び図４を参照するに、プローブカード２４は、プローブカード装着部３９に配置されており、支持基板４３と、貫通ビア４４と、上部配線４６と、下部配線４７と、プローブピン４８とを有する。

支持基板４３は、板状とされており、複数の貫通孔５５が形成されている。支持基板４３の材料としては、半導体基板３１と熱膨張係数が略等しい材料を用いるとよい。具体的には、半導体基板３１としてＳｉ基板を用いた場合、支持基板４３の材料としては、Ｓｉを用いることができる。

このように、半導体基板３１と熱膨張係数が略等しい材料により支持基板４３を構成することにより、プローブカード２４と半導体装置２０との間の熱膨張係数の差が小さくなるため、プローブピン４８と外部接続端子用パッド３３との間の接触不良を低減することができる。

貫通ビア４４は、支持基板４３に形成された貫通孔５５に設けられている。貫通ビア４４の上端部は、上部配線４６と接続されており、貫通ビア４４の下端部は、下部配線４７と接続されている。

上部配線４６は、貫通ビア４４の形成位置に対応する部分の支持基板４３の上面４３Ａに設けられている。上部配線４６は、貫通ビア４４の上端部と接続されている。下部配線４７は、貫通ビア４４の形成位置に対応する部分の支持基板４３の下面４３Ｂに設けられている。下部配線４７は、貫通ビア４４の下端部と接続されている。下部配線４７は、貫通ビア４４を介して、上部配線４６と電気的に接続されている。

プローブピン４８は、支持基板４３の下面４３Ｂに設けられている。プローブピン４８は、下部配線４７と接続されている。これにより、プローブピン４８は、下部配線４７及び貫通ビア４４を介して、上部配線４６と電気的に接続されている。プローブカード２４は、半導体集積回路３２の外部接続用パッド３３にプローブピン４７を押し当てて、外部接続用パッド３３に電気信号を入力するための検査用治具である。

コンタクトリング２５は、コンタクトリング装着部３６に着脱可能な状態で装着されている。コンタクトリング２５は、コンタクトリング本体５８と、第１接続ピン６１と、第２接続ピン６２とを有する。コンタクトリング本体５８は、第１接続ピン６１及び第２接続ピン６２を介して、プローブカード２４及びテストヘッド２６と電気的に接続されている。コンタクトリング本体５８は、プローブカード２４とテストヘッド２６との間の信号の中継を行うためのものである。

第１接続ピン６１は、コンタクトリング本体５８の下面５８Ｂ側に設けられている。第１接続ピン６１は、コンタクトリング本体５８の下面５８Ｂから突出している。第１接続ピン６１の端部は、プローブカード２４の上部配線４６と電気的に接続されている。

第２接続ピン６２は、コンタクトリング本体５８の上面５８Ａ側に設けられている。第２接続ピン６２は、コンタクトリング本体５８の上面５８Ａから突出している。コンタクトリング本体５８の上面５８Ａから突出した第２接続ピン６２の端部は、テストヘッド２６と電気的に接続されている。また、第２接続ピン６２は、第１接続ピン６１と電気的に接続されている。

テストヘッド２６は、コンタクトリング２５上に設けられている。テストヘッド２６は、テスタ１２と電気的に接続されている。テストヘッド２６は、テスタ１２から送信される半導体装置２０の検査条件を受信し、コンタクトリング２５を介して、半導体装置２０の検査条件をプローブカード２４に送信するためのものである。

抵抗発熱体２７は、プローブピン４８に囲まれた部分の支持基板４３の下面４３Ｂに設けられている。

図５は、抵抗発熱体の平面図である。

図５を参照するに、抵抗発熱体２７は、配線パターン（具体的には、金属膜をパターニングすることで形成された配線パターン）により構成されている。抵抗発熱体２７の一方の端部２７Ａは、電力供給装置２９のプラス端子２９Ａと電気的に接続されており、抵抗発熱体２７の他方の端部２７Ｂは、電力供給装置２９のマイナス端子２９Ｂと電気的に接続されている。抵抗発熱体２７は、電力供給装置２９から電力が供給されたときに発熱する。抵抗発熱体２７は、プローブピン４８の温度が所定の温度Ｔ_Ｘ（電気的検査時における半導体装置２０の温度）と略等しくなるように、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３を加熱するためのものである。抵抗発熱体２７の材料としては、ＴｉやＮｉ等の抵抗値の高い金属を用いることができる。抵抗発熱体２７の材料としてＮｉを用いる場合、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、印刷法等の方法により抵抗発熱体２７を形成することができる。

このように、支持基板４３の下面４３Ｂに抵抗発熱体２７を設けることにより、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度が所定の温度Ｔ_Ｘ（電気的検査時における半導体装置２０の温度）となるように加熱して、プローブピン４８（具体的には、外部接続用パッド３３と接触するプローブピン４８の先端部）と外部接続用パッド３３との間の接触不良を抑制することができる。これにより、所定の温度Ｔ_Ｘに加熱された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。

また、支持基板４３の下面４３Ｂに抵抗発熱体２７を設けることにより、プローブカード１３６から離間した位置にプローブカード１３６を加熱する第２のヒータ１３７を設けた従来のプローブ装置１３０（図２参照）と比較して、プローブ装置１０を小型化することができる。

さらに、抵抗発熱体２７として配線パターンを用いることにより、抵抗発熱体２７の形成工程を、プローブカード２４の製造工程の一部として、プローブカード２４の製造工程に盛り込むことができる。

図３を参照するに、温度検出手段２８は、下部配線４７の形成位置よりも外側に位置する支持基板４３の下面４３Ｂに設けられている。温度検出手段２８は、支持基板４３の上面４３Ａの中央付近に設けられている。温度検出手段２８は、電力供給装置２９と電気的に接続されている。温度検出手段２８は、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度を検出するためのものである。温度検出手段２８は、検出した支持基板４３の温度に関するデータを電力制御手段３０に送信する。温度検出手段２８としては、例えば、温度センサを用いることができる。

図３を参照するに、電力供給装置２９は、抵抗発熱体２７及び電力制御手段３０と電気的に接続されている。電力供給装置２９は、プラス端子２９Ａと、マイナス端子２９Ｂとを有する。図５を参照するに、プラス端子２９Ａは、抵抗発熱体２７の一方の端部２７Ａと電気的に接続されており、マイナス端子２９Ｂは、抵抗発熱体２７の他方の端部２７Ｂと電気的に接続されている。電力供給装置２９は、抵抗発熱体２７に電力を供給して、抵抗発熱体２７を発熱させるためのものである。

図３を参照するに、電力制御手段３０は、温度検出手段２８及び電力供給装置２９と電気的に接続されている。電力制御手段３０は、温度検出手段２８から送信される支持基板４３の温度に関するデータに基づいて、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度が所定の温度Ｔ_Ｘと略等しくなるように、電力供給装置２９を制御する（具体的には、電力供給装置２９が抵抗発熱体２７に印加する電力を制御する）ためのものである。

このように、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度を検出する温度検出手段２８と、温度検出手段２８が検出する支持基板４３の温度に基づいて、抵抗発熱体２７に印加する電力を制御する電力制御手段３０とを設けることにより、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度が所定の温度Ｔ_Ｘと略等しくなるように精度良く制御することができる。

本実施の形態のプローブ装置によれば、支持基板４３の下面４３Ｂに抵抗発熱体２７を設けることにより、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度が所定の温度Ｔ_Ｘ（電気的検査時における半導体装置２０の温度）となるように加熱して、プローブピン４８（具体的には、外部接続用パッド３３と接触するプローブピン４８の先端部）と外部接続用パッド３３との間の接触不良を抑制することが可能となるため、所定の温度Ｔ_Ｘに加熱された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。

また、支持基板４３の下面４３Ｂに抵抗発熱体２７を設けることにより、プローブカード１３６から離間した位置にプローブカード１３６を加熱する第２のヒータ１３７を設けた従来のプローブ装置１３０（図２参照）と比較して、プローブ装置１０を小型化することができる。

なお、抵抗発熱体２７の配設位置は図３に示す位置に限定されない。例えば、抵抗発熱体２７を支持基板４３の上面４３Ａに設けてもよい。

また、温度検出手段２８の配設位置は図３に示す位置に限定されない。例えば、温度検出手段２８を支持基板４３の下面４３Ｂに設けてもよい。

（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施に形態に係る検査装置の断面図である。図６において、第１の実施の形態の検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図６を参照するに、第２の実施の形態の検査装置７０は、第１の実施の形態の検査装置１０に設けられたプローブ装置１１の代わりにプローブ装置７１を設けた以外は検査装置１０と同様に構成される。

プローブ装置７１は、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１の構成にさらに、抵抗発熱体７３を設けた以外はプローブ装置１１と同様に構成される。

図７は、支持基板の上面に設けられた抵抗発熱体の平面図である。

図６及び図７を参照するに、抵抗発熱体７３は、支持基板４３の略中央付近に位置する支持基板４３の上面４３Ａに設けられている。抵抗発熱体７３は、金属膜をパターニングすることで形成された配線パターンである。抵抗発熱体７３の一方の端部７３Ａは、電力供給装置２９のプラス端子２９Ａと電気的に接続されており、抵抗発熱体７３の他方の端部７３Ｂは、電力供給装置２９のマイナス端子２９Ｂと電気的に接続されている。抵抗発熱体７３は、電力供給装置２９から供給される電力により発熱する。抵抗発熱体７３は、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の温度が所定の温度Ｔ_Ｘ（電気的検査時における半導体装置２０の温度）と略等しくなるように支持基板４３を加熱するためのものである。抵抗発熱体７３の材料としては、ＴｉやＮｉ等の抵抗値の高い金属を用いることができる。抵抗発熱体７３の材料としてＮｉを用いる場合、抵抗発熱体７３は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、印刷法等の方法により形成することができる。

本実施の形態のプローブ装置によれば、支持基板４３の下面４３Ｂに抵抗発熱体２７を設けると共に、支持基板４３の上面４３Ａに抵抗発熱体７３を設けて、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３を支持基板４３の両側から加熱することにより、プローブピン４８の配設位置に対応する部分の支持基板４３の反り（支持基板４３を加熱することに起因する反り）を抑制することが可能となる。これにより、プローブピン４８（具体的には、外部接続用パッド３３と接触するプローブピン４８の先端部）と外部接続用パッド３３との間の接触不良を抑制することが可能となるため、所定の温度Ｔ_Ｘに加熱された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。

また、抵抗発熱体２７，７３を支持基板４３に設けることにより、プローブカード１３６から離間した位置に第２のヒータ１３７を設けた従来のプローブ装置１３０（図２参照）と比較して、プローブ装置７０を小型化することができる。

なお、抵抗発熱体７３の配設位置は図６に示す位置に限定されない。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的特性を測定するプローブ装置に適用できる。

従来の検査装置の断面図である。 従来のプローブ装置の主要部断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。 半導体装置の外部接続用パッドと電気的に接続されたプローブカードの断面図である。 抵抗発熱体の平面図である。 本発明の第２の実施に形態に係る検査装置の断面図である。 支持基板の上面に設けられた抵抗発熱体の平面図である。

符号の説明

１０，７０ 検査装置
１１，７１ プローブ装置
１２ テスタ
１４ 筐体
１４Ａ 底部
１５ 駆動装置
１６ 支持体
１７ ステージ
１７Ａ，４３Ａ，５８Ａ 上面
１８ 加熱手段
２０ 半導体装置
２１ ヘッドプレート
２２ ホルダー支持体
２３ プローブカードホルダー
２４ プローブカード
２５ コンタクトリング
２６ テストヘッド
２７，７３ 抵抗発熱体
２７Ａ，２７Ｂ，７３Ａ，７３Ｂ 端部
２８ 温度検出手段
２９ 電力供給装置
２９Ａ プラス端子
２９Ｂ マイナス端子
３０ 電力制御手段
３１ 半導体基板
３２ 半導体集積回路
３３ 外部接続用パッド
３５ ヘッドプレート本体
３５Ａ，４３Ｂ，５８Ｂ 下面
３６ コンタクトリング装着部
３８ ホルダー本体
３９ プローブカード装着部
４３ 支持基板
４４ 貫通ビア
４６ 上部配線
４７ 下部配線
４８ プローブピン
５５ 貫通孔
５８ コンタクトリング本体
６１ 第１接続ピン
６２ 第２接続ピン
Ａ 回路形成領域
Ｃ 空間
Ｔ_Ｘ 所定の温度

Claims (5)

1. 外部接続用パッドを有する半導体装置を固定するステージと、
   前記ステージに設けられ、所定の温度となるように前記半導体装置を加熱する加熱手段と、
   プローブピンと、前記プローブピンを支持する支持基板とを有するプローブカードと、を備え、
   前記所定の温度に加熱された前記半導体装置の前記外部接続用パッドと前記プローブピンとを接触させて前記半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置であって、
   前記支持基板に、前記所定の温度と略等しくなるように前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板を加熱する抵抗発熱体を設けたことを特徴とするプローブ装置。
2. 前記支持基板に、前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板の温度を検出する温度検出手段を設けると共に、前記温度検出手段が検出する前記温度が前記所定の温度と略等しくなるように、前記抵抗発熱体に印加する電力を制御する電力制御手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のプローブ装置。
3. 前記抵抗発熱体は、前記プローブピンが配設される側の前記支持基板の第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する前記支持基板の第２の面とに設けることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブ装置。
4. 前記抵抗発熱体は、金属膜がパターニングされた配線パターンであることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載のプローブ装置。
5. 前記支持基板の熱膨張係数は、前記半導体装置の熱膨張係数と略等しいことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載のプローブ装置。

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