JPH0921844A - 半導体モジュール用試験装置 - Google Patents
半導体モジュール用試験装置Info
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- JPH0921844A JPH0921844A JP7168747A JP16874795A JPH0921844A JP H0921844 A JPH0921844 A JP H0921844A JP 7168747 A JP7168747 A JP 7168747A JP 16874795 A JP16874795 A JP 16874795A JP H0921844 A JPH0921844 A JP H0921844A
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Abstract
簡単にし試験作業の生産性を向上させること、給電回路
に生じるインダクタンスを低減し、前記半導体モジュー
ルのサージ電圧による破損を防止する。 【構成】 半導体モジュールを試験装置に載置し、それ
をプレス板で単に押すだけで試験装置に電気的に接続で
きるように構成すると共に、電流の流れる方向が互いに
逆方向の一対リード板を互いに平行で隣接させて電源リ
ード板を構成するもの。 【効果】 半導体モジュールの試験作業の生産性を向上
させることができるだけでなく、給電回路に生じるイン
ダクタンスを低減し、前記半導体モジュールのサージ電
圧による破壊を低減させることができ、また、試験結果
の信頼性も高めることができる。
Description
ジスタを内蔵した半導体モジュールのスイッチングタイ
ムや短絡耐量等の動特性測定に使用する半導体モジュー
ル用試験装置に関するものである。
6図に基づき説明する。第4図は被試験体となる半導体
モジュール100の回路構成部101で、MOSFET
101aのエミッタとMOSFET101bのコレクタ
とを接続し直列回路を構成し、MOSFET101aの
コレクタ端子C1とMOSFET101bのエミッタ端
子E2とで主回路端子を、またMOSFET101aの
エミッタとMOSFET101bのコレクタとの接続部
から出力電極C2E1を、またMOSFET101aか
らエミッタ端子E1F、MOSFET101bからエミ
ッタ端子E2Fをそれぞれ取り出し、またMOSFET
101aにダイオードD1を、MOSFET101bに
ダイオードD2とを夫々逆並列に接続し構成されてなる
もので、G1はMOSFET101aのゲート端子、G
2はMOSFET101bのゲート端子である。
ジュール100の外観図で、ケース102には取り付け
孔102a、102b、102c、102dが配設され
てなるものである。
置200に接続した回路図で、201は単相交流電源、
202は整流ユニット、203は整流ユニット202の
出力電圧を所定の定電圧に調整する電圧調整器、204
は電圧調整器203の出力電圧により充電される電解コ
ンデンサ、205、206は電解コンデンサ204の端
子間電圧が半導体モジュール100の主回路端子コレク
タC1、エミッタE2間に印加されるように接続するケ
ーブル、207は試験用負荷、208〜211は半導体
モジュール100の主回路端子コレクタC1、エミッタ
E2間と出力電極C2E1に試験用負荷207を接続す
るケーブル、212は負荷の接続を切り替える切り替え
スイッチ、213はケーブル205に流れるコレクタ電
流IC、即ち主回路電流を検出する周知のCTからなる
電流検出器、214はMOSFET101aのゲートG
1とエミッタ端子E1Fとに接続されたゲート駆動回
路、215はMOSFET101bのゲートG2とエミ
ッタ端子E2Fとに接続されたゲート駆動回路、216
は半導体モジュール100のゲートG1、G2とエミッ
タ端子E1F、E2F間、コレクタC1とエミッタE2
間、出力電極C2E1に切り替えスイッチ217、21
8を介し、また電流検出器213に夫々接続されたオッ
シロスコープで、ゲート・エミッタ間電圧VGEやコレク
タ・エミッタ間電圧VCEや電流検出器213検出電流を
測定するためのものである。
210の半導体モジュール100の前記端子への接続は
ねじ(図示せず)にて固定してなるものである。
例えばスイッチングテスト(ターンオン、ターンオフ時
間測定)においては、ゲート・エミッタ間電圧VGEとコ
レクタ電流ICを、また短絡SOA試験、逆バイアスS
OA試験においてはコレクタ電流ICとコレクタ・エミ
ッタ間電圧VCEやゲート・エミッタ間電圧VGEを測定
する。
210の半導体モジュール100の前記端子への接続は
ねじにて接続される。
験装置では、電源やゲート駆動回路等の半導体モジュー
ルの端子への接続がねじであるため、試験装置に対する
半導体モジュールの接続及び取り外しに時間を要し、試
験作業の作業性が悪く生産性が悪いだけでなく、ケーブ
ルに生じるインダクタンスのため、半導体モジュールの
ターンオフ時にサージ電圧が発生し半導体モジュールに
内蔵されているMOSFETを破壊させる等の問題があ
った。
ためになされたもので、試験装置に対する半導体モジュ
ールの接続、取り外しを簡単にし、試験作業の作業性向
上、即ち、生産性を向上させるだけでなく、被試験体の
半導体モジュールに接続されたケーブルに生じるインダ
クタンスを低減し、前記半導体モジュールのターンオフ
時のサージ電圧によるを破損を防止することを目的とす
るものである。
モジュール用試験装置は、半導体モジュールを支持位置
決めする半導体モジュール支持体、絶縁板を挟みそれら
の一端が電源に接続されるとともに、他端の一側面に前
記半導体モジュールの主回路端子が対向する一対の電源
リード板、試験用負荷が接続されると共に、前記電源リ
ード板を挟み前記主回路端子と対向するように配設さ
れ、前記電源リード板の他側面に対向する負荷用プロー
ブピン、前記半導体モジュールの入力端子と前記主回路
端子とに対応対向する試験用プローブピン、及び前記半
導体モジュールを押圧し前記電源リード板の一側面に前
記主回路端子を、前記電源リード板の他側面に前記負荷
用プローブピンと前記試験用プローブピンを、前記入力
端子に前記試験用プローブピンを夫々圧接させるプレス
ユニットを備えたものである。
の圧接方向及び反圧接方向の両方に個々に移動自在と
し、個々に圧接するように構成したものである。
装置によると、半導体モジュール支持体にて半導体モジ
ュールを支持し、プレスユニットで前記半導体モジュー
ルをプレスするだけで、前記半導体モジュールが試験装
置に接続される。その後、前記半導体モジュールに接続
された周知のゲート駆動回路からの信号により前記半導
体モジュールがターンオン、ターンオフすると共に、ス
イッチングテスト(ターンオン、ターンオフ時間測
定)、短絡SOA試験、逆バイアスSOA試験等の所謂
動特性試験が行われる。
接対象部に対し、圧接方向、反圧接方向に移動自在であ
るため、前記プローブピンそれぞれの前記圧接が確実と
なる。
図、図2はこの一実施例の試験装置の機構部を示す平面
図で、219は可撓性を有するフイルム状絶縁板219
a(後述の第3図に記載)と、該絶縁板219aを挟ん
で互いに平行に配設された板厚0.3mmの一対の銅板
リード板219b、219Cとで構成される電源リード
板で、その一端がコンデンサ204に、他端のそれぞれ
の一側面が半導体モジュール100の主回路端子コレク
タC1、エミッタE2に対応接続されてなるものであ
る。
電流を検出するCTからなる電流検出器で、オッシロス
コープ216に接続されてなるものである。
9の他端の他側面に当接し、試験用負荷207を接続す
るプローブピン、223はケーブル209の一端に装着
され、半導体モジュール100の出力電極に当接し、試
験用負荷207を接続するプローブピン、224、22
5は半導体モジュール100の入力端子ゲートG1とエ
ミッタE1F間にゲート駆動回路214とオッシロスコ
ープ216を接続するプローブピン、226、227は
半導体モジュール100の入力端子ゲートG2とエミッ
タE2F間にゲート駆動回路215とオッシロスコープ
216を接続するプローブピン、228と229は電源
リード板219の他端の他側面にリード板219bと2
19cとに対応当接しオッシロスコープ216を接続す
るプローブピン、また230は半導体モジュール100
の出力電極C2E1に当接しオッシロスコープ216を
接続するプローブピンである。
ト駆動回路214を構成する基板214aを貫通し該基
板214aに半田付け支持されると共に、該基板214
aに形成されたゲート駆動回路214の回路パターン
(図示せず)と接続されてなるものである。また、プロ
ーブピン226、227はゲート駆動回路215を構成
する基板215aを貫通し該基板215aに半田付け支
持されると共に、該基板215aに形成されたゲート駆
動回路215の回路パターン(図示せず)と接続されて
なるものである。
面を矢印方向に見た図である。図において231は定
盤、232は定盤231上に載置固定されたベース板、
233及び234はベース板232上に植設された支柱
(他の2本は図示せず)、235は支柱233及び23
4等に支持された中板で、図1で説明したプローブピン
221〜223、及び228〜230を鉛直方向に上下
動自在に支承するもので、プローブピン221〜223
はコイルばね236〜238により、また、プローブピ
ン228〜230は図示しないコイルばねにより上方へ
付勢されてなるものである。
235と間隔をおいて対向し配設された上板、240〜
243は上板239に、その下側に突出するように一体
的に装着され、且つその下端が中板235に上、下摺動
可能に貫通遊嵌するガイドピンで、244、245は該
ガイドピン240、241に対応遊嵌するコイルばね
で、他の2本のガイドピン242、243は図示しない
コイルばねにより上方付勢されてなるものである。
14a、215aがそれぞれ固定されてなるものであ
る。
0、241が中板235から上方へ抜け出るの防止する
軸用C形止め輪で、ガイドピン242、243にも同様
に設け(図示せず)構成されてなるものである。
に鉛直に植設された支持ピンで、半導体モジュール10
0の端子C1、C2E1、E2、G1、E1F、G2、
E2Fが下側を向くように、そのケース102の脚部取
り付け孔102a〜102d(図5に記載)に対応嵌入
し半導体モジュール100を支持するものである。
シリンダで、支持ピン248〜251に支持された半導
体モジュール100をプレスするプレス板253を上下
動をさせるためのものである。
100をプレスすると半導体モジュール100の主回路
端子C1、E2とプローブピン221、222、22
8、229とで電源リード板219の他端を挟み接続さ
れ、また出力電極C2E1とプローブピン223、23
0とが接続され、また半導体モジュール100の入力端
子G1、E1F、G2、E2Fにプローブピン224〜
226が対応圧接接続されるよう構成されてなるもので
ある。
ストロークの上端を原点位置とし、試験しない時は前記
原点位置に自動復帰するように構成されてなるものであ
る。
号と同一につき、説明を省略する。
は、先ず、支持ピン248〜251にて半導体モジュー
ル100を支持し、プレス板253をシリンダ252で
下降させることで、図1の回路が構成され、スイッチ2
12、217、218を適宜スイッチングオン、オフす
ることで従来と同様の試験を行うことができる。
モジュール100を支持し、プレス板253をシリンダ
252にて下降させ半導体モジュール100をプレスす
るだけで半導体モジュール100を試験装置200に接
続することができ、また、プレス板253をシリンダ2
52にて上昇させ支持ピン248〜251にて支持され
た半導体モジュール100を支持ピン248〜251か
ら引き抜くだけで半導体モジュール100を取り外すこ
とができる。
に際し互いに個々に移動するので、一体のものに比し前
記移動の自由度が増える。
源リード板219のリード板219bと219cとが互
いに近接し平行をなすため、従来に比し、給電回路のイ
ンダクタンスが低減する。
は、MOSFET2個内蔵のものについて例示したがM
OSTET以外の半導体素子でもよく、しかも、該半導
体素子を複数個用いたものでもよいことは言うまでもな
い。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
ルを試験装置の支持部に載置し、それをプレス板で単に
押すだけで試験装置に接続することができるので、試験
作業の作業性が向上し生産性を従来に比し高めることが
できる。
ピンが個々に圧接方向に移動するので、一体のものに比
し前記移動の自由度が増え前記圧接の均一化、適正化を
図ることができる。
荷 214 ゲート駆動回路 215 ゲート駆
動回路 216 オッシロスコープ 219 電源リー
ド板 220 電流検出器 221 負荷用プ
ローブピン 222 負荷用プローブピン 223 負荷用プ
ローブピン 224 入力用プローブピン 225 入力用プ
ローブピン 226 入力用プローブピン 227 入力用プ
ローブピン 228 試験用プローブピン 229 試験用プ
ローブピン 230 試験用プローブピン 248 支持ピン 249 支持ピン 250 支持ピン 251 支持ピン 252 シリンダ 253 プレス板
Claims (2)
- 【請求項1】半導体モジュールを支持位置決めする半導
体モジュール支持体、絶縁板を挟みそれらの一端が電源
に接続されるとともに、他端の一側面に前記半導体モジ
ュールの主回路端子が対向する一対の電源リード板、試
験用負荷が接続されると共に、前記電源リード板を挟み
前記主回路端子と対向するように配設され、前記電源リ
ード板の他側面に対向する負荷用プローブピン、前記半
導体モジュールの入力端子と前記主回路端子とに対応対
向する試験用プローブピン、及び前記半導体モジュール
を押圧し前記電源リード板の一側面に前記主回路端子
を、前記電源リード板の他側面に前記負荷用プローブピ
ンと前記試験用プローブピンを、前記入力端子に前記試
験用プローブピンをそれぞれ圧接させるプレスユニット
を備えた半導体モジュール用試験装置。 - 【請求項2】 プローブピンをその圧接方向及び反圧接
方向の両方に個々に移動自在とし、個々に圧接するよう
にしたことを特徴とする請求項1記載の半導体モジュー
ル用試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16874795A JP3319231B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体モジュール用試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16874795A JP3319231B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体モジュール用試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0921844A true JPH0921844A (ja) | 1997-01-21 |
JP3319231B2 JP3319231B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=15873677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16874795A Expired - Lifetime JP3319231B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体モジュール用試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3319231B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013160644A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール試験用治具 |
CN104865483A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-08-26 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 测试专用结型场效应管的装置 |
JP2016004015A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 富士電機株式会社 | 半導体試験装置 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16874795A patent/JP3319231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013160644A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール試験用治具 |
JP2016004015A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 富士電機株式会社 | 半導体試験装置 |
CN104865483A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-08-26 | 河南芯睿电子科技有限公司 | 测试专用结型场效应管的装置 |
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JP3319231B2 (ja) | 2002-08-26 |
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