CN110931390A - 检查装置和检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供检查装置和检查方法。该检查装置用于检查被检查体，其包括：载置被检查体的载置部；设置于载置部的调节温度的温度调节机构；中间连接部件，其位于检查部与探针卡之间，设置有电连接检查部与探针卡的连接件，其中，检查部在其与被检查体之间收发电特性检查用的电信号，探针卡具有与被检查体接触的端子；调节载置部与探针卡的位置其温度的温度测量部件；事先温度调节部，其控制温度调节机构和位置调节机构以在电特性检查之前调节探针卡的温度；和判断部，其在由事先温度调节部调节探针卡的温度时，基于中间连接部件的温度来判断探针卡的温度是否已经稳定。本发明能够以低成本且短时间实现各种温度条件下的准确的电特性的检查。

Description

检查装置和检查方法
技术领域
本发明涉及检查装置和检查方法。
背景技术
专利文献1公开了使在探针卡排列的多个探针的针分别与已被调节温度后的被检查体的电极焊垫接触来进行电测量的检查方法。在该检查方法中，在设置于探针卡的下表面侧的针固定台中，内置有作为温度传感器的热电偶和加热器，在探针的针与电极焊垫接触之前，利用上述热电偶和加热器对探针卡进行预备温度调节以使其成为被检查体的温度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-175289号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术能够以低成本且短时间实现各种温度条件下的准确的电特性的检查。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种用于检查被检查体的检查装置，其包括：载置所述被检查体的载置部；设置于所述载置部的调节该载置部的温度的温度调节机构；中间连接部件，其以位于检查部与探针卡之间的方式配置，并且设置有将所述检查部与所述探针卡电连接的连接件，其中，所述检查部在其与所述被检查体之间收发电特性检查用的电信号，所述探针卡具有在所述电特性检查时与所述被检查体接触的端子；进行所述载置部与所述探针卡的位置调节的位置调节机构；设置于所述中间连接部件的测量该中间连接部件的温度的温度测量部件；事先温度调节部，其控制所述温度调节机构和所述位置调节机构，以在所述电特性检查之前进行所述探针卡的温度调节；和判断部，其在由所述事先温度调节部进行的所述探针卡的温度调节时，基于由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度来判断所述探针卡的温度是否已经稳定。
发明效果
依照本发明，能够低成本且短时间地在各种温度条件下进行的准确的电特性的检查。
附图说明
图1是表示本实施方式的检查装置的结构的概略的俯视横截面图。
图2是表示本实施方式的检查装置的结构的概略的正视纵截面图。
图3是表示各分割区域内的结构的正视纵截面图。
图4是图3的局部放大图。
图5是示意性地表示控制部的结构的概略的框图。
图6是用于说明使用了本实施方式的检查装置的检查处理的一例的流程图。
附图标记说明
1 检查装置
22d 事先温度调节部
22e 判断部
40 测试器
51 载晶盘
52 温度调节机构
53 定位器
70 弹性框架
71 弹性销
75 温度传感器
80 探针卡
82 探针
W 晶片。
具体实施方式
在半导体制造工艺中，在半导体晶片(以下称为“晶片”)上形成具有规定的电路图案的多个电子器件。对所形成的电子器件进行电特性等的检查，判别出合格品和不合格品。电子器件的检查例如在各电子器件被分割前的晶片状态下利用检查装置来进行。
在称为探测器等的电子器件的检查装置中，设置有具有大量的端子形成的探针的探针卡。另外，检查装置包括位置对准部和检查部。位置对准部使设置于探针卡的各探针与晶片上的电子器件的电极位置对准并使它们接触。检查部经由探针在其与电子器件之间收发用于电特性检查的电信号。该检查部基于来自要检测的电子器件的电信号，判断该电子器件是否为不合格品。
另外，在近年来的检查装置中，为了能够在高温或低温下进行电子器件的电特性检查，存在在用于载置晶片的载置台设置有加热机构和冷却机构的情况。
但是，在高温或低温下进行电子器件的电特性的检查时，来自电子器件即晶片的热量传递到包括探针的探针卡，因此晶片和探针卡发生热膨胀或者热收缩。但是，因为两者的热膨胀率不同，在常温时与高温时或低温时，电极焊垫与探针的相位置对准置偏移，存在在高温时或低温时不能进行准确的电特性的检查的情况。
对此，在专利文献1的检查装置中，在设置于探针卡的下表面侧的针固定台中内置热电偶和加热器，在探针的针与电极焊垫接触之前，利用上述热电偶和加热器，对探针卡进行预备温度调节以使其成为被检查体的温度。
但是，关于探针卡，根据检查的内容而分别使用多种探针卡，另外，即使是同一种探针卡，每经过规定期间也要更换。因此，如专利文献1那样在探针卡中内置热电偶和加热器的结构，在成本方面尚有改善的余地。
另外，也存在采用以下方法的情况，即：在探针卡中不设置热电偶和加热器，而利用载置台内的加热机构经由该载置台加热探针卡，使其加热时间为规定时间以上，使得探针卡成为接近被检查体的温度的温度。在采用该方法的情况下，为了可靠地防止电极焊垫与探针的相位置对准置的偏移，将上述规定时间设定为较长的时间。但是，当上述规定时间较长时，至开始电特性的检查之前为止需要花费较长的时间。
因此，本发明的技术能够以低成本且短时间实现在各种温度条件下的准确的电特性的检查。
以下，参照附图，对本实施方式的检查装置和检查方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记而省略重复的说明。
图1和图2分别是表示本实施方式的检查装置的结构的概略的俯视横截面图和正视纵截面图。
如图1和图2所示，检查装置1具有壳体10，该壳体10中设置有送入送出区域11、输送区域12和检查区域13。送入送出区域11是对检查装置1送入送出作为被检查体的晶片W的区域。输送区域12是将送入送出区域11与检查区域13连接的区域。另外，检查区域13是用于进行形成于晶片W的电子器件的电特性的检查的区域。
在送入送出区域11中设置有：接收收纳有多个晶片W的盒C的舟20；收纳后述的探针卡的装载器21；和控制检查装置1的各构成要素的控制部22。
在输送区域12中，配置有以保持着晶片W等的状态能够自由移动的输送装置30。该输送装置30在送入送出区域11的舟20中的盒C与检查区域13之间进行晶片W的输送。另外，输送装置30将固定于检查区域13内的后述的弹性框架的探针卡中需要维护的探针卡输送到送入送出区域11的装载器21。并且，输送装置30将新的或者已维护的探针卡从装载器21输送到检查区域13内的上述弹性框架。
检查区域13中设置有多个作为检查部的测试器40。具体而言，检查区域13如图2所示在铅直方向上被分割为3个区域，在各分割区域13a设置有由在水平方向(图中X方向)上排列的4个测试器40构成的测试器排。另外，在各分割区域13a设置有1个位置对准部50和1个照相机60。此外，测试器40、位置对准部50、照相机60的数量和配置能够任意地选择。
测试器40是在与其晶片W之间收发电特性检查用的电信号的部件。
位置对准部50是能够载置晶片W并进行该所载置的晶片W与配置在测试器40的下方的探针卡的位置对准的部件，以能够在测试器40的下方的区域中自由移动的方式设置。
照相机60水平地移动，并且位于设置有该照相机60的分割区域13a中的各测试器40之前，拍摄配置在该测试器40的下方的探针卡与载置于位置对准部50的晶片W的位置关系。
在该检查装置1中，在输送装置30向一个测试器40输送晶片W的期间，其它测试器40能够进行形成于其它的晶片W的电子器件的电特性的检查。
接着，使用图3和图4，对测试器40和位置对准部50的结构进行说明。图3是表示各分割区域13a中的结构的正视纵截面图。图4是图3的局部放大图。
如图3和图4所示，测试器40在底部具有水平地设置的测试器母板41。在测试器母板41以竖立状态安装有未图示的多个检查电路板。另外，在测试器母板41的底面设置有多个电极。
并且，在测试器40的下方，作为中间连接部件的弹性框架70和探针卡80从上侧起依次地分别设置有一个。
在测试器40的周围，多个支承壁10b从形成各分割区域13a的上壁10a向铅直方向下方延伸。并且，在彼此相对的支承壁10b的下部安装有弹性框架70，通过在这些彼此相对的支承壁10b和该支承壁10b之间安装的弹性框架70来支承各测试器40。
弹性框架70是支承探针卡80并且将该探针卡80与测试器40电连接的部件，以位于测试器40与探针卡80之间的方式配置。该弹性框架70具有弹性销71，该弹性销71作为将测试器40与探针卡80电连接的连接件。具体而言，弹性框架70包括：保持大量的弹性销71的弹性块72；和形成有安装孔73a的框架主体部73，该安装孔73a用于通过插嵌该弹性块72来安装弹性销71。框架主体部73由高强度且高刚性、热膨胀系数小的材料例如NiFe合金形成。此外，如果是NiFe合金，框架主体部73的导热性也能够提高。
在弹性框架70的下表面，探针卡80以位置对准于规定的位置的状态被真空吸附。
另外，在弹性框架70的下表面，以围绕探针卡80的安装位置的方式，安装有向铅垂下方延伸的波纹管74。波纹管74是用于在使后述的载晶盘(Chucktop)上的晶片W与探针卡80的后述的探针接触的状态下形成包含探针卡80和晶片W的密闭空间的部件。
关于设置在弹性框架70的温度传感器75在后文说明。
另外，通过由真空机构(未图示)作用于弹性框架70和探针卡80的真空吸引力，弹性框架70的各弹性销71的下端与探针卡80的后述的卡主体81的上表面的对应的电极焊垫接触。另外，通过上述真空吸引力，各弹性销71的上端被按压到测试器母板41的下表面的对应的电极。
探针卡80包括：圆板状的卡主体81；设置于卡主体81的上表面的多个电极焊垫(未图示)；从卡主体81的下表面向下方延伸的多个针状的端子即探针82。设置于卡主体81的上表面的上述多个电极分别与对应的探针82电连接。另外，在检查时，探针82分别与形成于晶片W的电子器件中的电极焊垫或焊料凸点接触。因此，在电特性检查时，能够经由弹性销71、设置于卡主体81的上表面的电极和探针82在测试器母板41与晶片W上的电子器件之间收发与检查有关的电信号。
位置对准部50构成为能够载置作为载置部的载晶盘51，该载晶盘51载置晶片W并且吸附该所载置的晶片W。在载晶盘51中埋设有温度调节机构52。该温度调节机构52通过在电特性检查时进行载晶盘51的温度调节，能够将载置于载晶盘51的晶片W的电特性检查时的温度例如调节为﹣30℃～+130℃。
另外，位置对准部50具有作为位置调节机构的定位器53，该定位器53支承载晶盘51并使该载晶盘51在上下方向(图中Z方向)、前后方向(图中Y方向)和左右方向(图中X方向)上移动。
通过由位置对准部50进行的位置对准而使载晶盘51上的晶片W与探针卡80的探针82接触的状态下，形成包括探针卡80和晶片W的密闭空间，利用真空机构(未图示)将该密闭空间抽真空。这时，通过使定位器53向下方移动，载晶盘51与定位器53分开而被吸附在弹性框架70一侧。
在具有上述的各构成部件的检查装置1中，作为测量弹性框架70的温度的温度测量部件的温度传感器75设置在该弹性框架70。具体而言，开通在弹性框架70中的探针卡80的上方的部分的插通孔73b形成于弹性框架70中，由热电偶等构成的温度传感器75安装于该插通孔73b中。并且，温度传感器75测量弹性框架70中位于探针卡80的上方的部分的温度。此外，由于弹性框架70的上表面和下表面被其它部件占据，因此，插通孔73b以从弹性框架70的侧面在水平方向延伸至探针卡的上方的部分的方式形成。另外，也可以改变插通孔73b的位置和孔深度等，设置多个温度传感器75。
在以上的检查装置1中，如上所述设置有控制部22。图5是示意性地表示控制部22的结构的概略的框图。
控制部22例如由包括CPU和存储器等的计算机构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制检查装置1中的各种处理的程序。其中，上述程序可以是记录在能够被计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制部22的程序。
控制部22包括存储部22a、检查时温度调节部22b、测温结果获取部22c、事先温度调节部22d、判断部22e和其它判断部22f。
存储部22a中存储电特性检查时的晶片W的设定温度等。
检查时温度调节部22b在检查时控制设置于载晶盘51的温度调节机构52等，将载置于载晶盘51的晶片W的温度控制为与存储于存储部22a中的设定温度对应的温度。
测温结果获取部22c从测量弹性框架70的温度的温度传感器75获取其测量结果。
事先温度调节部22d在电特性检查之前控制温度调节机构52或定位器53等，利用由温度调节机构52进行了温度调节后的载晶盘51进行探针卡80的温度调节。
判断部22e在由事先温度调节部22d进行的探针卡80的温度调节时，判断探针卡80的温度是否已经稳定。弹性框架70由于由导热性高的材料形成，因此各时刻的弹性框架70的温度对应于探针卡80的温度。因此，由判断部22e基于测温结果获取部22c所获取的弹性框架70的温度的测量结果来判断探针卡80的温度是否已经稳定。当判断的结果为探针卡80的温度已经稳定时，在检查装置1中开始电特性检查。此外，通过使探针卡80与弹性框架70的接触面积，尤其是探针卡与弹性框架70的框架主体部73的接触面积增大，能够提高探针卡80与弹性框架70之间的热传导性。
判断部22f基于测温结果获取部22c所获取的弹性框架70的温度的测量结果，判断测试器40的状态。
在由判断部22f判断为在测试器40中发生了的异常的情况下，在检查装置1中由报告单元(未图示)报告该内容的信息，即报告关于测试器40的状态的信息。
接着，使用图6，对使用了检查装置1的检查处理进行说明。图6是用于说明上述检查处理的一例的流程图。此外，在以下的说明中，为处理从没有载置晶片W的载晶盘51已被安装于所有测试器40即所有弹性框架70的状态开始的说明。
(温度设定)
在电特性检查时，首先，基于用户操作等，将该检查时的晶片W的设定温度重新设定或者改变(步骤S1)。电特性检查时的晶片W的设定温度在每一个分割区域13a是相同的。
(事先温度调节)
然后，由事先温度调节部22d在电特性检查之前进行探针卡80的温度调节(步骤S2)。具体而言，由事先温度调节部22d控制温度调节机构52，将没有载置晶片W的安装于弹性框架70的载晶盘51调节为与电特性检查时的晶片W的设定温度对应的温度(以下，为载晶盘设定温度)。通过从该进行了温度调节后的载晶盘51供给热量或者由该载晶盘51吸热，来进行探针卡80的温度调节。
(判断)
在探针卡80的温度调节中，判断部22e基于温度传感器75进行的弹性框架70的温度的测量结果，判断探针卡80的温度是否已经稳定(步骤S3)。在例如由温度传感器75测量出的弹性框架70的每单位时间的温度变化(具体而言，上述温度变化的绝对值)为阈值以下的情况下，判断部22e判断为探针卡80的温度已经稳定。此外，在由温度传感器75测量出的弹性框架70的温度达到了与电特性检查时的载晶盘设定温度对应的规定温度的情况下，判断部22e判断为探针卡80的温度已经稳定。
由判断部22e判断为探针卡80的温度没有稳定的情况下(否的情况下)，处理返回到步骤S2，继续进行探针卡80的温度调节。
另一方面，在判断为探针卡80的温度已经稳定的情况下(是的情况)，控制定位器53和真空机构(未图示)等，使载晶盘51返回到定位器53，探针卡80的事先的温度调节结束。
(位置对准)
在探针卡80的温度调节后，进行检查对象的晶片W与探针卡80的位置对准(步骤S4)。具体而言，控制输送装置30等，从送入送出区域11的舟20内的盒C取出晶片W，将其送入到检查区域13内并载置在载晶盘51上。接着，控制定位器53和照相机60，进行载晶盘51上的晶片W与探针卡80的水平方向上的位置对准。接着，使载晶盘51上升直至探针卡80的探针82与形成于晶片W的电子器件的电极接触。之后，在探针82与上述电极接触的状态下控制真空机构(未图示)等并且使定位器53下降，由此将载晶盘51分开，该载晶盘51被吸附于弹性框架70。
此外，在探针82与电子器件的电极接触之前，控制温度调节机构52，对晶片W进行温度调节使其成为电特性检查时的晶片W的设定温度。
(检查)
然后，从测试器40经由弹性销71等对探针82输入电特性检查用的电信号，开始电子器件的电特性检查(步骤S5)。检查中，由检查时温度调节部22b控制温度调节机构52，将载置于载晶盘51的晶片W的温度调节为存储于存储部22a的设定温度。
当电特性检查完成时，控制定位器53和输送装置30等，使晶片W返回到舟20内的盒C中。
此外，在由一个测试器40进行的检查中，利用定位器53向其它测试器40输送晶片W或从其它测试器40回收晶片W。
在使用检查装置1的检查处理中，检查前进行的探针卡80的温度调节中和/或者检查中，由判断部22f基于温度传感器75测量出的弹性框架70的温度，判断测试器40中是否发生了异常。
在检查中等弹性框架70的温度没有处于规定的温度区域内的情况下，认为测试器40中发生了以下的异常。例如，由于弹性框架70与测试器40的测试器母板41的热膨胀率不同，弹性销71与测试器母板41的下表面的电极的相位置对准置偏离的异常等。
因此，由判断部22f基于温度传感器75测量出的弹性框架70的温度，判断测试器40中是否发生了异常，在发生了异常的情况下，通过报告单元(未图示)进行报告。
以上，依照本实施方式，由设置于载晶盘51的温度调节机构52进行在电特性检查之前进行的探针卡80的温度调节。另外，基于由设置于弹性框架70的温度传感器75测量出的弹性框架70的温度，判断探针卡80的温度是否已稳定，即决定探针卡80的温度调节的结束时刻。因此，不需要在作为消耗品的探针卡80设置温度调节机构和温度测量部件，而且能够使探针卡80的温度调节所需要的时间为适当的长度。由此，能够以低成本且短时间进行各种温度条件下的准确的电特性的检查。
此外，考虑了如下方法，即：在支承壁10b等的装置框架设置温度测量部件，基于该温度测量部件的测量结果，决定检查前的探针卡80的温度调节的结束时刻。在该方法中，虽然能够消除因装置框架的温度变化导致的伸缩影响，但是检查前的探针卡80的温度调节需要较长时间。根据本发明的发明人的调查，与该方法相比，基于上述的弹性框架70的温度测量结果来决定检查前的探针卡80的温度调节的结束时刻的方法，能够使该温度调节需要的时间为大约1/4。
此外，通过在定位器53设置水平调节机构，而能够消除因上述的装置框架的温度变化导致的伸缩影响，具体而言，装置框架的伸缩对定位器53与探针卡80的平行性造成的影响。
另外，在本实施方式中，将在探针卡80的温度调节的结束时刻的决定中使用的弹性框架70的温度信息，用于判断测试器40是否发生了异常。即，依照本实施方式，也能够将探针卡80的温度调节的结束时刻的决定中使用的弹性框架70的温度信息用于测试器40是否发生了异常的判断中。
应当认为，本发明所公开的实施方式的全部内容只不过是例示，而不是限定性的内容。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够进行各种方式的省略、置换和变更。
此外，以下的结构也包括在本发明的技术范围中。
(1)一种用于检查被检查体的检查装置，其包括：
载置所述被检查体的载置部；
设置于所述载置部并调节该载置部的温度的温度调节机构；
中间连接部件，其以位于检查部与探针卡之间的方式配置，并且设置有将所述检查部与所述探针卡电连接的连接件，其中，所述检查部在其与所述被检查体之间收发电特性检查用的电信号，所述探针卡具有在所述电特性检查时与所述被检查体接触的端子；
进行所述载置部与所述探针卡的位置调节的位置调节机构；
设置于所述中间连接部件并测量该中间连接部件的温度的温度测量部件；
事先温度调节部，其控制所述温度调节机构和所述位置调节机构，以在所述电特性检查之前进行所述探针卡的温度调节；和
判断部，其在由所述事先温度调节部进行的所述探针卡的温度调节时，基于由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度来判断所述探针卡的温度是否已经稳定。
依照上述(1)，在电特性的检查之前进行的探针卡的温度调节由设置于载置部的温度调节机构进行。另外，关于探针卡的温度的判断基于设置于中间连接部件的温度测量部件的测量结果进行。因此，不需要在探针卡设置温度调节机构和温度测量部件，而且能够使探针卡的温度调节所需要的时间为适当的长度。由此，能够以低成本且短时间进行在各种温度条件下的准确的电特性的检查。
(2)在上述(1)所记载的检查装置中，所述中间连接部件具有主体部，所述主体部形成有用于安装所述连接件的安装孔，
所述温度测量部件设置于所述主体部。
(3)在上述(1)或(2)所记载的检查装置中，当由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度变化值为阈值以下时，所述判断部判断为所述探针卡的温度已经稳定。
(4)在上述(1)或(2)所记载的检查装置中，当由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度达到了规定的温度时，所述判断部判断为所述探针卡的温度已经稳定。
(5)在上述(1)～(4)中任一项所记载的检查装置中，包括其它判断部，其基于所述温度测量部件的测量结果来判断所述检查部的状态，
基于所述其它判断部的判断结果，进行关于所述检查部的状态的信息的报告。
(6)一种用检查装置检查被检查体的检查方法，其中：
所述检查装置包括：
载置所述被检查体的载置部；
设置于所述载置部的调节该载置部的温度的温度调节机构；
中间连接部件，其以位于检查部与探针卡之间的方式配置，并且设置有将所述检查部与所述探针卡电连接的连接件，其中，所述检查部在其与所述被检查体之间收发电特性检查用的电信号，所述探针卡具有在所述电特性检查时与所述被检查体接触的端子；
进行所述载置部与所述探针卡的位置调节的位置调节机构；和
设置于所述中间连接部件的测量该中间连接部件的温度的温度测量部件，
所述检查方法包括：
设定所述电特性检查中的所述被检查体的温度的温度设定步骤；
事先温度调节步骤，其在所述电特性检查之前，根据所设定的所述被检查体的温度来控制所述温度调节结构和所述位置调节机构，进行所述探针卡的温度调节；
判断步骤，其在所述事先温度调节步骤中的所述探针卡的温度调节时，基于由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度，判断所述探针卡的温度是否已经稳定；
位置对准步骤，当判断为所述探针卡的温度已经稳定之后，其控制所述位置调节机构进行所述探针卡与所述被检查体的位置对准；和
在所述位置对准步骤之后，利用所述检查部进行所述电特性检查的检查步骤。

Claims (6)

1.一种用于检查被检查体的检查装置，其特征在于，包括：
载置所述被检查体的载置部；
设置于所述载置部的调节该载置部的温度的温度调节机构；
中间连接部件，其以位于检查部与探针卡之间的方式配置，并且设置有将所述检查部与所述探针卡电连接的连接件，其中，所述检查部在其与所述被检查体之间收发电特性检查用的电信号，所述探针卡具有在所述电特性检查时与所述被检查体接触的端子；
进行所述载置部与所述探针卡的位置调节的位置调节机构；
设置于所述中间连接部件的测量该中间连接部件的温度的温度测量部件；
事先温度调节部，其控制所述温度调节机构和所述位置调节机构，以在所述电特性检查之前进行所述探针卡的温度调节；和
判断部，其在由所述事先温度调节部进行的所述探针卡的温度调节时，基于由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度来判断所述探针卡的温度是否已经稳定。
2.如权利要求1所述的检查装置，其特征在于：
所述中间连接部件具有主体部，所述主体部形成有用于安装所述连接件的安装孔，
所述温度测量部件设置于所述主体部。
3.如权利要求1或2所述的检查装置，其特征在于：
当由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度变化值为阈值以下时，所述判断部判断为所述探针卡的温度已经稳定。
4.如权利要求1或2所述的检查装置，其特征在于：
当由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度达到了规定的温度时，所述判断部判断为所述探针卡的温度已经稳定。
5.如权利要求1～4中任一项所述的检查装置，其特征在于：
包括其它判断部，其基于所述温度测量部件的测量结果来判断所述检查部的状态，
基于所述其它判断部的判断结果，进行关于所述检查部的状态的信息的报告。
6.一种用检查装置检查被检查体的检查方法，其特征在于：
所述检查装置包括：
载置所述被检查体的载置部；
设置于所述载置部的调节该载置部的温度的温度调节机构；
中间连接部件，其以位于检查部与探针卡之间的方式配置，并且设置有将所述检查部与所述探针卡电连接的连接件，其中，所述检查部在其与所述被检查体之间收发电特性检查用的电信号，所述探针卡具有在所述电特性检查时与所述被检查体接触的端子；
进行所述载置部与所述探针卡的位置调节的位置调节机构；和
设置于所述中间连接部件的测量该中间连接部件的温度的温度测量部件，
所述检查方法包括：
设定所述电特性检查中的所述被检查体的温度的温度设定步骤；
事先温度调节步骤，其在所述电特性检查之前，根据所设定的所述被检查体的温度来控制所述温度调节结构和所述位置调节机构，进行所述探针卡的温度调节；
判断步骤，其在所述事先温度调节步骤中的所述探针卡的温度调节时，基于由所述温度测量部件测量出的所述中间连接部件的温度，判断所述探针卡的温度是否已经稳定；
位置对准步骤，当判断为所述探针卡的温度已经稳定之后，其控制所述位置调节机构进行所述探针卡与所述被检查体的位置对准；和
在所述位置对准步骤之后，利用所述检查部进行所述电特性检查的检查步骤。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113820577A (zh) * 2020-06-02 2021-12-21 东京毅力科创株式会社 检查装置和检查方法
CN117425953A (zh) * 2021-06-04 2024-01-19 株式会社东京精密 探测器控制装置、探测器控制方法以及探测器
US12007413B2 (en) 2021-06-04 2024-06-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Prober controlling device, prober controlling method, and prober

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7153556B2 (ja) * 2018-12-28 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法
JP2021150769A (ja) 2020-03-18 2021-09-27 東芝テック株式会社 無線タグ読取装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236909A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
JP2000156272A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sumitomo Wiring Syst Ltd コネクタ検査装置
TW200403440A (en) * 2002-08-23 2004-03-01 Tokyo Electron Ltd Probe apparatus
JP2005079253A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置
JP2005228788A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Seiko Epson Corp ウエーハとプローブカードとの位置合わせ方法、プローブ検査方法及びプローブ検査装置
JP2006108456A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Japan Electronic Materials Corp プローブ装置
JP2006173206A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Micronics Japan Co Ltd プローバ
JP2008128838A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Shinko Electric Ind Co Ltd プローブ装置
JP2010266403A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Micronics Japan Co Ltd 検査装置
CN103299411A (zh) * 2011-01-13 2013-09-11 东京毅力科创株式会社 探针卡的热稳定化方法和检查装置
CN109983350A (zh) * 2016-11-29 2019-07-05 东京毅力科创株式会社 载置台和电子器件测试装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175289A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Tokyo Electron Yamanashi Kk プロ−ビング方法及びプロ−ブ装置
KR19990079322A (ko) * 1998-04-03 1999-11-05 김영환 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조
JP2007165390A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Fujitsu Ltd 検査装置及び方法
JP4744382B2 (ja) * 2006-07-20 2011-08-10 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
JP5188161B2 (ja) * 2007-11-30 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 プローブカード
KR100857224B1 (ko) * 2008-03-28 2008-09-05 주식회사 코디에스 레이저를 이용한 프로브카드 제조장치 및 방법
US20100039133A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Formfactor, Inc. Probe head controlling mechanism for probe card assemblies
KR101321467B1 (ko) * 2009-02-12 2013-10-28 가부시키가이샤 아드반테스트 반도체 웨이퍼 시험장치
US9588142B2 (en) * 2014-10-24 2017-03-07 Advantest Corporation Electronic device handling apparatus and electronic device testing apparatus

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236909A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
JP2000156272A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sumitomo Wiring Syst Ltd コネクタ検査装置
TW200403440A (en) * 2002-08-23 2004-03-01 Tokyo Electron Ltd Probe apparatus
JP2005079253A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置
JP2005228788A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Seiko Epson Corp ウエーハとプローブカードとの位置合わせ方法、プローブ検査方法及びプローブ検査装置
JP2006108456A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Japan Electronic Materials Corp プローブ装置
JP2006173206A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Micronics Japan Co Ltd プローバ
JP2008128838A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Shinko Electric Ind Co Ltd プローブ装置
JP2010266403A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Micronics Japan Co Ltd 検査装置
CN103299411A (zh) * 2011-01-13 2013-09-11 东京毅力科创株式会社 探针卡的热稳定化方法和检查装置
CN109983350A (zh) * 2016-11-29 2019-07-05 东京毅力科创株式会社 载置台和电子器件测试装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113820577A (zh) * 2020-06-02 2021-12-21 东京毅力科创株式会社 检查装置和检查方法
CN117425953A (zh) * 2021-06-04 2024-01-19 株式会社东京精密 探测器控制装置、探测器控制方法以及探测器
US12007413B2 (en) 2021-06-04 2024-06-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Prober controlling device, prober controlling method, and prober

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