JPH05333098A - 半導体装置の特性評価装置 - Google Patents
半導体装置の特性評価装置Info
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- JPH05333098A JPH05333098A JP13950492A JP13950492A JPH05333098A JP H05333098 A JPH05333098 A JP H05333098A JP 13950492 A JP13950492 A JP 13950492A JP 13950492 A JP13950492 A JP 13950492A JP H05333098 A JPH05333098 A JP H05333098A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】パワ−半導体素子とプロ−ブ電極との相対位置
およびウエハ−の平坦度の差に起因する電極電位の測定
誤差を排除し、特性評価精度を向上する。 【構成】ウエハ−１０内に複数個作り込まれたパワ−半
導体素子９の特性を、ウエハ−を切断せずに評価するも
のであって、ウエハ−支持台１１がフォ−ス１２Ｉ，セ
ンス１２Ｐ一対のプロ−ブ電極組１２をパワ−半導体素
子９の数に対応して備え、各プロ−ブ電極組のフォ−ス
およびセンスがアライメント機構１７に連動してオンオ
フ制御される選択スイッチ群１５を介して測定装置１８
に接続されるとともに、測定針装置１４がフォ−ス針１
４Ｉ，センス針１４Ｐ一対の測定針組１４Ａ，１４Ｂを
備えてなるものとする。
およびウエハ−の平坦度の差に起因する電極電位の測定
誤差を排除し、特性評価精度を向上する。 【構成】ウエハ−１０内に複数個作り込まれたパワ−半
導体素子９の特性を、ウエハ−を切断せずに評価するも
のであって、ウエハ−支持台１１がフォ−ス１２Ｉ，セ
ンス１２Ｐ一対のプロ−ブ電極組１２をパワ−半導体素
子９の数に対応して備え、各プロ−ブ電極組のフォ−ス
およびセンスがアライメント機構１７に連動してオンオ
フ制御される選択スイッチ群１５を介して測定装置１８
に接続されるとともに、測定針装置１４がフォ−ス針１
４Ｉ，センス針１４Ｐ一対の測定針組１４Ａ，１４Ｂを
備えてなるものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ−内に作り込
まれた複数個のパワ−半導体素子それぞれの特性を、ウ
エハ−状態のままで評価する半導体装置の特性評価装置
に関する。
まれた複数個のパワ−半導体素子それぞれの特性を、ウ
エハ−状態のままで評価する半導体装置の特性評価装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ−に複数個作り込まれたパワ−ト
ランジスタ，パワ−ＭＯＳＦＥＴ，あるいはＩＧＢＴな
どのパワ−半導体素子は、例えばウエハ−の一方の面側
に並んで形成されたベ−スおよびエミッタに対し、ウエ
ハ−の裏面にコレクタが形成されるため、その特性評価
に際してウエハ−をその厚み方向に貫通する電流を流す
必要がある。このため、パワ−半導体素子の特性評価装
置には、ウエハ−を吸着支持するウエハ−支持台側にも
電極を設けたものが知られている。
ランジスタ，パワ−ＭＯＳＦＥＴ，あるいはＩＧＢＴな
どのパワ−半導体素子は、例えばウエハ−の一方の面側
に並んで形成されたベ−スおよびエミッタに対し、ウエ
ハ−の裏面にコレクタが形成されるため、その特性評価
に際してウエハ−をその厚み方向に貫通する電流を流す
必要がある。このため、パワ−半導体素子の特性評価装
置には、ウエハ−を吸着支持するウエハ−支持台側にも
電極を設けたものが知られている。
【０００３】図３は従来の半導体装置の特性評価装置を
簡略化して示す構成図であり、ウエハ−支持台１はウエ
ハ−１０の大きさに相応した金メッキ銅板などからなる
プロ−ブ電極２と、これを支持する絶縁枠体３とを含
み、プロ−ブ電極から引き出された電流リ−ド６Ｉ，お
よび電位リ−ド６Ｐが測定装置８に接続されるととも
に、絶縁枠体３がアライメント機構７に連結されて、支
持台をプロ−ブ電極２の電極面に平行な方向に自在に位
置調整できるよう構成される。また、測定針装置４はパ
ワ−半導体素子９の電極数（例えばエミッタ電極，ベ−
ス電極）に対応した数の測定針４Ａ，４Ｂ等を備え、そ
れぞれ測定装置８に接続される。
簡略化して示す構成図であり、ウエハ−支持台１はウエ
ハ−１０の大きさに相応した金メッキ銅板などからなる
プロ−ブ電極２と、これを支持する絶縁枠体３とを含
み、プロ−ブ電極から引き出された電流リ−ド６Ｉ，お
よび電位リ−ド６Ｐが測定装置８に接続されるととも
に、絶縁枠体３がアライメント機構７に連結されて、支
持台をプロ−ブ電極２の電極面に平行な方向に自在に位
置調整できるよう構成される。また、測定針装置４はパ
ワ−半導体素子９の電極数（例えばエミッタ電極，ベ−
ス電極）に対応した数の測定針４Ａ，４Ｂ等を備え、そ
れぞれ測定装置８に接続される。
【０００４】このように構成された従来の特性評価装置
における特性評価試験は、先ずパワ−半導体素子９が複
数個作り込まれたウエハ−１０を、各パワ−半導体素子
の電極（例えばコレクタ電極）９Ａがプロ−ブ電極２の
表面に密着して導電接触するようウエハ−１０をあらか
じめ位置決めされた位置に真空吸着する。次いで、アラ
イメント機構７によりウエハ−支持台１をウエハ−の表
面に平行な方向に移動し、測定するパワ−半導体素子９
を測定針装置４の直下に位置決めし、測定針を目標とす
る電極に導電接触させる。これにより測定準備が完了す
るので、選択したパワ−半導体素子の特性が測定装置８
によって行われる。
における特性評価試験は、先ずパワ−半導体素子９が複
数個作り込まれたウエハ−１０を、各パワ−半導体素子
の電極（例えばコレクタ電極）９Ａがプロ−ブ電極２の
表面に密着して導電接触するようウエハ−１０をあらか
じめ位置決めされた位置に真空吸着する。次いで、アラ
イメント機構７によりウエハ−支持台１をウエハ−の表
面に平行な方向に移動し、測定するパワ−半導体素子９
を測定針装置４の直下に位置決めし、測定針を目標とす
る電極に導電接触させる。これにより測定準備が完了す
るので、選択したパワ−半導体素子の特性が測定装置８
によって行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の特性評価装置で
は、電極９Ａの電位を精度よく測定するために、プロ−
ブ電極２と測定装置８との間を電流リード６Ｉおよび電
位リ−ド６Ｐで接続し、電流Ｉは電流リード６Ｉを介し
て流し、電位リ−ド６Ｐをプロ−ブ電極電位の測定にの
みに使用して電位リ−ド６Ｐ内での電位降下をほぼ零と
し、電位リ−ド６Ｐ内での電位降下が電極９Ａの電位の
測定値に悪影響を及ぼすことを回避するよう構成され
る。しかしながら、複数のパワ−半導体素子９に対して
ウエハ−支持台１が一つのプロ−ブ電極２で構成されて
いるため、電流リード６Ｉの取り付け端子から離れた位
置にあるパワ−半導体素子の特性測定時には、プロ−ブ
電極２内を電流Ｉが図の横方向に流れ、プロ−プ電極内
にその沿面方向距離に比例した電位降下が発生する。し
たがって、電流リード６Ｉに近い位置で電極に接続した
電位リ−ド６Ｐで検出される電極電位はプロ−ブ電極内
の電位降下のかなりの部分を含む値となり、電極電位の
測定誤差が増大する、ことに電流Ｉが１Ａ以上の場合、
プロ−ブ内の電位降下は数１０ｍＶ以上にも達し、電極
電位の測定精度に大きな悪影響を及ぼすという問題があ
った。
は、電極９Ａの電位を精度よく測定するために、プロ−
ブ電極２と測定装置８との間を電流リード６Ｉおよび電
位リ−ド６Ｐで接続し、電流Ｉは電流リード６Ｉを介し
て流し、電位リ−ド６Ｐをプロ−ブ電極電位の測定にの
みに使用して電位リ−ド６Ｐ内での電位降下をほぼ零と
し、電位リ−ド６Ｐ内での電位降下が電極９Ａの電位の
測定値に悪影響を及ぼすことを回避するよう構成され
る。しかしながら、複数のパワ−半導体素子９に対して
ウエハ−支持台１が一つのプロ−ブ電極２で構成されて
いるため、電流リード６Ｉの取り付け端子から離れた位
置にあるパワ−半導体素子の特性測定時には、プロ−ブ
電極２内を電流Ｉが図の横方向に流れ、プロ−プ電極内
にその沿面方向距離に比例した電位降下が発生する。し
たがって、電流リード６Ｉに近い位置で電極に接続した
電位リ−ド６Ｐで検出される電極電位はプロ−ブ電極内
の電位降下のかなりの部分を含む値となり、電極電位の
測定誤差が増大する、ことに電流Ｉが１Ａ以上の場合、
プロ−ブ内の電位降下は数１０ｍＶ以上にも達し、電極
電位の測定精度に大きな悪影響を及ぼすという問題があ
った。
【０００６】また、プロ−ブ電極またはウエハ−の平坦
度が多少でも悪いと、ウエハ−側の各パワ−半導体素子
の電極９Ａとプロ−ブ電極２とが均等に密着せず、接触
抵抗に位置的なばらつきを生ずるので、複数のパワ−半
導体素子間で電極電位の測定値に差が生ずることにな
り、パワ−半導体素子の特性を正当に評価できないとい
う事態が発生する。
度が多少でも悪いと、ウエハ−側の各パワ−半導体素子
の電極９Ａとプロ−ブ電極２とが均等に密着せず、接触
抵抗に位置的なばらつきを生ずるので、複数のパワ−半
導体素子間で電極電位の測定値に差が生ずることにな
り、パワ−半導体素子の特性を正当に評価できないとい
う事態が発生する。
【０００７】この発明の目的は、パワ−半導体素子とプ
ロ−ブ電極との相対位置およびウエハ−の平坦度の差に
起因する電極電位の測定誤差を排除し、特性評価精度を
向上することにある。
ロ−ブ電極との相対位置およびウエハ−の平坦度の差に
起因する電極電位の測定誤差を排除し、特性評価精度を
向上することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、ウエハ−内に複数個作り込まれ
たパワ−半導体素子の特性を、ウエハ−を切断せずに評
価するものであって、ウエハ−を支持しアライメント機
構により位置調整されるウエハ−支持台と、前記アライ
メント機構により位置決めされた前記パワ−半導体素子
の電極部に導電接触する測定針装置と、この測定針装置
に導電接続された測定装置とを含むものにおいて、ウエ
ハ−支持台がフォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組を
前記パワ−半導体素子数に対応して備え、各プロ−ブ電
極組のフォ−スおよびセンスが前記アライメント機構に
連動してオンオフ制御される選択スイッチを介して前記
測定装置に接続されてなるものとする。
に、この発明によれば、ウエハ−内に複数個作り込まれ
たパワ−半導体素子の特性を、ウエハ−を切断せずに評
価するものであって、ウエハ−を支持しアライメント機
構により位置調整されるウエハ−支持台と、前記アライ
メント機構により位置決めされた前記パワ−半導体素子
の電極部に導電接触する測定針装置と、この測定針装置
に導電接続された測定装置とを含むものにおいて、ウエ
ハ−支持台がフォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組を
前記パワ−半導体素子数に対応して備え、各プロ−ブ電
極組のフォ−スおよびセンスが前記アライメント機構に
連動してオンオフ制御される選択スイッチを介して前記
測定装置に接続されてなるものとする。
【０００９】また、測定針装置が、フォ−ス，センス一
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えてなるものとする。さらに、フォ−ス，セン
ス一対のプロ−ブ電極組が電気絶縁材からなる枠体に一
方向に移動可能に支持され、ウエハ−支持台上に支承さ
れたウエハ−に向けてばね付勢されてなるものとする。
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えてなるものとする。さらに、フォ−ス，セン
ス一対のプロ−ブ電極組が電気絶縁材からなる枠体に一
方向に移動可能に支持され、ウエハ−支持台上に支承さ
れたウエハ−に向けてばね付勢されてなるものとする。
【００１０】
【作用】この発明の構成において、ウエハ−支持台がフ
ォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組をパワ−半導体素
子数に対応して備え、各プロ−ブ電極組のフォ−スおよ
びセンスを、アライメント機構に連動してオンオフ制御
される選択スイッチを介して測定装置に接続するよう構
成したことにより、パワ−半導体素子への電流通流機能
と電極電位検出機能とをフォ−ス側とセンス側とに分離
し、電極電位の測定誤差を低減する機能が得られる。ま
た、各パワ−半導体素子とプロ−ブ電極との相対的距離
を、電極組を細分化することにより均等化し、パワ−半
導体素子間の測定誤差を低減する機能が得られる。
ォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組をパワ−半導体素
子数に対応して備え、各プロ−ブ電極組のフォ−スおよ
びセンスを、アライメント機構に連動してオンオフ制御
される選択スイッチを介して測定装置に接続するよう構
成したことにより、パワ−半導体素子への電流通流機能
と電極電位検出機能とをフォ−ス側とセンス側とに分離
し、電極電位の測定誤差を低減する機能が得られる。ま
た、各パワ−半導体素子とプロ−ブ電極との相対的距離
を、電極組を細分化することにより均等化し、パワ−半
導体素子間の測定誤差を低減する機能が得られる。
【００１１】また、測定針装置が、フォ−ス，センス一
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えるよう構成したことにより、測定針装置の電
流通流機能と電極電位検出機能とが分離され、電流が流
れることによって生ずる電位降下が電極電位の測定誤差
となることを回避できるので、電極電位の測定精度をよ
り一層改善する機能が得られる。
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えるよう構成したことにより、測定針装置の電
流通流機能と電極電位検出機能とが分離され、電流が流
れることによって生ずる電位降下が電極電位の測定誤差
となることを回避できるので、電極電位の測定精度をよ
り一層改善する機能が得られる。
【００１２】さらに、フォ−ス，センス一対のプロ−ブ
電極組を電気絶縁材からなる枠体に一方向に移動可能に
支持し、かつウエハ−支持台上に支承されたウエハ−に
向けてプロ−ブ電極組をばね付勢するよう構成したこと
により、ウエハ−の平坦度が多少変化しても、プロ−ブ
電極組がこれに対応してその位置を変え、各パワ−半導
体素子の電極との間の導電接触状態を良好に保持する機
能が得られる。
電極組を電気絶縁材からなる枠体に一方向に移動可能に
支持し、かつウエハ−支持台上に支承されたウエハ−に
向けてプロ−ブ電極組をばね付勢するよう構成したこと
により、ウエハ−の平坦度が多少変化しても、プロ−ブ
電極組がこれに対応してその位置を変え、各パワ−半導
体素子の電極との間の導電接触状態を良好に保持する機
能が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。図１はこの発明の実施例になる半導体装置の特性評
価装置を示す構成図であり、従来技術と同じ構成部分に
は同一参照符号を付すことにより、重複した説明を省略
する。図において、ウエハ−支持台１１は、支承するウ
エハ−１０に作り込まれたパワ−半導体素子９の数に対
応してモザイク状に細分化されたフォ−ス１２Ｉ，セン
ス１２Ｐ一対のプロ−ブ電極組１２と、これらを電極面
が一つの平面上に位置するよう支持する絶縁枠体１３、
例えば格子状のセラミック枠体とで構成され、その電極
面上に位置決めされたウエハ−１０を真空吸着して支承
する。また、枠体１３はアライメント機構１７に連結さ
れて位置調整が行われ、例えばパワ−半導体素子９Ｅが
選択されるとともに、各ブロ−ブ電極組１２のフォ−ス
１２Ｉ，センス１２Ｐはそれぞれ選択スイッチ群１５の
選択スイッチを介して測定装置１８に接続され、アライ
メント機構１７が発する切換え指令により選択スイッチ
１５Ａ，１５Ｂがオン状態となり、選択されたパワ−半
導体素子９Ｅの電極に導電接触したフォ−ス１２Ｉ，お
よびセンス１２Ｐを測定装置１８に導電接続する。
る。図１はこの発明の実施例になる半導体装置の特性評
価装置を示す構成図であり、従来技術と同じ構成部分に
は同一参照符号を付すことにより、重複した説明を省略
する。図において、ウエハ−支持台１１は、支承するウ
エハ−１０に作り込まれたパワ−半導体素子９の数に対
応してモザイク状に細分化されたフォ−ス１２Ｉ，セン
ス１２Ｐ一対のプロ−ブ電極組１２と、これらを電極面
が一つの平面上に位置するよう支持する絶縁枠体１３、
例えば格子状のセラミック枠体とで構成され、その電極
面上に位置決めされたウエハ−１０を真空吸着して支承
する。また、枠体１３はアライメント機構１７に連結さ
れて位置調整が行われ、例えばパワ−半導体素子９Ｅが
選択されるとともに、各ブロ−ブ電極組１２のフォ−ス
１２Ｉ，センス１２Ｐはそれぞれ選択スイッチ群１５の
選択スイッチを介して測定装置１８に接続され、アライ
メント機構１７が発する切換え指令により選択スイッチ
１５Ａ，１５Ｂがオン状態となり、選択されたパワ−半
導体素子９Ｅの電極に導電接触したフォ−ス１２Ｉ，お
よびセンス１２Ｐを測定装置１８に導電接続する。
【００１４】一方、測定針装置１４は、フォ−ス針１４
Ｉ，センス針１４Ｐ一対の測定針組１４Ａ，１４Ｂを、
パワ−半導体素子９の上面側電極数に対応して複数組備
え、アライメントにより選択されたパワ−半導体素子，
例えば９Ａの反ウエハ−側に形成された図示しない電極
に測定針組１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ導電接触するよう
構成され、フオ−ス針１４Ｉおよびフォ−ス電極１２Ｉ
を介してパワ−半導体素子９Ｅに電流を通流した状態
で、センス針１４Ｐおよびセンス電極１２Ｐで検出した
電極電位を測定装置１８で測定することにより特性評価
が行われる。
Ｉ，センス針１４Ｐ一対の測定針組１４Ａ，１４Ｂを、
パワ−半導体素子９の上面側電極数に対応して複数組備
え、アライメントにより選択されたパワ−半導体素子，
例えば９Ａの反ウエハ−側に形成された図示しない電極
に測定針組１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ導電接触するよう
構成され、フオ−ス針１４Ｉおよびフォ−ス電極１２Ｉ
を介してパワ−半導体素子９Ｅに電流を通流した状態
で、センス針１４Ｐおよびセンス電極１２Ｐで検出した
電極電位を測定装置１８で測定することにより特性評価
が行われる。
【００１５】このように構成された半導体装置の特性評
価装置においては、ウエハ−支持台１１および測定針装
置１４がともに電流通流用のフォ−スと電位測定用のセ
ンスに分割され、電流通流回路で生ずる電位降下が電位
測定回路の測定電位に影響することを回避でき、電極電
位の測定誤差を低減することができる。また、プロ−ブ
電極組１２がパワ−半導体素子９に対応してモザイク状
に細分化され、プロ−ブ電極内での電位降下が減少する
とともに、相対的な位置関係が異なることによって従来
生じたパワ−半導体素子間の電位測定値のばらつきが排
除され、パワ−半導体素子の特性評価を精度よく行うこ
とができる。
価装置においては、ウエハ−支持台１１および測定針装
置１４がともに電流通流用のフォ−スと電位測定用のセ
ンスに分割され、電流通流回路で生ずる電位降下が電位
測定回路の測定電位に影響することを回避でき、電極電
位の測定誤差を低減することができる。また、プロ−ブ
電極組１２がパワ−半導体素子９に対応してモザイク状
に細分化され、プロ−ブ電極内での電位降下が減少する
とともに、相対的な位置関係が異なることによって従来
生じたパワ−半導体素子間の電位測定値のばらつきが排
除され、パワ−半導体素子の特性評価を精度よく行うこ
とができる。
【００１６】図２はこの発明の異なる実施例を示す要部
の拡大断面図であり、ウエハ−支持台２１を構成するフ
ォ−ス２２Ｉ，センス２２Ｐ一対の各プロ−ブ電極組２
２が、絶縁枠体２３に一方向に移動可能に支承され、圧
縮ばね２４によりウエハ−側（図の上方）にばね付勢さ
れた点が前述の実施例と異なっており、ウエハ−の平坦
度が多少変化しても、プロ−ブ電極組２２がこれに対応
してその位置を変え、各パワ−半導体素子の電極との間
の導電接触状態を良好に保持するので、ウエハ−の平坦
度の変化により各パワ−半導体素子の電位の測定値に差
異が生ずることを回避し、パワ−半導体素子の特性評価
精度を向上できる利点が得られる。
の拡大断面図であり、ウエハ−支持台２１を構成するフ
ォ−ス２２Ｉ，センス２２Ｐ一対の各プロ−ブ電極組２
２が、絶縁枠体２３に一方向に移動可能に支承され、圧
縮ばね２４によりウエハ−側（図の上方）にばね付勢さ
れた点が前述の実施例と異なっており、ウエハ−の平坦
度が多少変化しても、プロ−ブ電極組２２がこれに対応
してその位置を変え、各パワ−半導体素子の電極との間
の導電接触状態を良好に保持するので、ウエハ−の平坦
度の変化により各パワ−半導体素子の電位の測定値に差
異が生ずることを回避し、パワ−半導体素子の特性評価
精度を向上できる利点が得られる。
【００１７】
【発明の効果】この発明は前述のように、ウエハ−支持
台にフォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組をパワ−半
導体素子数に対応して設け、各プロ−ブ電極組のフォ−
スおよびセンスを、アライメント機構に連動してオンオ
フ制御される選択スイッチを介して測定装置に接続する
よう構成した。その結果、パワ−半導体素子への電流通
流機能と電極電位検出機能とがフォ−ス側とセンス側と
に分離されるとともに、各パワ−半導体素子とプロ−ブ
電極との相対的距離も電極組を細分化することにより均
等化できるので、一体形のプロ−ブ電極を用いた従来の
特性評価装置で問題となった、プロ−ブ電極の電位降下
とその距離依存性とに起因する電極電位の測定誤差およ
び各パワ−半導体素子間の測定誤差のばらつきをともに
低減することが可能となり、電極電位の測定誤差が少な
く，かつパワ−半導体素子の特性評価精度が高い半導体
装置の特性評価装置を提供することができる。
台にフォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組をパワ−半
導体素子数に対応して設け、各プロ−ブ電極組のフォ−
スおよびセンスを、アライメント機構に連動してオンオ
フ制御される選択スイッチを介して測定装置に接続する
よう構成した。その結果、パワ−半導体素子への電流通
流機能と電極電位検出機能とがフォ−ス側とセンス側と
に分離されるとともに、各パワ−半導体素子とプロ−ブ
電極との相対的距離も電極組を細分化することにより均
等化できるので、一体形のプロ−ブ電極を用いた従来の
特性評価装置で問題となった、プロ−ブ電極の電位降下
とその距離依存性とに起因する電極電位の測定誤差およ
び各パワ−半導体素子間の測定誤差のばらつきをともに
低減することが可能となり、電極電位の測定誤差が少な
く，かつパワ−半導体素子の特性評価精度が高い半導体
装置の特性評価装置を提供することができる。
【００１８】また、測定針装置が、フォ−ス，センス一
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えるよう構成すれば、測定針装置の電流通流機
能と電極電位検出機能とが分離され、電流が流れること
によって生ずる電位降下が電極電位の測定誤差となるこ
とを回避できるので、電極電位の測定精度をより一層改
善した半導体装置の特性評価装置を提供することができ
る。
対の測定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して
複数組備えるよう構成すれば、測定針装置の電流通流機
能と電極電位検出機能とが分離され、電流が流れること
によって生ずる電位降下が電極電位の測定誤差となるこ
とを回避できるので、電極電位の測定精度をより一層改
善した半導体装置の特性評価装置を提供することができ
る。
【００１９】さらに、フォ−ス，センス一対のプロ−ブ
電極組を電気絶縁材からなる枠体に一方向に移動可能に
支持し、かつウエハ−支持台上に支承されたウエハ−に
向けてプロ−ブ電極組をばね付勢するよう構成すれば、
ウエハ−の平坦度が多少変化しても、プロ−ブ電極組が
これに対応してその位置を変え、各パワ−半導体素子の
電極との間の導電接触状態を良好に保持し、複数のパワ
−半導体素子の特性を精度よく評価できる半導体装置の
特性評価装置を提供することができる。
電極組を電気絶縁材からなる枠体に一方向に移動可能に
支持し、かつウエハ−支持台上に支承されたウエハ−に
向けてプロ−ブ電極組をばね付勢するよう構成すれば、
ウエハ−の平坦度が多少変化しても、プロ−ブ電極組が
これに対応してその位置を変え、各パワ−半導体素子の
電極との間の導電接触状態を良好に保持し、複数のパワ
−半導体素子の特性を精度よく評価できる半導体装置の
特性評価装置を提供することができる。
【図１】この発明の実施例になる半導体装置の特性評価
装置を示す構成図
装置を示す構成図
【図２】この発明の異なる実施例を示す要部の拡大断面
図
図
【図３】従来の半導体装置の特性評価装置を簡略化して
示す構成図
示す構成図
１ ウエハ−支持台 ２ プロ−ブ電極 ３ 絶縁枠体 ４ 測定針装置 ６Ｉ 電流リード ６Ｐ 電位リ−ド ７ アライメント機構 ８ 測定装置 ９ パワ−半導体素子 ９Ａ 電極 １０ ウエハ− １１ ウエハ−支持台 １２ プロ−ブ電極組 １２Ｉ フォ−ス １２Ｐ センス １３ 絶縁枠体 １４ 測定針装置 １４Ａ 測定針組 １４Ｂ 測定針組 １４Ｉ フォ−ス針 １４Ｐ センス針 １５ 選択スイッチ群 １７ アライメント機構 １８ 測定装置 ２１ ウエハ−支持台 ２２ プロ−ブ電極組 ２２Ｉ フォ−ス ２２Ｐ センス ２３ 絶縁枠体 ２４ 圧縮ばね
Claims (3)
- 【請求項１】ウエハ−内に複数個作り込まれたパワ−半
導体素子の特性を、ウェ−ハを切断せずに評価するもの
であって、ウエハ−を支持しアライメント機構により位
置調整されるウエハ−支持台と、前記アライメント機構
により位置決めされた前記パワ−半導体素子の電極部に
導電接触する測定針装置と、この測定針装置に導電接続
された測定装置とを含むものにおいて、ウエハ−支持台
がフォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組を前記パワ−
半導体素子数に対応して備え、各プロ−ブ電極組のフォ
−スおよびセンスが前記アライメント機構に連動してオ
ンオフ制御される選択スイッチを介して前記測定装置に
接続されてなることを特徴とする半導体装置の特性評価
装置。 - 【請求項２】測定針装置が、フォ−ス，センス一対の測
定針組を、パワ−半導体素子の電極数に対応して複数組
備えてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の特性評価装置。 - 【請求項３】フォ−ス，センス一対のプロ−ブ電極組が
電気絶縁材からなる枠体に一方向に移動可能に支持さ
れ、ウエハ−支持台上に支承されたウエハ−に向けてば
ね付勢されてなることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の特性評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13950492A JPH05333098A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体装置の特性評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13950492A JPH05333098A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体装置の特性評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333098A true JPH05333098A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15246831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13950492A Pending JPH05333098A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体装置の特性評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333098A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012141197A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Advantest Corp | 試験装置 |
| DE102012111632A1 (de) | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Inspektionsvorrichtung für Halbleitervorrichtungen und Klemmstufe, die für die Inspektionsvorrichtung verwendet wird |
| JP2013187533A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Star Technologies Inc | アバランシェ試験装置 |
| EP2746794A4 (en) * | 2011-09-22 | 2015-05-20 | Tokyo Electron Ltd | CONTROL APPARATUS |
| US10495668B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Evaluation apparatus for semiconductor device and evaluation method for semiconductor device |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP13950492A patent/JPH05333098A/ja active Pending
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| US9347970B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-05-24 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus |
| DE102012111632A1 (de) | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Inspektionsvorrichtung für Halbleitervorrichtungen und Klemmstufe, die für die Inspektionsvorrichtung verwendet wird |
| JP2013118320A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ |
| US9069008B2 (en) | 2011-12-05 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Inspection apparatus for semiconductor devices and chuck stage for the inspection apparatus that is movable with respect to the front and back side electrodes |
| JP2013187533A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Star Technologies Inc | アバランシェ試験装置 |
| US10495668B2 (en) | 2015-11-18 | 2019-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Evaluation apparatus for semiconductor device and evaluation method for semiconductor device |
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