JPH07161783A - 半導体測定装置及びその測定状態設定方法 - Google Patents
半導体測定装置及びその測定状態設定方法Info
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- JPH07161783A JPH07161783A JP5311431A JP31143193A JPH07161783A JP H07161783 A JPH07161783 A JP H07161783A JP 5311431 A JP5311431 A JP 5311431A JP 31143193 A JP31143193 A JP 31143193A JP H07161783 A JPH07161783 A JP H07161783A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プローブカードの全てのピンに対し、ウエハと
のコンタクト状態を常に良好な状態にする。 【構成】ウエハ１１の上面高さ及びプローブカード８の
針９の先端を検出するように、レーザ照射及び受光を行
う検出部１と、この検出部１より発したレーザ光を反射
する反射鏡１０と、検出部１のデータ処置によるウエハ
１１及び針９の判断を行うデータ処理部２と、データ処
理部２の処理のイメージ画像を映すモニタ３と、検出部
１及び反射光１０を駆動する駆動部４と、データ処理部
２のデータを計算して駆動部４に指示を出しプローバと
のデータのやりとりを行う中央処理部５とからなる。
のコンタクト状態を常に良好な状態にする。 【構成】ウエハ１１の上面高さ及びプローブカード８の
針９の先端を検出するように、レーザ照射及び受光を行
う検出部１と、この検出部１より発したレーザ光を反射
する反射鏡１０と、検出部１のデータ処置によるウエハ
１１及び針９の判断を行うデータ処理部２と、データ処
理部２の処理のイメージ画像を映すモニタ３と、検出部
１及び反射光１０を駆動する駆動部４と、データ処理部
２のデータを計算して駆動部４に指示を出しプローバと
のデータのやりとりを行う中央処理部５とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体測定装置に関
し、特にウエハプローバのオーバードライブ量設定方法
に関する。
し、特にウエハプローバのオーバードライブ量設定方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のオーバードライブ量を自動設定す
る方法としては、特開昭６３−１６６２４２号公報に示
す方法がある。
る方法としては、特開昭６３−１６６２４２号公報に示
す方法がある。
【０００３】この方法は、図４に示すように、まず測定
用各端子からプローブカード８を通してウエハ１０に必
要な入力を与えると共に、出力の判定を行う機能を有す
る試験装置１７、プローブカード８、ウエハ１０を用い
ている。さらにウエハ１０をウエハステージ１１に設置
し、プローブカード８をプローブ１８にウエハ１０と十
分離れた位置に配置する（図４）。次にウエハステージ
１１と針９の距離を一定量ずつ狭め、そのたびに試験装
置１７でコンタクトチェックを行う。ここで全部の針９
がショートの状態になったらその位置から適正なオーバ
ードライブをかけた位置でセットして調整を終わる。
用各端子からプローブカード８を通してウエハ１０に必
要な入力を与えると共に、出力の判定を行う機能を有す
る試験装置１７、プローブカード８、ウエハ１０を用い
ている。さらにウエハ１０をウエハステージ１１に設置
し、プローブカード８をプローブ１８にウエハ１０と十
分離れた位置に配置する（図４）。次にウエハステージ
１１と針９の距離を一定量ずつ狭め、そのたびに試験装
置１７でコンタクトチェックを行う。ここで全部の針９
がショートの状態になったらその位置から適正なオーバ
ードライブをかけた位置でセットして調整を終わる。
【０００４】また、特開昭６３−８６４４５号公報に示
す方法もある。この方法は、図５に示すように、針９の
接触する接触板１９と、この針９と接触板１９が接触し
た時の圧力を検出する荷重センサ２１を用いている。さ
らに、ステージ２０に接触板１９をのせ、プローブカー
ド８をプローバ１８にセットし、ウエハ１０をウエハス
テージ１１にセットする。ステージ駆動部２２によって
接触板１９は上昇し、針９と接触する。この時、荷重セ
ンサ２１は押しつけ荷重を検出し、それによってＺアッ
プ量を知ることができる。押しつけ荷重が増加しあらか
じめ設定された適正値に達したときのＺアップ量を適正
オーバードライブ位置として設定する。こうして得られ
た値と、ウエハ１０と接触板１９の上面の高さの違いを
補正し、最終的なＺアップ量を決定する。
す方法もある。この方法は、図５に示すように、針９の
接触する接触板１９と、この針９と接触板１９が接触し
た時の圧力を検出する荷重センサ２１を用いている。さ
らに、ステージ２０に接触板１９をのせ、プローブカー
ド８をプローバ１８にセットし、ウエハ１０をウエハス
テージ１１にセットする。ステージ駆動部２２によって
接触板１９は上昇し、針９と接触する。この時、荷重セ
ンサ２１は押しつけ荷重を検出し、それによってＺアッ
プ量を知ることができる。押しつけ荷重が増加しあらか
じめ設定された適正値に達したときのＺアップ量を適正
オーバードライブ位置として設定する。こうして得られ
た値と、ウエハ１０と接触板１９の上面の高さの違いを
補正し、最終的なＺアップ量を決定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の技術によ
るウエハプローバのオーバドライブ量設定方法では、自
動的にオーバードライブ量を設定することはできるが、
針の先端の高さばらつきが考慮されていないため、各ピ
ンにかかるオーバードライブ量は必ずしも一定ではな
い。図４の方法の場合は、全てのピンのコンタクトチェ
ックが通るまでオーバードライブ量が決まらないため、
最初にウエハと接触したピンには過剰なオーバードライ
ブがかかることになり、これらのピン及びピンが接触す
るパッドに過剰な負荷をかけるという問題があった。
るウエハプローバのオーバドライブ量設定方法では、自
動的にオーバードライブ量を設定することはできるが、
針の先端の高さばらつきが考慮されていないため、各ピ
ンにかかるオーバードライブ量は必ずしも一定ではな
い。図４の方法の場合は、全てのピンのコンタクトチェ
ックが通るまでオーバードライブ量が決まらないため、
最初にウエハと接触したピンには過剰なオーバードライ
ブがかかることになり、これらのピン及びピンが接触す
るパッドに過剰な負荷をかけるという問題があった。
【０００６】また、図５の方法の場合は、接触板への圧
力を検出しているが、針先のバラツキのために各ピンか
らの圧力は必ずしも一定でない。このため、すべてのピ
ンが適正値で接触板に接触していなくても、全体での最
適値に達することがあり、この状態でウエハ検査を行っ
てしまうと正常な検査ができないという問題があった。
力を検出しているが、針先のバラツキのために各ピンか
らの圧力は必ずしも一定でない。このため、すべてのピ
ンが適正値で接触板に接触していなくても、全体での最
適値に達することがあり、この状態でウエハ検査を行っ
てしまうと正常な検査ができないという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
ピンへの過剰なオーバドライブを防止すると共に、各ピ
ンの圧力を適正圧力で接触できるようにした半導体測定
装置およびその測定状態設定方法を提供することにあ
る。
ピンへの過剰なオーバドライブを防止すると共に、各ピ
ンの圧力を適正圧力で接触できるようにした半導体測定
装置およびその測定状態設定方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体測定装置
の構成は、ウエハプローバに配設されたプローブカード
の針先及びそのプローバステージ上に誘導されたウエハ
の側面ヘレーザー光を照射しその反射光を検出する検出
部と、この検出部で照射されたレーザ光を反射する反射
鏡と、これら検出部及び反射鏡を上下及び回転の機構に
よって制御する駆動部と、前記検出部で検出されたデー
タ処理するデータ処理部と、これら各部の制御及び前記
ウエハプローバとデータ交換を行う中央処理部とを有
し、前記検出部が前記プローブカードの針先位置を検出
してその針先の高さばらつき量を検出し、前記検出部が
前記ウエハの側面位置を検出してそのウエハの上面の高
さを検出し、前記ウエハプローバのＺ軸オーバードライ
ブ量の最適化を行うようにしたことを特徴とする。
の構成は、ウエハプローバに配設されたプローブカード
の針先及びそのプローバステージ上に誘導されたウエハ
の側面ヘレーザー光を照射しその反射光を検出する検出
部と、この検出部で照射されたレーザ光を反射する反射
鏡と、これら検出部及び反射鏡を上下及び回転の機構に
よって制御する駆動部と、前記検出部で検出されたデー
タ処理するデータ処理部と、これら各部の制御及び前記
ウエハプローバとデータ交換を行う中央処理部とを有
し、前記検出部が前記プローブカードの針先位置を検出
してその針先の高さばらつき量を検出し、前記検出部が
前記ウエハの側面位置を検出してそのウエハの上面の高
さを検出し、前記ウエハプローバのＺ軸オーバードライ
ブ量の最適化を行うようにしたことを特徴とする。
【０００９】本発明の半導体装置の測定状態設定方法の
構成は、針の高さばらつきを管理し、最大のオーバード
ライブのかかるピンでは過剰にならないようにし、最小
のオーバードライブのかかるピンでも問題無いコンタク
トが得られるように設定し、これらの設定が不可能であ
る程度の針先のばらつきのある場合は、設定を中止する
ことによって針への負担の発生を防いでいる。
構成は、針の高さばらつきを管理し、最大のオーバード
ライブのかかるピンでは過剰にならないようにし、最小
のオーバードライブのかかるピンでも問題無いコンタク
トが得られるように設定し、これらの設定が不可能であ
る程度の針先のばらつきのある場合は、設定を中止する
ことによって針への負担の発生を防いでいる。
【００１０】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の構
成を示す側面図および平面図，図２，図３は本実施例の
ブロック図およびその処理フロー図である。図２におい
て、検出部１は針９の先端及びウエハ１１の上面にレー
ザ照射を行う。データ処理部２は、検出部１のレーザ照
射によって針先とウエハ上面を検出する。モニタ３はデ
ータ処理部２で処理されたイメージを映す。駆動部４
は、中央処理部５からの指示により、検出部１及び反射
鏡１０に上下及び回転の駆動を行う。中央部５はデータ
処理部２によって検出されたデータをもとにばらつき量
を計算していき駆動部４を次の針に駆動させる。また、
プローバＣＰＵ７に最適なオーバドライブ量を指示す
る。プローバＣＰＵ７は、中央処理部５から最適なＺア
ップ量の指示を受け、それを元にウエハステージ駆動部
６を駆動させ、最適なＺアップが行われる。
成を示す側面図および平面図，図２，図３は本実施例の
ブロック図およびその処理フロー図である。図２におい
て、検出部１は針９の先端及びウエハ１１の上面にレー
ザ照射を行う。データ処理部２は、検出部１のレーザ照
射によって針先とウエハ上面を検出する。モニタ３はデ
ータ処理部２で処理されたイメージを映す。駆動部４
は、中央処理部５からの指示により、検出部１及び反射
鏡１０に上下及び回転の駆動を行う。中央部５はデータ
処理部２によって検出されたデータをもとにばらつき量
を計算していき駆動部４を次の針に駆動させる。また、
プローバＣＰＵ７に最適なオーバドライブ量を指示す
る。プローバＣＰＵ７は、中央処理部５から最適なＺア
ップ量の指示を受け、それを元にウエハステージ駆動部
６を駆動させ、最適なＺアップが行われる。
【００１１】次に、図１（ａ），（ｂ）を用いて針先の
高さばらつきの測定について説明する。検出部１はウエ
ハ側面の検出のためにレーザー光を発し、同時に反射鏡
１０からの反射を検出する。中央処理部５において反射
光が検出された時点での高さをウエハ側面高さとし、中
央処理部５に記憶される。次に駆動部４は、検出部１を
プローブカード８の下面まで上昇させる。検出部１によ
って反射光が検された場合は、そこに針９は存在しない
ものとデータ処理部２で判断する。反射光が検出された
場合は駆動部４はウエハステージ１２の回りを回転し反
射光を検出した時点で停止、反射光が検出されない場合
は回転は行わない。反射光を検出しなくなったポイント
を基準位置とする。
高さばらつきの測定について説明する。検出部１はウエ
ハ側面の検出のためにレーザー光を発し、同時に反射鏡
１０からの反射を検出する。中央処理部５において反射
光が検出された時点での高さをウエハ側面高さとし、中
央処理部５に記憶される。次に駆動部４は、検出部１を
プローブカード８の下面まで上昇させる。検出部１によ
って反射光が検された場合は、そこに針９は存在しない
ものとデータ処理部２で判断する。反射光が検出された
場合は駆動部４はウエハステージ１２の回りを回転し反
射光を検出した時点で停止、反射光が検出されない場合
は回転は行わない。反射光を検出しなくなったポイント
を基準位置とする。
【００１２】検出部１において発せられるレーザ光は針
９の幅以上の幅を持っており、反射鏡１０からの検出に
より針９の先端イメージを捕らえる。駆動部４はここで
下降駆動を行い、反射光の検出されない部分が無くなる
ポイントを検出し、その位置を基準高さとして中央処理
部５に記憶させる。駆動部４は検出部１をプローブカー
ドの下面まで上昇させ、ウエハステージ１２の回りを回
転させる。次の針を検出したところで回転を停止し、駆
動部４は検出部１を下降させ、高さを検出して基準高さ
と差を算出し中央処理部５にデータとして送る。駆動部
４がウエハステージ１２を一周して基準位置に戻るまで
同様に検出を続け、終了後に検出部１を駆動部４内に収
納する。
９の幅以上の幅を持っており、反射鏡１０からの検出に
より針９の先端イメージを捕らえる。駆動部４はここで
下降駆動を行い、反射光の検出されない部分が無くなる
ポイントを検出し、その位置を基準高さとして中央処理
部５に記憶させる。駆動部４は検出部１をプローブカー
ドの下面まで上昇させ、ウエハステージ１２の回りを回
転させる。次の針を検出したところで回転を停止し、駆
動部４は検出部１を下降させ、高さを検出して基準高さ
と差を算出し中央処理部５にデータとして送る。駆動部
４がウエハステージ１２を一周して基準位置に戻るまで
同様に検出を続け、終了後に検出部１を駆動部４内に収
納する。
【００１３】次に図３の自動設定方法のフローチャート
において、まず、ステップＳ１において、ウエハステー
ジ１２上にウエハ１１をセットし、次にステップＳ２に
おいてウエハ１１の上面の高さを検出部１のデータをデ
ータ処理部２で処理し設定する。次にステップＳ３にお
いて、図１（ａ）、（ｂ）のシーケンスにより針の先端
ばらつきを検出する。検出された針先ばらつきデータを
元に、ステップＳ４において針先ばらつき量が許容範囲
に入っているかどうか判定を行う。
において、まず、ステップＳ１において、ウエハステー
ジ１２上にウエハ１１をセットし、次にステップＳ２に
おいてウエハ１１の上面の高さを検出部１のデータをデ
ータ処理部２で処理し設定する。次にステップＳ３にお
いて、図１（ａ）、（ｂ）のシーケンスにより針の先端
ばらつきを検出する。検出された針先ばらつきデータを
元に、ステップＳ４において針先ばらつき量が許容範囲
に入っているかどうか判定を行う。
【００１４】この判定は、オーバードライブの最大許容
値と最小許容値を予め設定しておき、その範囲にすべて
の針先が入るかどうかで行う。この判定において許容範
囲をオーバーしてしまう場合は、プローバにアシストス
トップをさせ、許容範囲に収まる場合は、ステップＳ５
においてオーバードライブの最適値を決定する。この
際、針先ばらつき幅の中間値と許容範囲の中間値が一致
するように設定する。こうして得られた値をプローバＣ
ＰＵ７にフィードバックし、ウエハステージ駆動部６を
駆動することにより最適なオーバードライブをかける事
ができる。
値と最小許容値を予め設定しておき、その範囲にすべて
の針先が入るかどうかで行う。この判定において許容範
囲をオーバーしてしまう場合は、プローバにアシストス
トップをさせ、許容範囲に収まる場合は、ステップＳ５
においてオーバードライブの最適値を決定する。この
際、針先ばらつき幅の中間値と許容範囲の中間値が一致
するように設定する。こうして得られた値をプローバＣ
ＰＵ７にフィードバックし、ウエハステージ駆動部６を
駆動することにより最適なオーバードライブをかける事
ができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、針先のば
らつきを検出し、そのばらつきに応じて最も適切なオー
バードライブ量を設定しているので、測定ウエハとプロ
ーブカードの全ての針との間で常に良好なコンタクト状
態を得ることができ、また針のばらつきの大きいものに
ついては、コンタクトを行う前に設定を中止しているの
で、針に過剰な負担をかけることもなく、針の保護を行
う事ができるという効果を得られる。
らつきを検出し、そのばらつきに応じて最も適切なオー
バードライブ量を設定しているので、測定ウエハとプロ
ーブカードの全ての針との間で常に良好なコンタクト状
態を得ることができ、また針のばらつきの大きいものに
ついては、コンタクトを行う前に設定を中止しているの
で、針に過剰な負担をかけることもなく、針の保護を行
う事ができるという効果を得られる。
【図１】本発明の一実施例の針先検出部の側面図および
ウエハステージ平面図。
ウエハステージ平面図。
【図２】本実施例のブロック図。
【図３】本実施例のオーバードライブ量設定のフローチ
ャート。
ャート。
【図４】従来例のオーバドライブ量を自動設定する場合
のブロック図。
のブロック図。
【図５】従来例の他のオーバドライブ量自動設定の場合
のブロック図。
のブロック図。
１ 検出部 ２ データ処理部 ３ モニタ ４ 駆動部 ５ 中央処理部 ６ ウエハステージ駆動部 ７ プローバＣＰＵ ８ プローブカード ９ 針 １０ 反射鏡 １１ ウエハ １２ ウエハステージ １８ 試験装置 １９ プローバ ２０ 接触板 ２１ ステージ ２２ 荷重センサ ２３ ステージ駆動部
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハプローバに配設されたプローブカ
ードの針先及びそのプローバステージ上に誘導されたウ
エハの側面ヘレーザ光を照射しその反射光を検出する検
出部と、この検出部で照射されたレーザ光を反射する反
射鏡と、これら検出部及び反射鏡を上下及び回転の機構
によって制御する駆動部と、前記検出部で検出されたデ
ータを処理するデータ処理部と、これら各部の制御及び
前記ウエハプローバとデータ交換を行う中央処理部とを
有し、前記検出部が前記プローブカードの針先位置を検
出してその針先の高さばらつき量を検出し、前記検出部
が前記ウエハの側面位置を検出してそのウエハの上面の
高さを検出し、前記ウエハプローバのＺ軸オーバードラ
イブ量の最適化を行うようにしたことを特徴とする半導
体測定装置。 - 【請求項２】 ウエハステージ上に設定されたウエハお
よびこのウエハの測定を行うプローブカードの針先の高
さをそれぞれ光学的に検出し、そのプローブカードの針
先の高さのばらつきを検出し、そのばらつきが所定許容
範囲を越えた場合にはそのプローバを停止させて設定を
中止し、その許容範囲内にある場合にはオーバドライブ
の最適値を決定しこの最適値によりウエハステージの駆
動を設定することを特徴とする半導体装置の測定状態設
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311431A JPH07161783A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体測定装置及びその測定状態設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311431A JPH07161783A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体測定装置及びその測定状態設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161783A true JPH07161783A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18017130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311431A Pending JPH07161783A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体測定装置及びその測定状態設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119560B2 (en) | 2003-08-21 | 2006-10-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Probe apparatus |
| KR100657105B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2006-12-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 방법 및 장치 |
| CN102163678A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-24 | 晶能光电（江西）有限公司 | 给led施加荧光粉的数据处理方法、装置和制造方法 |
| KR20150050377A (ko) | 2013-10-31 | 2015-05-08 | 니혼덴산리드가부시키가이샤 | 접촉자의 유지 보수 방법 및 검사 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205336A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路試験装置 |
| JPH0555317A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体検査装置 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311431A patent/JPH07161783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205336A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路試験装置 |
| JPH0555317A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体検査装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100657105B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2006-12-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브 방법 및 장치 |
| US7119560B2 (en) | 2003-08-21 | 2006-10-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Probe apparatus |
| CN102163678A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-24 | 晶能光电（江西）有限公司 | 给led施加荧光粉的数据处理方法、装置和制造方法 |
| KR20150050377A (ko) | 2013-10-31 | 2015-05-08 | 니혼덴산리드가부시키가이샤 | 접촉자의 유지 보수 방법 및 검사 장치 |
| US9678134B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-06-13 | Nidec-Read Corporation | Method for determining maintenance time for contacts, and testing apparatus |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970114 |