JP2013160572A - パワー半導体用試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高機能且つ機能及び測定対象・測定範囲に柔軟性があり、一装置でパワー半導体の応答特性及びアバランシェ耐量を測定可能なパワー半導体試験装置を提供する。試験回路のインダクタンスによって印加波形やピーク電圧が受ける影響を軽減し、制御可能とする。
【解決手段】Ｐ側及びＮ側夫々又は一方の接続リレーとパワー半導体の間の接続用バスバーを３分割し、中間に位置するバスバーの位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変することができる構造とし、インダクタンスを調整出来るようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＩＧＢＴなどのパワー半導体で用いられる試験装置に関するものである。

従来より、モジュール組み立て前のテストピース状態で半導体素子の電気性能を評価する場合、テストピースに対してコンタクトピンを導体 に当接して所定の電圧を印加する評価装置が知られている。

また近年、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を用いたパワー半導体技術が進展し、電力を効率的に制御し利用するために必須の技術となっている。パワー半導体は大電力で高速なスイッチングが可能な半導体素子であるから、これらの電気性能を評価するには高電圧且つ高速な駆動及び検出機構を有する評価装置が用いられている。

特開２００７−０３３０４２号公報 特開２００９−１６８６３０号公報 特開２０１０−１０７４３２号公報

解決しようとする問題点は、このような評価装置において、必要な試験電流を供給するために試験電流を放出するコンデンサ及びパワー半導体の負荷となる誘導負荷を用いるが、これらを含む試験回路のインダクタンスによって印加波形やピーク電圧が大きな影響を受ける点にある。

また、半導体素子の試験項目も多岐に亘るのは当然であって、パワー半導体においても同様である。さらにパワー半導体は高電圧を扱うため、アバランシェ耐量も重要な試験項目となる。しかし、従来は高電圧でのアバランシェ耐量試験は他の特性に関する試験とは要求される試験回路構成が異なり、別装置により検査することが通常であった。

このため、試験装置そのもののコストだけでなく検査ラインを含む半導体製造ラインのフットプリントの増加、コストアップに繋がっているという課題があった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであって、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、前記高圧電源に接続され試験対象である複数のパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、複数のパワー半導体の負荷となる誘導負荷と、前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、前記各部品を接続するバスバーと、複数のパワー半導体の夫々のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側及びＮ側夫々の接続リレーとパワー半導体の間の接続用バスバーを３分割し、中間に位置するバスバーの位置をスライドして可変できる構造として、電流経路を可変できることを特徴とする。

また本発明は、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、前記高圧電源に接続され試験対象である複数のパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、複数のパワー半導体の負荷となる誘導負荷と、前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、前記各部品を接続するバスバーと、複数のパワー半導体の夫々のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側及びＮ側夫々の接続リレーとパワー半導体の間の接続用バスバーを２分割し、夫々のバスバーの間に複数の半導体または機械式リレーを配設して、電流経路を可変できることを特徴とする。

また本発明は、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、前記高圧電源に接続され試験対象である複数のパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、複数のパワー半導体の負荷となる誘導負荷と、前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、前記各部品を接続するバスバーと、複数のパワー半導体の夫々のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側及びＮ側夫々の接続リレーとコンデンサの電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、中間バスバー２７の位置をスライドして可変できる構造として、電流経路を可変できることを特徴とする。

また本発明は、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、前記高圧電源に接続され試験対象である複数のパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、複数のパワー半導体の負荷となる誘導負荷と、前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、前記各部品を接続するバスバーと、複数のパワー半導体の夫々のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側及びＮ側夫々の接続リレーとコンデンサの電流経路間の接続用バスバーに複数の半導体または機械式リレーを配設して、電流経路を可変できることを特徴とする。

本発明に係るパワー半導体用試験装置は、簡素な構成でもって試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を、同一装置で並行して行うことが出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となるという利点がある。

また本発明に係るパワー半導体用試験装置は、簡素な構成でもって試験対象のパワー半導体に印加する試験電圧の波形を変化させることが出来、試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となるという利点がある。

図１は本発明に係るパワー半導体用試験装置の一実施例に係る回路図である。（実施例１） 図２は本発明に係るパワー半導体用試験装置の一実施例に係る回路の構造を示す概念図である。（実施例１） 図３は従来のパワー半導体用試験装置の例に係る回路図である。 図４は従来のパワー半導体用試験装置の例に係る回路の構造を示す概念図である。 図５は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。（実施例２） 図６は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路の構造を示す概念図である。（実施例２） 図７は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。（実施例３） 図８は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路の構造を示す概念図である。（実施例３） 図９は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。（実施例４） 図１０は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路の構造を示す概念図である。（実施例４）

本発明は、高機能且つ機能及び測定対象・測定範囲に柔軟性があり、一装置でパワー半導体の応答特性及びアバランシェ耐量を測定可能なパワー半導体試験装置を提供するため、電流経路を可変することができる構造とし、インダクタンスを調整出来るようにした。なお、本発明にかかる被検物であるパワー半導体は、シングルモジュールに限定されるものではなく、マルチモジュールの形態であっても問題なく、またチップやウェハであっても問題ない。

図１は本発明に係るパワー半導体用試験装置の一実施例に係る回路図である。本実施例に於いては、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源１と、前記高圧電源１に接続され試験対象であるパワー半導体４，５への試験電流を放出するコンデンサ２と、パワー半導体４，５の負荷となる誘導負荷３と、前記誘導負荷３をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレー１４と、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレー１５と、前記各部品を接続するバスバーと、パワー半導体４，５のドライバ回路６，７を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側接続リレー１４とパワー半導体５の間の接続用バスバーをバスバー２３、バスバー２４、バスバー２５に３分割し、バスバー２４の位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変することが出来、Ｎ側接続リレー１５とパワー半導体４の間の接続用バスバーをバスバー２０、バスバー２１、バスバー２２に３分割し、バスバー２１の位置をスライドして可変できる構造とした。

本実施例の方法を用いることにより、簡便な方法で試験回路のインダクタンスを調整出来るようになり、一装置でパワー半導体の応答特性及びアバランシェ耐量を測定可能になるとともに、試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となった。なお、図１においては被検物であるパワー半導体４，５をそれぞれ単一のトランジスタとして図示しているが、これは模式的に示したものであって、本発明にかかる被検物であるパワー半導体は、シングルモジュールに限定されるものではなく、マルチモジュールの形態であっても問題なく、またチップやウェハであっても問題ないことは前記の通りであり、これは他の実施例や図に関しても同様である。

ここで、本実施例の方法を従来例と比較しながら説明する。パワー半導体のアバランシェ耐量を測定するためには、通常は単一アームの試験装置が用いられる。（特許文献１参照）この場合の測定原理は本発明に係る測定装置と同様であるが、単一構成であるが故に、コイルエネルギーは全て被測定素子に印加されるためアバランシェ状態にすることが可能となるが、対アーム試験となるス イッチング特性試験との装置共用が難しく別装置となりコストアップ要因となっていた。これは対アームを遮断する遮断スイッチが誘導負荷エネルギー に耐えるように大型化することが一つの妨げ要因になっている。

前記の欠点に対応するため、被測定パワー半導体を上下の２アームとする形態が用いられる。以下、他の従来例を説明する。図３は、かかる構成によってなる従来のパワー半導体用試験装置の例に係る回路図である。従来例に於いては、一般にスイッチング特性を測定することが目的となっている。

ここで、従来例の回路図である図３を用いて測定動作について説明する。なお、本発明に係るパワー半導体用試験装置に於いても、その動作は同様である。まず、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源１でコンデンサ２を所定の電圧に設定する。パワー半導体５をオフにした状態でパワー半導体４をダブルパルス駆動することにより、スイッチング特性評価を行う。コンデンサ２が充電された状態で接続リレー１４をオンにすると、バスバー１０、１１、１２及び誘導負荷３を介してパワー半導体４に電圧が印加され、測定が行われる。この際、印加電圧は回路の寄生インダクタンスの総和Ｌｓにより定まる応答速度により変化する。Ｌｓが小さい場合はｄｉ／ｄｔが小さくなり、応答速度が速くなって、パワー半導体のスイッチング特性の確認が可能となる。

Ｌｓが大きくなると応答速度が遅くなり、コレクタ−エミッタ間電圧はアバランシェとなって頭打ちになり、スイッチング特性の測定が出来なくなる。一般に、パワー半導体用試験装置のＬｓはコイル３によって設定されるが、相対的に配線等の有する寄生インダクタンスは大きく、これらを極小化するために様々な工夫がなされている。

図４は、従来のパワー半導体用試験装置の例に係る回路の構造を示す概念図である。Ｌｓを極小化するために夫々のバスバーは金属板により形成され、これらを積層した上で必要な電流パスを形成して試験回路を構成している。

しかし、パワー半導体用試験装置に求められる測定対象は多様であって、試験電圧にも数百ボルトから数千ボルトの範囲で差異がある。また、パワー半導体が組み込まれるインバータ装置などの最終状態での寄生インダクタンスはインバータ装置に固有で異なる値であり、試験時の寄生インダクタンスＬｓは、最終状態の値に調整する場合もある。また、発想を転換すれば、ある程度以上のＬｓ以上に設定することで、パワー半導体のアバランシェ耐量を検出することが出来る。ここで筆者らは試験回路中にインダクタンス調整を可能とする機構を組み込むことにより、、簡素な構成でもって試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を同一装置で並行して行うことが出来、また試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となることを見出して、本発明を完成したものである。

実施例１に於いては、かかるインダクタンスの調整機構をバスバー２０及び２２の経路中に設置した２１、バスバー２３及び２５の経路中に設置した２４、によって実現した。図２は実施例１に係るパワー半導体用試験装置の回路の構造を示す概念図である。図に示すように通常は一体的に形成されるバスバー２０及び２２、或いはバスバー２３及び２５の領域を分割し、手動によるスライドでインダクタンスの調整を行うためのサブバスバー２１及び２４を設置した。これにより、簡素な構成でもって試験回路のＬｓを調整することが可能となり、試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を同一装置で並行して行うことが出来、また試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となった。また、図示していないが、コンデンサ電流が過大な電流となる場合にコンデンサ電流を遮断する保護回路を有することが一般的である。

次に、本発明に係る他の実施例について説明する。図５は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。本実施例に於いては、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源１と、前記高圧電源１に接続され試験対象であるパワー半導体４，５への試験電流を放出するコンデンサ２と、パワー半導体４，５の負荷となる誘導負荷３と、前記誘導負荷３をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレー１４と、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレー１５と、前記各部品を接続するバスバーと、パワー半導体４，５のドライバ回路６，７を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側接続リレー１４とパワー半導体５の間の接続用バスバーをバスバー２３、バスバー２５に２分割し、バスバー２３とバスバー２５の間に複数の半導体または機械式リレーを有し、前記半導体または機械式リレーのＯＮ／ＯＦＦにより電流経路を可変することが出来、Ｎ側接続リレー１５とパワー半導体４の間の接続用バスバーをバスバー２０、バスバー２２に２分割し、バスバー２０とバスバー２２の間に少なくとも２つ以上の半導体または機械式リレーを有し、前記半導体または機械式リレーのＯＮ／ＯＦＦにより、電流経路を可変できる構造とした。

実施例２に於いては、かかるインダクタンスの調整機構をバスバー２０及び２２の経路中に設置した複数の半導体または機械式リレー、及びバスバー２３及び２５の経路中に設置した複数の半導体または機械式リレー、によって実現した。図６は実施例２に係るパワー半導体用試験装置の回路の構造を示す概念図である。実施例１と異なり、同様の位置に複数の半導体または機械式リレー設置を設置することにより、手動のみならずＬｓの調整を自動化することを可能とした。これにより、簡素な構成でもって試験回路のＬｓを自動調整することが可能となり、試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を同一装置で並行して行うことが出来、また試験対象の変更や素子特性のバラツキにもさらに柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となった。

次に、本発明に係る他の実施例について説明する。図７は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。本実施例に於いては、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源１と、前記高圧電源１に接続され試験対象であるパワー半導体４，５への試験電流を放出するコンデンサ２と、パワー半導体４，５の負荷となる誘導負荷３と、前記誘導負荷３をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレー１４と、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレー１５と、前記各部品を接続するバスバーと、パワー半導体４，５のドライバ回路６，７を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側接続リレー１４とＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、中間バスバー２７の位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変できる構造とした。

実施例３に於いては、かかるインダクタンスの調整機構を、Ｐ側接続リレー１４とＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、中間バスバー２７の位置をスライドして可変できる構造によって実現した。図８は実施例３に係るパワー半導体用試験装置の回路の構造を示す概念図である。図に示すように通常は一体的に形成されるＰ側接続リレー１４とＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路間の領域を分割し、手動によるスライドでインダクタンスの調整を行うためのサブバスバー２７を設置した。これにより、実施例１と同様に簡素な構成でもって試験回路のＬｓを調整することが可能となり、試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を同一装置で並行して行うことが出来、また試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となった。なお、図７ではＰ側接続リレー１４とコンデンサ２の電流経路間の接続バスバーの一部を３分割しているが、この場合Ｎ側経路の寄生インダクタンス は変化なく小さな値であるため、各部電圧が対地に対してより安定した電圧となるため、計測装置としてはＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路の接続バスバーを3分割するより安定した波形を観測できることが期待できる。

次に、本発明に係る他の実施例について説明する。図９は本発明に係るパワー半導体用試験装置の他の実施例に係る回路図である。本実施例に於いては、少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源１と、前記高圧電源１に接続され試験対象であるパワー半導体４，５への試験電流を放出するコンデンサ２と、パワー半導体４，５の負荷となる誘導負荷３と、前記誘導負荷３をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレー１４と、ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレー１５と、前記各部品を接続するバスバーと、パワー半導体４，５のドライバ回路６，７を有するパワー半導体用試験装置において、Ｐ側接続リレー１４とＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、中間バスバー２７の位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変することが出来、且つ、中間バスバー２７と並列にすくなくとも１つ以上の半導体または機械式リレーを有し、前記リレーのＯＮ／ＯＦＦにより電流経路を可変できる構造とした。

実施例４に於いては、かかるインダクタンスの調整機構を、コンデンサに接続されるバスバー２８を含む経路中に設置した複数の半導体または機械式リレーによって実現した。図１０は実施例２に係るパワー半導体用試験装置の回路の構造を示す概念図である。実施例３と異なり、同様の位置に複数の半導体または機械式リレーを設置することにより、手動のみならずＬｓの調整を自動化することを可能とした。これにより、簡素な構成でもって試験回路のＬｓを自動調整することが可能となり、試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を同一装置で並行して行うことが出来、また試験対象の変更や素子特性のバラツキにもさらに柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となった。お、図９ではＰ側接続リレー１４とコンデンサ２の電流経路間の接続バスバーの一部を３分割しているが、この場合Ｎ側経路の寄生インダクタンス は変化な く小さな値であるため、各部電圧が対地に対してより安定した電圧となるため、計測装置としてはＮ側接続リレー１５とコンデンサ２の電流経路の接続バスバー を３分割するより安定した波形を観測できることが期待できる。

本発明に係るパワー半導体用試験装置は、簡素な構成でもって試験対象のパワー半導体のスイッチング特性試験及びスクリーニング試験を、同一装置で並行して行うことが出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となるという利点があり、もって産業の発展に寄与するものである。

また本発明に係るパワー半導体用試験装置は、簡素な構成でもって試験対象のパワー半導体に印加する試験電圧の波形を変化させることが出来、試験対象の変更や素子特性のバラツキにも柔軟に対応出来、高速且つ低コストでパワー半導体の試験が可能となるという利点があり、もって産業の発展に寄与するものである。

１ 高圧電源
２ 試験電流を放出するコンデンサ
３ パワー半導体の負荷となる誘導負荷
４，５ パワー半導体
１４ Ｐ側接続リレー
１５ Ｎ側接続リレー
６，７ パワー半導体のドライバ回路
２０，２１，２２，２３，２４，２５ バスバー
２７ 中間バスバー

Claims (5)

1. 少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、
   前記高圧電源に接続され試験対象であるパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、
   パワー半導体の負荷となる誘導負荷と、
   前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、
   ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、
   前記各部品を接続するバスバーと、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   コンデンサとパワー半導体の間の接続用バスバーを３分割し、
   中間バスバーの位置をスライドして可変できる構造とし、
   電流経路を可変することが出来ることを特徴とする、
   パワー半導体用試験装置。
2. 少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、
   前記高圧電源に接続され試験対象であるパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、
   パワー半導体の負荷となる誘導負荷と、
   前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、
   ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、
   前記各部品を接続するバスバーと、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   コンデンサとパワー半導体の間の接続用バスバーを２分割し、
   該バスバー間に複数の半導体または機械式リレーを有し、
   前記半導体または機械式リレーのＯＮ／ＯＦＦにより電流経路を可変することが出来ることを特徴とする、
   パワー半導体用試験装置。
3. 少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、
   前記高圧電源に接続され試験対象であるパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、
   パワー半導体の負荷となる誘導負荷と、
   前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、
   ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、
   前記各部品を接続するバスバーと、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   コンデンサとパワー半導体の間の接続用バスバーの一部を３分割し、
   中間バスバーの位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変することが出来、
   且つ、中間バスバーと並列に少なくとも１つ以上の半導体または機械式リレーを有し、
   前記リレーのＯＮ／ＯＦＦにより電流経路を可変できることを特徴とする、
   パワー半導体用試験装置。
4. 少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、
   前記高圧電源に接続され試験対象であるパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、
   パワー半導体の負荷となる誘導負荷と、
   前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、
   ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、
   前記各部品を接続するバスバーと、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   Ｐ側接続リレーとコンデンサの電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、
   中間バスバーの位置をスライドして可変できる構造とし、
   電流経路を可変できることを特徴とする、
   パワー半導体用試験装置。
5. 少なくとも数百ボルトから数千ボルトを発生する高圧電源と、
   前記高圧電源に接続され試験対象であるパワー半導体への試験電流を放出するコンデンサと、
   パワー半導体の負荷となる誘導負荷と、
   前記誘導負荷をポジティブ側に接続する半導体または機械式のＰ側接続リレーと、
   ネガティブ側に接続する半導体または機械式のＮ側接続リレーと、
   前記各部品を接続するバスバーと、
   パワー半導体のドライバ回路を有するパワー半導体用試験装置において、
   Ｐ側接続リレーとコンデンサの電流経路間の接続用バスバーの一部を３分割し、
   中間バスバーの位置をスライドして可変できる構造とし、電流経路を可変することが出来、
   且つ、中間バスバーと並列に少なくとも１つ以上の半導体または機械式リレーを有し、
   前記リレーのＯＮ／ＯＦＦにより電流経路を可変できることを特徴とする、
   パワー半導体用試験装置。

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