CN101326622B

CN101326622B - 表面粗糙度检查装置

Info

Publication number: CN101326622B
Application number: CN2006800460437A
Authority: CN
Inventors: 林义典; 森秀树
Original assignee: Shibaura Engineering Works Co Ltd
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2005-12-06
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2010-06-16
Anticipated expiration: 2026-12-05
Also published as: WO2007066659A1; TW200728683A; EP1959487B1; JP5322257B2; US20090177415A1; CN101326622A; DE602006021785D1; EP1959487A4; KR100958493B1; JPWO2007066659A1; EP1959487A1; TWI408333B; US8433102B2; KR20080078812A

Abstract

提供一种即使被检查物体的表面弯曲也使得能够合适检查该表面的表面粗糙度检查装置。该表面粗糙度检查装置具有：成像单元(20)，其具有线传感器(22)，以沿与线传感器(22)的长度方向正交的方向扫描被检查物体的表面(101)，由此使线传感器(22)能够输出针对每一个像素的密度信号；和处理单元(50)，其用于处理所述密度信号。处理单元(50)具有用于根据所述密度信号来获取像素密度值的装置(S2)，和密度状态生成装置(S7)，该密度状态生成装置用于根据所述被检查物体的表面(101)上的所有像素的密度值生成表示线传感器(22)扫描物体表面的方向上的密度状态的密度状态信息Pf。

Description

表面粗糙度检查装置

技术领域

本发明涉及检查诸如半导体晶片的外周端面的被检查物体的表面的粗糙度的表面粗糙度检查系统。

背景技术

在过去，已经提出了用于检测被检查物体的表面的粗糙度的检查系统(例如，参见专利文献1)。在这种类型的检查系统中，向被检查物体的表面发射激光束，并且测量该物体表面处散射和反射的激光束的量。而且，基于测量出的量生成表示物体表面的表面粗糙度的信息。根据这种检查系统，可以客观地检查半导体晶片等的表面粗糙度。

专利文献1：日本专利公报(A)No.6-244261。

发明内容

本发明要解决的问题

然而，常规检查系统检查诸如半导体晶片的表面的平坦表面。当检查诸如半导体晶片的外周端面的弯曲表面时，难于进行合适的检查。例如，当检查半导体晶片的外周端面时，必需将激光点的尺寸至少设置成半导体晶片的厚度(大约700μm到2mm)，但如果那样设置激光点的尺寸，则由于外周端面的曲度的影响，而不可能合适地接收在该外周端面处散射的激光束。因此，如果不调节受光部件的灵敏度或者以其它方式合适地改变测量条件，则不能获取合适的数据。

提出本发明以解决现有技术中的这种问题，并且本发明提供一种甚至能够合适地检查被检查物体的弯曲表面的表面粗糙度检查系统。

用于解决所述问题的手段

根据本发明的表面粗糙度检查系统具有：成像单元，该成像单元具有线传感器，所述成像单元沿与所述线传感器的延伸方向正交的方向扫描被检查物体的表面，并且从所述线传感器输出针对每一个像素的密度信号；和处理单元，该处理单元处理来自所述成像单元的所述线传感器的密度信号，所述处理单元具有用于基于来自所述线传感器的所述密度信号来获取像素密度值的装置，和密度状态生成装置，该密度状态生成装置用于基于针对所述被检查物体的所述表面获取的全部像素密度值生成表示在所述物体表面的扫描方向上的密度状态的密度状态信息。

由于这种构造，因为线传感器的宽度极其小，所以即使所述被检查物体的表面是弯曲的，通过合适地设置所述物体表面的弯曲方向和所述线传感器的取向，可以在极大地消除了所述物体表面的曲度的影响的状态下沿与所述线传感器延伸的方向正交的方向扫描所述物体表面。而且，当该线传感器(成像单元)扫描所述物体表面时，基于从所述线传感器输出的所述密度信号针对每一个像素获取所述像素密度值，并且基于针对所述物体表面获取的全部像素密度值生成表达在所述物体表面的扫描方向上的密度状态的密度状态信息。从所述线传感器输出的所述密度信号的电平因所述物体表面的局部表面的方向或起伏形状等而改变，因而，基于来自这种线传感器的所述密度信号所获取的所述密度状态信息可以表达在扫描方向上的被检查物体的表面的粗糙度的状态。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，使得所述处理单元具有显示控制装置，该显示控制装置用于基于所述密度状态信息使一显示单元显示所述物体表面的沿扫描方向的密度的分布图。

由于这种构造，所述显示单元显示所述物体表面的沿扫描方向的密度的分布图，因而，操作员可以查看该分布图并且判断所述物体表面的沿扫描方向的粗糙度。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，使得所述处理单元具有判断装置，该判断装置用于基于所述密度状态信息判断所述物体表面的粗糙度。

由于这种构造，基于能够示出所述被检查物体的所述表面的粗糙度在所述线传感器的扫描方向上的状态的所述密度状态信息来判断所述物体表面的粗糙度，因而，可以基于该判断结果来判断所述物体表面的粗糙度。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，使得所述密度状态生成装置具有处理装置，该处理装置沿所述物体表面的扫描方向偏移针对由对被检查物体的所述表面获取的全部像素密度值所表达的图像信息设置的一个或更多个扫描线窗口，并且基于每一个扫描位置的所述窗口中的全部像素密度值计算表示该窗口的区域密度值，并且使得所述密度状态生成装置基于每一个扫描位置的所述区域密度值生成所述密度状态信息。

由于这种构造，基于针对所述窗口中的全部像素密度值计算出的所述区域密度值来获取密度状态信息，因而通过合适地设置所述窗口的宽度(线数)，可以基于来自更大视角的所述密度状态信息来判断所述物体表面的粗糙度。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，使得所述处理装置计算所述窗口中的全部像素密度值的和，作为区域密度值。

由于这种构造，因为通过合计所述窗口中的全部像素密度值来获取表示所述窗口的所述区域密度值，所以可以容易地获取该区域密度值。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，具有沿所述扫描方向设置所述窗口的宽度的窗口设置装置。

由于这种构造，可以设置不同的窗口宽度，因而，可以在不同条件下判断物体表面的粗糙度。

而且，根据本发明的表面粗糙度检查系统可以被设置成，所述被检查物体是半导体晶片，所述线传感器被设置成沿与所述半导体晶片的表面大致垂直的方向延伸，并且使得所述半导体晶片绕与所述表面垂直的轴转动，以扫描所述半导体晶片的外周端面。

由于这种构造，当所述线传感器沿外周方向对所述半导体晶片的外周端面进行扫描时，基于从所述线传感器输出的所述密度信号针对每一个像素获取所述像素密度值，并且基于针对所述半导体晶片的外周端面获取的全部像素密度值生成表示该外周端面的沿扫描方向的密度状态的密度状态信息。而且，该密度状态信息可以表达所述半导体晶片的外周端面的沿扫描方向(外周方向)的粗糙度的状态。

本发明的效果

按照根据本发明的表面粗糙度检查系统，可以在极大地消除了所述物体表面的曲度的影响的状态下沿与所述线传感器延伸的方向正交的方向扫描所述物体表面。基于从该线传感器输出的所述密度信号生成能够表达所述物体表面的沿扫描方向的粗糙度的状态的密度状态信息，由此，即使所述被检查物体的表面是弯曲表面，也可以合适地检查所述表面粗糙度。

附图说明

图1是示出根据本发明一实施方式的表面粗糙度检查系统的构造的图。

图2给出了示出图1所示表面粗糙度检查系统中的CCD摄像机中的线传感器与被检查的半导体晶片之间的位置关系的平面图(a)和示出线传感器与半导体晶片的外周端面之间的位置关系的侧视图(b)。

图3是示出图1所示表面粗糙度检查系统中的处理单元处的处理例程的流程图。

图4是示出宽度不同的窗口W1到Wn的图。

图5是示出针对图像信息EI设置的窗口W的图。

图6是示出分布图信息的曲线图。

图7是示出通过设置不同宽度的窗口所获取的多个分布图的图。

图8是示出表示在JIS中规定的粗糙度的各种参数的图。

图9是说明用于判断针对裸晶片的表面粗糙度的技术的图。

图10是说明用于判断针对其上形成有膜的产品晶片的表面粗糙度的技术的图。

图11是示出最低频率下的分布图信息的模型的图。

图12是示出高频下的分布图信息的模型的图。

图13是示出用于确定在根据分布图信息判断表面粗糙度时使用的判断标准的处理的流程图。

10 晶片旋转对准器

11 转台

20 CCD摄像机

21 透镜系统

22 线传感器

30 光源单元

31 电源

50 处理单元

51 操作单元

52 监视单元

100 半导体晶片

101 外周端面

具体实施方式

下面，基于附图，对本发明的实施方式进行说明。

根据本发明的表面粗糙度检查系统的实施方式如图1所示构造。这种表面粗糙度检查系统检查半导体晶片的外周端面的表面粗糙度。

在图1中，这种表面粗糙度检查系统具有晶片旋转对准器10。该晶片旋转对准器10转动其上设置有被检查的半导体晶片100的转台11。而且，将CCD摄像机20(成像单元)设置成相对于设置在转台11上的半导体晶片100的外周端面呈预定位置关系，并且设置根据从电源31提供的电力而发射漫射光的光源单元30，以通过该漫射光照射半导体晶片100的落入CCD摄像机20的捕获范围内的外周端面。

而且，这种表面粗糙度检查系统具有处理单元50。该处理单元50基于操作单元51的操作控制晶片旋转对准器10，以使转台11按预定速度转动并且处理从CCD摄像机20输出的针对每一个像素的密度信号。处理单元50可以基于来自CCD摄像机20的每一个像素的密度信号而使监视单元52(显示单元)显示半导体晶片100的外周端面的图像和各种信息。

如图2(a)和(b)所示，CCD摄像机20设置有透镜系统21(物镜)和线传感器22(单色CCD线传感器)。如图2(b)所示，CCD摄像机20被设置成，面对半导体晶片100的外周端面101，使得线传感器22沿与半导体晶片100的表面大致垂直的方向延伸。而且，如图2(a)所示，沿以下取向设置CCD摄像机20，即，该取向使得可以通过线传感器22有效地接收从半导体晶片100的外周端面的被来自光源单元30的光照射的光照射部分P反射来的光。

因为按上述方式设置线传感器22与被检查的半导体晶片100的外周端面101之间的位置关系(参见图2(a)、(b))，所以沿与半导体晶片100的表面(垂直表面)大致垂直(即，与外周端面101的外周方向正交)的方向设置线传感器22的极细(例如，3μm)扫描线。因此，线传感器22可以在消除了半导体晶片100的外周端面101的曲度的影响的状态下沿外周方向扫描外周端面101。

处理单元50执行根据图3所示例程的处理。

在图3中，处理单元50控制晶片旋转对准器10，并且在通过操作单元51执行预定开始操作时使转台11转动。随同该转台11的转动，半导体晶片100按预定速度转动并且通过CCD摄像机20开始扫描半导体晶片100的外周端面101(S1)。在扫描外周端面101的处理中，处理单元50接收从CCD摄像机20的线传感器22连续输出的针对每一个像素的密度信号作为输入，将该密度信号转换成像素密度值，并且将该像素密度值存储在预定存储器中(S2)。而且，处理单元50判断半导体晶片100是否转动了一次，并且结束针对端面的整个圆周的扫描(S3)，接着重复执行处理(S2)。

当处理单元50判断已经结束了对半导体晶片100的端面的整个圆周的扫描时(S3处的是)，它获取通过操作单元51的操作指定的窗口的尺寸(S4)。如图4所示，可以设置由线传感器22形成在半导体晶片100的外周端面101上的一个或更多个扫描线窗口。即，可以指定一个扫描线窗口W1、两个扫描线窗口W2、三个扫描线窗口W3、……、n个扫描线窗口Wn等。应注意到，在结束对半导体晶片100的端面的整个圆周的扫描时的时刻，将在该端面的整个圆周上获取的全部像素密度值加载到存储器中，作为示出半导体晶片100的外周端面的总圆周(0°位置到360°位置)的图像信息。

如图5所示，处理单元50针对由存储器中加载的全部像素密度值所组成的图像信息ZEI从扫描位置(0°)起按顺序设置窗口W的指定尺寸，(累积地)相加该窗口W中包括的全部像素密度值，并且计算该和，作为表示该窗口W的区域密度值(S5)。而且，处理单元50判断是否已经结束对与端面的整个圆周相对应的图像信息EI的处理(S6)，并且在偏移窗口W的同时重复执行处理(S5)。

如果处理单元50判断已经结束了对与端面的整个圆周相对应的图像信息EI的处理(S6处的是)，则例如它链接扫描位置(θ)和针对在每一个扫描位置设置的窗口W而获取的区域密度值，并且生成与该密度有关的分布图信息，作为表示在被检查的半导体晶片100的外周端面101的扫描方向上的密度的状态的密度状态信息。例如，如图6所示，如果图像信息EI包括其中密度级与背景的密度级相比大大不同的部分D1、D2、D3、D4以及D5，则获取其中与这些部分相对应的扫描位置θ₁、θ₂、θ₃、θ₄、θ₅处的区域密度值突出(stick out)的分布图信息Pf。根据窗口W的设置宽度确定这个分布图信息中的位置分辨率。

处理单元50在按上述方式生成与密度有关的分布图信息(密度状态信息)时，使用该分布图信息来执行用于判断被检查的半导体晶片100的外周端面101的粗糙度的处理(S8)。半导体晶片100的外周端面101的局部表面倾斜、起伏形状等造成了从线传感器22输出的密度信号的电平的变化，由此，基于来自线传感器22的密度信号所获取的分布图信息(密度状态信息)表示沿扫描方向的半导体晶片100的外周端面101的粗糙度的状态。

因此，在粗糙度判断处理(S8)中，判断分布图信息中每一个扫描位置处的区域密度值是否超出预定阈值Lth。而且，判断外周端面101的与具有超出该阈值Lth的区域密度值的扫描位置相对应的部分的表面是否特别粗糙，并且判断在该部分处是否存在划痕或其它缺陷。例如，根据图6所示分布图信息，判断外周端面101的与具有超出阈值Lth的区域密度值的扫描位置θ₁和θ₃相对应的部分的表面特别粗糙，并且判断在这些位置处存在划痕或其它缺陷。

而且，处理单元50连同粗糙度判断处理(S8)可以基于分布图信息使监视单元52显示粗糙度的分布图(显示控制)。在这种情况下，例如，将图6所示分布图Pf显示在监视单元52上，由此，操作员可以基于监视单元52上显示的分布图Pf来判断被检查的半导体晶片100的外周端面101的粗糙度的状态。

而且，粗糙度判断处理(S8)不限于上述处理。例如，如图7所示，通过比较针对不同宽度的多个窗口Wi、Wj以及Wk所获取的分布图信息Pfi、Pfj以及Pfk，可以判断半导体晶片100的外周端面101的粗糙度。针对较宽宽度的窗口所获取的分布图信息可以表达图像信息EI的相对较低频率分量的状态。而针对较窄宽度窗口所获取的分布图信息可以表达图像信息EI的相对较高频率分量的状态。这样，通过比较图像信息EI的不同频率分量的状态，可以判断半导体晶片100的外周端面101的粗糙度。例如，当与图像信息EI的不同频率分量相对应的多个分布图信息Pfi、Pfj以及Pfk按相同方式波动时，对于外周端面101可以判断该表面相对稳定。另一方面，当与图像信息EI的不同频率分量相对应的多个分布图信息Pfi、Pfj以及Pfk处的峰值的扫描位置偏移较大时，可以判断外周端面101的与扫描位置的邻域相对应的部分较粗糙。

而且，在粗糙度判断处理(S8)中，可以根据如图8(a)、(b)以及(c)所示的获取的分布图信息计算与表示在JIS中规定的粗糙度的参数相对应的参数，并且根据该参数判断半导体晶片100的外周端面101的粗糙度。应注意到，图8(a)、(b)以及(c)所示的分布图用于直径大约为30cm的半导体晶片100的外周端面101。从扫描位置(0°)到扫描位置(360°)的总外周长度L为大约1000mm。

在图8(a)所示的示例中，可以根据等式(1)计算与JIS B0601-1994中规定的算术平均粗糙度Ra相对应的参数。在图8(b)所示的示例中，可以根据等式(2)计算与JIS B0601-1994中规定的最大高度Ry相对应的参数。而且，在图8(c)所示的示例中，可以根据等式(3)计算与JISB0601-1994中规定的起伏形状的平均跨距Sm相对应的参数。

根据上述表面粗糙度检查系统，可以在消除了被检查的半导体晶片100的外周端面101的曲度的影响的状态下沿与线传感器22延伸的方向正交的方向扫描外周端面101，并且基于从该线传感器22输出的密度信号生成能够表示外周端面101的沿扫描方向(外周方向)的粗糙度的状态的分布图信息(参见图6到图8)，使得即使半导体晶片100的外周端面101弯曲，也可以合适地检查表面粗糙度。

在上述实施例中，利用每一个窗口的区域密度值生成分布图信息，但本发明不限于此。例如，还可以基于针对多个窗口的区域密度值的移动平均值(例如，在每次将窗口偏移一个像素的同时通过对区域密度值进行平均所获取的值)来生成分布图信息。

对上述粗糙度判断处理(图3中的S8)进行更详细的说明。而且，可以利用这个判断处理中的结果，来确认用于对晶片端面进行镜面抛光的处理的终点(抛光的终点)。

当被检查的半导体晶片100是裸晶片时，大量光在表面处被反射，从而密度级变低。因此，在这种情况下，例如，如图9(a)所示，表示与按预定窗口宽度W准备的每一个扫描位置(θ)相对应的区域密度值的分布图信息变为背景的相对较低的密度级。在以背景的相对较低密度级的分布图信息为基础的粗糙度判断处理中，设置相对较低等级的判断线Th(阈值)。

因此，例如，如图9(b)所示，根据局部包括超出判断线Th的密度级的分布图信息，可以判断表面粗糙度不均匀并且抛光状态不够好的物体。而且，根据其中超出判断线Th的密度级在整个扫描位置(0度到360度)上均匀地呈现的部分的分布图信息，抛光程度仍然不够，但可以判断表面的粗糙度均匀。而且，如图9(c)所示，根据不存在密度级超出判断线Th的位置的分布图信息，可以判断表面粗糙度均匀并且已经达到抛光的终点。

接下来，当被检查的半导体晶片100例如是其上形成有膜的产品晶片时，表面处反射的光受膜影响并且密度级变得高于裸晶片的情况。因此，在这种情况下，例如，如图10(a)所示，分布图信息整个变为高密度级。为此，按上述方式，不可以将针对用于检查裸晶片的处理而使用的判断线Th照原样用于检查产品晶片的情况。

用于裸晶片的分布图信息(参见图9(a))与用于形成有膜的产品晶片的分布图信息(参见图10(a))之间的差别是因基于背景的密度级的差别的偏移值Δo而造成的。因此，通过寻找这种偏移量Δo，可以按与裸晶片的表面粗糙度一样的判断基准(判断线Th)来判断产品晶片的表面粗糙度。

背景的密度级可以被视为遍及整个扫描位置(θ)大致恒定。因此，按不同方式改变窗口宽度W而获取的分布图信息具有取决于窗口宽度W的频率特征，但无论分布图信息的频率特征如何，与背景的密度级相对应的部分都大致变为相同密度级。据此，例如，可以生成针对半导体晶片100的多个分布图信息，并且将在不同分布图信息中变得大致相同的密度级中的最低密度级设置为偏移值Δo。

例如，可以使用由此确定的偏移值Δo和在裸晶片的情况下使用的判断标准Th，来根据下式确定新的判断值Th1。

Th1＝Th+Δo …(1)

在这种情况下，例如，如图10(b)所示，即使整体密度级较高，也可以根据不存在超过判断线Th1(除了虚线部分以外)的密度级的位置的分布图信息来判断表面粗糙度均匀，并且可以判断已经达到抛光的终点。另一方面，如图10(c)所示，可以根据局部包括超过判断线Th1的密度级的分布图信息来判断表面粗糙度不均匀并且抛光的状态不够好。

在形成有膜的半导体晶片100中，过度抛光有时导致膜被磨掉。在这种情况下，在膜被剥落的部分处反射更大量的光，从而密度级变得更低。据此，例如，可以将如上所述求出的偏移值Δo设置为下限判断标准Tho。在这种情况下，如图10(b)的虚线所示，并且进一步如图10(c)所示，根据包括密度级落入下限判断线Tho之下的部分的分布图信息，可以判断抛光已经被执行得超过了抛光的终点。而且，具体来说，根据图10(b)的分布图信息的虚线部分，可以判断表面粗糙度相对均匀，但已经执行了过度抛光。根据图10(c)的分布图信息，可以判断因装置中的某种异常性而造成局部执行了过度抛光。

这样，这种表面粗糙度检查系统基于光学检测到的密度信息(区域密度值)来检测物体的表面粗糙度。因此，被检查的半导体晶片100的倾斜或偏移对晶片旋转对准器10的影响，并且进一步对表面粗糙度没有影响的半导体晶片10的表面的翘曲等，也可能呈现在密度信息中，由此，有时不能仅根据单一频率特征的分布图信息来准确地判断表面粗糙度。由于半导体晶片100的倾斜或偏移等，密度信息中呈现的波动变得周期相对较长。为此，半导体晶片的倾斜或偏移等的影响在分布图信息中以相对较长的周期呈现。而且，与倾斜等的情况相比，因半导体晶片100的表面的翘曲而呈现在密度信息中的波动周期较短，但与上述表面粗糙度的情况相比，则周期较长。为此，半导体晶片100的表面的翘曲的影响在分布图信息中按中等长度的周期呈现。

如果一次按1个像素扩大窗口宽度W并且根据从半导体晶片100的端面的整个圆周获取的像素密度数据生成分布图信息，则理论上如示出裸晶片的情况的图11(a)和示出产品晶片的情况的图11(b)所示，可以根据给出其中扫描位置0度到360度变为一个波长的最长波长(低频)特征的分布图信息，获取给出与一个像素间距相对应的最短波长(高频)特征的分布图信息，如示出裸晶片的情况的图12(a)和示出产品晶片的情况的图12(b)所示。

这样，根据不同频率特征的分布图信息，在消除了其中呈现半导体晶片的倾斜或偏移等的影响的相对较低频率(较大周期)的分布图信息和其中呈现半导体晶片100的表面的翘曲的影响的中频(中等周期)的分布图信息之后，从剩余分布图信息中选择一个或更多个分布图信息。而且，通过将上述判断标准(参见图9和图10)应用于选定的分布图信息来整体上判断表面粗糙度和抛光的状态。

这样，如上所述，用于判断表面粗糙度的判断线例如可以根据图13所示的例程来确定。在这种情况下，在预先发现为良好的半导体晶片100(基准晶片)上执行处理。

在图11中，设置要显示的分布图信息的频率(S11)。通过如上所述改变用于获取区域密度值的窗口宽度W，可以改变分布图信息的频率特征。如果按较窄窗口宽度获取区域密度值，则可以获取高频分布图信息(例如，参见图12)，而如果按较宽窗口宽度获取区域密度值，则可以获取低频分布图信息(例如，参见图11)。因此，作为要显示的分布图信息的频率，设置相对较高的频率(S)、中频(M)，以及相对较低的频率(L)。

此后，如上所述，将在多个分布图信息中变得大致相同并且变为最低等级的密度级设置为偏移值Δo(S12)。而且，在监视单元52上显示如上所述设置的三个频率特征的分布图信息(例如，参见图7)(S13)。操作员通常可以根据显示在监视单元52上的三个分布图信息中的最低频率(L)获知半导体晶片100的设置状态(倾斜、偏移等)，通常可以根据中频(M)的分布图信息获知半导体晶片100的外周端面的翘曲状态，而且，通常可以根据最高频率(S)的分布图信息获知半导体晶片100的外周端部的表面粗糙度的状态。

此后，基于偏移值Δo设置下限判断标准Tho(S14)。而且，根据利用相对较高频率分布图信息的波动的等级的等式(1)和偏移值Δo来确定判断标准Th1。根据要判断的表面粗糙度的等级来确定多组判断标准Th0、Th1。将由此确定的下限判断标准Tho、Th1和标识基准晶片的ID、操作员ID以及时间标记一起登记(S15)。例如，在膜形成步骤、抛光步骤等处，针对半导体晶片利用登记的判断标准Tho、Th1来执行上述判断处理。

工业应用

如上所述，根据本发明的表面粗糙度检查系统具有即使被检查物体的表面是弯曲表面也可以合适地检查该被检查物体的表面的效果，并且可用作检测诸如半导体晶片等的外周端面的被检查物体的表面的粗糙度的表面粗糙度检查系统。

Claims

1.一种表面粗糙度检查系统，该表面粗糙度检查系统具有：

成像单元，该成像单元具有线传感器，所述成像单元沿与所述线传感器的延伸方向正交的方向扫描被检查物体的表面，并且从所述线传感器输出针对每一个像素的密度信号；和

处理单元，该处理单元处理来自所述成像单元的所述线传感器的密度信号，

所述处理单元具有：

像素密度值获取装置，该像素密度值获取装置用于基于来自所述线传感器的所述密度信号来获取像素密度值；和

密度状态生成装置，该密度状态生成装置用于基于针对所述被检查物体的所述表面获取的全部像素密度值生成表示所述物体表面的在扫描方向上的密度状态的密度状态信息。

2.根据权利要求1所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，所述处理单元具有显示控制装置，该显示控制装置用于基于所述密度状态信息使一显示单元显示所述物体表面的在扫描方向上的密度的分布图。

3.根据权利要求1所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，所述处理单元具有判断装置，该判断装置用于基于所述密度状态信息判断所述物体表面的粗糙度。

4.根据权利要求1所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，

所述密度状态生成装置具有处理装置，该处理装置沿所述物体表面的扫描方向偏移针对由对被检查物体的表面获取的全部像素密度值所表达的图像信息设置的一个或更多个扫描线窗口，并且基于每一个扫描位置处的所述窗口中的全部像素密度值计算表示该窗口的区域密度值，并且

所述密度状态生成装置基于每一个扫描位置处的所述区域密度值生成所述密度状态信息。

5.根据权利要求4所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，所述处理装置计算所述窗口中的所有像素密度值的和，作为区域密度值。

6.根据权利要求4所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，该表面粗糙度检查系统具有沿所述扫描方向设置所述窗口的宽度的窗口设置装置。

7.根据权利要求1所述的表面粗糙度检查系统，其特征在于，所述被检查物体是半导体晶片，所述线传感器被设置成沿与所述半导体晶片的表面大致垂直的方向延伸，并且使得所述半导体晶片绕与所述表面垂直的轴转动以扫描所述半导体晶片的外周端面。