JP2016011952A - パワー半導体用試験装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2 試験電流を放出するコンデンサ
3 誘導負荷
4,5 パワー半導体
10 パワー半導体4とコンデンサ2間のバスバー
13 パワー半導体5とコンデンサ2間のバスバー
14 P側接続リレー
15 N側接続リレー
6,7 パワー半導体のドライバ回路
20,21,22,23,24,25 ケーブル
30,32 電流センサ
60 ダイオード
100 遮断素子
101 電流センサまたは電圧センサ
102 遮断制御回路
103 基準信号
104 比較回路
105 ラッチ回路
Claims (20)
- 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
バスバー10、13の50%以上の部分の厚みが5mm以上であることを特徴とする、
パワー半導体用動特性試験装置。 - 請求項1記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該バスバー10、13の50%以上の部分の厚みが10mm以上であることを特徴とする、
請求項1記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
パワー半導体4、5とコンデンサ2までの端子間距離が300mm以内であることを特徴とする、
パワー半導体用動特性試験装置。 - 請求項3記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該パワー半導体4、5とコンデンサ2までの端子間距離が200mm以内であることを特徴とする、
請求項3記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
該コンデンサ2を複数備えてなり、
該パワー半導体4、5とコンデンサ2までの端子間距離が等しくなるように配置されたことを特徴とする、
パワー半導体動特性試験装置。 - 請求項5記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該コンデンサ2を複数備えてなり、
該コンデンサ2が同心円状に配置されたことを特徴とする、
請求項5記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
該コンデンサ2を複数備えてなり、
該パワー半導体4、5とコンデンサ2までの端子間距離が二段階或いは多段階となるように配置されたことを特徴とする、
パワー半導体動特性試験装置。 - 請求項7記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該コンデンサ2を複数備えてなり、
該コンデンサ2が径の異なる複数列の同心円状に配置されたことを特徴とする、
請求項7記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 請求項5乃至請求項8に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該複数のコンデンサ2の電流値が過大な場合に電流を遮断する複数の遮断素子100をさらに備えることを特徴とする、
請求項5乃至8のいずれか一請求項に記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 請求項9に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該複数の遮断素子100が同心円状に配置されたことを特徴とする、
請求項9記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 請求項9に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該複数の遮断素子100が径の異なる複数列の同心円状に配置されたことを特徴とする、
請求項9記載のパワー半導体動特性試験装置。 - 請求項1乃至請求項11に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該バスバー10と該誘導負荷3の電流を測定して、演算によりバスバー10の電流を算出することを特徴とする、
請求項1乃至11のいずれか一請求項に記載のパワー半導体試験装置。 - 請求項1乃至請求項12に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
試験回路中に存在する寄生インダクタンスが30nH以下であることを特徴とする、
請求項1乃至12のいずれか一請求項に記載のパワー半導体試験装置。 - 請求項13に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
試験回路中に存在する寄生インダクタンスが20nH以下であることを特徴とする、
請求項13に記載のパワー半導体試験装置。 - 請求項14に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
試験回路中に存在する寄生インダクタンスが10nH以下であることを特徴とする、
請求項14に記載のパワー半導体試験装置。 - 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
該試験電流を放出する複数のコンデンサ2の配置される平面と該パワー半導体4、5の配置される平面とは、該各部品を接続するバスバー10、13を含む領域を介して異なる面上に配置され、
該試験電流を放出するコンデンサ2と該パワー半導体4、5との接続は、該試験電流を放出する複数のコンデンサ2の配置される平面の中心を貫通してなされることを特徴とする、
パワー半導体用動特性試験装置。 - 請求項16に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該試験電流を放出する複数のコンデンサ2の配置される平面の中心を通してなされる該試験電流を放出するコンデンサ2と該パワー半導体4、5との貫通配線に電流センサーを配設してなることを特徴とする、
請求項16に記載のパワー半導体試験装置。 - 請求項17に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該電流センサーは、ロゴスキー型電流センサーであることを特徴とする、
請求項17に記載のパワー半導体試験装置。 - 高圧電源1と、
前記高圧電源1に接続され試験対象であるパワー半導体4、5への試験電流を放出するコンデンサ2と、
パワー半導体4、5の負荷となる誘導負荷3と、
前記誘導負荷3をポジティブ側に接続する半導体または機械式のP側接続リレー14と、
ネガティブ側に接続する半導体または機械式のN側接続リレー15と、
前記各部品を接続するバスバー10、13と、
パワー半導体4、5のドライバ回路6,7を有するパワー半導体用動特性試験装置において、
該試験電流を放出する複数のコンデンサ2と該パワー半導体4、5の接続導体中に夫々ダイオードを配設したことを特徴とする、
パワー半導体用動特性試験装置。 - 請求項19に記載のパワー半導体動特性試験装置において、
該ダイオードを介して複数レベルの電圧を印加し、夫々の電圧に対応して測定を行うことを特徴とする、
請求項19に記載のパワー半導体試験装置。
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