JPH05335385A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

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JPH05335385A
JPH05335385A JP4140563A JP14056392A JPH05335385A JP H05335385 A JPH05335385 A JP H05335385A JP 4140563 A JP4140563 A JP 4140563A JP 14056392 A JP14056392 A JP 14056392A JP H05335385 A JPH05335385 A JP H05335385A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 測定時にテストヘッドに対する被処理体の位
置合わせが可能で、高精度の高周波測定が可能であるプ
ローブ装置を提供する。 【構成】 テストヘッド１に直接プローブ針を備えたプ
ローブカード９を取り付けるとともに、被検査体を支持
する載置台４に載置台４に対するプローブカード９の傾
きを検出する検出手段１４を取り付けるとともに、この
検出手段１４からの情報に基づき載置台４の傾きを補正
する補正手段を設ける。補正手段は載置台４を支持する
長さが変化可能な３本の支持部から成り、各支持部の長
さを変えることにより載置台４の傾きを補正する。 【効果】 テストヘッドに直接プローブカードを取り付
けることができるので、テストヘッドとプローブカード
との間のメジャーリングケーブル等接続部をなくすこと
ができ、インピーダンスの増加をなくし、正確な高周波
測定が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ等被検
査体の電気的特性を検査するためのプローブ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】被検査体、例えば被検査体の表面には一
定間隔で規則的に配列された複数のチップが形成され、
各チップ内の所定の箇所にはこのチップ内の各種の信号
機に連なる複数のパッドが形成される。チップ内の各パ
ッドに検査装置の対応のプローブ針を接触させた状態で
このチップの電気的特性の検査が行なわれ、不良チップ
に対してはマーキングなどによる識別が行なわれる。通
常、この主の検査装置は検査の自動化を図るためにプロ
ーブ装置が組み合わされる。
【０００３】このプローブ装置１００は、図６に示すよ
うにＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能なウェハ載置台１０
１の上方側にウェハ内のＩＣチップの電極パッド配列に
対応して配列されたプローブ針を備えたプローブカード
１０２を配置するとともに、このプローブカード１０２
を例えばネジによりコンタクトリング１０３の下面に固
定してコンタクトリング１０３とプローブカードとをメ
ジャーリングケーブル或いはコンタクトリング１０３の
ポゴピンを介して電気的に接続し、更にこのコンタクト
リングをプローブ装置本体のインサートリング１０４に
図示しない固定手段により固定して構成される。そして
このような装置におけるプローブテストは、テストヘッ
ド１０５をコンタクトリング１０３の上面に押し当てて
メジャーリングケーブル或いはポゴピンによりテストヘ
ッド１０５とコンタクトリング１０３とを電気的に接続
し、ウェハ載置台１０１を上昇させてプローブ針とウェ
ハ内のチップの電極パッドとを接触させ、この状態で電
気的測定を行なってＩＣチップの良否を判断するように
している。
【０００４】さらに最近では、稼働率の向上のために複
数、例えば１６のＩＣチップをこれらＩＣチップに対応
するプローブ針を備えたプローブカードによって一度に
測定するマルチプローブも行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような従
来のプローブ装置においては、被検査体であるＩＣチッ
プとテストヘッドとの間にメジャーリングケーブル或い
はポゴピンといった複数の接続部が介在するため、容
量、インピーダンスが増大し、２００〜３００ＭＨｚ以
上の高周波検査を正確に行なえないという問題がある。
またＩＣチップとテストヘッド１０５とのマッチングを
とることが難しく、測定が安定しにくいという問題があ
る。
【０００６】このためテストヘッドに直接プローブカー
ドを固定し、接続部を最小にするとことが考えられる。
しかし、一般にテストヘッドとプローブ装置本体とはそ
れぞれ別個の台上にあり、それらの水平が異なるため、
テストヘッドに直接プローブカードを固定した場合に
は、プローブ針をＩＣチップに位置合わせしても完全な
コンタクトを図ることができないので、プローブカード
の水平面とウェハの水平面とを一致させる調整が必要と
なる。
【０００７】従来のプローブ装置においても、装置の組
立時にプローブカードが取り付けられる面とウェハ載置
台との水平出し作業は行なわれるが、この場合例えば１
個のチップを測定するシングルプローブでは、水平度が
数１０ミクロンの精度が、また複数のチップを一度に測
定するマルチプローブではシングルの約倍の精度が要求
される。しかし、テストヘッドは２００ｋｇ以上、特に
高集積化の進んだ大径ウェハ用のテストヘッドでは３０
０〜５００ｋｇにもなり、しかもテストヘッドは剛性の
ある支持手段に支持されていないため、振動があると位
置ずれを生じる可能性が大きく、組立時に高精度の水平
出しを行なっても測定時には所望の精度を達成できない
可能性がある。
【０００８】
【目的】本発明は、以上のような問題点を解決すべくな
されたもので、測定時にテストヘッドに対する被処理体
の位置合わせが可能であるプローブ装置を提供すること
を目的とする。更に本発明はテストヘッドに直接プロー
ブカードを取り付けることにより、接続部を最小にして
高周波測定の精度を上げることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明のプローブ装置は、テストヘッドと、被検査体
を検査するためのプローブ針を備え、テストヘッドに電
気的に接続されるプローブカードと、被検査体を支持す
る支持手段と、支持手段を被検査体とプローブ針とが接
触するように移動するためのステージとを備えたプロー
ブ装置において、支持手段は前記被検査体のテストヘッ
ドに対する傾きを補正する補正手段を備えたものであ
り、好適にはプローブカードがテストヘッドに固定的に
連結されているものである。
【００１０】
【作用】ステージの移動によって支持手段を移動し、被
検査体とテストヘッドに取り付けられたプローブカード
とを対向させる。ここで支持手段に設けられた補正手段
によりプローブカードに対する被検査体の傾きを検出す
るとともにプローブカードと被検査体とが平行となるよ
うに被検査体の傾斜を補正する。しかる後に常法により
ステージの移動による支持手段のＹＸ駆動とＺ方向の移
動を行ない被検査体にプローブ針を接触させて所定のパ
ッドにテストヘッドにより電圧を印加し、電気的特性を
測定する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のプローブ装置の１実施例を図
面を参照して説明する。図１は本発明のプローブ装置の
全体を示す図で、主としてプローブ装置本体１０と本体
とは別の支持台７に支持されたテストヘッド１とから成
る。プローブ装置本体１０は、被検査体として複数の半
導体ウェハＷを収納するカセット６が載置され、ウェハ
Ｗの搬出、搬入を行なうためのローダ・アンローダ部
２、ウェハのスクラブラインの直交性が所定の精度に入
るようにθ軸を合わせ、ＸＹ軸を補正するための光学系
或いはＩＴＶカメラ等のパターン認識手段を備えたアラ
イメント部３、及びウェハ支持手段であるウェハチャッ
ク４とウェハチャック４をＸＹ方向に移動するためのＸ
ステージとＹステージとから成るステージ５とを備えた
プローバ部とから成り、ローダ・アンローダ部２とプロ
ーバ部との間には図示しない搬送アームが設けられてお
り、ローダに載置されたカセット６とプローバ部のウェ
ハチャック４との間のウェハＷのやりとりを行なう。こ
の他、プローブ装置は図示しない操作パネル、ウェハＷ
とプローブ針との接触を目視するためのマイクロスコー
プ、操作パネルから測定条件等の入力データや測定時の
アライメントデータ等のデータに基づき所定の演算を行
ない、ステージ等の各駆動部に制御信号を送出するため
のマイクロコンピュータ（以下、マイコンという）等が
備えられている。
【００１２】テストヘッド１はウエハ上の形成されたＩ
Ｃチップの所定のパッドに所定の電圧を印加するための
電源、回路を備え、支持台７に枢着された支持腕８に固
定されており、非測定時の退避位置から図示するような
本体上の測定位置に移動可能になっている。なお、テス
トヘッド１の重量を支えるためにプローブ装置本体側に
テストヘッド１の一端を保持するクランプ等を設けても
よい。更に、テストヘッドには測定時の電圧印加による
加熱を防止するために、図示しない冷却手段が備えられ
ているが、冷却手段として従来用いられている冷却ファ
ンは振動を生じるので、空気、水、液体窒素、フレオン
等の冷媒の循環による冷却手段であることが好ましい。
【００１３】このようなテストヘッド１の測定位置にお
ける本体側の面には、所定の導電パターンが形成された
プローブカード９がネジ止等により直接固定され、テス
トヘッド側の電極と導電パターンとが電気的に接続され
ている。プローブカード９には図２に示すように導電パ
ターンと電気的に接続された複数のプローブ針９ａが中
央の開口９ｃから突出するように配設されている。この
プローブ針９ａは被検査体に対応して設けられ、例えば
シングルチップの測定であればチップのパッドに対応す
る数、配列で、またマルチプローブであれば複数のチッ
プの各パッドに対応する数、配列でプローブ針が配設さ
れる。開口９ｃから突出するプローブ針９ａの先端によ
って形成する平面とプローブカード９の下面（ウェハに
対向する面）とは互いに平行となるように予め平行出し
されている。また、プローブカード９の下面には、後述
するプローブ部の補正手段によって傾きを検出するため
のターゲットマーク９ｂが附されている。ターゲットマ
ーク９ｂは複数、例えばプローブカード９の４隅にＸ軸
方向に２つ（９ｂ1、９ｂ2）、Ｙ軸方向に２つ設けられ
る。
【００１４】なお、プローブ装置本体１０とテストヘッ
ド１は、ステージの作動等による振動によるプローブ針
９ａとチップのパッドとの接触抵抗の変化を防止するた
めに、それぞれ防振台上に設置されていることが好まし
い。一方、アライメント部３及びプローブ部４は、図３
に示すようにアライメント部３としてアライメントブリ
ッジ１１にウェハ上の形成されているチップの位置を検
出するためのＩＴＶカメラ１２と、ウェハ表面などの高
さを検出するための静電容量型センサ１３が固定されて
いる。ステージ５は、Ｘ方向に延在される２本のレール
に沿ってＸ方向に移動可能なＸステージ５ａと、このＸ
ステージ５ａ上をＹ方向に延在される２本のレールに沿
ってＸ方向に移動可能なＹステージ５ｂとから構成され
ており、Ｘステージ５ａ及びＹステージ５ｂは、パルス
モータなどを含む慣用の駆動機構によって水平面内をＸ
方向とＹ方向とに自在に移動することができる。
【００１５】ウェハチャック４は更に図４に示すよう
に、ウェハＷを例えば真空吸着機構によって吸着支持す
る載置板４１と、Ｙステージ５ｂには固定され、慣用の
昇降機構によって上下（Ｚ）方向に自在に昇降可能であ
ると共に、その中心を通りＺ軸に平行な中心線の周りに
慣用の回転機構によって自在に回転可能である可動部４
２と、載置板４１と可動部４２を連結する支持部４３と
から成り、支持部４３は球状に形成された載置板４１の
底面を複数点例えば３点（図５（ｂ）のａ、ｂ、ｃ）に
おいてボールネジ、圧電素子、カム或いはエアシリンダ
等の支持長を別個に変化させることができる部材で支持
する構成となっている。即ち、支持部４３が３本のボー
ルネジで構成される場合にはステッピングモータ等によ
りボールネジを個別に回転させて載置板４１と可動部４
２との間隔（以下、支持長という）をボールネジで支持
する点毎に変化させて載置板４１の角度を変化させる。
また、支持部４３が３本の圧電素子から成る場合には、
各圧電素子に印加する電圧の強さを変化させて、各支持
点の支持長を変化させ、載置板４１の上面の角度を変化
させる。その他、上述したように角度を変化させる方式
としてカムやエアシリンダ或いはテーパ状凹部に楔状の
凸部をスライド可能に係合させたアリ等を採用すること
ができる。
【００１６】更にＹステージ５ｂにはプローブカード９
のターゲットマーク９ｂまでの高さを検出することによ
ってプローブカード９に対するウェハチャック４の傾き
を検出するための静電容量センサ（ハイトセンサ）或い
はＣＣＤカメラ１４が固定されている。例えばＣＣＤカ
メラ１４の場合、後述するようにカメラのオートフォー
カス調整量によってターゲットマーク９ｂまでの高さｈ
1を検知する。このＣＣＤカメラ１４はそれ自身用のタ
ーゲットマークを有しており、アライメント部３におい
てその位置が検知可能になっている。
【００１７】次にこのような構成におけるプローブ装置
の動作について説明する。まず、ローダ部２から搬送ア
ームによってウェハＷがウェハチャック４の載置板４１
に保持されると、ＸＹステージ５によってウェハチャッ
ク４をアライメントブリッジ１１に移動させ、常法に従
いＩＴＶカメラ１２によりウェハ上の形成されているチ
ップの位置を検出して、ＸＹ軸とスクラブラインとの直
交性が所定の精度に入るようにするとともに予め設定し
たパラメータを基にプローブ針９ａとチップのパッドが
一致するようにＸ軸Ｙ軸を補正する。
【００１８】次いでＩＴＶカメラ１２によりＣＣＤカメ
ラ１４のターゲットマークを基にウェハチャック４に保
持されたウェハＷの中心からＣＣＤカメラ１４までの距
離（初期位置）を決める。しかる後に、ステージ５を移
動させてＣＣＤカメラ１４がプローブカード９のＸ方向
の両端に設けられたターゲットマーク９ｂ1、９ｂ2の高
さを順次検知する。この高さｈ1は、内蔵されるマイコ
ンによってＣＣＤカメラ１４におけるターゲットマーク
９ｂの映像の鮮明度を極大にしたときのオートフォーカ
ス調整量に基づきカメラ焦点からターゲットマーク９ｂ
までの距離ｌ 1として求められる。Ｘ方向の２つのター
ゲットマーク９ｂに対応する２点の高さｈ1、ｈ2を求
め、次に２点間のＸ方向の距離ｄ1をＣＣＤカメラ１４
の初期位置からの移動量の差として求め、これら高さｈ
1、ｈ2及び距離ｄ1から、次式 ｔａｎθ1＝（ｈ2−ｈ1）／ｄ1 により、Ｘ方向の傾きθ1を求めることができる（図５
（ａ））。同様に、Ｙ方向についてもプローブカードの
Ｙ方向の両端に設けられた２つのターゲットマーク９ｂ
に対応する２点の高さｈ3、ｈ4を求め、２点間のＹ方向
の距離ｄ2から式 ｔａｎθ2＝（ｈ2−ｈ1）／ｄ2 によりＹ方向の傾きθ2を求めることができる。ここ
で、求められる傾きは、Ｙステージ５ｂ、即ち載置板４
１に対するプローブカード９の相対的傾きであり、どち
らかが水平であっても、また両方とも水平方向に対して
傾いている場合でも差し支えない。
【００１９】次にマイコンはこのように演算されたプロ
ーブカード９の傾きに対して、載置板４１の傾きを一致
させるように支持部４３の所定のボールネジ若しくは圧
電素子を駆動して、各支持点の支持長を変化させる。例
えば、図５（ｂ）に示すように、支持点（３点）ａ、
ｂ、ｃがＹ軸に対し対称に配置されているとして、載置
板４１をＹ軸に沿って傾斜させる場合には、Ｙ軸上にあ
る支持点ａの支持長のみ或いは他の支持点ｂ、ｃの支持
長を同時に同量だけ変化させる。また、Ｘ軸方向に沿っ
て傾斜させる場合には、支持点ｂ、ｃのいずれか一方の
支持長を所定量変化させるとともに支持点ａの支持長を
その移動量の半分量だけ変化させる。これにより、載置
板４１とプローブカード９との平行が確保され、プロー
ブ針９ａの形成する平面とウェハの平面とが平行にな
る。なお、これら支持部４３のボールネジ若しくは圧電
素子の移動量は、Ｘ軸方向とＹ軸方向毎に行なってもよ
いが、予めＸＹ方向の傾きに対する３点の移動量の対照
表を作成しこれをマイコンのメモリにインプットしてお
き、この対照表を基に支持部４３の一度の駆動で載置板
４１の傾きを変えるようにすることもできる。
【００２０】このように載置板４１とプローブカード９
との平行が確保された後、常法に従いステージ５を移動
してウェハチャック４を再びアライメントブリッジ１１
に移動し、さらに静電容量型センサ１３によりウェハ表
面などの高さを検出し、チップとプローブ針９ａとが適
切な接触圧でコンタクトするようにカードＺ軸方向の移
動量を決定する。また、傾斜により変化したＸ、Ｙ方向
の移動量も補正する。
【００２１】しかる後に、ステージ５を移動してウェハ
チャック４をプローブ部に移動し、載置板４１を上昇さ
せてウェハとプローブ針９ａとを接近させ、マイクロス
コープやＴＶカメラ等により観察しながらチップのパッ
ドとプローブ針９ａのＸＹＺθ方向の位置合わせを行な
い、その後プローブ針９ａとパッドとを接触させる。次
いでテストヘッド１に接続されたテスタにより、１つの
チップ或いは複数のチップが同時に電気的測定され、良
否が判定される。
【００２２】なお、以上の実施例では、被検査体が載置
される面とプローブカードとが水平であるいわゆる水平
プローバについて説明したが、本発明のプローブ装置は
被検査体を垂直に保持し、テストヘッド１に対して被検
査体を水平方向に移動して接近させるいわゆる垂直プロ
ーブ装置にも適用できる。垂直プローブ装置は、大型化
で重量の大きいテストヘッドを固定して、被検査体側を
移動するようにしているので、テストヘッドの支持が不
安定であることに起因するプローブ針とパッドとの接触
をなくすことができ、有利である。この場合にもテスト
ヘッドに直接プローブカードを固定することにより、メ
ジャーリングケーブル等接続部をなくすことができ、検
査の安定化を図ることができる。
【００２３】また以上の実施例においては、被検査体と
して半導体ウェハについて説明したが、本発明プローブ
装置はＬＣＤガラス基板等にも適用できることは言うま
でもない。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のプローブ装置によればプローブカードに対する被検
査体の傾きを補正することができるので、組立誤差等の
両者の傾きのずれによる接触不良を防止し、高精度の測
定ができる。また、補正手段を設けることにより、テス
トヘッドに直接プローブカードを取り付けることができ
るので、テストヘッドとプローブカードとの間のメジャ
ーリングケーブル等接続部をなくすことができ、インピ
ーダンスの増加をなくし、正確な高周波測定が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプローブ装置の一実施例を示す全体構
成図。
【図２】本発明に係るプローブカードの一実施例を示す
図。
【図３】図１のプローブ装置の要部を示す斜視図。
【図４】図１のプローブ装置の別の要部を示す図。
【図５】図１のプローブ装置の動作を説明する図で、
（ａ）はプローブカードの傾斜θを示す図、（ｂ）は載
置板の支持を示す図。
【図６】従来のプローブ装置を示す図。
【符号の説明】
１・・・・・・テストヘッド ４・・・・・・支持手段（ウェハチャック） ４３・・・・・・補正手段（支持部） ５・・・・・・ステージ ９・・・・・・プローブカード ９ａ・・・・・・プローブ針 １４・・・・・・補正手段（カメラ） Ｗ・・・・・・被検査体（ウェハ）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】テストヘッドと、被検査体を検査するため
    のプローブ針を備え、前記テストヘッドに電気的に接続
    されるプローブカードと、前記被検査体を支持する支持
    手段と、前記支持手段を前記被検査体と前記プローブ針
    とが接触するように移動するためのステージとを備えた
    プローブ装置において、前記支持手段は前記被検査体の
    前記テストヘッドに対する傾きを補正する補正手段を備
    えたことを特徴とするプローブ装置。
  2. 【請求項２】前記プローブカードは前記テストヘッドに
    固定的に連結されていることを特徴とする請求項１記載
    のプローブ装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0752588A3 (en) * 1995-07-05 1997-07-23 Tokyo Electron Ltd Test facility
JP2002350461A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Hioki Ee Corp プローブ装置および回路基板検査装置
KR100445931B1 (ko) * 1997-07-11 2004-10-14 동경 엘렉트론 주식회사 프로브테스트방법및프로브장치
JP2007134403A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
JP2007256117A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Fujitsu Ltd プリント回路基板試験装置、プリント回路基板試験方法、プリント回路基板試験プログラム、プリント回路基板製造方法
JP2008306215A (ja) * 2000-09-05 2008-12-18 Cascade Microtech Inc プローブステーション用チャック
JP2011002239A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Fujikura Ltd 磁界プローバ
JP2013524291A (ja) * 2010-04-15 2013-06-17 モレキュラー マシーンズ アンド インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフト マイクロ操作ツールを無衝突で位置決めする方法
CN105929202A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 昆山瑞鸿诚自动化设备科技有限公司 一种home键与前屏幕二合一测试治具
JP2018195644A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
EP4357793A1 (en) * 2022-10-17 2024-04-24 The Boeing Company Tilt calibration for probe systems

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621313A (en) * 1993-09-09 1997-04-15 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer probing system and method that stores reference pattern and movement value data for different kinds of wafers
US20030199179A1 (en) * 1993-11-16 2003-10-23 Formfactor, Inc. Contact tip structure for microelectronic interconnection elements and method of making same
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
KR100248569B1 (ko) * 1993-12-22 2000-03-15 히가시 데쓰로 프로우브장치
US5561386A (en) * 1994-02-23 1996-10-01 Fujitsu Limited Chip tester with improvements in handling efficiency and measurement precision
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
FR2743194B1 (fr) * 1995-12-29 1998-03-20 Sgs Thomson Microelectronics Identification de carte a pointes pour une fabrication assistee par ordinateur
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5773987A (en) * 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
US5773951A (en) * 1996-03-25 1998-06-30 Digital Test Corporation Wafer prober having sub-micron alignment accuracy
JPH09321102A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Tokyo Electron Ltd 検査装置
US5861759A (en) * 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
JP3639887B2 (ja) * 1997-01-30 2005-04-20 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
JP3172760B2 (ja) * 1997-03-07 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 バキュームコンタクタ
US6140828A (en) 1997-05-08 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Prober and probe method
JP3206509B2 (ja) * 1997-08-22 2001-09-10 日本電気株式会社 表示パネル用プローブ装置
US6048750A (en) * 1997-11-24 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for aligning and connecting semiconductor components to substrates
US6072898A (en) 1998-01-16 2000-06-06 Beaty; Elwin M. Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components
JP3553791B2 (ja) * 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法
US6731327B1 (en) 1999-02-12 2004-05-04 Hypervision, Inc. Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments
JP2000260852A (ja) 1999-03-11 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ及び検査装置
US6373268B1 (en) * 1999-05-10 2002-04-16 Intel Corporation Test handling method and equipment for conjoined integrated circuit dice
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6320372B1 (en) * 1999-07-09 2001-11-20 Electroglas, Inc. Apparatus and method for testing a substrate having a plurality of terminals
JP4376370B2 (ja) * 1999-09-29 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 高速測定対応プローブ装置
US7009415B2 (en) * 1999-10-06 2006-03-07 Tokyo Electron Limited Probing method and probing apparatus
JP2001110857A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
DE19952943C2 (de) * 1999-11-03 2003-07-03 Infineon Technologies Ag Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte
US6392428B1 (en) * 1999-11-16 2002-05-21 Eaglestone Partners I, Llc Wafer level interposer
JP4218816B2 (ja) 2000-02-15 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 針荷重測定方法、検査方法及び検査装置
US6424167B1 (en) * 2000-03-22 2002-07-23 National Semiconductor Corporation Vibration resistant test module for use with semiconductor device test apparatus
US6650135B1 (en) * 2000-06-29 2003-11-18 Motorola, Inc. Measurement chuck having piezoelectric elements and method
JP2001358204A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ
US6774621B2 (en) * 2000-06-15 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Inspection stage having a plurality of Z axes
US6537831B1 (en) * 2000-07-31 2003-03-25 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set using a multi wafer interposer
US6812048B1 (en) * 2000-07-31 2004-11-02 Eaglestone Partners I, Llc Method for manufacturing a wafer-interposer assembly
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US20040020514A1 (en) * 2002-07-18 2004-02-05 Orsillo James E. Probe device cleaner and method
US6813817B2 (en) * 2000-09-15 2004-11-09 James Orsillo Method of using a replacement headplate to adapt a probe station
US7053646B2 (en) * 2000-09-15 2006-05-30 Orsillo James F Apparatus and method for use in testing a semiconductor wafer
US6408500B1 (en) * 2000-09-15 2002-06-25 James Orsillo Method of retrofitting a probe station
US6815712B1 (en) 2000-10-02 2004-11-09 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set from a wafer-interposer assembly
US6686657B1 (en) * 2000-11-07 2004-02-03 Eaglestone Partners I, Llc Interposer for improved handling of semiconductor wafers and method of use of same
US6529022B2 (en) * 2000-12-15 2003-03-04 Eaglestone Pareners I, Llc Wafer testing interposer for a conventional package
US6524885B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-25 Eaglestone Partners I, Llc Method, apparatus and system for building an interposer onto a semiconductor wafer using laser techniques
US20020078401A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Fry Michael Andrew Test coverage analysis system
US20020076854A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Pierce John L. System, method and apparatus for constructing a semiconductor wafer-interposer using B-Stage laminates
EP1220596A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-03 Icos Vision Systems N.V. A method and an apparatus for measuring positions of contact elements of an electronic component
US6673653B2 (en) * 2001-02-23 2004-01-06 Eaglestone Partners I, Llc Wafer-interposer using a ceramic substrate
TW558629B (en) * 2001-09-19 2003-10-21 Siemens Ag Device and method to plain-parallel alignment of an inspectable even object-surface to a focus-plain of an objective
US6861859B1 (en) * 2001-10-22 2005-03-01 Electroglas, Inc. Testing circuits on substrates
US6771060B1 (en) * 2001-10-22 2004-08-03 Electroglas, Inc. Testing circuits on substrates
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US6777964B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6674296B1 (en) * 2002-02-28 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Probe card measurement tool
US6876211B2 (en) * 2002-03-13 2005-04-05 Seagate Technology Llc Printed circuit board test fixture that supports a PCB to be tested
US7038441B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-02 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus with loading device
US7026832B2 (en) * 2002-10-28 2006-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Probe mark reading device and probe mark reading method
JP2004152916A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Nec Corp 半導体デバイス検査装置及び検査方法
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
KR100621627B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-19 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 설비 및 그 설비의 정렬 방법
US7157923B2 (en) * 2004-11-18 2007-01-02 Infineon Technologies Ag Method for full wafer contact probing, wafer design and probe card device with reduced probe contacts
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7352198B2 (en) * 2006-01-18 2008-04-01 Electroglas, Inc. Methods and apparatuses for improved stabilization in a probing system
EP1739440A3 (de) * 2005-06-30 2009-05-13 Feinmetall GmbH Elektrisches Prüfverfahren und -vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Kontaktiervorrichtung
US7068056B1 (en) * 2005-07-18 2006-06-27 Texas Instruments Incorporated System and method for the probing of a wafer
JP2007035747A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7583098B2 (en) * 2006-02-08 2009-09-01 Sv Probe Pte. Ltd. Automated probe card planarization and alignment methods and tools
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
WO2008085463A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-17 In Test Corporation Test head positioning system and method
TWI490513B (zh) * 2006-12-29 2015-07-01 Intest Corp 用於使負載沿平移軸線平移之負載定位系統以及使負載達到平衡之方法
US7764076B2 (en) * 2007-02-20 2010-07-27 Centipede Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and/or leveling a test head
JP2008272931A (ja) * 2007-04-30 2008-11-13 Suss Microtec Test Systems Gmbh 運動装置を制御する装置と方法
US7573283B2 (en) * 2007-06-19 2009-08-11 Suss Micro Tec Test Systems Gmbh Method for measurement of a device under test
JP4950779B2 (ja) * 2007-06-22 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブカードの登録方法及びこのプログラムを記録したプログラム記録媒体
JP2009021397A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Seiko Epson Corp マルチカードの位置ズレ補正方法及び、回路素子の検査方法
US7847568B2 (en) * 2007-08-17 2010-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-site probe
WO2009064285A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-22 Testmetrix, Inc. Apparatus and method for testing semiconductor devices
KR100936631B1 (ko) * 2007-11-22 2010-01-14 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로버의 ｚ축 위치 제어 장치 및 방법
KR101028433B1 (ko) 2008-11-20 2011-04-15 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그의 제어방법
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US8120304B2 (en) 2008-12-12 2012-02-21 Formfactor, Inc. Method for improving motion times of a stage
US8519728B2 (en) * 2008-12-12 2013-08-27 Formfactor, Inc. Compliance control methods and apparatuses
JP5086983B2 (ja) * 2008-12-15 2012-11-28 株式会社東芝 プローブ装置、処理装置及びウェハプローブテストの処理方法
KR101583000B1 (ko) * 2009-03-09 2016-01-19 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법
KR101090333B1 (ko) * 2009-06-03 2011-12-07 주식회사 쎄믹스 척의 능동적 기울기 제어가 가능한 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그 제어방법
EP2418503B1 (en) * 2010-07-14 2013-07-03 Sensirion AG Needle head
CN103545236A (zh) * 2013-11-12 2014-01-29 江苏艾科瑞思封装自动化设备有限公司 装片机的自动对位机构、包括它的装片机及方法
CN105277757A (zh) * 2014-07-24 2016-01-27 京元电子股份有限公司 降低镜头模块环境温度的装置及其方法
JP6515007B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査方法及びウエハ検査装置
GB2545496B (en) 2015-12-18 2020-06-03 Teraview Ltd A Test System
CN106814222B (zh) * 2016-06-28 2019-05-07 昆山欧博精密机械电子有限公司 电路板植针治具底座
TWI641836B (zh) * 2017-08-21 2018-11-21 漢民科技股份有限公司 平面校正裝置及包含其之半導體測試設備
CN110238547B (zh) * 2019-05-09 2020-12-18 西安理工大学 一种用于测量大功率激光焦点位置的系统及测量方法
CN110187259A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 德淮半导体有限公司 一种防止晶圆测试中针痕偏移的调整系统以及调整方法
WO2021124862A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 日本電産リード株式会社 検査装置
CN112763193B (zh) * 2021-01-07 2023-05-30 上海浩创亘永科技有限公司 Ccd模组检测装置及ccd模组检测方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830128A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Hitachi Ltd ウエハのチヤツク装置
JPS6362245A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Canon Inc ウエハプロ−バ
US4864227A (en) * 1987-02-27 1989-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
JP2802825B2 (ja) * 1990-09-22 1998-09-24 大日本スクリーン製造 株式会社 半導体ウエハの電気測定装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0752588A3 (en) * 1995-07-05 1997-07-23 Tokyo Electron Ltd Test facility
KR100445931B1 (ko) * 1997-07-11 2004-10-14 동경 엘렉트론 주식회사 프로브테스트방법및프로브장치
JP2008306215A (ja) * 2000-09-05 2008-12-18 Cascade Microtech Inc プローブステーション用チャック
JP2002350461A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Hioki Ee Corp プローブ装置および回路基板検査装置
JP2007134403A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
JP2007256117A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Fujitsu Ltd プリント回路基板試験装置、プリント回路基板試験方法、プリント回路基板試験プログラム、プリント回路基板製造方法
JP2011002239A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Fujikura Ltd 磁界プローバ
JP2013524291A (ja) * 2010-04-15 2013-06-17 モレキュラー マシーンズ アンド インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフト マイクロ操作ツールを無衝突で位置決めする方法
CN105929202A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 昆山瑞鸿诚自动化设备科技有限公司 一种home键与前屏幕二合一测试治具
JP2018195644A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
EP4357793A1 (en) * 2022-10-17 2024-04-24 The Boeing Company Tilt calibration for probe systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP3219844B2 (ja) 2001-10-15
KR940006232A (ko) 1994-03-23
US5410259A (en) 1995-04-25
KR100260116B1 (ko) 2000-07-01

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