JPH09162255A - 半導体素子の試験装置 - Google Patents
半導体素子の試験装置Info
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- JPH09162255A JPH09162255A JP31766195A JP31766195A JPH09162255A JP H09162255 A JPH09162255 A JP H09162255A JP 31766195 A JP31766195 A JP 31766195A JP 31766195 A JP31766195 A JP 31766195A JP H09162255 A JPH09162255 A JP H09162255A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】サージ電流定格試験において、試験時間の短縮
化、パワーデバイス破壊による樹脂封止部の破損防止、
装置の小型化および長寿命化を図る。 【解決手段】第１の可変電源１に第１の電源用のコンデ
ンサ３が並列に接続され、第１の電源用のコンデンサ３
の正電極端子３ａが第１の補助ＩＧＢＴ５のコレクタ５
ａと接続され、エミッタ５ｂが第１の電流検出器７を介
してモジュール２０の正極端子２１と接続され、モジュ
ール２０の中性点端子２２が第１の電源用のコンデンサ
３の負電極端子３ｂおよび第２の電源用のコンデンサ４
の正電極端子４ａと接続点と接続されている。第１の補
助ＩＧＢＴ５をオンしＩＧＢＴチップ３０に電圧を印加
し、１個のＩＧＢＴチップ３０をオンさせサージ電流定
格値の電流を流し、サージ電流定格を評価する。ＩＧＢ
Ｔチップ３０が破壊した場合は第１の補助ＩＧＢＴ５を
オフし、サージ電流を遮断し、樹脂封止部の破損を防止
する。
化、パワーデバイス破壊による樹脂封止部の破損防止、
装置の小型化および長寿命化を図る。 【解決手段】第１の可変電源１に第１の電源用のコンデ
ンサ３が並列に接続され、第１の電源用のコンデンサ３
の正電極端子３ａが第１の補助ＩＧＢＴ５のコレクタ５
ａと接続され、エミッタ５ｂが第１の電流検出器７を介
してモジュール２０の正極端子２１と接続され、モジュ
ール２０の中性点端子２２が第１の電源用のコンデンサ
３の負電極端子３ｂおよび第２の電源用のコンデンサ４
の正電極端子４ａと接続点と接続されている。第１の補
助ＩＧＢＴ５をオンしＩＧＢＴチップ３０に電圧を印加
し、１個のＩＧＢＴチップ３０をオンさせサージ電流定
格値の電流を流し、サージ電流定格を評価する。ＩＧＢ
Ｔチップ３０が破壊した場合は第１の補助ＩＧＢＴ５を
オフし、サージ電流を遮断し、樹脂封止部の破損を防止
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パワーデバイス
のサージ電流定格を決定するための試験を行う半導体素
子の試験装置。
のサージ電流定格を決定するための試験を行う半導体素
子の試験装置。
【０００２】
【従来の技術】ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ）モジュールやＩＰＭ（インテリジェントパワ
ーモジュール）などのパワーデバイスのサージ電流定格
（ここでは負荷短絡耐量の電流定格のことをいう）はパ
ワーデバイスを各種応用装置に適用する上で、重要な素
子定格である。
ンジスタ）モジュールやＩＰＭ（インテリジェントパワ
ーモジュール）などのパワーデバイスのサージ電流定格
（ここでは負荷短絡耐量の電流定格のことをいう）はパ
ワーデバイスを各種応用装置に適用する上で、重要な素
子定格である。
【０００３】図４は従来のサージ電流定格を評価する回
路図である。図４において、可変電源６０に電源用のコ
ンデンサ７０が接続され、電源用のコンデンサ７０とＩ
ＧＢＴモジュール２０（以下モジュールという）の間に
有接点５１からなる切換器５０とヒューズ８０が挿入さ
れている。モジュール２０は例えば６個のＩＧＢＴチッ
プ３０が３相ブリッジ配線されている。モジュール２０
の正極端子、負極端子および３相アームの各中性点が有
接点５１と接続される。モジュール２０内の各ＩＧＢＴ
チップ３０を個別に試験するために、被試験のＩＧＢＴ
チップ３０のみが電源用のコンデンサ７０と接続される
ように、有接点５１をオンさせ、残りの有接点５１をオ
フする。電源用のコンデンサ７０に接続されたＩＧＢＴ
チップ３０のみに電源用のコンデンサ７０の充電電圧が
印加され、その状態でＩＧＢＴチップ３０のゲートに図
示されていないゲート駆動回路から数十μｓ程度のオン
信号を供給する。ＩＧＢＴチップ３０は電源用のコンデ
ンサ７０から供給される電圧（電源電圧に相当する）を
維持しながら矩形波電流（所謂、負荷短絡電流という）
を流す。ＩＧＢＴチップ３０が破壊するとＩＧＢＴチッ
プ３０はこの電圧を維持できず短絡状態となり、電源用
のコンデンサ７０から極めて大きな過電流がＩＧＢＴチ
ップ３０に流れる。この電流でヒューズ８０は溶断し、
ＩＧＢＴチップ３０は電源用のコンデンサ７０から切り
離される。
路図である。図４において、可変電源６０に電源用のコ
ンデンサ７０が接続され、電源用のコンデンサ７０とＩ
ＧＢＴモジュール２０（以下モジュールという）の間に
有接点５１からなる切換器５０とヒューズ８０が挿入さ
れている。モジュール２０は例えば６個のＩＧＢＴチッ
プ３０が３相ブリッジ配線されている。モジュール２０
の正極端子、負極端子および３相アームの各中性点が有
接点５１と接続される。モジュール２０内の各ＩＧＢＴ
チップ３０を個別に試験するために、被試験のＩＧＢＴ
チップ３０のみが電源用のコンデンサ７０と接続される
ように、有接点５１をオンさせ、残りの有接点５１をオ
フする。電源用のコンデンサ７０に接続されたＩＧＢＴ
チップ３０のみに電源用のコンデンサ７０の充電電圧が
印加され、その状態でＩＧＢＴチップ３０のゲートに図
示されていないゲート駆動回路から数十μｓ程度のオン
信号を供給する。ＩＧＢＴチップ３０は電源用のコンデ
ンサ７０から供給される電圧（電源電圧に相当する）を
維持しながら矩形波電流（所謂、負荷短絡電流という）
を流す。ＩＧＢＴチップ３０が破壊するとＩＧＢＴチッ
プ３０はこの電圧を維持できず短絡状態となり、電源用
のコンデンサ７０から極めて大きな過電流がＩＧＢＴチ
ップ３０に流れる。この電流でヒューズ８０は溶断し、
ＩＧＢＴチップ３０は電源用のコンデンサ７０から切り
離される。
【０００４】図５は従来装置の配線斜視図である。電源
用のコンデンサとモジュールとの配線は導板で行われ、
各１枚の導板でできた正電極板８１と負電極板８２とが
対向するように配置され、インダクタンスを小さくして
いる。図６は従来の試験装置の試験する場合の電流ステ
ップ図である。横軸にステップ回数、縦軸に供給電流を
示す。ここではＩＧＢＴチップのサージ電流定格値（負
荷短絡耐量の電流定格値のこと）は１００Ａの場合を示
す。１０Ａづつステップアップさせたステップ電流をＩ
ＧＢＴチップに流し、１０回のステップで定格電流値に
達する。もし、ＩＧＢＴチップの耐量の真値が例えば５
５Ａの場合は５０Ａのステップ電流では異常なしで６０
Ａのステップ電流で破壊する。また１００Ａ流せるまで
に電源用のコンデンサを充電し、１回のステップでこの
ＩＧＢＴチップに電流を流すと、ＩＧＢＴチップが破壊
した後、過大な後続電流がＩＧＢＴチップに流れる。
用のコンデンサとモジュールとの配線は導板で行われ、
各１枚の導板でできた正電極板８１と負電極板８２とが
対向するように配置され、インダクタンスを小さくして
いる。図６は従来の試験装置の試験する場合の電流ステ
ップ図である。横軸にステップ回数、縦軸に供給電流を
示す。ここではＩＧＢＴチップのサージ電流定格値（負
荷短絡耐量の電流定格値のこと）は１００Ａの場合を示
す。１０Ａづつステップアップさせたステップ電流をＩ
ＧＢＴチップに流し、１０回のステップで定格電流値に
達する。もし、ＩＧＢＴチップの耐量の真値が例えば５
５Ａの場合は５０Ａのステップ電流では異常なしで６０
Ａのステップ電流で破壊する。また１００Ａ流せるまで
に電源用のコンデンサを充電し、１回のステップでこの
ＩＧＢＴチップに電流を流すと、ＩＧＢＴチップが破壊
した後、過大な後続電流がＩＧＢＴチップに流れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、有接点
を使用した場合、被試験ＩＧＢＴチップの切換えに時間
（試験時間と連動する）がかかり、量産時の試験として
適用できず、また有接点が摩耗し試験装置の寿命を短く
する。またヒューズで過電流を遮断するのではＩＧＢＴ
チップが破壊したときの過大な後続電流を抑制出来ず、
モジュールの樹脂封止部が破損するという不都合を生
じ、場合によっては樹脂封止部が飛散することもあり得
る。電源用のコンデンサとＩＧＢＴチップとの配線が切
換器を介在して行なわれるため、配線長が長く正電極板
と負電極板とを対向させても配線インダクタンスは大き
くなる。そのため、立上がりの急峻なサージ電流を得る
ことが困難となり、試験電流波形に制約が出てくる。ま
た正確な破壊電流を測定しようとすれば試験時のステッ
プ電流を小さくし、小刻みにせねばならず、試験時間
（タクトタイムのこと）が増大するという不都合が生ず
る。
を使用した場合、被試験ＩＧＢＴチップの切換えに時間
（試験時間と連動する）がかかり、量産時の試験として
適用できず、また有接点が摩耗し試験装置の寿命を短く
する。またヒューズで過電流を遮断するのではＩＧＢＴ
チップが破壊したときの過大な後続電流を抑制出来ず、
モジュールの樹脂封止部が破損するという不都合を生
じ、場合によっては樹脂封止部が飛散することもあり得
る。電源用のコンデンサとＩＧＢＴチップとの配線が切
換器を介在して行なわれるため、配線長が長く正電極板
と負電極板とを対向させても配線インダクタンスは大き
くなる。そのため、立上がりの急峻なサージ電流を得る
ことが困難となり、試験電流波形に制約が出てくる。ま
た正確な破壊電流を測定しようとすれば試験時のステッ
プ電流を小さくし、小刻みにせねばならず、試験時間
（タクトタイムのこと）が増大するという不都合が生ず
る。
【０００６】この発明の目的は、前記の課題を解決する
ために、有接点の代わりに半導体スイッチ（例えばＩＧ
ＢＴなど）を使用し、前記の導体を複数枚の導板とし、
導板同志を絶縁膜で絶縁し、正電極板と負電極板とに誘
電体を挿入することで配線インダクタンスを小さく、コ
ンデンサの容量を大きくし、大きな試験電流を得られる
ようにし、さらに大きな単発電流で試験しＩＧＢＴチッ
プ破壊に補助ＩＧＢＴを瞬時にオフすることで、試験時
間の短縮化とサージ電流定格の高精度な評価と有接点除
去による試験装置の長寿命化とを図ることができる半導
体素子の試験装置を提供することにある。
ために、有接点の代わりに半導体スイッチ（例えばＩＧ
ＢＴなど）を使用し、前記の導体を複数枚の導板とし、
導板同志を絶縁膜で絶縁し、正電極板と負電極板とに誘
電体を挿入することで配線インダクタンスを小さく、コ
ンデンサの容量を大きくし、大きな試験電流を得られる
ようにし、さらに大きな単発電流で試験しＩＧＢＴチッ
プ破壊に補助ＩＧＢＴを瞬時にオフすることで、試験時
間の短縮化とサージ電流定格の高精度な評価と有接点除
去による試験装置の長寿命化とを図ることができる半導
体素子の試験装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、被試験半導体素子に電流を流し、サージ電流定格を
確認する試験装置において、可変電源と、電源用のコン
デンサと、被試験半導体素子に電流を供給するためのス
イッチの働きをする補助半導体素子と、電流を検出する
電流検出器と、補助半導体素子に導通信号であるゲート
信号を送り、且つ、電流検出器で定格を超える電流を検
出して補助半導体素子を遮断するためのゲート信号を補
助半導体素子に送るゲート回路とを具備する構成とす
る。前記電源用のコンデンサと被試験半導体素子とを接
続する配線が、複数枚の導板からなり、複数枚の導板間
は絶縁体が挿入され、且つ、正極側の導板と負極側の導
板との間に誘電体が挿設されるとよい。また誘電体を挿
設された導板からなるコンデンサと電源用のコンデンサ
とを併せたコンデンサが、サージ電流定格を超えた電流
を被試験半導体素子に供給できる容量を有すると効果的
である。
に、被試験半導体素子に電流を流し、サージ電流定格を
確認する試験装置において、可変電源と、電源用のコン
デンサと、被試験半導体素子に電流を供給するためのス
イッチの働きをする補助半導体素子と、電流を検出する
電流検出器と、補助半導体素子に導通信号であるゲート
信号を送り、且つ、電流検出器で定格を超える電流を検
出して補助半導体素子を遮断するためのゲート信号を補
助半導体素子に送るゲート回路とを具備する構成とす
る。前記電源用のコンデンサと被試験半導体素子とを接
続する配線が、複数枚の導板からなり、複数枚の導板間
は絶縁体が挿入され、且つ、正極側の導板と負極側の導
板との間に誘電体が挿設されるとよい。また誘電体を挿
設された導板からなるコンデンサと電源用のコンデンサ
とを併せたコンデンサが、サージ電流定格を超えた電流
を被試験半導体素子に供給できる容量を有すると効果的
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例の回
路図である。第１の可変電源１と第２の可変電源２とが
直列に接続され、第１および第２の可変電源１、２に第
１および第２の電源用のコンデンサ３、４が並列に接続
され、第１の電源用のコンデンサ３の正電極３ａが第１
の補助ＩＧＢＴ５のコレクタ５ａと接続され、エミッタ
５ｂが第１の電流検出器７を介してモジュール２０の正
極端子２１と接続され、モジュール２０の中性点端子２
２が第１の電源用のコンデンサ３の負電極端子３ｂおよ
び第２の電源用のコンデンサ４の正電極端子４ａの接続
点と接続されている。第２の電源用のコンデンサ４の負
電極端子４ｂが第２の補助ＩＧＢＴ６のエミッタ６ｂと
接続され、コレクタ６ａが第２の電流検出器８を介して
モジュール２０の負極端子２３と接続される。第１およ
び第２の補助ＩＧＢＴ５、６が第１および第２のゲート
駆動回路９、１０によりそれぞれ駆動され、これらゲー
ト駆動回路９、１０がそれぞれ電流検出器７、８と接続
されている。モジュール２０内は６個のＩＧＢＴチップ
３０がブリッジ接続され、第３のゲート駆動回路１１で
制御される。
路図である。第１の可変電源１と第２の可変電源２とが
直列に接続され、第１および第２の可変電源１、２に第
１および第２の電源用のコンデンサ３、４が並列に接続
され、第１の電源用のコンデンサ３の正電極３ａが第１
の補助ＩＧＢＴ５のコレクタ５ａと接続され、エミッタ
５ｂが第１の電流検出器７を介してモジュール２０の正
極端子２１と接続され、モジュール２０の中性点端子２
２が第１の電源用のコンデンサ３の負電極端子３ｂおよ
び第２の電源用のコンデンサ４の正電極端子４ａの接続
点と接続されている。第２の電源用のコンデンサ４の負
電極端子４ｂが第２の補助ＩＧＢＴ６のエミッタ６ｂと
接続され、コレクタ６ａが第２の電流検出器８を介して
モジュール２０の負極端子２３と接続される。第１およ
び第２の補助ＩＧＢＴ５、６が第１および第２のゲート
駆動回路９、１０によりそれぞれ駆動され、これらゲー
ト駆動回路９、１０がそれぞれ電流検出器７、８と接続
されている。モジュール２０内は６個のＩＧＢＴチップ
３０がブリッジ接続され、第３のゲート駆動回路１１で
制御される。
【０００９】つぎにこの回路の動作を説明する。第１お
よび第２の電源用のコンデンサ３、４が第１および第２
の可変電源１、２で充電された状態で、第１の補助ＩＧ
ＢＴ５をオン状態とし、モジュール２０の正極端子２１
と中性点端子２２に接続される上アームの３個のＩＧＢ
Ｔチップ３０に電圧を印加する。つぎに、その内の１個
に第３のゲート駆動回路１１からオン信号を与えてＩＧ
ＢＴチップ３０をオンさせる。第１の電源用のコンデン
サ３から第１の補助ＩＧＢＴ５を通して、ＩＧＢＴチッ
プ３０にサージ電流（短絡電流）を流しＩＧＢＴチップ
３０のサージ電流定格（短絡耐量定格）を評価する。そ
の後、次の被試験用のＩＧＢＴチップ３０にオン信号を
与えて同様にサージ電流定格を順次評価する。モジュー
ル２０の正極端子２１に接続されたＩＧＢＴチップ３０
の評価を終了した後、第１の補助ＩＧＢＴ５をオフさ
せ、第２の補助ＩＧＢＴ６をオンさせ、負極端子２３に
接続された３個のＩＧＢＴチップ３０を前記と同様に１
個づつ評価する。サージ電流定格試験では電源電圧を維
持して過電流を流す試験であり、ＩＧＢＴチップ３０が
サージ電流で破壊した後は、この電源電圧をＩＧＢＴチ
ップ３０が維持できず、ＩＧＢＴチップ３０のコレクタ
・エミッタ間は短絡状態となり、電流は急激に増大す
る。この増大した電流を電流検出器７、８で検出し、ゲ
ート駆動回路９、１０からオフ信号を補助ＩＧＢＴ５、
６に与え、過電流を遮断し、モジュール２０の樹脂封止
部が破損することを防止する。また、有接点を使用しな
いため、試験装置の寿命を長くできる。
よび第２の電源用のコンデンサ３、４が第１および第２
の可変電源１、２で充電された状態で、第１の補助ＩＧ
ＢＴ５をオン状態とし、モジュール２０の正極端子２１
と中性点端子２２に接続される上アームの３個のＩＧＢ
Ｔチップ３０に電圧を印加する。つぎに、その内の１個
に第３のゲート駆動回路１１からオン信号を与えてＩＧ
ＢＴチップ３０をオンさせる。第１の電源用のコンデン
サ３から第１の補助ＩＧＢＴ５を通して、ＩＧＢＴチッ
プ３０にサージ電流（短絡電流）を流しＩＧＢＴチップ
３０のサージ電流定格（短絡耐量定格）を評価する。そ
の後、次の被試験用のＩＧＢＴチップ３０にオン信号を
与えて同様にサージ電流定格を順次評価する。モジュー
ル２０の正極端子２１に接続されたＩＧＢＴチップ３０
の評価を終了した後、第１の補助ＩＧＢＴ５をオフさ
せ、第２の補助ＩＧＢＴ６をオンさせ、負極端子２３に
接続された３個のＩＧＢＴチップ３０を前記と同様に１
個づつ評価する。サージ電流定格試験では電源電圧を維
持して過電流を流す試験であり、ＩＧＢＴチップ３０が
サージ電流で破壊した後は、この電源電圧をＩＧＢＴチ
ップ３０が維持できず、ＩＧＢＴチップ３０のコレクタ
・エミッタ間は短絡状態となり、電流は急激に増大す
る。この増大した電流を電流検出器７、８で検出し、ゲ
ート駆動回路９、１０からオフ信号を補助ＩＧＢＴ５、
６に与え、過電流を遮断し、モジュール２０の樹脂封止
部が破損することを防止する。また、有接点を使用しな
いため、試験装置の寿命を長くできる。
【００１０】図２はこの発明の第２実施例の要部斜視図
で、同図（ａ）は導板部分図、同図（ｂ）は電源用のコ
ンデンサと導板とが接続された状態図である。同図
（ａ）において、各３枚の導板４０からなる正電極板４
１、負電極板４２は誘電体４３を挟んで対向している。
また３枚の導板４０間は絶縁膜４４で絶縁されている。
勿論導板の枚数は流す電流によって変えてもよい。同図
（ｂ）において、第１の電源用のコンデンサ３は複数個
のコンデンサで構成され、その正電極端子３ａと負電極
端子３ｂを正電極板４１と負電極板４２に直接接続する
ことで、配線インダクタンスを減少できる。勿論、図１
の第２の電源用のコンデンサ４に対しても同様に導板を
接続する。こうすることで、配線インダクタンスを極め
て小さくでき、また配線容量の分を電源用のコンデンサ
の容量を減少でき、装置の小型化ができる。
で、同図（ａ）は導板部分図、同図（ｂ）は電源用のコ
ンデンサと導板とが接続された状態図である。同図
（ａ）において、各３枚の導板４０からなる正電極板４
１、負電極板４２は誘電体４３を挟んで対向している。
また３枚の導板４０間は絶縁膜４４で絶縁されている。
勿論導板の枚数は流す電流によって変えてもよい。同図
（ｂ）において、第１の電源用のコンデンサ３は複数個
のコンデンサで構成され、その正電極端子３ａと負電極
端子３ｂを正電極板４１と負電極板４２に直接接続する
ことで、配線インダクタンスを減少できる。勿論、図１
の第２の電源用のコンデンサ４に対しても同様に導板を
接続する。こうすることで、配線インダクタンスを極め
て小さくでき、また配線容量の分を電源用のコンデンサ
の容量を減少でき、装置の小型化ができる。
【００１１】図３はこの発明の試験方法を示した図であ
る。従来方法のように電流をステップ的に上昇させず、
ＩＧＢＴチップのサージ電流定格に相当する電流値（定
格電流値）のステップ電流を１回のみ流してサージ電流
定格を評価する。ＩＧＢＴチップが破壊した場合は、前
記の通り、補助ＩＧＢＴがサージ電流を瞬時に遮断す
る。１回のステップ電流で評価するため試験時間が大幅
に短縮できる。またＩＧＢＴチップがサージ電流定格値
以下で破壊した場合にはその破壊電流値を電流検出器で
読み取ることもできる。さらに、ＩＰＭにサージ電流を
流し、ＩＰＭ内のサージ電流検出回路が検出するサージ
電流値を測定し、検出回路の動作確認することもでき
る。
る。従来方法のように電流をステップ的に上昇させず、
ＩＧＢＴチップのサージ電流定格に相当する電流値（定
格電流値）のステップ電流を１回のみ流してサージ電流
定格を評価する。ＩＧＢＴチップが破壊した場合は、前
記の通り、補助ＩＧＢＴがサージ電流を瞬時に遮断す
る。１回のステップ電流で評価するため試験時間が大幅
に短縮できる。またＩＧＢＴチップがサージ電流定格値
以下で破壊した場合にはその破壊電流値を電流検出器で
読み取ることもできる。さらに、ＩＰＭにサージ電流を
流し、ＩＰＭ内のサージ電流検出回路が検出するサージ
電流値を測定し、検出回路の動作確認することもでき
る。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、インダクタンスを極
めて小さく配線し、且つ、配線間にキャパスタンスを持
たせ、有接点の代わりにＩＧＢＴなどの半導体スイッチ
を有する試験装置でパワーデバイスのサージ電流定格を
評価することで、試験時間の短縮、破壊時の樹脂封止部
の破損防止、装置の小型化および長寿命化を図ることが
できる。
めて小さく配線し、且つ、配線間にキャパスタンスを持
たせ、有接点の代わりにＩＧＢＴなどの半導体スイッチ
を有する試験装置でパワーデバイスのサージ電流定格を
評価することで、試験時間の短縮、破壊時の樹脂封止部
の破損防止、装置の小型化および長寿命化を図ることが
できる。
【図１】この発明の第１実施例の回路図
【図２】この発明の第２実施例の要部斜視図で、同図
（ａ）は導板部分図、同図（ｂ）は電源用のコンデンサ
と導板と接続する状態図
（ａ）は導板部分図、同図（ｂ）は電源用のコンデンサ
と導板と接続する状態図
【図３】この発明の試験方法を示した図
【図４】従来のサージ電流定格を評価する回路図
【図５】従来装置の配線斜視図
【図６】従来の試験装置の試験する場合の電流ステップ
図
図
１ 第１の可変電源 ２ 第２の可変電源 ３ 第１の電源用のコンデンサ ３ａ 正電極端子 ３ｂ 負電極端子 ４ 第２の電源用のコンデンサ ４ａ 正電極端子 ４ｂ 負電極端子 ５ 第１の補助ＩＧＢＴ ５ａ コレクタ ５ｂ エミッタ ６ 第２の補助ＩＧＢＴ ６ａ コレクタ ６ｂ エミッタ ７ 第１の電流検出器 ８ 第２の電流検出器 ９ 第１のゲート駆動回路 １０ 第２のゲート駆動回路 １１ 第３のゲート駆動回路 ２０ モジュール ２１ 正極端子 ２２ 中性点端子 ２３ 負極端子 ３０ ＩＧＢＴチップ ４０ 導板 ４１ 正電極板 ４２ 負電極板 ４３ 誘電体 ４４ 絶縁膜 ５０ 切換器 ５１ 有接点 ６０ 可変電源 ７０ 電源用のコンデンサ ８０ ヒューズ
Claims (3)
- 【請求項１】被試験半導体素子に電流を流し、サージ電
流定格を確認する試験装置において、可変電源と、電源
用のコンデンサと、被試験半導体素子に電流を供給する
ためのスイッチの働きをする補助半導体素子と、電流を
検出する電流検出器と、補助半導体素子に導通信号であ
るゲート信号を送り、且つ、電流検出器で定格を超える
電流を検出して補助半導体素子を遮断するためのゲート
信号を補助半導体素子に送るゲート回路とを具備するこ
とを特徴とする半導体素子の試験装置。 - 【請求項２】電源用のコンデンサと被試験半導体素子と
を接続する配線が、複数枚の導板からなり、複数枚の導
板間は絶縁体が挿入され、且つ、正極側の導板と負極側
の導板との間に誘電体が挿設されることを特徴とする請
求項１記載の半導体素子の試験装置。 - 【請求項３】誘電体を挿設された導板からなるコンデン
サと電源用のコンデンサとを併せたコンデンサが、サー
ジ電流定格を超えた電流を被試験半導体素子に供給でき
る容量を有することを特徴とする請求項１記載の半導体
素子の試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31766195A JPH09162255A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体素子の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31766195A JPH09162255A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体素子の試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162255A true JPH09162255A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18090631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31766195A Pending JPH09162255A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 半導体素子の試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162255A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-12-06 JP JP31766195A patent/JPH09162255A/ja active Pending
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